CN1599068A - 一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
Description
技术领域
本发明涉及一种相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。更确切地说，涉及一种采用微细加工技术制备相变存储器器件，相变存储器器件单元中发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内。本发明属于微电子技术领域。
背景技术
相变随机存储器(PC-RAM，Phase Change-Random Access Memory)技术是基于S.R.Ovshinsky在20世纪60年代末(Phys.Rev.Lett.，21，1450～1453，1968)70年代初(Appl.Phys.Lett.，18，254～257，1971)提出的相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的，是一种价格便宜、性能稳定的存储器件。PC-RAM存储器可以做在硅晶片衬底上，其关键材料是可记录的相变薄膜。相变合金材料的关键特点是当给它一个电脉冲或采用激光加热的方法时可以使材料在非晶态与多晶态之间发生可逆相变。处于非晶态时呈现高阻(低反射率)，多晶态时呈现低阻(高反射率)，变化幅度可达几个数量级，这样就可以作为一个非挥发性存储器。相变薄膜光学性能的可逆变化特性已成功用于CD-RW、DVD±RW、DVD-RAM和HD-DVD等系列可擦重写相变光盘(Jpn.J.Appl.Phys.，39，770～774，2000；Jpn.J.Appl.Phys.，42，1044～1051，2003)。而利用其电阻性能的PC-RAM存储器技术虽然提出的也很早，但由于制备技术和工艺的限制，相变材料只能在较强电场下才发生相变，这就限制了其实用化研制的进程。随着纳米制备技术与工艺的发展，器件中材料的尺寸可以缩小到纳米量级，材料发生相变所需的电压大大降低、功耗减小，材料的性能也发生了巨大变化。1999年，ECD公司(Energy ConversionDevices，Inc)发明了一种硫化物薄膜，可在很低的电压下发生相变，相变后有优良的电特性，特别适用于制造存储器(SPIE，3891，2～9，1999)。同年，ECD合资创建了Ovonyx公司，专门致力于研发这种相变存储器。从此，PC-RAM存储器得到了较快的发展。
PC-RAM存储器由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，被国际半导体工业协会认为最有可能取代目前的闪存存储器而成为未来存储器主流产品和最先成为商用产品的器件。
目前国际上有Ovonyx、Intel、Sansung、Hitachi、STMicroelectronics和British Aerospace等公司在开展PC-RAM存储器的研究，目前正在进行技术完善和可制造性方面的研发工作。PC-RAM存储器实现商业化的关键在于存储器器件的设计及制备。为此本发明设计了一种新型PC-RAM存储器器件及其制备方法，其特点是结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型微、纳电子存储器器件结构及其制备方法。
本发明的目的是基于下述原理：
如果两个图形相互嵌入后除去相互重叠的部分，就会分割出含有尖端的小图形，根据尖端效应，在小图形上施加电压后，小图形尖端处的电阻或电流会很大，是微、纳电子存储器器件单元中相变层发生相变的触发点，从而实现相变薄膜在非晶态与多晶态之间的可逆转变，其中处于非晶态时为高电阻，处于多晶态时为低电阻。
所以通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出绝热层、相变层、过渡层和电极层等薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的微、纳电子存储器器件单元，多个微、纳电子存储器器件单元重复排列并且每个器件单元与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路很好地集成在一起，就构成了微、纳电子存储器器件。
这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
本发明的具体制备过程分为两步：首先是衬底的清洗；第二步是结合微细加工工艺，制备微、纳电子存储器器件单元。
衬底的清洗过程如下：以硅衬底的清洗为例，首先把硅片浸入丙酮清洗液中用超声波发生器超声清洗5-10min；超声清洗后取出硅片，用纯净水漂洗3-4遍；再把双氧水(H2O2)、氨水和纯净水按1∶1.5∶5的体积比配制成清洗液，把硅片浸入此清洗液中后加热，直至清洗液被煮沸；冷却后取出样品用纯净水漂洗3-4遍；然后把双氧水(H2O2)、盐酸(浓度为40％)和纯净水按1∶1.5∶5的体积比配制成清洗液，把硅片浸入此清洗液中后加热，直至清洗液被煮沸；冷却后取出样品用纯净水漂洗3-4遍；最后用氢氟酸溶液浸泡5-10min，氢氟酸溶液用40％的氢氟酸与纯净水按1∶10的体积比配制。硅片取出后进行氧化处理后即可用于相关薄膜的制备。
以图1所示的一个特例为说明对象，介绍微、纳电子存储器器件单元的制备过程，图中虚线框所指部分即为一个器件单元，图2到图5分别是图1中标识的各个部位的剖面图。器件单元的具体制备过程是：
(1).采用薄膜制备工艺，如溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法等中的一种，在经过清洗后的衬底(如图6)上制备第一层绝热层，如SiO2，Si3N4等，绝热层厚度为5-200nm，如图7所示。
(2).在第一绝热层上采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中的任意一种，制备相变层(如图8所示)，相变层厚度为2-200nm。
(3).采用微细加工工艺，如电子束光刻、电子束曝光、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、离子刻蚀、纳米压印光刻技术等中的一种，把相变薄膜制备成具有一定形状的图形，或是多边形，正方形、矩形、圆形或环形等。如图9中所示的图形为正方形。
(4).采用微细加工工艺，如电子束光刻、电子束曝光、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、离子刻蚀、纳米压印光刻技术等中的一种，在已制备的相变图形内制备出另一个具有一定形状的图形，如圆形、多边形、环形等中的一种，并且使两个图形相互嵌入，同时把两个图形相互重叠部分的相变除去，直至露出第一绝热层，这样就制备出了具有尖端的小图形。如图10所示，正方形的内嵌图形为圆形，圆形的直径大于正方形的边长。
(5).再采用微细加工工艺，如电子束光刻、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、电子束曝光、离子刻蚀、纳米压印光刻技术等中的一种，加工小图形的尖端，用以控制小图形尖端的尺寸。比如采用图11所示的方法，在正方形的中央加工出一个凹形槽(其形状如图4或5所示)，凹形槽开口宽度大于或等于槽底的宽度，槽的开口宽度为10-3000nm，槽的侧壁倾斜角为45-90°，槽的高度与相变层厚度相同。通过改变凹槽的宽度调整尖端处的尺寸，其宽度控制在2-100nm范围，厚度即为相变层的厚度。
(6).采用薄膜制备工艺，如溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法等中的一种，制备第二层绝热层，如SiO2、Si3N4、气体等，绝热层厚度为5-100nm。可以利用掩模板技术把图11中的凹形槽区域掩盖住，再制备第二层绝热层，得到如图12所示的图形；或者把图11的整个表面都覆盖上第二层绝热层(如图13)，然后采用微细加工工艺，如电子束光刻、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、电子束曝光、离子刻蚀等中的一种，把覆盖在图11中凹形槽区域的绝热层除去，直至露出槽两侧壁的相变层，同样也可得到如图12所示的图形。
(7).采用微细加工工艺，加工出制备电极的区域。如图14所示，在第二绝热层和第一绝热层中打孔，孔的形状为环形孔，或多边形孔中的-种，孔的径向最大尺寸为50-5000nm，孔的高度略大于第一绝热层与第二绝热层厚度之和。图4或5中所示的孔为梯形孔，孔的开口宽度为10-500nm，长度为50-1000nm，孔的侧壁倾斜角为45-90°。
(8).采用薄膜制备工艺，如溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法等中的一种，利用掩模板技术在图12中的凹形槽内制备过渡层，过渡层厚度为2-50nm，如图15所示。
(9).采用薄膜制备工艺，如溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法等中的一种，制备电极薄膜，电极为导电材料，薄膜厚度为5-500nm，如图16所示。
(10).采用微细加工工艺，如化学机械抛光工艺(CMP)，抛光至第二绝热层，得到独立的电极，如图17所示。如果第二绝热层为空气等气体介质，需要CMP抛光至相变层，得到独立的电极，如图18所示。图17和图18中四个顶角处的电极为下电极，高度为10-700nm，图中央长方形的电极为上电极，高度为5-500nm。
经过以上制备过程之后，得到了简单的微、纳电子存储器器件单元，以图6到图18的制备过程为例，最后得到的器件单元中包含四个存储单元，并且每个存储单元均与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路很好地集成在一起。如果以此器件单元为重复单元，按照阵列排列即可得到微、纳电子存储器器件，器件中相邻器件单元的下电极可以是各自分离的，或者是两个器件单元共用一个下电极，图1所示的器件即为两个器件单元共用一个下电极的情况之一。
综上所述，本发明所述的微、纳电子存储器器件至少含有一个器件单元，且器件单元在至少两种不同的电阻状态间发生可逆转换；
本发明所述的衬底为硅片、玻璃、GaAs、SiO2、塑料、金属材料或晶体材料中任一种；
本发明所述的第一绝热层为氧化物或氮化物中的一种；
本发明所述的第二绝热层为氧化物、氮化物或气体中的一种；
本发明所述的相变层为硫系化合物；
本发明所述的过渡层为氮化物或金属合金中的一种；
本发明所述的上、下电极为单金属材料，如W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或Ni中一种，或其组合的合金材料构成。
总之，本发明提供了一种全新的相变微、纳电子存储器器件结构及其制备方法。本发明基于尖端效应理论，采用薄膜制备工艺和微细加工工艺，制备微、纳电子存储器器件。这种器件结构的特点在于，结构简单，制备方便，器件单元尺寸容易控制，容易实现器件单元的小型化，使存储器实现纳电子器件成为可能。本发明对于推动相变存储器走向实用化和提高器件集成度都有很高的实用价值。
附图说明
图1相变微、纳电子存储器器件结构示意图(俯视剖面图，剖面位置为图2中的标识E处)
图2微、纳电子存储器器件单元剖面图(图1中的标识A处)
图3微、纳电子存储器器件单元剖面图(图1中的标识B处)
图4微、纳电子存储器器件单元剖面图(图1中的标识C处)
图5微、纳电子存储器器件单元剖面图(图1中的标识D处)
图6经清洗后的衬底
图7制备第一绝热层薄膜
图8制备相变层薄膜
图9制备相变层图形
图10制备相变层包含尖端的小图形
图11调整尖端的尺寸
图12先把图11中的凹形槽掩盖住，再制备第二绝热层薄膜
图13先制备第二绝热层薄膜，再加工出凹形槽
图14在第一、第二绝热层中打孔
图15在第二绝热层的凹形槽内制备过渡层
图16制备电极层薄膜
图17CMP抛光，制备上、下电极
图18第二绝热层为空气等气体时，CMP抛光制备上、下电极后，器件单元俯视图
图19只含一个存储单元的器件单元
图20只含一个存储单元的器件单元剖面图，剖面位置与图4的相同
图1到图20中不同颜色图形所代表的具体含义示意图
300第二绝热层
700过渡层
具体实施方式
实施例1
衬底采用硅材料，衬底经清洗(图6)后，利用热氧化法制备第一绝热层-SiO2薄膜(图7)，制备工艺为：本底气压为3×10-4Pa，溅射时Ar气气压为0.3Pa，溅射功率为150W，衬底温度为25℃，薄膜厚度为40nm；在SiO2薄膜上采用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5硫系化合物相变薄膜(图8)，工艺参数为：本底气压为3×10-4Pa，溅射时Ar气气压为0.15Pa，溅射功率为100W，衬底温度为25℃，薄膜厚度为20nm采用电子束曝光法制备出正方形的Ge2Sb2Te5硫系化合物薄膜(图9)，正方形边长为300nm；采用电子束曝光法在Ge2Sb2Te5正方形硫系化合物薄膜中心刻蚀出一个圆形(图10)，圆形的直径为310nm，刻蚀深度为20nm，圆形的中心与正方形的中心重合；采用电子束曝光法在正方形中间刻蚀出一个凹槽(图11)，以调整尖端的尺寸，凹槽的长度为300nm，开口宽度为180nm，槽侧壁倾斜角为70°，槽深为20nm；采用磁控溅射法制备第二绝热层-SiO2薄膜(图13)，制备工艺同上，薄膜厚度为15nm；采用电子束曝光法在正方形四个顶角外测紧靠正方形边刻蚀出四个长方形的孔(图14)，孔的开口宽度为110nm，长为200nm，深度为75nm，孔的侧壁为向外倾斜式，倾斜角为70°；利用掩模板技术只在长方形区域采用溅射法沉积一层TiW过渡层(图15)，制备工艺为：本底气压为3×10-4Pa，溅射时Ar气气压为0.12Pa，溅射功率为80W，衬底温度为25℃，薄膜厚度为5nm；采用磁控溅射法沉积一层W薄膜(图16)，制备工艺为：本底气压为3×10-4Pa，溅射时Ar气气压为0.2Pa，溅射功率为200W，衬底温度为25℃，薄膜厚度为90nm；最后利用CMP抛光法把样品表面抛光至第二绝热层SiO2薄膜(图17)，抛光厚度为95nm，制备出四个独立的下电极和一个长方形的上电极。通过以上制备过程就制备出了一个微、纳电子存储器器件单元，器件单元中的硫系化合物相变薄膜的尺寸为：尖端(硫系化合物发生相变的触发点)的宽度为24nm，厚度为20nm，下电极端的宽度为100nm，厚度为20nm，以上两个端点之间的长度为60nm，构成了一个纳电子存储单元。把存储单元与CMOS集成，再与读出电路相连接就构成了器件单元，多个器件单元按行列排列就可以制备出完整的器件。
实施例2
如果把实施例1的衬底改为W，器件单元中的四个下电极只保留一个，同时把正方形边长加长，就可以很容易地在大尺度范围内制备出含有尖端的单个器件存储单元，这种器件单元可用于研究纳米尺度上相变的电学性能，如图19所示。图20是与图4相同位置的剖面图。图19中正方形边长为10.00μm；圆形的直径为14.00μm。得到的器件单元中Ge2Sb2Te5硫系化合物相变薄膜的尺寸为：厚度为20nm，尖端(硫系化合物发生相变的触发点)的宽度为41nm，与下电极相连接端的宽度为101nm，尖端与下电极之间的距离为60nm。上电极的宽度为9.88μm。其它相关制备过程和参数与实施例1中的相同。
实施例3
把实施例1中的第一和第二绝热层中的一种或全部改为Si3N4薄膜，其余部分与实施例1相同。
实施例4
把实施例2中的第一和第二绝热层中的一种或全部改为Si3N4薄膜，其余部分与实施例2相同。
实施例5
把实施例1、实施例2、实施例3、实施例4中的电子束曝光法改为聚焦离子束刻蚀法，其余部分分别与实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相同。
实施例6
把实施例1、实施例2、实施例3、实施例4、实施例5中的Ge2Sb2Te5硫系化合物改为Sb2Te3硫系化合物，其余部分分别与实施例1、实施例2、实施例3、实施例4、实施例5相同。
实施例7
把实施例1、实施例2、实施例3、实施例4、实施例5、实施例6中的TiW过渡层改为TiN薄膜，其余部分分别与实施例1、实施例2、实施例3、实施例4、实施例5、实施例6相同。
Claims (10)
1、排列，且每个器件单元与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路集成构成的，其特征在于所述的相变微、纳电子存储器器件单元是由覆盖在衬底上的第一层绝热层、覆盖在第一层绝热层上的相变层和过渡层、覆盖在相变层上的第二绝热层、连接衬底与相变层的下电极以及覆盖在过渡层上的上电极、上电极与相变层相连接所构成的；在相变层上两个图形相互嵌入，分割出相变层的小图形，每个小图形至少含有一个尖端，尖端与上、下电极相连接；在第二绝热层的凹形槽内沉积过渡层。
2、权利要求1所述的相变微、纳电子存储器器件，其特征在于：
(1)所述的衬底为硅片、玻璃、GaAs、SiO2、塑料、金属材料或晶体材料中任一种；
(2)所述的第一绝热层为氧化物或氮化物中的一种；
(3)所述的第二绝热层为氧化物、氮化物或气体中的一种；
(4)所述的相变层为硫系化合物；
(5)所述的过渡层为氮化物或金属合金中的一种；
(6)所述的上、下电极为单金属材料，如W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或Ni中一种，或其组合的合金材料构成。
3、权利要求1或2所述的相变微、纳电子存储器器件，其特征在于第一绝热层厚度为5-200nm；第二绝热层厚度为5-100nm；相变层厚度为2-200nm；过渡层厚度为2-50nm。
4、按权利要求1所述的微、纳电子存储器器件，其特征在于器件中相邻器件单元的下电极各自分离，或是两个器件单元共用一个下电极；所述的微、纳电子存储器器件至少含有一个器件单元，且器件单元在至少两种不同的电阻状态间发生可逆转换。
5、按权利要求1所述的相变微、纳电子存储器器件，其特征在于所述的两个图形相互嵌入，图形的形状或是规则的形状，如正方形、圆形、矩形、多边形或环形中的一种。
6、一种相变微、纳电子存储器器件的制作方法，其特征在于采用薄膜制备工艺在衬底上制备出绝热层、相变层、过渡层和电极层，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的微、纳电子存储器器件单元，一个或多个微、纳电子存储器器件单元重复排列，并且每个器件单元与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路集成在一起构成微、纳电子存储器器件。
7、按权利要求6所述的相变微、纳电子存储器器件的制作方法，其特征在于具体制作工艺步骤是：
(1)清洗衬底；
(2)在衬底上制备第一绝热层；
(3)在第一绝热层上制备相变层；
(4)在相变层中制备两组具有规则形状的小图形，并使这两组小图形相互嵌入，制备出含有尖端的小图形；
(5)在小图形上制备第二绝热层；
(6)制备出与相变层相连接的下电极；
(7)制备出与相变层相连接的上电极；
(8)器件单元与互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路的集成。
8、按权利要求7所述的相变微、纳电子存储器器件的制作方法，其特征在于所述的硅衬底的清洗，首先把硅片浸入丙酮清洗液中用超声波发生器超声清洗5-10min；超声清洗后取出硅片，用纯净水漂洗3-4遍；再把双氧水、氨水和纯净水按1∶1.5∶5的体积比配制成清洗液，把硅片浸入此清洗液中后加热，直至清洗液被煮沸；冷却后取出样品用纯净水漂洗3-4遍；然后把双氧水、浓度为40％盐酸和纯净水按1∶1.5∶5的体积比配制成清洗液，把硅片浸入此清洗液中后加热，直至清洗液被煮沸；冷却后取出样品用纯净水漂洗3-4遍；最后用氢氟酸溶液浸泡5-10min，氢氟酸溶液用40％的氢氟酸与纯净水按1∶10的体积比配制。硅片取出后进行氧化处理后即可用于相关薄膜的制备。
9、按权利要求7所述的相变微、纳电子存储器器件的制作方法，其特征在于具体制备过程是：
(a).采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中的任意一种，在经过清洗后的衬底上制备第一层绝热层，SiO2或Si3N4层，绝热层厚度为5-200nm；
(b).在步骤(a)制备的第一绝热层上采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中任意的一种，制备相变层，相变层厚度为2-200nm；
(c).采用电子束光刻、电子束曝光、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、离子刻蚀、纳米压印光刻技术微细加工工艺中任意的一种，把相变薄膜制备成具有规则形状的图形，或是多边形，正方形、矩形、圆形或环形中的一种；
(d).采用电子束光刻、电子束曝光、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、离子刻蚀、纳米压印光刻技术微细加工工艺中的任意一种，在步骤(c)已制备的相变图形内制备出另一个具有规则形状的图形，如圆形、多边形、正方形、矩形或环形中的任意一种，并且使两个图形相互嵌入，同时把两个图形相互重叠部分的相变除去，直至露出第一绝热层，这样就制备出了具有尖端的小图形，正方形的内嵌图形为圆形时，圆形的直径大于正方形的边长；
(e).再采用电子束光刻、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、电子束曝光、离子刻蚀、纳米压印光刻技术微细加工工艺中的任意一种，加工小图形的尖端，用以控制小图形尖端的尺寸，在正方形的中央加工出一个凹形槽，凹形槽开口宽度大于或等于槽底的宽度，槽的开口宽度为10-3000nm，槽的侧壁倾斜角为45-90°，槽的高度与相变层厚度相同。通过改变凹槽的宽度调整尖端处的尺寸，其宽度控制在2-100nm范围，厚度即为相变层的厚度；
(f).采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中的任意一种，制备第二层绝热层，如SiO2、Si3N4或气体中一种，绝热层厚度为5-100nm，或者利用掩模板技术把步骤(e)中的凹形槽区域掩盖住，再制备第二层绝热层，得到所需的图形；或者把凹形槽区域的整个表面都覆盖上第二层绝热层，然后采用电子束光刻、极紫外光刻、聚焦离子束刻蚀、电子束曝光、离子刻蚀微细加工工艺中的任意一种，把覆盖在凹形槽区域的绝热层除去，直至露出槽两侧壁的相变层，同样得到所需的图形；
(g).采用微细加工工艺，加工出制备电极的区域，在第二绝热层和第一绝热层中打孔，孔的形状为环形孔，或多边形孔中的一种，孔的径向最大尺寸为50-5000nm，孔的高度略大于第一绝热层与第二绝热层厚度之和。孔的开口宽度为10-500nm，长度为50-1000nm，孔的侧壁倾斜角为45-90°；
(h).采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中的一种，利用掩模板技术在步骤(f)凹形槽内制备过渡层，过渡层厚度为2-50nm；
(i).采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助沉积法、化学气相沉积法、激光辅助沉积法薄膜制备工艺中的任意一种，制备电极薄膜，电极为导电材料，薄膜厚度为5-500nm；
(j).采用化学机械抛光工艺，抛光至第二绝热层，得到独立的电极；四个顶角处的电极为下电极，高度为10-700nm，图中央长方形的电极为上电极，高度为5-500nm；
(k).经过以上步骤(a)～(j)10个制备过程之后，得到了简单的微、纳电子存储器器件单元，最后得到的器件单元中包含四个存储单元，并且每个存储单元均与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路很好地集成在一起；以此器件单元为重复单元，按照阵列排列即可得到微、纳电子存储器器件，器件中相邻器件单元的下电极可以是各自分离的，或者是两个器件单元共用一个下电极。
10.按权利要求7或9所述的相变微、纳电子存储器器件的制作方法，其特征在于所述的第二绝缘层为空气介质时，需化学机械抛光至相变层，得到独立电极。
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