CN1603918A - 光学补偿弯曲模式液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器，包括：第一衬底，包括形成于该第一衬底上的多个存储电极线和多个像素电极，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于该第二衬底上的共用电极，其中，在所述多个像素电极与所述共用电极之间的电容为液晶电容(Clc)，并且所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)为大约0.77。

Description

光学补偿弯曲模式液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种光学补偿弯曲模式(OCB，optically compensated bend)的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛应用的平板显示器中的一种。液晶显示器包括设置有电场产生电极的两个面板以及设置在这两个面板之间的液晶(LC)层。LCD通过将电压施加到所述电场产生电极上而在LC层中产生电场，来显示图像，所述电场确定LC分子在LC层中的定向以调整入射光的偏振。
最近，已经进行了关于光学补偿弯曲(OCB)模式LCD的研究。OCB模式LCD具有高响应速度和宽视角的特征是公知的。在OCB模式LCD中，当靠近衬底之间的中央平面时，液晶分子逐渐弯曲到基本上垂直于相对衬底的方向。
OCB模式LCD展现出尖头(cusp)的时间-透射率曲线。尖头是透射率的增长短暂停止的时间段。在尖头之后，透射率再次增加。该尖头在测量响应时间的期间发生，在这一期间，透射率从10％变化到90％。因此，OCB模式LCD的响应时间由于存在这一尖头而增长。
发明内容
根据本发明一实施例的液晶显示器，包括：第一衬底，包括形成于该第一衬底上的多个栅极线和多个存储电极线；栅极绝缘层，形成在所述多个栅极线和所述多个存储电极线上；钝化层，形成在栅极绝缘层上；多个像素电极，形成在钝化层上，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于该第二衬底上的共用电极；以及液晶层，介于第一衬底和第二衬底之间，其中，在所述多个像素电极与所述共用电极之间的电容为液晶电容(Clc)，并且所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)为大约0.77。
所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)可以大于或者等于0.77。所述液晶层可包括多个对准成以光学补偿弯曲模式被驱动的液晶。所述多个栅极线和所述多个存储电极线的厚度可为大约1000埃至3500埃。所述栅极绝缘层的厚度可为大约3500埃至4500埃。所述钝化层的厚度可为大约1500埃至2500埃。液晶层的单元间隙可以小于或者等于5微米。白状态的液晶电容(Clcwhite)与黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大约为0.814，或者大于或者等于0.814。
所述液晶显示器可还包括：多个栅极电极，形成在所述第一衬底上；多个半导体岛，形成在栅极绝缘层上，从而与所述多个栅极电极上重叠；多个第一欧姆触头，形成在所述多个半导体岛的第一部分上；多个第二欧姆触头，形成在所述多个半导体岛的第二部分上；多个数据线，包括多个形成在所述多个第一欧姆触头上的源电极；以及形成在所述多个第二欧姆触头上的多个漏电极。所述多个半导体岛中的每个半导体岛的厚度可为大约800埃至1500埃。所述多个第一和第二欧姆触头中的每一个欧姆触头的厚度可为大约500埃至800埃。所述多个数据线中的每个数据线的厚度以及所述多个漏电极中的每个漏电极的厚度可为大约1500埃至3000埃。所述多个数据线和所述多个漏电极可延伸到栅极绝缘层上。
根据本发明一实施例的液晶显示器，包括：第一衬底，包括形成于该第一衬底上的多个存储电极线和多个像素电极，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于该第二衬底上的共用电极，其中，在所述多个像素电极与所述共用电极之间的电容为液晶电容(Clc)，并且所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)为大约0.77。
根据本发明一实施例的液晶显示器，包括：第一衬底，包括形成于该第一衬底上的多个栅极线和多个存储电极线；栅极绝缘层，形成在所述多个栅极线和所述多个存储电极线上，其中，所述栅极绝缘层的厚度可为大约3500埃至4500埃；钝化层，形成在栅极绝缘层上，其中，所述钝化层的厚度可为大约1500埃至2500埃；多个像素电极，形成在钝化层上，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于该第二衬底上的共用电极。
附图说明
将从下文结合附图的说明中更详细地了解本发明的优选实施例，附图中：
图1A是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局；
图1B是沿着线1b-1b’截取的图1A中的LCD的剖面图；
图2A是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局；
图2B示出了沿着线1b”-1b”截取的图2A所示LCD的剖面图；
图3是曲线图，示出了根据传统技术和本发明一实施例的LCD的时间-透射率曲线；
图4A是在传统LCD中关于灰度延续的响应时间的柱状线条图；
图4B是在根据本发明一实施例的LCD中关于灰度延续的响应时间的柱状线条图。
具体实施方式
现在参照附图详细说明本发明的优选实施例，在附图中示出了本发明的优选实施例。但本发明可以以不同形式实施，并且可以不局限于这里所述实施例地加以解释。而提供这些实施例使得公开完全和完整，并且将本发明的整个范围转达给本领域的技术人员。
在附图中，层、薄膜和区域的厚度为了清楚起见被放大。相同的附图标记在全文中指代相同的元件。应该明白，当诸如一层、薄膜、区域或衬底的元件被称作在另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者可存在有介入元件。
图1A是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局。图1B是沿着线1b-1b’截取的图1A中的LCD的剖面图。
根据本发明一实施例的OCB模式LCD包括：薄膜晶体管(TFT)阵列面板100；色彩过滤阵列面板200；液晶层3；一对补偿薄膜13和23，分别设置在面板100和200的外表面上；以及一对偏振薄膜12和22，分别设置在补偿薄膜13和23的外表面上。
下面将描述TFT阵列面板100的结构。
由例如铝、铝合金、铬、铬合金、钼、钼合金、氮化铬或氮化钼制成的多个栅极线121和多个存储电极线131形成在绝缘衬底110上，厚度约为1000埃至3500埃。
栅极线121基本沿着横向延伸并且相互分离。栅极线121传送栅极信号。栅极线121具有多个栅极电极123并且可具有用于连接到外部电路的扩张部分(在附图中未示出)。
每个存储电极线131基本沿着横向延伸，并且包括多个成对的存储电极133a和133b。
栅极线121和存储电极线131可具有多层结构，该多层结构包括物理特性不同的两个薄膜，即下薄膜(未示出)和上薄膜(未示出)。所述薄膜中的一个例如由包括含铝金属的低电阻率金属制成，所述含铝金属例如为铝或者铝合金，从而减小在栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或者电压降。另一个薄膜例如由诸如铬、钼或者钼合金的材料制成，所述材料与诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的其它材料有好的接触特性。下薄膜材料与上薄膜材料的结合的例子为铬和铝钕合金。
例如由氮化硅(SiNx)或者氧化硅制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上，厚度为大约3500埃至4500埃。
例如由氢化无定形硅(“a-Si”)制成并且叠置在栅极123上的多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154的厚度为大约800埃至1500埃。
例如由硅化物或者掺杂有大量n型杂质的n+氢化a-Si制成的多个欧姆触头163和165形成在半导体岛154上，厚度为大约500埃至800埃。
多个数据线171和多个漏电极175形成在欧姆触头163和165、以及栅极绝缘层140上。数据线171和漏电极175由例如铝、铝合金、铬、铬合金、钼、钼合金、氮化铬或氮化钼制成，厚度为大约1500埃至3000埃。
每一数据线171基本沿着纵向延伸并且包括多个源电极173，所述源电极朝向漏电极175延伸。数据线171和栅极线121交叉限定出像素区。漏电极175设置在欧姆触头165上并且延伸到栅极绝缘层140上。
数据线171和漏电极175可具有多层结构，所述多层结构包括物理特性不同的两个薄膜。一个薄膜例如由包括含铝金属的低电阻率金属制成，所述合铝金属例如为铝或者铝合金，从而减小在数据线中的信号延迟或者电压降。另外的一个或多个薄膜例如由诸如铬、钼或者钼合金的材料制成，所述材料与诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的其它材料有好的接触特性。由诸如氮化硅和氧化硅的绝缘材料制成的钝化层180形成在数据线171、漏电极175和半导体岛154上，厚度为大约1500埃至2500埃。
钝化层180具有暴露出部分漏电极175的多个接触孔181。
多个像素电极190形成在钝化层180上。像素电极190由诸如ITO或IZO的透明导电体制成。
像素电极190和存储电极线131通过相互重叠形成存储电容(Cst)。
将针对图1B描述面对TFT阵列面板100的色彩过滤面板200。
重叠栅极线121、数据线171和TFT阵列面板100的TFT的光线阻挡层220形成在绝缘衬底210上。
多个红色过滤器230R、绿色过滤器230G和蓝色过滤器230B形成在绝缘衬底210和部分光线阻挡层220上，并且按顺序设置。
由诸如ITO或IZO的透明导电体制成的共用电极270形成在色彩过滤器230R、230G和230B上。
色彩过滤器阵列面板200和TFT阵列面板100彼此相对装配，从而在面板100和200之间形成间隙。液晶材料被装填到面板100和200之间的所述间隙之间，从而形成具有预定单元间隙的液晶层3。
由栅极线121和数据线171限定的像素区被划分为对应于红色过滤器230R的R像素区、对应于绿色过滤器230G的G像素区和对应于蓝色过滤器230B的B像素区。
将液晶层3的液晶对准成能够以OCB模式被驱动。即，向列液晶对准以形成斜(splayed)阵列，施加预定的电压以将液晶转换为弯曲阵列，然后施加灰度电压以控制光透射率。为了对准液晶，对准层(未示出)形成在像素电极190和共用电极270上，并且被摩擦成在预定的方向上。这里，将对准层的摩擦方向设定成与对准斜阵列中的液晶的方向相同。
设置偏振薄膜12和22以使偏振薄膜12和22的偏振方向相互垂直，并且相对于对准层的摩擦方向成45度和135度的角度。
设定补偿薄膜13和23以显示对绿光的最佳补偿。
在图1A和1B中示出的液晶显示器具有以下特性中的一个或者两者。
存储电容(Cst)相对于液晶电容(Clc)的比值(Cst/Clc)大约为0.77，并且根据本发明的一实施例，大于或者等于0.77。液晶电容(Clc)是像素电极190与共用电极270之间的电容。白状态的液晶电容(Clcwhite)相对于黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大约为0.814，根据本发明的一实施例，大于或者等于0.814。
根据本发明一实施例的LCD得到比传统LCD短得多的响应时间。响应时间更短是因为在透射率高于90％完成之后的时刻出现时间-透射率曲线的尖头。
图2A是根据本发明一实施例的液晶布局图。图2B是沿着线11b-11b’截取的图1A所示LCD的剖面图。
图2A和2B所示的LCD不同于图1A和1B所示的LCD，其不同之处在于薄膜晶体管阵列面板的一些特征。将针对TFT阵列面板的这些特征描述图2A和2B中的LCD，并且省略相同或者类似特征的描述。
参见图2B，接触辅助件163和165的布局与漏电极175和包括朝向漏电极175延伸的源电极173的数据线171基本相同。半导体岛154的布局与数据线171和漏电极175基本相同，除了位于漏电极175和源电极173之间的区域相连以外。
换句话说，包括源电极173的数据线171与掺杂无定形硅层163和无定形硅层154一起形成一个三层，所述数据线171例如为一金属层。类似地，漏电极175与掺杂无定形硅层165和无定形硅层154一起形成一个三层，所述漏电极175例如为一金属层。
这种结构特征是光刻处理的结果。
即，数据线171和漏电极175、欧姆触头163和165、以及半导体154通过光刻形成图案。光刻处理包括形成厚度随光刻胶(photo-resist)图案位置变化的光刻胶图案的步骤。位于数据线171和漏电极175上的光刻胶图案部分比位于漏电极175和源电极173之间的光刻胶图案部分厚度大。
通过使用光刻胶层作为蚀刻掩膜来蚀刻数据金属层、欧姆接触层和半导体层。蚀刻过程如下。
首先蚀刻数据金属层的暴露部分，然后顺序蚀刻欧姆接触层和半导体层。这时，也将光刻胶图案蚀刻成去除光刻胶图案的薄的部分，从而将漏电极175与源电极173之间的数据金属层暴露出来。
通过灰化(ashing)将漏电极175与源电极173之间的光刻胶图案的残余去除。
顺序蚀刻数据金属层的暴露部分和下面的欧姆接触层的暴露部分。
如图2A和2B所示的液晶显示器具有以下特性中的一个或者两者。
存储电容(Cst)相对于液晶电容(Clc)的比值(Cst/Clc)大约为0.77，并且根据本发明的一实施例，大于或者等于0.77。液晶电容(Clc)是像素电极190与共用电极270之间的电容。白状态的液晶电容(Clcwhite)相对于黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大约为0.814，根据一实施例，大于或者等于0.814。
根据本发明一实施例的LCD得到比传统LCD短得多的响应时间。响应时间更短是因为在透射率高于90％完成之后的时刻出现时间-透射率曲线上的尖头。
图3是曲线图，示出了根据传统技术和本发明一实施例的LCD的时间-透射率曲线。
在图3中，左边的曲线示出了根据传统技术的LCD的时间-透射率变化，右边曲线示出了根据本发明一实施例的LCD的时间-透射率变化。
参见图3中的左边曲线，在透射率的90％已经完成之前的点处出现尖头。因此，响应时间包括了尖头持续的时间，这使得响应时间大于16.7毫秒。但是参见图3中的右边曲线，在透射率的90％已经完成之后的点处出现尖头。因此，响应时间除去了尖头的持续时间。因此，响应时间小于5毫秒。
因此通过控制尖头使得尖头在透射率的90％已经完成之后的点处出现，从而减小响应时间。
尖头的出现是在薄膜晶体管(TFT)关闭之后施加到液晶层上的电压的波动的结果。该电压波动可通过像素电极和共用电极之间的电容(液晶电容)的变化来减小，所述电容变化是由于液晶的重新排布造成的。
通过增大存储电容(Cst)相对于液晶电容(Clc)的比值(Cst/Clc)，和/或减小黑状态的液晶电容(Clcblack)与白状态的液晶电容(Clcwhite)之间的差别，可以在透射率的90％已经完成之后出现尖头。
增大比值Cst/Clc以减小Clc变化对整个电容(Clc+Cst)的影响。如果比值Cst/Clc足够大，则由于液晶的重新排布导致的Clc变化不会产生整个电容(Clc+Cst)的相当大变化。因此，因此，也减小了电压波动。即，Clc对V(V＝Q/(Clc+Cst))的影响减小。
为了增大比值Cst/Clc，可以应用以下方法中的一种或者多种的结合。可增大存储电极线(例如，存储电极线131)的宽度，可增大像素电极与存储电极线之间的厚度(例如绝缘层140、钝化层180)，或者可通过减小液晶层的单元间隙或者使用具有低介电常数的液晶材料来减小Clc。
表1示出了通过减小像素电极与存储电极线之间的绝缘层的厚度来增加Cst的实验结果。
[表1]
绝缘层的厚度 传统条件下的厚度 减小1500埃
Cst 0.566 0.736(减小30％)
响应时间 17.8毫秒 17.0毫秒
尖头的位置(亮度％) 81.8％ 87.3％
在表1中，Clcblack为1.071。
如表1所示，随着像素电极与存储电极之间的绝缘层的厚度减小1500埃，存储电容增大30％，响应时间减小0.8毫秒。透射率尖头从完成的透射率81.8％至完成的87.3％。因此，增加Cst/Clc减小了响应时间。
参见表1，对使尖头在透射率超过90％的点处出现的条件所作分析如下。
情形1(传统)：Cst＝0.566，Clcblack＝1.071(Cst/Clc＝0.53)-＞尖头的位置：81.8％
情形2(减小1500埃)：Cst＝0.736，Clcblack＝1.071(Cst/Clc＝0.69)-＞尖头的位置：87.3％
当将这两种情形代入比例表达式时，
(0.69-0.53)∶(87.3-81.8)＝(x-0.53)∶(90-81.8)
-＞0.16∶5.5＝x∶8.2
-＞x＝0.768
因此，当满足以下条件时，尖头在超过最终透射率的90％的点处出现。
Cst/Clc≥大约0.77
减小黑状态的液晶电容(Clcblack)与白状态的液晶电容(Clcwhite)之间的差别减小了由于液晶重新排布造成的液晶电容的变化，由此减小了导致尖头的电压波动。换句话说，随着Clcblack与Clcwhite的比值接近1，白状态的电压(Vw)相对于黑状态的电压(Vb)的比值(Vw/Vb)可逼近1。
Vw Vb = Q Clc ( white ) + Cst Q Clc ( black ) + Cst = Clc ( white ) + Cst Clc ( black ) + Cst
为了减小Clcblack与Clcwhite之间的差异，从而使Clcwhite/Clcblack接近于1，可减小液晶层的单元间隙。
表2示出了通过将上述单元间隙从约5.3微米减小至约5.0微米，减小利用比值Clcwhite/Clcblack测量的Clcblack与Clcwhite之间的差异的实验的结果。
[表2]
单元间隙 Clcblack  Clcwhite  Clcwhite/Clcblaek 尖头的位置 接通时间 断开时间
5.3微米 1.071  0.845  0.789 低于90％ 2～3毫秒 3～19毫秒
5.0微米 1.239  1.008  0.814 高于90％ 2～3毫秒 3～5毫秒
参见图4A和4B，根据表2中的两个条件测量相对于不同灰度电压转变的响应时间。
图4A是在传统LCD中关于灰度延续的响应时间的柱状线条图，图4B是在根据本发明一实施例的LCD中关于灰度延续的响应时间的柱状线条图。
在图4A和4B中，起始灰度是在转变之前的灰度，终止灰度是在转变之后的灰度。位于起始灰度和终止灰度的延伸线的交叉点处的条的高度代表从起始灰度到终止灰度变化的响应时间。
在图4A中，一些响应时间在15毫秒以上。但是，在图4B中所用的响应时间小于5毫秒。
如上结果所示，当以下条件满足时，所述尖头将在超过透射率的90％的点处出现。
Clcwhite/Clcblack≥大约0.814
如上所述，根据本发明一实施例的LCD展现出比传统LCD短得多的响应时间。响应时间更短是因为在透射率高于90％完成之后的时刻出现时间-透射率曲线的尖头。
虽然已经参照附图描述了示例性实施例，但应该明白，本发明不局限于这些具体的实施例，可在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行多种变形和修改。所有这些变形和修改旨在被包括在所附权利要求限定的本发明的范围中。

Claims (26)

1、一种液晶显示器，包括：
第一衬底，包括形成于该第一衬底上的多个栅极线和多个存储电极线；
栅极绝缘层，形成在所述多个栅极线和所述多个存储电极线上；
钝化层，形成在栅极绝缘层上；
多个像素电极，形成在钝化层上，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；
第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于其上的共用电极；以及
液晶层，介于第一衬底和第二衬底之间，其中，在所述多个像素电极与所述共用电极之间的电容为液晶电容(Clc)，并且所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)为约0.77。
2、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)大于或者等于0.77。
3、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述液晶层包括多个对准成以光学补偿弯曲模式被驱动的液晶。
4、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述多个栅极线和所述多个存储电极线的厚度为约1000埃至3500埃。
5、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述栅极绝缘层的厚度为约3500埃至约4500埃。
6、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述钝化层的厚度为约1500埃至约2500埃。
7、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述液晶层的单元间隙小于或者等于5微米。
8、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，白状态的液晶电容(Clcwhite)与黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)约为0.814。
9、如权利要求8所述的液晶显示器，其中，白状态的液晶电容(Clcwhite)与黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大于或者等于0.814。
10、如权利要求1所述的液晶显示器，还包括：
多个栅极电极，形成在所述第一衬底上；
多个半导体岛，形成在栅极绝缘层上，从而与所述多个栅极电极重叠；
多个第一欧姆触头，形成在所述多个半导体岛的第一部分上；
多个第二欧姆触头，形成在所述多个半导体岛的第二部分上；
多个数据线，包括多个形成在所述多个第一欧姆触头上的源电极；以及
形成在所述多个第二欧姆触头上的多个漏电极。
11、如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述多个半导体岛中的每个半导体岛的厚度为约800埃至约1500埃。
12、如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述多个第一和第二欧姆触头中的每一个欧姆触头的厚度为约500埃至约800埃。
13、如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述多个数据线中的每个数据线的厚度为约1500埃至约3000埃。
14、如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述多个漏电极中的每个漏电极的厚度为约1500埃至约3000埃。
15、如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述多个数据线和所述多个漏电极延伸到栅极绝缘层上。
16、一种液晶显示器，包括：
第一衬底，包括形成于其上的多个存储电极线和多个像素电极，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线通过相互重叠而产生存储电容(Cst)；
第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于其上的共用电极，其中，在所述多个像素电极与所述共用电极之间的电容为液晶电容(Clc)，并且所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)大约为0.77。
17、如权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述存储电容与液晶电容的比值(Cst/Clc)大于或者等于0.77。
18、如权利要求16所述的液晶显示器，还包括介于所述第一和第二衬底之间的液晶层，其中所述液晶层包括多个对准成以光学补偿弯曲模式被驱动的液晶。
19、如权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述液晶层的单元间隙小于或者等于约5微米。
20、如权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述多个存储电极线的厚度为约1000埃至约3500埃。
21、如权利要求16所述的液晶显示器，其中，白状态的液晶电容(Clcwhite)与黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大约为0.814。
22、如权利要求21所述的液晶显示器，其中，白状态的液晶电容(Clcwhite)与黑状态的液晶电容(Clcblack)的比值(Clcwhite/Clcblack)大于或者等于0.814。
23、一种液晶显示器，包括：
第一衬底，包括形成于其上的多个栅极线和多个存储电极线；
栅极绝缘层，形成在所述多个栅极线和所述多个存储电极线上，其中，所述栅极绝缘层的厚度为约3500埃至约4500埃；
钝化层，形成在栅极绝缘层上，其中，所述钝化层的厚度为约1500埃至约2500埃；
多个像素电极，形成在钝化层上，其中，所述多个像素电极和所述多个存储电极线相互重叠；以及
第二衬底，与第一衬底相对定位，该第二衬底包括形成于其上的共用电极。
24、如权利要求23所述的液晶显示器，还包括介于所述第一和第二衬底之间的液晶层，其中所述液晶层包括多个对准从而以光学补偿弯曲模式被驱动的液晶。
25、如权利要求24所述的液晶显示器，其中，所述液晶层的单元间隙小于或者等于约5微米。
26、如权利要求23所述的液晶显示器，其中，所述多个栅极线和所述多个存储电极线的厚度为约1000埃至约3500埃。
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