CN1601688A - 等离子显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种适于改进产量和大规模生产率的等离子显示面板及其制造方法。根据本发明的实施例的等离子显示面板包括：第一衬底；面对第一衬底的第二衬底，并在它们之间有放电空间；位于第一衬底和第二衬底之间的密封层；以及形成在第一衬底和密封层之间来补偿第一衬底和密封层的热应力的缓冲层。

Description

等离子显示面板及其制造方法
本发明要求于2003年4月25日在韩国提交的韩国专利申请No.P2003-26401的权益，并在这里将其完全包含作为参考。
技术领域
本发明涉及一种等离子显示面板，并且更为特别的是一种适于改进产量和大规模生产率的等离子显示面板及其制造方法。
背景技术
等离子显示面板(在下文中作为“PDP”)具有由在惰性混合气体，比如He+Xe，Ne+Xe，He+Xe+Ne放电的情况下产生的147nm的紫外光引起的磷光发射，由此显示包括字符或图形的画面。这样的PDP易于被做成它的薄膜及大尺寸类型。而且，因为近来的技术发展，PDP提供更加优良的画面质量。
参考图1，三电极AC表面放电类型PDP的放电单元包括在上衬底16上形成的保持电极对4和在下衬底14上形成的寻址电极2。
保持电极对4中的每一个包括铟锡氧化物ITO的透明电极4A和在透明电极4A的边缘的一侧形成的金属总线电极4B。在其中形成了保持电极对4的上衬底16上沉积上绝缘层12和保护膜10。在等离子放电情况下产生的壁电荷在上绝缘层12中累积。保护膜10防止上绝缘层12和保持电极对4因为在等离子放电情况下产生的飞溅而损坏，并且另外，它增加了二级电子的发射效率。保护膜10通常是氧化镁MgO。
下绝缘层18和隔栅8在其中形成了寻址电极2的下衬底14上形成，并且在下绝缘层18和隔栅8的表面上形成磷6。寻址电极2和保持电极对4正交。隔栅8沿着寻址电极2形成来防止放电产生的紫外光和可见光泄漏到相邻的放电单元。由在等离子放电情况下产生的真空紫外光激发磷6来产生红，绿和蓝可见光中的任意一个。
将比如He+Xe，Ne+Xe，He+Xe+Ne的惰性混合气体注入在上/下衬底16，14和隔栅8之间提供的放电单元的放电空间，以放电。
另一方面，如图2所示，通过密封层50，将其中形成了寻址电极2的下衬底14和其中形成了保持电极对4Y，4Z的上衬底16接合
图3A到3D是示出了现有技术的PDP的密封过程的截面图。
首先，如图3A所示，在上衬底16上形成保持电极对4Y，4Z和上绝缘层12。
如图3B所示，在其中形成了上绝缘层12的上衬底16上形成密封层50。通过使用丝网印刷或分配器来散布密封胶形成密封层50，其中通过将玻璃粉末，溶剂和粘合剂混合在一起来形成密封胶。
之后，如图3所示，在200-300℃的环境中，在上衬底16上使用E光束沉积或飞溅方法形成保护膜10。
之后，将上衬底16和下衬底14对准，而且按压形成了密封层50的上衬底16并且将其和下衬底14接合。如图3D所示，烧制对准的上衬底16和下衬底14来移去包括在密封层50之中的大量溶剂和有机材料，由此接合上/下衬底16，14。
但是，在200-300的环境下形成保护膜10之后，因为在冷却到正常温度的过程中上衬底16和密封层50之间的热膨胀系数的不同，在上衬底16和密封层50接触的区域中出现裂缝。这种热膨胀系数的不同在上衬底16和密封层50接触的部分上产生局部热应力。在上衬底16中产生的热应力比密封层50中产生的大，其中上衬底16具有比密封层50大的热膨胀系数，并且热应力使得在上衬底16中产生裂缝。
因此，产生了PDP的产量和大规模生产率降低的问题。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种适于改进产量和大规模生产率的等离子显示面板及其制造方法。
为了达成本发明的这些和其它目的，根据本发明一个方面的等离子显示面板包括第一衬底；面对第一衬底的第二衬底，并在它们之间具有放电空间；位于第一衬底和第二衬底之间的密封层；以及形成在第一衬底和密封层之间来补偿第一衬底和密封层的热应力的缓冲层。
缓冲层由45～55％的PbO，10～20％的B2O3，10～20％的Al2O3和15～25％的SiO2组成。
缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数不同。
缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数相同。
缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数不同。
缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数相同。
第一衬底的热膨胀系数是大约80×10-7～95×10-7/℃。
密封层的热膨胀系数是大约65×10-7～80×10-7/℃。
缓冲层的热膨胀系数是大约72×10-7～86×10-7/℃。
等离子显示面板进一步包括在其中形成了缓冲层的第一衬底上形成的保护膜。
等离子显示面板进一步包括在第一衬底上形成的上绝缘层；以及在上绝缘层上形成的保护膜。
形成缓冲层从上绝缘层延伸。
缓冲层由和上绝缘层不同的材料分开的形成。
缓冲层由和上绝缘层相同的材料形成。
根据本发明的另一方面的等离子显示面板的制造方法包括步骤：在第一衬底上形成缓冲层；并且在缓冲层上形成密封层。
制造方法进一步包括步骤：提供面对其中形成了密封层的第一衬底的第二衬底；并且将第一衬底和第二衬底接合。
制造方法进一步包括步骤：在第一衬底上形成上绝缘层；以及在上绝缘层上形成保护膜。
在制造方法中，缓冲层由45～55％的PbO，10～20％的B2O3，10～20％的Al2O3和15～25％的SiO2组成。
在制造方法中，缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数不同。
在制造方法中，缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数相同。
在制造方法中，缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数不同。
在制造方法中，缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数相同。
在制造方法中，第一衬底的热膨胀系数是大约80×10-7～95×10-7/℃。
在制造方法中，密封层的热膨胀系数是大约65×10-7～80×10-7/℃。
在制造方法中，缓冲层的热膨胀系数是大约72×10-7～86×10-7/℃。
附图说明：
通过下面参考附图的本发明的实施例的详细描述，本发明的这些和其它目的将变得更为明显。附图中：
图1是一透视图，示出了现有技术的3电极AC类型等离子显示面板的放电单元结构；
图2是一截面图，示出了如图1所示的等离子显示面板的放电单元结构；
图3A到3D是截面图，示出了现有技术的等离子显示面板的密封过程；
图4是一截面图，示出了根据本发明的第一实施例的等离子显示面板的放电单元结构；
图5是一视图，示出了根据本发明的第一实施例的等离子显示面板的上绝缘层是双层的；
图6A到6D是截面图，示出了根据本发明的第一实施例的等离子显示面板的密封过程；
图7是一截面图，示出了根据本发明的第二实施例的等离子显示面板的放电单元结构；
图8是一视图，示出了根据本发明的第二实施例的等离子显示面板的缓冲层是双层的；
图9A到9D是截面图，示出了根据本发明的第二实施例的等离子显示面板的密封过程；
图10是一截面图，示出了根据本发明的第三实施例的等离子显示面板的放电单元结构；
图11是一视图，示出了根据本发明的第三实施例的等离子显示面板的缓冲层的高度低于上绝缘层；并且
图12A到12C是截面图，示出了根据本发明的第三实施例的等离子显示面板的密封过程。
具体实施方式：
下面将对本发明的优选实施例做出详细参考，在附图中示出其实例。
参考图4到12C，本发明的实施例的解释如下。
图4是一截面图，示出了根据本发明的第一实施例的PDP。
参考图4，3电极AC表面放电类型PDP的放电单元包括在上衬底116上形成的保持电极对104Y，104Z，以及在下衬底114上形成的寻址电极102。在这里，密封层105将上衬底116和下衬底114接合。
保持电极对104Y，104Z中的每一个包括铟锡氧化物ITO的透明电极104A和在透明电极104A的边缘的一侧形成的金属总线电极104B。在其中形成了保持电极对104Y，104Z的上衬底116上沉积上绝缘层112和保护膜110。上绝缘层112延伸到上衬底116的密封区域，从而和密封层接触。而且，在等离子放电情况下产生的壁电荷在上绝缘层112中累积。保护膜110防止上绝缘层112和保持电极对104因为在等离子放电情况下产生的飞溅而损坏，并且另外，它增加了二级电子的放射效率。保护膜110通常是氧化镁MgO。
在其中形成了寻址电极102的下衬底114上形成下绝缘层118和隔栅108，并且在下绝缘层118和隔栅108的表面上形成磷106。寻址电极102和保持电极对104Y，104Z正交。沿着寻址电极102形成隔栅108来防止由放电产生的紫外光和可见光泄漏到相邻的放电单元。由在等离子放电情况下产生的真空紫外光激发磷106来产生红，绿或蓝可见光中的任意一个。
将比如He+Xe，Ne+Xe，He+Xe+Ne这样的惰性混合气体注入在上/下衬底116，114和隔栅108之间提供的放电单元的放电空间，以放电。
另一方面，根据本发明的第一实施例的上绝缘层112形成在上衬底116和密封层150之间，来减轻在它们之间的热应力的不同。为了更为详细的解释，上衬底116具有第一热膨胀系数，密封层150具有低于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，并且上绝缘层112具有在第一和第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数。例如，上衬底116的热膨胀系数是80×10-7～95×10-7/℃，密封层150的热膨胀系数是65×10-7～80×10-7/℃，并且上绝缘层112的热膨胀系数是72×10-7～86×10-7/℃。
因此，位于上衬底116和密封层150之间的上绝缘层112分散了在保护膜110在200～300℃的环境下形成之后，上衬底116冷却到正常温度的过程中，由在上衬底116和密封层150之间的热膨胀系数的不同所引起的热应力。因为通过上绝缘层112分散了热应力，可能防止在上衬底116出现的裂缝，其中上衬底116和密封层150交叠并且在它们之间具有上绝缘层112。这里，上绝缘层112的成分和含量如下。
【表1】
  成分   PbO     B2O3     Al2O3     SiO2
  含量   45～55％     10～20％     10～20％     15～20％
另一方面，如图5所示，根据本发明的第一实施例的PDP的上绝缘层112可以形成为双层，并且可以在形成在衬底116上的第一下绝缘层112A上形成密封层150。
图6A到6D是截面图，示出了根据本发明的实施例的PDP的密封过程。
首先，如图6A所示，在其上形成了保持电极对104Y，104Z的上衬底116上散布上绝缘层材料，由此在上衬底116的前表面上形成上绝缘层112。如图6B所示，在其中形成了上绝缘层112的上衬底116上形成密封层150。通过使用丝网印刷或分配器散布胶来形成密封层150，其中通过将玻璃粉末，溶剂和粘合剂混合在一起形成胶。
之后，如图6C所示，通过在200～300℃的环境下使用E光束沉积或飞溅方法，在其上形成了密封层150的上衬底116上形成保护膜110。
之后，将其中形成了密封层150的上衬底116和下衬底114对准。如图6D所示，烧制对准的上衬底116和下衬底114来移去包括在密封层中的大量溶剂和有机材料，由此将上/下衬底116，114接合。
图7是一截面图，示出了根据本发明的第二实施例的PDP。
参考图7，当和如图4所示的PDP比较时，除了进一步包括在上衬底216和上绝缘层212之间的缓冲层211之外，根据本发明的第二实施例的PDP具有相同的组成部分，所以这里将不再详细解释如图4所示的相同组件。
形成缓冲层211和密封层250在上绝缘层212的较低部分接触，并且在上衬底216的整个表面具有5-50μm的厚度。
缓冲层211由具有在上衬底216的热膨胀系数和密封层250的热膨胀系数之间的热膨胀系数的材料制成。例如，上衬底216的热膨胀系数是80×10-7～95×10-7/℃，并且缓冲层211的热膨胀系数是72×10-7～86×10-7/℃。在缓冲层211中包括的材料是和在上绝缘层216中相同的材料。
因此，和密封层250接触的缓冲层211的区域分散由在上衬底216和密封层250之间的热膨胀系数的不同引起的热应力。因为由缓冲层211分散了热应力，可能防止在上衬底216中出现的裂缝。这里，缓冲层211的成分和含量如表2所示，并且它和上绝缘层212的成分和含量相同。
【表2】
  成分   PbO   B2O3   Al2O3   SiO2
  含量   45～55％   10～20％   10～20％   15～25％
另一方面，如图8所示，可以将根据本发明的第二实施例的缓冲层211形成为双层的，具有第一和第二缓冲层211A，211B，并且可以在第一缓冲层221A中形成缓冲层211，使得它可以具有比图7的缓冲层211更低的高度。
图9A到9D是截面图，示出了根据本发明的实施例的PDP的密封过程。
首先，如图9A所示，在其中形成了保持电极对204Y，204Z的上衬底216的前表面上形成缓冲层211。通过在除了其中形成了缓冲层211的上衬底216的密封区域以外的区域上散布绝缘层材料，在缓冲层211上的显示区域中形成上绝缘层212。如图9B所示，在其中形成了上绝缘层212的上衬底216上形成密封层250。通过使用丝网印刷或分配器散布密封材料胶来形成密封层250，其中通过将玻璃粉末，溶剂和粘合剂混合在一起形成密封材料胶。
之后，如图9C所示，通过在200～300℃的环境下使用E光束沉积或飞溅方法，在其上形成了密封层250的上衬底216上形成保护膜210。
之后，将其中形成了密封层250的上衬底216和下衬底214对准。烧制对准的上衬底216和下衬底214来移去包括在密封层中的大量溶剂和有机材料，由此接合上/下衬底216，214，如图9D所示。
图10是一截面图，示出了根据本发明的第三实施例的PDP。
参考图10，当和如图4所示的PDP比较时，除了进一步包括在上衬底316和密封层350之间的缓冲层311，根据本发明的第三实施例的PDP具有相同的组成部分，所以这里将不再详细解释如图4所示的相同组件。
缓冲层311形成在上衬底316上，和密封层350接触并且仅在它和缓冲层311交叠的区域处具有5～50μm的厚度。这里，如图11所示，可能形成缓冲层311具有比上绝缘层311更低的高度。
缓冲层311由具有在上衬底316的热膨胀系数和密封层350的热膨胀系数之间的热膨胀系数的材料制成。例如，上衬底316的热膨胀系数是80×10-7～95×10-7/℃，密封层350的热膨胀系数是65×10-7～80×10-7/℃，并且缓冲层311的热膨胀系数是72×10-7～86×10-7/℃。在缓冲层311中包括的材料是和在上绝缘层316中相同的材料。
因此，和密封层350接触的缓冲层311的区域分散由在上衬底316和密封层350之间的热膨胀系数的不同引起的热应力。因为由缓冲层311分散了热应力，可能防止在上衬底316中出现的裂缝。这里，缓冲层311的成分和含量如表3所示，并且它和上绝缘层312的成分和含量相同。
【表3】
  成分   PbO   B2O3   Al2O3   SiO2
  含量   45～55％   10～20％   10～20％   15～25％
图12A到12D是截面图，示出了根据本发明的实施例的PDP的密封过程。
如图12所示，通过如图12A所示的，在其中形成了保持电极对304Y，304Z的上衬底316上散布缓冲层材料，在下面将要描述的密封层350和上衬底316交叠的区域形成缓冲层311。之后，通过在上衬底316上除了形成了缓冲层311的区域以外的区域上散布绝缘层材料，形成上绝缘层312。如图12B所示，在其中形成了上绝缘层312的上衬底316上形成密封层350。通过使用丝网印刷或分配器散布胶来形成密封层350，其中通过将玻璃粉末，溶剂和粘合剂混合在一起形成胶。
之后，通过在200～300℃的环境下使用E光束沉积或飞溅方法，在其上形成了密封层350的上衬底316上形成保护膜310。之后，将其中形成了密封层350的上衬底316和下衬底314对准。如图12C所示，烧制对准的上衬底316和下衬底314来移去包括在密封层中的大量溶剂和有机材料，由此接合上/下衬底316，314。
如上所述，根据本发明的等离子显示面板及其制造方法延伸了绝缘层或在上衬底和密封层之间形成了缓冲层，由此分散在加热或冷却情况下因为在上衬底和密封层之间的热膨胀系数的不同产生的局部热应力，使得可以防止在上衬底上的裂缝。
虽然通过在附图所示的如上述的实施例解释本发明，本领域普通技术人员应该理解本发明并不限定于实施例，而是在不脱离本发明的精神情况下的多种可能的修改和变更。因此，本发明的范围仅由附加的权利要求和它的等效物所确定。

Claims (25)

1.一种等离子显示面板，包括：
第一衬底；
第二衬底，面对第一衬底，并在它们之间具有放电空间；
密封层，位于第一衬底和第二衬底之间；以及
缓冲层，形成在第一衬底和密封层之间，以补偿第一衬底和密封层的热应力。
2.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层由45～55％的PbO，10～20％的B2O3，10～20％的Al2O3和15～25％的SiO2组成。
3.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数不同。
4.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数相同。
5.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数不同。
6.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数相同。
7.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中第一衬底的热膨胀系数是大约80×10-7～95×10-7/℃。
8.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中密封层的热膨胀系数是大约65×10-7～80×10-7/℃。
9.如权利要求1所述的等离子显示面板，其中缓冲层的热膨胀系数是大约72×10-7～86×10-7/℃。
10.如权利要求1所述的等离子显示面板，进一步包括：
保护膜，在其中形成了缓冲层的第一衬底上形成。
11.如权利要求1所述的等离子显示面板，进一步包括：
上绝缘层，在第一衬底上形成；以及
保护膜，在上绝缘层上形成。
12.如权利要求11所述的等离子显示面板，其中形成缓冲层从上绝缘层延伸。
13.如权利要求12所述的等离子显示面板，其中由和上绝缘层不同的材料分开形成缓冲层。
14.如权利要求12所述的等离子显示面板，其中由和上绝缘层相同的材料形成缓冲层。
15.一种等离子显示面板的制造方法，包括步骤：
在第一衬底上形成缓冲层；以及
在缓冲层上形成密封层。
16.如权利要求15所述的制造方法，进一步包括步骤：
提供第二衬底，其面对其中形成了密封层的第一衬底；以及
接合第一衬底和第二衬底。
17.如权利要求15所述的制造方法，进一步包括步骤：
在第一衬底上形成上绝缘层；以及
在上绝缘层上形成保护膜。
18.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层由45～55％的PbO，10～20％的B2O3，10～20％的Al2O3和15～25％的SiO2组成。
19.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数不同。
20.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层的热膨胀系数和第一衬底的热膨胀系数相同。
21.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数不同。
22.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层的热膨胀系数和密封层的热膨胀系数相同。
23.如权利要求15所述的制造方法，其中第一衬底的热膨胀系数是大约80×10-7～95×10-7/℃。
24.如权利要求15所述的制造方法，其中密封层的热膨胀系数是大约65×10-7～80×10-7/℃。
25.如权利要求15所述的制造方法，其中缓冲层的热膨胀系数是大约72×10-7～86×10-7/℃。
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