CN1580960A - 电子照相感光体 - Google Patents

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Abstract

本发明的电子照相感光体，在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层，在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子的含有量分布具有峰值。

Description

电子照相感光体
技术领域
本发明涉及对光(是广义的光，指紫外线、可见光线、红外线、X射线、γ射线等)那样的电磁波具有感受性的电子照相感光体。
背景技术
至今，作为形成电子照相感光体的光导电层的光导电材料，要求灵敏度高、SN比[光电流(Ip)/暗电流(Id)]高、具有适合于照射光的光谱特性的吸收光谱、又使用时对人体无害，在这方面表示出卓越性质的非晶形硅(也表记为a-Si)，特别是氢化非晶形硅(也表记为a-Si:H)已经广泛被使用。
这种a-Si系的光导电材料，一般地说，是通过将导电性基体加热到50℃～350℃，用真空蒸涂法、溅射法、离子电镀法、热CVD法、光CVD法、等离子体CVD法等的成膜法在该基体上形成的。其中等离子体CVD法，即通过高频或微波辉光放电分解原料气体，在基体上形成a-Si:H堆积膜的方法是合适的，得到广泛的应用。
近年来，伴随着计算机进入办公室和一般家庭的普及与文章和图像的数字化，作为输出装置的电子照相装置也被数字化，由以单一波长为主的光源形成潜像正在成为主流。另一方面，为了提高图像特性，对电子照相装置内的光学曝光装置、显影装置、转印装置等进行改良，结果，已经求得即便在电子照相感光体中也能够将图像特性提高得比
现有技术高的方法。
现有的电子照相感光体，为了达到改善具有由a-Si堆积膜构成的光导电层的光导电部件的暗电阻、光灵敏度、光响应性等的电、光、光导电的特性和耐湿性等的使用环境特性，进一步时间稳定性的目的，例如，如在日本昭和57年公布的特开昭57-115556号专利公报中记载的那样，通过在由将硅原子作为母材的非晶形材料构成的光导电层上，设置由包含硅原子和碳原子的非光导电性的非晶形材料构成的表面壁垒层，得到带电能力和光灵敏度卓越的电位特性。
又，如在日本平成6年公布的特开平6-242623号专利公报(USP5556729)中记载的那样，通过在负带电用电子照相感光体的光导电层和表面层之间将非晶硅作为主体，并且含有不到50原子ppm的硼或不包含支配传导性的元素的正空穴俘获层，得到卓越的电子照相特性。
又，如在日本平成11年公布的特开平11-242349号专利公报(USP6238832)中记载的那样，通过在电子照相感光体的表面层中同时全部含有至少氧、氮、氟、硼原子，在长期间使用中不会发生剥离、损伤和磨耗，能够得到电特性良好的图像质量高的电子照相感光体。
根据上述那样的技术进展，能够实现良好的电子照相感光体，但是在市场对制造出的制品的要求水平日益增高的今天，要求更高品质的电子照相感光体。
特别是，近年来，在普及异常显著的数字电子照相装置和数字全彩色电子照相装置中，不仅文字原稿，而且照片、绘画、设计图等的复制也变得很频繁，所以要求将点的再现性提高到现有技术以上。例如，当使图像的点间隔小，达到高图像分辨率时，存在点再现性不稳定发生图像流动现象的情形。又同时，作为要求更高画质化的课题，更进一步要求以重像为代表的光存储和提高灵敏度。
为了解决这些课题，如上所述，实施对数字曝光的层构成的最佳化、膜质改善和元素含有量控制，但是如上所述市场对图像水平的要求非常高，强烈地希望更多地提高图像特性。近年来，正在要求用于数字电子照相装置的电子照相感光体具有现有技术以上的耐久性，但是当作为它的对策增加表面层的膜厚时，形成潜像的带电载流子容易向横方向扩散。因此，存在点再现性不稳定的情形，强烈希望有控制带电载流子向横方向扩散的技术。
又，在数字全彩色电子照相装置中，作为带电、显影等的最一般的组合，考虑作为彩色调色剂，材料选择范围广的负调色剂、潜像的控制性高，适合于高画质化的图像曝光法(使图像部分曝光的方法)，这时，需要使感光体带负电荷。在数字全彩色电子照相装置中，因为至今一直在考虑的带负电用的a-Si系感光体只能够阻止来自表面的负电荷注入，所以希望设置上部电荷注入阻挡层，如何改善将该上部电荷注入阻挡层也包含的硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，是提高特性的关键。
特别是，对于近年来对数字全彩色复印机的要求，需要将感光体特性综合地提高到至今的感光体以上，例如，存在着作为1个处理条件，为了在电子照相感光体的周围设置多个显影器，用大型的显影部件，从带电器到显影器的距离容易离开的构成。因此，为了补偿由暗衰减引起的从带电器到显影器的电位下降，需要将带电电位提高到至今的带电电位以上，上部电荷注入阻挡层的重要性越来越增大了。
发明内容
本发明的目的是提供图像特性优越的高品质的电子照相感光体。即，提供可以提高点再现性和提高带电能力，进一步可以达到减少光存储和提高灵敏度的效果的电子照相感光体。
为了达到上述目的，本发明提供电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子的合有量分布具有峰值。
又，本发明提供电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氟原子的含有量分布具有峰值。
进一步，本发明提供电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子和氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，氧原子和氟原子相对构成原子总量的含有量分布具有峰值。
附图说明
图1A、1B、1C和1D是用于说明本发明的电子照相感光体的例子的模式截面图。
图2是表示本发明的电子照相感光体的制造装置的一个例子的模式说明图。
图3是说明本发明的表面层中的氧原子和氟原子含有量的峰值的深度剖面图的一个例子。
图4是说明本发明的表面层中的峰值半宽度的一个例子。
图5是表示设置本发明的电子照相感光体的数字电子照相装置的一个例子的模式说明图。
图6是表示本发明的对于带负电用电子照相感光体的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域的厚度方向的碳原子含有量的分布的一个例子的图。
图7是表示本发明的对于带负电用电子照相感光体的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域的厚度方向的碳原子含有量和周期表第13族元素的含有量的分布的一个例子的图。
图8是表示本发明的对于带负电用电子照相感光体的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域的厚度方向的碳原子含有量和周期表第13族元素的含有量的分布的一个别的例子的图。
图9是表示本发明的对于带负电用电子照相感光体的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域的厚度方向的碳原子含有量和周期表第13族元素的含有量的分布的另一个别的例子的图。
具体实施方式
本发明者们为了达到上述目的进行了锐意的研讨，结果，发现控制叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的组成会对图像特性产生很大的影响。进一步，本发明者们发现通过以使叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和/或氟原子的含有量具有峰值的方式控制组成，能够达到提高点再现性，进一步提高带电能力，提高减少光存储和提高灵敏度那样的电子照相感光特性，从而完成了本发明。
即，本发明为如下所示。
本发明涉及一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子的含有量分布具有峰值。这里，非单晶层区域内的厚度方向表示与构成层的面垂直的面。
本发明最好为以在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内具有含有周期表第13族元素的区域为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的相对构成原子总量的氧原子的含有量分布中，在非单晶层区域内的厚度方向至少具有2个极大区域为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以在较存在于碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氧原子的含有量分布的峰值为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以当令叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子的含有量分布的峰值中的最大含有量为Omax、在上述非单晶层区域内含有的氧原子的最小含有量为Omin时，最大含有量Omax相对最小含有量Omin的比率满足2≤Omax/Omin≤2000的关系为特征的电子照相感光体。这里，上述最小含有量Omin是在不包含与光导电层相接并叠层的变化区域的非单晶层区域内的最小含有量。
本发明最好为以在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子的含有量分布的峰值中，峰值半宽度大于等于10nm、小于等于200nm为特征的电子照相感光体，这是令人满意的。
本发明最好为以氧原子的含有量分布的峰值不具有一定区域为特征的电子照相感光体。
又，本发明涉及一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氟原子的含有量分布具有峰值。
本发明最好为以在较存在于碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氟原子的含有量分布的峰值为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以当令叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氟原子的含有量分布的峰值中的最大含有量为Fmax、在上述非单晶层区域内含有的氟原子的最小含有量为Fmin时，最大含有量Fmax相对最小含有量Fmin的比率满足2≤Fmax/Fmin≤2000的关系为特征的电子照相感光体。这里，上述最小含有量Fmin是在不包含与光导电层相接并叠层的变化区域的非单晶层区域内的最小含有量。
本发明最好为以在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氟原子的含有量分布的峰值中，峰值半宽度大于等于10nm、小于等于200nm为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以氟原子的含有量分布的峰值不具有一定区域为特征的电子照相感光体。
又，本发明涉及一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子和氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子和氟原子的含有量分布分别具有峰值。
本发明最好为以在较存在于碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以当令叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值中的各个最大含有量为Omax、Fmax、在上述非单晶层区域内含有的氧原子和氟原子的各个最小含有量为Omin、Fmin时，最大含有量Omax、Fmax相对最小含有量Omin、Fmin的比率分别满足2≤Omax/Omin≤2000、2≤Fmax/Fmin≤2000的关系为特征的电子照相感光体。这里，上述最小含有量Omin、Fmin分别是在不包含与光导电层相接并叠层的变化区域的非单晶层区域内的最小含有量。
本发明最好为以在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值，各个峰值半宽度对于氧原子而言大于等于10nm、小于等于200nm，对于氟原子而言大于等于10nm、小于等于200nm为特征的电子照相感光体。
本发明最好为以氧原子和氟原子的含有量分布的峰值不具有一定区域为特征的电子照相感光体。
下面，我们详细述说能够达到提高点再现性，进一步提高带电能力，减少光存储和提高灵敏度的思路。
本发明者们关于提高点再现性进行如下的推测。我们认为通过以使在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和/或氟原子的含有量具有峰值的方式控制组成，能够有效地防止形成作为损害提高点再现性原因的潜像的带电电荷的扩散，结果，能够提高点再现性。
又，我们已经判明在氧原子和/或氟原子的含有量中具有峰值的效果不仅是提高点再现性的效果，而且是提高电子照相感光体的带电能力，提高光灵敏度，减少光存储的相乘效果。这可以想象为通过氧原子和氟原子这样的原子促使将硅原子和碳原子作为母材的非单晶层的构造缓，除去构造缺陷，并且进一步能够有效地减少由于存在于作为终端连接器有效地工作的膜中的构造缺陷产生的局部能级密度。因此，能够防止带电电荷通过叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域中的构造缺陷移动，对改善带电能力作出贡献。又，我们想象因为能够防止将光载流子俘获在局部能级中，所以可以将提高光灵敏度，减少光存储结合起来。
又，本发明者们详细地研讨了氧原子和/或氟原子的含有量在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的厚度方向中具有峰值时的效果。结果，虽然理由还不清楚，但是我们判定当氧原子的含有量具有峰值时，与氟原子的含有量具有峰值时比较，带电电荷的扩散更有效地起作用，显著地提高点再现性。又，我们判定当氧原子和氟原子两者的含有量都具有峰值时，与当氧原子和氟原子各自的含有量都具有峰值时比较，有效地起到使非单晶层区域中的构造缓和的作用，能够显著地提高带电能力和光灵敏度，进一步能够显著地减少光存储。
进一步本发明者们研讨了叠层在光导电层上的膜区域内的层构成，结果，我们判定与持有叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内含有周期表第13族元素的区域的负带电用电子照相感光体对应，能够显著地提高点再现性。虽然对此现在还不清楚，但是我们想象与在负带电中将带电载流子称为电子是否没有关系。
进一步本发明者们研讨了在负带电用电子照相感光体中在叠层在光导电层上的非单晶层区域内的层构成。结果，我们判定通过对构成原子总量的碳原子的含有量分布，在非单晶层区域内的厚度方向至少具有2个极大区域，在较存在于该碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子的含有量分布在层区域内的厚度方向中具有峰值，能够提高带电能力和光灵敏度，进一步能够更多地减少光存储。因此，我们可以想象通过使将硅原子和碳原子作为母材的非单晶层的构造缓和，起着有效地减少膜中构造缺陷的作用，能够更多地提高带电能力，将提高光灵敏度，减少光存储结合起来。
进一步本发明者们详细地研讨了当令叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和/或氟原子的含有量与电子照相特性的相关性，结果，当令氧原子、氟原子的含有量分布的峰值中的最大含有量分别为Omax、Fmax，叠层在光导电层上的非单晶层区域(不包含与光导电层相接的变化区域的上述非单晶层)内含有的氧原子、氟原子的最小含有量为Omin、Fmin时，为了使最大含有量Omax、Fmax对最小含有量Omin、Fmin的比率分别满足2≤Omax/Omin≤2000、2≤Fmax/Fmin≤2000的关系，而进行控制，除了能够提高点再现性外，可以飞跃地提高带电能力，提高光灵敏度，进一步减少光存储。
进一步本发明者们发现当Omax在5.0×1020原子/cm3～2.5×1022原子/cm3，Omin在2.5×1017原子/cm3～1.3×1022原子/cm3的范围内时，又，当Fmax在5.0×1019原子/cm3～2.0×1022原子/cm3，Fmin在2.5×1017原子/cm3～1.0×1022原子/cm3的范围内时，又，当Omax在5.0×1020原子/cm3～2.5×1022原子/cm3，Omin在2.5×1017原子/cm3～1.3×1022原子/cm3，Fmax在5.0×1019原子/cm3～2.0×1022原子/cm3，Fmin在2.5×1017原子/cm3～1.0×1022原子/cm3的范围内时，本发明的效果更加显著。
进一步本发明者们详细地研讨了叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和/或氟原子的含有量与电子照相特性的相关性，结果，我们看到在氧原子和/或氟原子的含有量分布的峰值中，最好将峰值半宽度控制在大于等于10nm小于等于200nm。当峰值半宽度大于等于10nm时，峰值的形成有效地影响膜特性，可以更多地提高带电能力，提高光灵敏度。另一方面，我们认为当峰值半宽度小于等于200nm时，不会阻害峰值近旁区域的膜质量，可以更多地提高点再现性，充分减少光存储。
进一步本发明者们详细地研讨了叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和/或氟原子的含有量的峰值与电子照相特性的相关性，结果，我们看到以使峰值形状不具有一定区域的方式进行控制，则不会阻害峰值近旁区域的膜质，除了提高点再现性和带电能力外，进一步可以充分地提高灵敏度和减少光存储。
如果根据本发明，则通过以使叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的氧原子和氟原子的含有量具有峰值的方式控制组成，能够达到提高点再现性，进一步提高带电能力，减少光存储和灵敏度增加，提高电子照相特性的目的。
下面，我们按照附图详细说明本发明的电子照相感光体。
图1A到图1D是用于说明本发明的电子照相感光体的层构成例的模式构成图。
图1A所示的电子照相感光体100，在电子照相感光体用的基体101上，设置受光层102。受光层102，按照从基体101一侧的顺序，由a-Si系下部电荷注入阻挡层104、用a-Si:H构成的具有光导电性的光导电层105、将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103构成。又，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103是在氢化非晶形硅碳化物(也表记为a-SiC:H)系表面层106上构成的。这里，a-SiC:H系表面层106中的虚线是形成本发明的氧原子和/或氟原子的含有量峰值的区域。又，光导电层105和表面层106的界面也可以以设置变化区域抑制界面反射的方式进行界面控制。
图1B所示的电子照相感光体100是负带电用电子照相感光体，在基体101上，设置受光层102。受光层102，按照从基体101一侧的顺序，由a-Si系下部电荷注入阻挡层104、用a-Si:H构成的具有光导电性的光导电层105、将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103构成。又，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103是用由含有周期表第13族元素的区域构成的a-SiC:H系上部电荷注入阻挡层107、和a-SiC:H系表面层106构成的。这里，a-SiC:H系表面层106中的虚线是形成本发明的氧原子和/或氟原子的含有量峰值的区域。又，光导电层105和上部电荷注入阻挡层107、上述上部电荷注入阻挡107和表面层106的各个界面也可以以设置变化区域抑制界面反射的方式进行界面控制。
图1C所示的电子照相感光体100是负带电用电子照相感光体，在基体101上，设置受光层102。受光层102，按照从基体101一侧的顺序，由a-Si系下部电荷注入阻挡层104、用a-Si:H构成的具有光导电性的光导电层105、将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103构成。又，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103是由用a-SiC:H构成的中间层108、用含有周期表第13族元素的区域构成的a-SiC:H系上部电荷注入阻挡层107、和a-SiC:H系表面层106构成的。这里，a-SiC:H构成的中间层108中的虚线是形成本发明的氧原子和/或氟原子的含有量峰值的区域。又，光导电层105和中间层108、中间层108和上部电荷注入阻挡层107、上部电荷注入阻挡层107和表面层106的各个界面也可以以通过设置变化区域抑制界面反射的方式进行界面控制。
图1D所示的电子照相感光体100是负带电用电子照相感光体，在基体101上，设置受光层102。受光层102，按照从基体101一侧的顺序，由a-Si系下部电荷注入阻挡层104、用a-Si:H构成的具有光导电性的光导电层105、将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103构成。又，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103是由用含有周期表第13族元素的区域构成的a-SiC:H系第1上部电荷注入阻挡层109、用a-SiC:H构成的中间层108、用含有周期表第13族元素的区域构成的a-SiC:H系第2上部电荷注入阻挡层107和a-SiC:H系表面层106构成的。这里，a-SiC:H构成的中间层108中的虚线是形成本发明的氧原子和/或氟原子的含有量峰值的区域。又，光导电层105和第1上部电荷注入阻挡层109、第1上部电荷注入阻挡层109和中间层108、中间层108和第2上部电荷注入阻挡层107、第2上部电荷注入阻挡层107和表面层106的各个界面也可以以通过设置变化区域抑制界面反射的方式进行界面控制。
下面，我们说明将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域。
如图1A到图1D所示，103是叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域。上述将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域103由图1A中的表面层106、图1B中的上部电荷注入阻挡层107和表面层106、图1C中的中间层108、上部电荷注入阻挡层107和表面层106、图1D中的第1上部电荷注入阻挡层109、中间层108、第2上部电荷注入阻挡层107和表面层106构成。
又，形成本发明的氧原子和/或氟原子的含有量峰值的区域由图1A的表面层106中的虚线、图1B的表面层106中的虚线、图1C的中间层108中的虚线、图1D的中间层108中的虚线表示出来。
下面，我们详细说明各层。
<表面层>
本发明中的表面层106主要是为了在耐湿性、连续重复使用特性、使用环境特性、耐久性和电特性中得到良好的特性而设置的，在正带电用电子照相感光体的情形中也具有作为带电保持层的作用。
本发明中的表面层106的材质是由将硅原子和碳原子作为母体的非单晶材料形成的。在上述表面层106中包含的碳原子既可以在该层中实施没有偏离的均匀分布，或者也可以包含在层厚方向不均匀分布的状态中。但是，在无论哪种情形中，在与基体101的表面平行的面内方向中，在没有偏离地包含在均匀分布中，从为了达到在面内方向中的特性均匀化的目的出发也是需要的。
又，在上述表面层106中包含的碳原子的含有量对于碳原子和硅原子的总量大于等于40原子％小于等于95原子％是令人满意的。更好大于等于50原子％小于等于90原子％。碳原子的含有量，在上述范围内具有良好的耐摩耗性并且灵敏度也很高。
又，在表面层106中最好包含氢原子，这时氢原子对硅等的构成原子的未耦合键进行补偿，提高层品质，特别是提高光导电特性和电荷保持特性。从这种观点出发，氢的含有量对于表面层中的构成原子的总量最好大于等于30原子％小于等于70原子％，较好大于等于35原子％小于等于65原子％，更好大于等于40原子％小于等于60原子％。
作为上述表面层106的层厚，我们希望通常大于等于10nm小于等于5000nm，更好大于等于50nm小于等于2000nm，最好大于等于100nm小于等于1000nm。当层厚大于等于10nm时，在使用a-Si系感光体中，表面层106不会因摩耗等的理由而失去。又，当小于等于5000nm时，也不会引起由于残留电位的增加等的电子照相特性的降低。
为了形成能达到本发明的目的的特性的表面层106，需要将基体温度、反应容器内的气体压力根据需要设定在适宜的值上。基体温度(Ts)按照层设计适当地选择最佳范围，但是在通常的情形中，大于等于150℃小于等于350℃是令人满意的，更好大于等于180℃小于等于330℃，最好大于等于200℃小于等于300℃。
同样也按照层设计适当地选择反应容器内的压力的最佳范围，但是在通常的情形中大于等于1×10-2Pa小于等于1×103Pa，更好大于等于5×10-2Pa小于等于5×102Pa，最好大于等于1×10-1Pa小于等于1×102Pa。
在本发明中，作为用于形成表面层106的基体温度、气体压力的希望的数值范围，可以举出上述范围，但是条件通常不是独立地分别决定的，最好根据形成具有所需特性的感光体时的相互并且有机的关联性而决定最佳值。
又，在表面层和光电导层之间，也可以设置以向着光电导层减少碳原子的含有量的方式变化的变化区域。因此能够提高表面层和光电导层的粘合性，更多地减少由界面上的光反射引起的干涉影响。
进一步在本发明中，在图1A所示的表面层106中，例如以在虚线处氧原子和/或氟原子的含有量具有峰值的方式进行控制。为了形成峰值，当形成表面层106时希望流过用于供给氧原子和/或氟原子的气体。又，为了控制在表面层106中含有的氧原子和/或氟原子的含有量，例如，适当地控制用于供给氧原子和/或氟原子的气体的气体浓度、高频功率和基体温度等的堆积膜形成条件是有效的。
这里，作为能够成为用于供给氧原子的气体的物质，可以举出O2、CO、CO2、NO、N2O等的气体，它们是令人满意的。又，作为能够成为用于供给氟原子的气体的物质，可以举出氟气(F2)、CF4、SiF4、Si2F6、BrF、ClF、ClF3等的气体，它们是令人满意的。又，作为能够用于供给氧原子和氟原子的气体，可以将多种上述气体混合起来，具体地说可以举出CF4和O2的混合气体的例子，它令人满意的例子。
表面层106中氧原子的含有量为1.0×1017～2.5×1022原子/cm3是令人满意的，更好为5.0×1017～2.0×1022原子/cm3，最好为1.0×1018～1.0×1022原子/cm3。又，同样地，表面层106中氟原子的含有量为1.0×1016～2.0×1022原子/cm3是令人满意的，更好为5.0×1016～5.0×1022原子/cm3，最好为1.0×1017～2.5×1021原子/cm3。
表面层106中氧原子和氟原子的含有量能够成为，例如，如图3所示的分布状态。
图3表示用说明表面层中的氧原子和/或氟原子含有量的峰值的SIMS(二次离子质量分析法)产生的深度剖面图的一个例子。在图3中，氧原子和/或氟原子含有量的深度剖面图是在表面层中具有峰值和最小含有量的情形，但是当令氧原子、氟原子的峰值中的最大含有量分别为Omax、Fmax，氧原子、氟原子的非单晶层区域内的最小含有量分别为Omin、Fmin时，希望最大含有量Omax、Fmax，对最小含有量Omin、Fmin的比率分别满足2≤Omax/Omin≤2000、2≤Fmax/Fmin≤2000的关系。最好，Omax在5.0×1020原子/cm3～2.5×1022原子/cm3，Omin在2.5×1017原子/cm3～1.3×1022原子/cm3的范围内。又，最好，Fmax在5.0×1019原子/cm3～2.0×1022原子/cm3，Fmin在2.5×1017原子/cm3～1.0×1022原子/cm3的范围内。
这里，定义的最小含有量指的是在不包含与光导电层相接的变化区域，叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母材的单晶层区域内的含有量的最小值。
又，图4是说明表面层中的峰值半宽度的一个例子，但是氧原子和/或氟原子含有量的深度剖面图更好是在表面层内的氧原子、氟原子的含有量分布的峰值中，各个峰值半宽度，对于氧原子大于等于10nm小于等于200nm，对于氟原子大于等于10nm小于等于200nm。
在本发明中，氧原子和/或氟原子的含有量分布的峰值最好表示出不具有一定区域的形状。具体地说，最好如在图3的峰值形成区域中形成的形状那样，表示出在含有量的峰值中存在顶部的形状。当峰值具有一定区域时，在分析结果中，意味着在表面层的厚度方向中，氧原子和/或氟原子以一定的值继续存在。此外，这里我们说明了氧原子和/或氟原子含有量的峰值形成区域存在于表面层106中的情形，但是例如即便关于峰值形成区域处在于如中间层108中那样，在非单晶层区域的其它地方的情形，也是同样的。
<上部电荷注入阻挡层>
在本发明中，例如如图1B所示，在光导电层105和表面层106之间设置构成受光层102的一部分的上部电荷注入阻挡层107，但是在负带电用电子照相感光体的情形中，这是为了有效地达到其目的的令人满意的构成。
本发明的上部电荷注入阻挡层107阻止从上部(即从表面层一侧)注入电荷，能够提高带电能力。又，为了在光导电层105上的区域内对构成原子总量的周期表第13族元素的含有量具有在非单晶层区域内的厚度方向中至少持有2个极大区域的分布，作为上部电荷注入阻挡层，例如如图1D所示，最好通过中间层108由第1上部电荷注入阻挡层109和第2上部电荷注入阻挡层107这样2层构成。作为上述周期表第13族元素的含有量，在非单晶层区域内的厚度方向中至少具有2个极大值和/或极大区域，能够进一步提高阻止从表面注入电荷的能力，并可以提高带电能力。
作为上述周期表第13族元素，具体地说，具有硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)等，别特是硼非常合适。
本发明的上部电荷注入阻挡层107、109中含有的周期表第13族元素的含有量，对于构成原子的总量，在大于等于60ppm小于等于5000ppm的范围内，最好在大于等于100ppm小于等于3000ppm的范围内。
本发明的上部电荷注入阻挡层107、109中含有的周期表第13族元素既可以在上部电荷注入阻挡层107、109中实施没有偏离的均匀分布，或者也可以包含在层厚方向不均匀分布的状态中。但是，在无论哪种情形中，在与基体的表面平行的面内方向中，没有偏离地包含在均匀分布中，从为了达到在面内方向中的特性均匀化的目的出发也是需要的。
在本发明中，上部电荷注入阻挡层107、109与表面层106相同由将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层构成。在上部电荷注入阻挡层107、109中含有的硅原子和碳原子，既可以在该层中实施没有偏离的均匀分布，或者也可以包含在层厚方向不均匀分布的状态中。但是，在无论哪种情形中，在与基体的表面平行的面内方向中，没有偏离地包含在均匀分布中，从为了达到在面内方向中的特性均匀化的目的出发也是需要的。
在本发明中的上部电荷注入阻挡层107、109的各层区域中含有的碳原子的含有量对构成原子的硅原子和碳原子的总和在大于等于10原子％小于等于70原子％的范围内是令人满意的。较好的是大于等于15原子％小于等于65原子％。更好的是大于等于20原子％小于等于60原子％。
又，在本发明中在上部电荷注入阻挡层107、109的各层区域中最好含有氢原子，氢原子对硅原子的未耦合键进行补偿，提高层品质，特别是提高光导电特性和电荷保持特性。氢原子的含有量对于上部电荷注入阻挡层中的构成原子的总量通常大于等于30原子％小于等于70原子％，更好大于等于35原子％小于等于65原子％，最好大于等于40原子％小于等于60原子％。
在本发明中，上部电荷注入阻挡层107、109的各自的层厚从能够得到所望的电子照相特性和经济效果等出发，大于等于10nm小于等于1000nm是令人满意的，更好大于等于30nm小于等于800nm，最好大于等于50nm小于等于500nm。当层厚不到10nm时，不能充分地阻止从表面一侧注入电荷，不能够得到充分的带电能力，导致电子照相特性下降，当层厚超过1000nm时，不能期待提高电子照相特性，而是导致灵敏度等的特性下降。
上部电荷注入阻挡层107、109最好从光导电层105一侧向表面层106连续地改变组成，具有提高粘合性和防止干扰等的效果。
为了形成具有能够达到本发明目的的特性的上部电荷注入阻挡层107、109，需要适当地设定用于供给硅原子的气体和用于供给碳原子的气体的混合比，反应容器内的气体压力、放电功率和基体温度。
又，在上部电荷注入阻挡层107、109具有在周期表第13族元素的含有量的厚度方向中的极大区域的情形中，为了提高带电能力特性，最好使位于最表面层一侧的极大区域的周期表第13族元素的含有量最大。
同样也按照层设计适当地选择反应容器内的压力，使其处于最佳范围内，但是在通常的情形中大于等于1×10-2Pa小于等于1×103Pa，更好大于等于5×10-2Pa小于等于5×102Pa，最好大于等于1×10-1Pa小于等于1×102Pa。
进一步，按照层设计适当地选择基体温度，使其处于最佳范围内，但是在通常的情形中，大于等于150℃小于等于350℃是令人鼓舞的，更好大于等于180℃小于等于330℃，最好大于等于200℃小于等于300℃。
<中间层>
在本发明中，例如如图1C、图1D所示，在上部电荷注入阻挡层107的下面设置中间层108，在负带电用电子照相感光体的情形中，起到改善表面性的凹凸的盖环效果和提高上部电荷注入阻挡层107的粘合性的作用。本发明中的中间层108由将硅原子和碳原子作为母体的非晶形材料构成。中间层108中含有的碳原子既可以在该层中实施没有偏离的均匀分布，或者也可以包含在层厚方向不均匀分布的状态中。但是，在无论哪种情形中，在与基体的表面平行的面内方向中，没有偏离地包含在均匀分布中，从为了达到在面内方向中的特性均匀化的目的出发也是需要的。
又，上述中间层108中含有的碳原子的含有量，对构成原子的硅原子和碳原子的总和大于等于40原子％小于等于95原子％是令人满意的。更好是大于等于50原子％小于等于90原子％。
又，在中间层108中，比上述第1上部电荷注入阻挡层109和第2上部电荷注入阻挡层107包含更多的碳原子。进一步，在中间层108中，也可以含有周期表第13族元素，但是为了得到本发明的效果更好的是使含有量对于中间层中的构成原子的总量小于等于50ppm。
更好是为了使在周期表第13族元素含有量的非单晶层区域的厚度方向中邻接的2个极大区域间的距离大于等于100nm小于等于1000nm而对中间层108的膜厚进行控制。又，中间层的厚度通常大于等于50nm小于等于2000nm，更好大于等于100nm小于等于1500nm，最好大于等于200nm小于等于1000nm。
进一步在本发明中，在图1C所示的中间层108中，例如以在虚线处氧原子和/或氟原子的含有量具有峰值的方式进行控制。为了形成峰值，当形成中间层时希望流过用于供给氧原子和/或氟原子的气体。又，为了控制在中间层108中含有的氧原子和/或氟原子的含有量，例如，适当地控制用于供给氧原子和/或氟原子的气体的气体浓度、高频功率和基体温度等的堆积膜形成条件是有效的。
这里，作为能够成为用于供给氧原子的气体的物质，可以举出O2、CO、CO2、NO、N2O等的气体，它们是令人满意的。又，作为能够成为用于供给氟原子的气体的物质，可以举出氟气(F2)、CF4、SiF4、Si2F6、BrF、ClF、ClF3等的气体，它们是令人鼓舞的。又，作为能够用于供给氧原子和氟原子的气体，可以将多种上述气体混合起来，具体地说可以举出CF4和O2的混合气体的令人满意的例子。
中间层108中氧原子的含有量为1.0×1017～2.5×1022原子/cm3是令人满意的，更好为5.0×1017～2.0×1022原子/cm3，最好为1.0×1018～1.0×1022原子/cm3。又，同样地，中间层108中氟原子的含有量为1.0×1016～2.0×1022原子/cm3是令人满意的，更好为5.0×1016～5.0×1021原子/cm3，最好为1.0×1017～2.5×1021原子/cm3。
用叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母材的非单晶层区域的氧原子和/或氟原子含有量的峰值的SIMS产生的深度剖面图，在中间层中具有峰值，当令氧原子、氟原子的峰值中的最大含有量分别为Omax、Fmax，氧原子、氟原子的非单晶层区域内的最小含有量分别为Omin、Fmin时，希望最大含有量Omax、Fmax对最小含有量Omin、Fmin的比率分别满足2≤Omax/Omin≤2000、2≤Fmax/Fmin≤2000的关系。最好，Omax在5.0×1020原子/cm3～2.5×1022原子/cm3，Omin在2.5×1017原子/cm3～1.3×1022原子/cm3的范围内。又，最好，Fmax在5.0×1019原子/cm3～2.0×1022原子/cm3，Fin在2.5×1017原子/cm3～1.0×1022原子/cm3的范围内。
这里，定义的最小含有量指的是在不包含与光导电层相接的变化区域，叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母材的单晶层区域内的含有量的最小值。
<基体>
作为本发明中使用的基体，导电性要良好，作为导电性基体，，可以举出Al、Cr、Mo、Au、In、Nb、Te、V、Ti、Pt、Pd、Fe等的金属和它们的合金，例如不锈钢等。
又，即便是电绝缘材料，也能够通过对至少用例如聚脂、聚乙烯、聚碳酸脂、醋酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺等的合成树脂的薄膜或片、玻璃、陶瓷等的电绝缘材料制作受光器的一侧的表面进行导电处理，用作基体。
使用的基体形状能够是具有平滑表面或微小凹凸表面的圆筒状或无终端带状，为了能够形成所需的电子照相感光体而适当地决定其厚度。在要求作为电子照相感光体的可弯曲性的情形中，在能够充分发挥作为基体的功能的范围内尽可能地使它薄。但是，从制造上和处理上需要机械强度等出发，通常使基体大于等于10μm。
<下部电荷注入阻挡层>
在本发明中，如图1A到图1D所示，在导电性基体101的上层设置起阻止从基体101一侧注入电荷的作用的下部电荷注入阻挡层104是有效的。下部电荷注入阻挡层104具有当受光层102在它的自由表面上接受一定极性的带电处理时，阻止从基体101一侧到光导电层105一侧注入电荷的功能。
在下部电荷注入阻挡层104中，将硅原子作为母材，与后述的光导电层105比较，含有较多的用于控制导电性的杂质。在正带电用电子照相感光体的情形中，作为下部电荷注入阻挡层104中含有的杂质元素，能够用周期表第13族元素。又，在负带电用电子照相感光体的情形中，作为下部电荷注入阻挡层104中含有的杂质元素，能够用周期表第15族元素。在本发明中下部电荷注入阻挡层104中含有的杂质元素的含有量是为了有效地达到本发明的目的而按照所希望的适当地决定的，但是对于下部电荷注入阻挡层中的构成原子的总量，大于等于10原子ppm小于等于10000原子ppm是令人满意的，更好大于等于50原子ppm小于等于7000原子ppm，最好大于等于100原子ppm小于等于5000原子ppm。
进一步，在下部电荷注入阻挡层104中，通过含有氮和氧，可以达到提高该下部电荷注入阻挡层104和基体101之间粘合性的目的。又，在负带电用电子照相感光体的情形中，在下部电荷注入阻挡层104中即便不掺杂杂质元素，通过最佳地含有氮和氧也可以具有卓越的阻止注入电荷能力。具体地说，通过在下部电荷注入阻挡层104的全层区域中含有的氮原子和氧原子的含有量，对于下部电荷注入阻挡层中的构成原子的原子总量，使氮和氧之和，大于等于0.1原子％小于等于40原子％是令人满意的，更好大于等于1.2原子％小于等于20原子％，能够提高阻止注入电荷能力。
又，最好在本发明的下部电荷注入阻挡层104中含有氢原子，这时，氢原子起到对层内存在的未耦合键进行补偿，提高膜质量的效果。下部电荷注入阻挡层104中含有的氢原子的含有量对于下部电荷注入阻挡层中的构成原子的总量大于等于1原子％小于等于50原子％是令人满意的，较好大于等于5原子％小于等于40原子％，更好大于等于10原子％小于等于30原子％。
在本发明中，下部电荷注入阻挡层104的层厚从能够达到所望的电子照相特性和经济效果等出发，大于等于100nm小于等于5000nm是令人满意的，更好大于等于300nm小于等于4000nm，最好大于等于500nm小于等于3000nm。通过使层厚大于等于100nm小于等于5000nm，能够具有充分的阻止从基体101注入电荷的能力，能够得到充分的带电能力，并且能够期待提高电子照相特性，不会发生残留电位上升等弊病。
为了形成下部电荷注入阻挡层104，需要适当地设定反应容器内的气体压力、放电功率和基体温度。基体温度(Ts)按照层设计适当地选择最佳范围，但是在通常的情形中，大于等于150℃小于等于350℃是令人满意的，更好大于等于180℃小于等于330℃，最好大于等于200℃小于等于300℃。同样也按照层设计适当地选择反应容器内的压力的最佳范围，但是在通常的情形中大于等于1×10-2Pa小于等于1×103Pa，更好大于等于5×10-2Pa小于等于5×102Pa，最好大于等于1×10-1Pa小于等于1×102Pa。
<光导电层>
本发明的电子照相感光体中的光导电层105，由将硅原子作为母材的非单晶材料构成，最好层中含有氢原子和/或卤素原子。这是为了对硅原子的未耦合键进行补偿，提高层的质量，特别是提高光导电性和电荷保持性。氢原子或卤素原子的含有量、或氢原子和卤素原子之和的量对于光导电层中的构成原子的总量大于等于10原子％小于等于40原子％是令人满意的，更好大于等于15原子％小于等于25原子％。为了控制光导电层105中含有的氢原子和/或卤素原子的量，可以控制例如基体101的温度、将用于含有的氢原子和/或卤素原子的原料物质导入反应容器内的量、放电功率等。
在本发明中，需要时也可以在光导电层105中含有控制导电性的杂质元素。作为含有的杂质元素，与下部电荷注入阻挡层104同样，能够用周期表第13族元素。作为在光导电层105中含有的杂质元素的含有量，对于光导电层中的构成原子的总量大于等于1×10-2原子ppm小于等于1×104原子ppm是令人满意的，更好大于等于5×10-2原子ppm小于等于5×103原子ppm，最好大于等于1×10-1原子ppm小于等于1×103原子ppm。
在本发明中，光导电层105的层厚从能够得到所望的电子照相特性和经济效果等出发按照所望的适当地决定，大于等于10μm小于等于50μm是令人满意的，更好大于等于20μm小于等于45μm，最好大于等于25μm小于等于40μm。
为了形成光导电层105，需要适当地设定反应容器内的气体压力、放电功率和基体温度。基体温度(Ts)按照层设计适当地选择最佳范围，但是在通常的情形中，大于等于150℃小于等于350℃是令人满意的，更好大于等于180℃小于等于330℃，最好大于等于200℃小于等于300℃。
同样也按照层设计适当地选择反应容器内的压力的最佳范围，但是在通常的情形中大于等于1×10-2Pa小于等于1×103Pa，更好大于等于5×10-2Pa小于等于5×102Pa，最好大于等于1×10-1Pa小于等于1×102Pa。
其次，我们详细述说用于制作本发明的受光层102的装置和膜形成方法。
图2是表示用作为电源频率用RF频带的高频等离子体CVD法(也简略地记为RF-PCVD)的电子照相感光体的制造装置的一个例子的模式构成图。图2所示的制造装置的构成如下所示。
该装置，当大致区分时，由堆积装置(2100)、原料气体的供给装置(2200)、用于降低反应容器(2111)内压力的排气装置(图中未画出)构成。在堆积装置(2100)中的反应容器(2111)内，设置圆筒状基体(2112)、加热基体用加热器(2113)、原料气体导入管(2114)，进一步与高频匹配盒(2115)连接。
原料气体的供给装置(2200)由SiH4、GeH4、H2、CH4、B2H6、PH3等的原料气体的气瓶(2221～2226)和阀门(2231～2236、2241～2246、2251～2256)以及质量流控制器(2211～2216)构成，各原料气体的气瓶通过辅助阀门(2260)与反应容器(2111)内的气体导入管(2114)连接。
用该装置形成堆积膜，例如能够如下地进行。
首先，在反应容器(2111)内设置圆筒状基体(2112)，由图中未画出的排气装置(例如真空泵)对反应容器(2111)内进行排气。接着，由加热基体用加热器(2113)将圆筒状基体(2112)的温度控制在150℃到350℃的预定温度上。
为了使用于形成堆积膜的原料气体流入反应容器(2111)，确认气瓶的阀门(2231～2236)、反应容器的泄漏阀(2117)已经关闭，又，确认气体流入阀(2241～2246)、流出阀(2251～2256)、辅助阀(2260)已经打开，首先打开主阀(2118)对反应容器(2111)和原料气体配管(2116)内进行排气。
其次，在真空计(2119)的读数成为约小于等于0.1Pa的时刻，关闭辅助阀(2260)、气体流出阀(2251～2256)。此后，打开原料气瓶的阀门(2231～2236)从气瓶(2221～2226)导入各气体，由压力调整器(2261～2266)将各气体压力调整在0.2MPa。其次，徐徐打开气体流入阀(2241～2246)，将各气体导入质量流控制器(2211～2216)内。
如上述那样完成成膜的准备后，以下列顺序形成各层。
在圆筒状基体(2112)达到预定温度时，徐徐打开流出阀(2251～2256)中的需要阀门和辅助阀(2260)，通过原料气体导入管(2114)从气瓶(2221～2226)，将预定的气体导入反应容器(2111)内。其次，由质量流控制器(2211～2216)为了使各原料气体达到预定的流量而进行调整。这时，为了使反应容器(2111)内的压力达到小于等于1×102Pa的预定压力，一面观看真空计(2119)一面调整主阀门(2118)的孔径。在使内压稳定后，将频率13.56MHz的RF电源(图中未画出)设定在所需的功率，通过高频匹配盒(2115)将RF功率导入反应容器(2111)内，产生辉光放电。根据该放电能量使导入反应容器内的原料气体分解，在圆筒状基体(2112)上形成预定的将硅作为主成分的堆积膜。在形成所需的膜厚后，停止供给RF功率，关闭流出阀，停止气体流入反应容器，结束堆积膜的形成。
通过多次重复同样的操作，形成所需的多层构造的受光层。当形成各个层时，关闭除了需要的气体以外的全部流出阀，这是不言而喻的，又，为了避免各个气体残留在反应容器(2111)内、从流出阀(2251～2256)到反应容器(2111)的配管内，关闭流出阀(2251～2256)，打开辅助阀(2260)，进一步全部打开主阀门(2118)，与需要相应地进行一次将系统内排气到高真空的操作。
又，为了达到膜形成的均匀化，在形成层期间，由驱动装置(图中未画出)以预定速度转动圆筒状基体(2112)也是有效的。
进一步，可以按照各层的制作条件在上述的气体种类和阀门操作中加入变更，这是不言而喻的。
基体的加热方法只要是真空方式的发热体就可以，更具体地说，可以举出片状加热器的卷绕加热器、板状加热器、陶瓷加热器等的电阻发热体、卤素灯、红外线灯等的热辐射灯发热体、由将液体、气体等作为温度媒质的热交换部件构成的发热体等。加热部件的表面材质能够使用不锈钢、镍、铝、铜等的金属类、陶瓷、耐热性高分子树脂等。
除此以外，也可以使用在反应容器以外，设置加热专用的容器，加热后，在真空中将基体运送到反应容器内的方法。
图5表示用本发明的电子照相感光体的数字电子照相装置的一个例子。在图5中，500是数字电子照相装置，501是本发明中所说的电子照相感光体，502是为了在该感光体501上形成静电潜像而进行带电的电晕带电器。503是作为静电潜像形成部件的曝光装置。504是用于向形成了静电潜像的感光体501供给显影剂(调色剂)的显影器，506是用于将感光体表面的调色剂转移到转印材料上的转印带电器。505是为了净化感光体表面的清洁器。在本例中为了有效地进行感光体表面的均匀净化，用弹性滚筒和清洁刀片进行感光体表面的净化。507是为了准备下一次复印操作进行感光体表面的除电的除电灯。508是定影器。510是纸等的转印材料，511是运送转印材料的滚筒。在曝光L的光源中，用以单一波长为主的激光器、LED等的光源。
用这种装置，复印图像的形成是例如可以如下那样地进行。首先使电子照相感光体501以预定速度向箭头X的方向转动，用电晕带电器502使感光体501的表面均匀带电。其次，在带电的感光体501的表面上进行图像的曝光L，在感光体501的表面上形成该图像的静电潜像。而且当形成感光体501的表面的静电潜像的部分通过显影器504的设置单元时，由显影器504向感光体501的表面供给调色剂，对静电潜像进行显像化(显影)成为由调色剂形成的图像，进一步该调色剂图像随着感光体501的转动到达转印带电器506的设置单元，这里转印在由运送滚筒511运送过来的转印材料510上。
转印结束后，为了准备下一个复印步骤而用清洁器505从电子照相感光体501除去残留的调色剂，进一步为了使该表面的电位为零或几乎为零，而用除电灯507进行除电，结束1次复印步骤。
[实施例]
下面，通过实施例更具体地说明本发明和本发明的效果。虽然下述实施例是本发明的最佳实施方式的一个例子，但是本发明不受这些
实施例的限定。
实施例1
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表1所示的制作条件下，制作图1A中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层和表面层构成的正带电用电子照相感光体。
此外，为了使本实施例的表面层中的氧原子和/或氟原子的含有量在表面层中的厚度方向上形成峰值，而在形成表面层的堆积膜中，使O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量分别变化到Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)。具体地说，为了通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，分别具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值而进行制作。这里，使峰值形成区域的膜厚W为100nm。
[表1]
气体种类和流量   下部电荷注入阻挡层   光导电层   表面层
  形成峰值前区域   形成峰值区域   形成峰值后区域
SiH4[mL/min(常态的)]     150     200   15   15   15
H2[mL/min(常态的)]     400     750   -   -   -
B2H6[ppm](对于SiH4)     3000     0.15   -   -   -
NO[％](对于SiH4)     5     -   -   -   -
O2[ppm](对于SiH4)     -     -   -   X   -
CF4[ppm](对于SiH4)     -     -   -   Y   -
CF4-O2[30％]的混合气体(对于SiH4)     -     -   -   Z   -
CH4[mL/min(常态的)]     -     -   550   550   550
反应容器内压力[Pa]     64     79   60   60   60
高频功率[W](13.56MHz)     200     600   400   400   400
基体温度[℃]     260     260   260   260   260
膜厚[μm]     3     30   0.3   0.1   0.4
关于这样制作的电子照相感光体，用SIMS(CAMECA公司制、装置名：IMS-4F)测定氧原子和/或氟原子的含有量的深度剖面图。结果，我们能够确认，如图3所示的深度剖面图那样，通过在表面层的堆积膜形成途中适当地选择O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量，可以为了在表面层的厚度方向上氧原子和/或氟原子的含有量具有峰值而进行制作。
如表3所示在表面层形成途中，通过改变O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体对于SiH4的气体流量X、Y、Z[ppm]制作电子照相感光体。对各个电子照相感光体的评价结果如表3所示。
又，关于各个电子照相感光体，从用SIMS(CAMECA公司制、装置名：IMS-4F)测定的深度剖面图的结果，当令在氧原子和氟原子的含有量分布峰值中的最大含有量分别为Omax、Fmax、表面层内含有的氧原子和氟原子的最小含有量分别为Omin、Fmin时的，最大含有量Omax、Fmax对最小含有量Omin、Fmin的比率Omax/Omin、Fmax/Fmin如表3所示。
比较例1
在本比较例中，与实施例1相同，在实施了镜面加工的直径80mm的圆筒状铝基体上，在表2所示的制作条件下，制作图1A中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层和表面层构成的正带电用电子照相感光体。
此外，在本比较例中在形成表面层膜途中不导入O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量进行制作，同样用SIMS确定在表面层中的厚度方向上氧原子和氟原子的含有量不具有峰值。
[表2]
  气体种类和流量 下部电荷注入阻挡层 光导电层   表面层
  SiH4[mL/min(常态的)]     150     200     15
  H2[mL/min(常态的)]     400     750     -
  B2H6[ppm](对于SiH4)     3000     0.15     -
  NO[％](对于SiH4)     5     -     -
  CH4[mL/min(常态的)     -     -     550
  反应容器内压力[Pa]     64     79     60
  高频功率[W](13.56MHz)     200     600     400
  基体温度[℃]     260     260     260
  膜厚[μm]     3     30     0.8
将实施例1和比较例1中制作的正带电用电子照相感光体设置在图5中表示概略构成的CANON(佳能)制的数字电子照相装置iR-6000中，对后述的评价项目进行评价。其评价结果如表3所示。
(1)点再现性
将制作的电子照相感光体搭载在电子照相装置(CANON制，商品名：iR-6000的装置)上，调整主带电器电流和像曝光强度，其次打印对每个象素使激光接通-断开形成点的单点·单间隔试验图案，求显影的点直径的平均值。进一步，求该点直径的平均值与激光的光点直径(对于峰值光量Max的1/e2的宽度，e是自然对数的底)之差的绝对值，作为点再现性进行评价。所以该差值小，点再现性好。
得到的结果，用将比较例1中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例1等同。实用上没有问题
(2)带电能力
将制作的电子照相感光体设置在电子照相装置中，在带电器上加上+6kV的高电压实施电晕带电，用设置在显影器位置的表面电位计测定电子照相感光体的暗部表面电位。
得到的结果，用将比较例1中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…大于等于115％。非常优良
A…大于等于105％，不到115％。优良
B…与比较例1等同。实用上没有问题
(3)灵敏度
在为了对制作的电子照相感光体实施电晕带电，表面电位成为+450V(暗电位)而调整带电器的电流值后，照射激光(波长655nm的半导体激光)进行曝光，调整曝光光源的光量，使表面电位成为+50V(明电位)，将这时的曝光量作为灵敏度。
得到的结果，用将比较例1中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例1等同。实用上没有问题
(4)光存储
光存储电位是在对于灵敏度的评价条件下用同样的电位传感器测定非曝光状态中的表面电位和一次曝光后再次带电时的电位差。
得到的结果，用将比较例1中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例1等同。实用上没有问题
[表3]
    O2X[ppm]     CF4Y[ppm]   CF4O2Z[ppm]     Omax/Omin Fmax/Fmin   点再现性 带电能力  灵敏度 光存储
实施例1-a     3     0     0     1.6 无峰值   A   A   A   A
实施例1-b     4.5     0     0     2.0 无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例1-c     7     0     0     3.4 无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例1-d     25     0     0     12 无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例1-e     1600     0     0     1500 无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例1-f     2300     0     0     2000 无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例1-g     2700     0     0     2500 无峰值   A   AA   AA   A
实施例1-h     0     4.9     0     无峰值 1.4   A   A   A   A
实施例1-i     0     6.5     0     无峰值 2.0   AA   AA   AA   AA
实施例1-j     0     8.0     0     无峰值 2.5   AA   AA   AA   AA
实施例1-k     0     40     0     无峰值 16   AA   AA   AA   AA
实施例1-l     0     60     0     无峰值 25   AA   AA   AA   AA
实施例1-m     0     1700     0     无峰值 1600   AA   AA   AA   AA
实施例1-n     0     2100     0     无峰值 2000   AA   AA   AA   AA
实施例1-o     0     2350     0     无峰值 2300   A   AA   AA   A
实施例1-p     0     0     8.8     1.3 1.8   A   AA   AA   AA
实施例1-q     0     0     13.5     2.0 2.5   AA   AA   AA   AA
实施例1-r     0     0     30     4.5 6.1   AA   AA   AA   AA
实施例1-s     0     0     65     10 13   AA   AA   AA   AA
实施例1-t     0     0     1800     1200 1500   AA   AA   AA   AA
实施例1-u     0     0     2300     1800 2000   AA   AA   AA   AA
实施例1-v     0     0     2600     2200 2300   A   AA   AA   A
根据表3的结果，为了使表面层中的氧原子和/或氟原子的含有量在表面层中具有峰值而控制组成，与不形成峰值的比较例比较，可以提高点再现性。进一步，关于表面层中的峰值，为了满足2≤Omax/Omin≤2000和/或2≤Fmax/Fmin≤2000的关系，在氧原子和/或氟原子的含有量分布在厚度方向上形成峰值的实施例1-b到1-f、1-i到1-n、1-q到1-u中，与不形成峰值的比较例比较，可以提高点再现性和带电能力，进一步增加灵敏度和减少光存储，而且同时能够达到显著的效果。
实施例2
其次，我们研讨氧原子和/或氟原子的峰值半宽度。
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表1所示的制作条件下，制作图1A中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层和表面层构成的正带电用电子照相感光体。
此外，在本实施例中，关于在形成表面层的堆积膜中流过的O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)，控制在(1)X＝6ppm、Y＝0ppm、Z＝0ppm，(2)X＝0ppm、Y＝14ppm、Z＝0ppm，(3)X＝0ppm、Y＝0ppm、Z＝14.5ppm。具体地说，通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，形成氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值。又，通过只改变各个峰值形成区域的膜厚W[nm]改变氧原子和/或氟原子的峰值半宽度，制作正带电用电子照相感光体。
关于这样制作的电子照相感光体，将与实施例1同样地进行评价的结果表示在表4中。这里峰值半宽度是在峰值近旁的深度剖面图中氧原子和/或氟原子的含有量为在峰值高度的1/2处的峰值宽度(请参照图4)。
[表4]
 O2X[ppm]   CF4Y[ppm]   CF4-O2Z[ppm]   W[nm] Omax/Omin     Fmax/Fmin     氧半值宽度[nm]     氟半值宽度[nm]  点再现性 带电能力  灵敏度  光存储
实施例2-a   6     0     0   15 3.4     无峰值     5     -  AA  A  A  AA
实施例2-b   6     0     0   25 3.5     无峰值     10     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-c   6     0     0   35 3.6     无峰值     15     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-d   6     0     0   140 3.5     无峰值     56     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-e   6     0     0   330 3.5     无峰值     150     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-f   6     0     0   410 3.6     无峰值     180     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-g   6     0     0   450 3.5     无峰值     200     -  AA  AA  AA  AA
实施例2-h   6     0     0   480 3.5     无峰值     210     -  A  AA  AA  A
实施例2-i   0     14     0   15 无峰值     4.1     -     6  AA  A  A  AA
实施例2-j   0     14     0   25 无峰值     4.2     -     10  AA  AA  AA  AA
实施例2-k   0     14     0   35 无峰值     4.3     -     14  AA  AA  AA  AA
实施例2-l   0     14     0   130 无峰值     4.2     -     50  AA  AA  AA  AA
实施例2-m   0     14     0   380 无峰值     4.1     -     170  AA  AA  AA  AA
实施例2-n   0     14     0   460 无峰值     4.2     -     200  AA  AA  AA  AA
实施例2-o   0     14     0   490 无峰值     4.2     -     220  A  AA  AA  A
实施例2-p   0     0     14.5   15 2.1     2.9     6     8  AA  A  A  AA
实施例2-q   0     0     14.5   20 2.2     3.0     10     12  AA  AA  AA  AA
实施例2-r   0     0     14.5   30 2.3     3.1     15     18  AA  AA  AA  AA
实施例2-s   0     0     14.5   120 2.2     3.0     50     56  AA  AA  AA  AA
实施例2-t   0     0     14.5   330 2.3     3.1     150     180  AA  AA  AA  AA
实施例2-u   0     0     14.5   400 2.2     3.1     180     200  AA  AA  AA  AA
实施例2-w   0     0     14.5   450 2.2     3.1     205     230  AA  AA  A  A
实施例2-x   0     0     14.5   500 2.1     3.1     215     241  A  AA  AA  A
根据表4的结果，在为了对于表面层中氧原子和/或氟原子的厚度方向的峰值半宽度大于等于10mm小于等于200mm而形成的实施例2-b到2-g、2-j到2-n、2-q到2-u中，除了可以提高点再现性和带电能力外，进一步能够同时增加灵敏度和减少光存储。
实施例3
其次，我们研讨氧原子和/或氟原子的含有量分布的峰值形状。
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表1所示的制作条件下，制作图1A中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层和表面层构成的正带电用电子照相感光体。
此外，在本实施例中，关于在形成表面层的堆积膜中流过的O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)，控制在(1)X＝5.5ppm、Y＝0ppm、Z＝0ppm，(2)X＝0ppm、Y＝12ppm、Z＝0ppm，(3)X＝0ppm、Y＝0ppm、Z＝12ppm。具体地说，通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，形成氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值。又，在峰值形状具有一定区域的情形中，通过在峰值形成区域内使各个气体流量总是继续以一定流量流动，为了使峰值形状具有一定区域而进行控制。
这里，峰值形成区域区域的膜厚W为200mm。这样同样地制作正带电用电子照相感光体，将与实施例1同样地进行评价的结果表示在表5中。
[表5]
  O2X[ppm]   CF4Y[ppm]  CF4-O2Z[ppm]     Omax/Omin     Fmax/Fmin 氧峰值形状 氟峰值形状 点再现性 带电能力 灵敏度   光存储
实施例3-a   5.5   0   0     3.1     无峰值 无一定区域 - AA  AA   AA   AA
实施例3-b   5.5   0   0     3.0     无峰值 有一定区域 - A  A   A   A
实施例3-i   0   12   0     无峰值     3.7 - 无一定区域 AA  AA   AA   AA
实施例3-j   0   3   0     无峰值     3.7 - 有一定区域 A  A   A   A
实施例3-p   0   0   12     2.0     2.6 - 无一定区域 AA  AA   AA   AA
实施例5-q   0   0   12     1.9     2.5 - 有一定区域 A  A   A   A
根据表5的结果，由于表面层中氧原子和/或氟原子的含有量分布的峰值不具有一定区域，可以提高点再现性和带电能力，进一步能够同时显著地增加灵敏度和减少光存储。
实施例4
其次，我们研讨彩色电子照相装置中的负带电用电子照相感光体。
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表6所示的制作条件下，制作图1B中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层、由含有周期表第13族元素的区域构成的上部电荷注入阻挡层、和表面层构成的负带电用电子照相感光体。
此外，在本实施例中，为了使表面层中的氧原子和/或氟原子的含有量在表面层中的厚度方向上具有峰值，在形成表面层的堆积膜中，使O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量分别变化到Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)。具体地说，为了通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，分别具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值而进行制作。这里，使峰值形成区域的膜厚W为120nm。
[表6]
气体种类和流量   下部电荷注入阻挡层 光导电层 上部电荷注入阻挡层   表面层
  形成峰值前区域   形成峰值区域   形成峰值后区域
SiH4[mL/min(常态的)]   120     200     45   18   18   18
H2[mL/min(常态的)]   410     800     -   -   -   -
B2H6[ppm](对于SiH4)   -     -     1000   -   -   -
NO[％](对于SiH4)   8     -     -   -   -   -
O2[ppm](对于SiH4)   -     -     -   -   X   -
CF4[ppm](对于SiH4)   -     -     -   -   Y   -
CF4-O2[30％]的混合气体(对于SiH4)   -     -     -   -   Z   -
CH4[mL/min(常态的)]   -     -     90   650   650   650
反应容器内压力[Pa]   60     75     55   55   55   55
高频功率[W](13.56MHz)   150     450     150   150   150   150
基体温度[℃]   260     260     260   260   260   260
膜厚[μm]   3     30     0.2   0.2   0.12   0.4
表8表示通过变化表6的气体流量X、Y、Z[ppm]制作的各个电子照相感光体的评价结果。
关于各个电子照相感光体，从用SIMS(CAMECA公司制、装置名：IMS-4F)测定的深度剖面图的结果，当令在氧原子和氟原子的峰值中的最大含有量分别为Omax、Fmax、表面层内含有的氧原子和氟原子的最小含有量分别为Omin、Fmin时，最大含有量Omax、Fmax对最小含有量Omin、Fmin的比率Omax/Omin、Fmax/Fmin如表8所示。
比较例2
在本比较例中，与实施例4相同，在直径80mm的实施了镜面加工的圆筒状铝基体上，在表7所示的制作条件下，制作由含有图1B中表示概略构成的下部电荷注入阻挡层、光导电层、由含有层周期表第13族元素的区域构成的上部电荷注入阻挡层、和表面层构成的负带电用电子照相感光体。
此外，在本比较例中在形成表面层膜途中不导入O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量地进行制作，同样用SIMS确定在表面层中的厚度方向上氧原子和氟原子的含有量不具有峰值。
[表7]
气体种类和流量   下部电荷注入阻挡层   光导电层 上部电荷注入阻挡层     表面层
SiH4[mL/min(常态的)]     120     200     45     18
H2[mL/min(常态的)]     410     800     -     -
B2H6[ppm](对于SiH4)     -     -     1000     -
NO[％](对于SiH4)     8     -     -     -
CH4[mL/min(常态的)     -     -     90     650
反应容器内压力[Pa]     60     75     55     55
高频功率[W](13.56MHz)     150     450     150     150
基体温度[℃]     260     260     260     260
膜厚[μm]     3     30     0.2     0.4
将实施例4和比较例2中制作的负带电用电子照相感光体设置在图5中表示概略构成的为了用于评价负带电系统而改造的CANON制的数字电子照相装置iR-6000中，对后述的评价项目进行评价。其评价结果如表8所示。
(1)点再现性
将制作的电子照相感光体搭载在电子照相装置(为了用于评价负带电系统改造CANON制，商品名：iR-6000的装置)中，调整主带电器电流和像曝光强度，其次打印对每个象素使激光接通-断开形成点的单点·单间隔试验图案，求显影的点直径的平均值。进一步，求该点直径的平均值与激光的光点直径(对于峰值光量Max的1/e2的宽度，e是自然对数的底)之差的绝对值，作为点再现性进行评价。所以该差值小，点再现性好。
得到的结果，用将比较例2中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例2等同。实用上没有问题
(2)带电能力
将制作的电子照相感光体设置在电子照相装置(为了用于评价负带电系统改造CANON制，商品名：iR-6000的装置)中，在带电器上加上-6kV的高电压实施电晕带电，用设置在显影器位置的表面电位计测定电子照相感光体的暗部表面电位。
得到的结果，用将比较例2中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…大于等于115％。非常优良
A…大于等于105％，不到115％。优良
B…与比较例2等同。实用上没有问题
(3)灵敏度
在为了对制作的电子照相感光体实施电晕带电，表面电位成为-450V(暗电位)而调整带电器的电流值后，照射激光(波长655nm的半导体激光)进行曝光，调整曝光光源的光量，使表面电位成为-50V(明电位)，将这时的曝光量作为灵敏度。
得到的结果，用将比较例2中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例2等同。实用上没有问题
(4)光存储
光存储电位是在对于灵敏度的评价条件下用同样的电位传感器测定非曝光状态中的表面电位和一次曝光后再次带电时的电位差。
得到的结果，用将比较例2中的值作为100％时的相对评价，进行分级。
AA…不到85％。非常优良
A…大于等于85％，不到95％。优良
B…与比较例2等同。实用上没有问题
[表8]
  O2X[ppm]    CF4Y[ppm]   CF4-O2Z[ppm]     Omax/Omin     Fmax/Fmin 点再现性 带电能力 灵敏度 光存储
实施例4-a     5     0     0     2.5     无峰值   AA   AA   AA   AA
实施例4-b     0     10     0     无峰值     3.2   AA   AA   AA   AA
实施例4-c     0     0     20     3.1     4.1   AA   AA   AA   AA
根据表8的结果，在具有含有周期表第13族元素的区域的负带电用电子照相感光体中，为了使表面层中的氧原子和/或氟原子的含有量在表面层中具有峰值而控制组成，与不形成峰值的比较例2比较，可以提高点再现性和带电能力，进一步可以同时提高灵敏度和减少存储。
实施例5
其次，我们研讨关于负带电用电子照相感光体，变化层构成的情形。
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表9所示的制作条件下，制作图1C中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层、中间层、由含有周期表第13族元素的区域构成的上部电荷注入阻挡层、和表面层构成的负带电用电子照相感光体。
此外，在本实施例中，为了使中间层中的氧原子和/或氟原子的含有量在中间层中的厚度方向具有峰值，在形成中间层的堆积膜中，使O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量分别变化到Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)。具体地说，为了通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，分别具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值而进行制作。这里，使峰值形成区域的膜厚W为80nm。
又。在本实施例中，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域由中间层、上部电荷注入阻挡层和表面层构成，对于中间层、上部电荷注入阻挡层和表面层的构成原子的碳原子和硅原子的总量，碳原子含有量的极大区域分别为70原子％是相同的，如图6所示，成为在膜厚方向中具有2个极大区域的分布。而且，形成在层区域的厚度方向，从碳原子的含有量的2个极大区域之间的极小值开始在光导电层一侧，具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值的构成。
如图6所示，极大区域是碳原子的含有量比下部电荷注入阻挡层中的碳原子的含有量多的区域，在极大区域中也包含在表面层一侧中的形状。关于表示表面层一侧的含有量的形状，如图9所示，表示在表面层一侧碳原子的含有量继续增加的形状也具有极大区域。又，在如图8和图9所示的上部电荷注入阻挡层中的周期表第13族元素的含有量分布的形状具有最大值。
[表9]
气体种类和流量 下部电荷注入阻挡层   光导电层   中间层   上部电荷注入阻挡层   表面层
  形成峰值前区域   形成峰值区域   形成峰值后区域
SiH4[mL/min(常态的)]   120   200   25   25   25     45   25
H2[mL/min(常态的)]   410   800   -   -   -     -   -
B2H6[ppm](对于SiH4)   -   -   -   -   -     600   -
NO[％](对于SiH4)   8   -   -   -   -     -   -
O2[ppm](对于SiH4)   -   -   -   X   -     -   -
CF4[ppm](对于SiH4)   -   -   -   Y   -     -   -
CF4-O2[30％]的混合气体(对于SiH4)   -   -   -   Z   -     -   -
CH4[mL/min(常态的)]   -   -   650   650   650     90   650
反应容器内压力[Pa]   60   75   55   55   55     55   55
高频功率[W](13.56MHz)   150   450   150   150   150     150   150
基体温度[℃]   260   260   260   260   260     260   260
膜厚[μm]   3   30   0.2   0.05   0.2     0.2   0.6
将实施例5中制作的负带电用电子照相感光体设置在为了评价图5中表示概略构成的负带电系统而改造的CANON制的数字电子照相装置iR-6000中，进行与实施例4相同的评价。表10表示该评价结果。
[表10]
    O2X[ppm]     CF4Y[ppm]   CF4-O2Z[ppm] Omax/Omin     Fmax/Fmin 点再现性 带电能力 灵敏度 光存储
  实施例5-a     5     0     0 2.6     无峰值   AA   AA   AA   AA
  实施例5-b     0     10     0 无峰值     3.2   AA   AA   AA   AA
  实施例5-c     0     0     20 3.2     4.1   AA   AA   AA   AA
根据表10的结果，在具有含有周期表第13族元素的区域的负带电用电子照相感光体中，为了使中间层中的氧原子和/或氟原子的含有量在中间层中具有峰值而控制组成，与不形成峰值的比较例2比较，可以提高点再现性，进一步可以同时提高灵敏度和减少光存储。又，我们判断通过形成在层区域的厚度方向中，从在碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值开始的光导电层一侧中，具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值的构成，能够提高灵敏度和减少光存储。
实施例6
其次，我们研讨关于负带电用电子照相感光体，变化层构成的情形。
我们用图2所示的用RF-PCVD法的电子照相感光体的制造装置，在直径80mm的实施镜面加工的圆筒状铝基体上，在表11所示的制作条件下，制作图1D中表示概略构成的由下部电荷注入阻挡层、光导电层、由含有周期表第13族元素的区域构成的第2上部电荷注入阻挡层、和表面层构成的负带电用电子照相感光体。
此外，在本实施例中，为了使中间层中的氧原子和/或氟原子的含有量在中间层中的厚度方向上具有峰值，在形成中间层的堆积膜中，使O2气、CF4气、CF4-O2(30％)混合气体的气体流量如表12所示地分别变化到Xppm、Yppm、Zppm(都对于SiH4流量)。具体地说，为了通过在峰值形成区域内以一定的比例变化各个气体流量，分别具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值而进行制作。这里，使峰值形成区域的膜厚W为50nm。
又。在本实施例中，将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域由第1上部电荷注入阻挡层、中间层、第2上部电荷注入阻挡层和表面层构成，对于第1上部电荷注入阻挡层、中间层、第2上部电荷注入阻挡层和表面层的构成原子的碳原子和硅原子的总量，碳原子含有量的极大区域分别为70原子％是相同的，如图7所示，成为在膜厚方向中具有2个极大区域的分布。而且，形成在层区域的厚度方向，从碳原子的含有量的2个极大区域之间的极小值开始在光导电层一侧，具有氧原子峰值、氟原子峰值、氧原子和氟原子峰值的构成。
又，在本实施例中，从用SIMS(CAMECA公司制、装置名：IMS-4F)测定深度剖面图的结果，第1上部电荷注入阻挡层和第2上部电荷注入阻挡层的周期表第13族元素(B：硼)含有量对于构成原子的总量，分别地最大为450原子ppm是相同的，如图7所示，成为具有2个极大区域的曲线。
[表11]
  气体种类和流量   下部电荷注入阻挡层 光导电层 第1上部电荷注入阻挡层   中间层 第2上部电荷注入阻挡层   表面层
  形成峰值前区域     形成峰值区域     形成峰值后区域
  SiH4[mL/min(常态的)]     120   200     45   25     25     25     45   25
  H2[mL/min(常态的)]     410   800     -   -     -     -     -   -
  B2H4[ppm](对于SiH4)     -   -     600   -     -     -     600   -
  NO[％](对于SiH4)     8   -     -   -     -     -     -   -
  O2[ppm](对于SiH4)     -   -     -   -     X     -     -   -
  CF4[ppm](对于SiH4)     -   -     -   -     Y     -     -   -
  CF4-O2[30％]的混合气体(对于SiH4)     -   -     -   -     Z     -     -   -
  CH4[mL/min(常态的)]     -   -     90   650     650     650     90   650
  反应容器内压力[Pa]     60   75     55   55     55     55     55   55
  高频功率[W](13.56MHz)     150   450     150   150     150     150     150   150
  基体温度[℃]     260   260     260   260     260     260     260   260
  膜厚[μm]     3   30     0.35   0.2     0.05     0.2     0.35   0.5
将实施例6中制作的负带电用电子照相感光体设置在为了评价图5中表示概略构成的负带电系统而改造的CANON制的数字电子照相装置iR-6000中，进行与实施例5相同的评价。表12表示该评价结果。
[表12]
     O2X[ppm]      CF4Y[ppm]   CF4-O2Z[ppm] Omax/Omin Fmax/Fmin 点再现性 带电能力 灵敏度 光存储
  实施例6-a     8     0     0 3.9 无峰值   AA   AA   AA   AA
  实施例6-b     0     15     0 无峰值 4.4   AA   AA   AA   AA
  实施例6-c     0     0     30 4.5 6.4   AA   AA   AA   AA
根据表12的结果，为了使中间层中的氧原子和/或氟原子的含有量在中间层中具有峰值而控制组成，与不形成峰值的比较例2比较，可以提高点再现性，进一步可以同时提高灵敏度和减少光存储。又，我们确认通过设置第1上部电荷注入阻挡层和第2上部电荷注入阻挡层能够提高带电能力。

Claims (24)

1.一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子的含有量分布具有峰值。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内具有含有周期表第13族元素的区域。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的相对构成原子总量的碳原子的含有量分布中，在该非单晶层区域内的厚度方向至少具有2个极大区域。
4.根据权利要求3所述的电子照相感光体，其特征在于：在较存在于上述碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氧原子的含有量分布的峰值。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于：当令上述非单晶层区域内的氧原子的含有量分布的峰值中的最大含有量为Omax、上述非单晶层区域内含有的氧原子的最小含有量为Omin时，最大含有量Omax相对最小含有量Omin的比率满足2≤Omax/Omin≤2000的关系。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的氧原子的含有量分布的峰值中，峰值半宽度大于等于10nm、小于等于200nm。
7.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其特征在于：上述氧原子的含有量分布的峰值不具有一定区域。
8.一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氟原子的含有量分布具有峰值。
9.根据权利要求8所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内具有含有周期表第13族元素的区域。
10.根据权利要求8所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的相对构成原子总量的碳原子的含有量分布中，在非单晶层区域内的厚度方向至少具有2个极大区域。
11.根据权利要求10所述的电子照相感光体，其特征在于：在较存在于上述碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氟原子的含有量分布的峰值。
12.根据权利要求8所述的电子照相感光体，其特征在于：当令上述非单晶层区域内的氟原子的含有量分布的峰值中的最大含有量为Fmax、上述非单晶层区域内含有的氟原子的最小含有量为Fmin时，最大含有量Fmax相对最小含有量Fmin的比率满足2≤Fmax/Fmin≤2000的关系。
13.根据权利要求8所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的氟原子的含有量分布的峰值中，峰值半宽度大于等于10nm、小于等于200nm。
14.根据权利要求8所述的电子照相感光体，其特征在于：上述氟原子的含有量分布的峰值不具有一定区域。
15.一种电子照相感光体，该电子照相感光体在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在该光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域，其特征在于：上述非单晶层区域包含氧原子和氟原子，在该非单晶层区域内的厚度方向，相对构成原子总量的氧原子和氟原子的含有量分布分别具有峰值。
16.根据权利要求15所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内具有含有周期表第13族元素的区域。
17.根据权利要求15所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的相对构成原子总量的碳原子的含有量分布中，在非单晶层区域内的厚度方向至少具有2个极大区域。
18.根据权利要求17所述的电子照相感光体，其特征在于：在较存在于上述碳原子含有量的2个极大区域之间的极小值更靠近光导电层一侧的层区域内的厚度方向，具有相对上述构成原子总量的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值。
19.根据权利要求15所述的电子照相感光体，其特征在于：当令上述非单晶层区域内的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值中的各个最大含有量为Omax、Fmax、上述非单晶层区域内含有的氧原子和氟原子的各个最小含有量为Omin、Fmin时，最大含有量Omax、Fmax对最小含有量Omin、Fmin的比率分别满足2≤Omax/Omin≤2000、2≤Fmax/Fmin≤2000的关系。
20.根据权利要求15所述的电子照相感光体，其特征在于：在上述非单晶层区域内的氧原子和氟原子的含有量分布的峰值中，各个峰值半宽度对于氧原子而言大于等于10nm、小于等于200nm，对于氟原子而言大于等于10nm、小于等于200nm。
21.根据权利要求15所述的电子照相感光体，其特征在于：上述氧原子和氟原子的含有量分布的峰值不具有一定区域。
22.根据权利要求5所述的电子照相感光体，其特征在于：
上述最大含有量Omax满足5.0×1020原子/cm3≤Omax≤2.5×1022原子/cm3的关系，
上述最小含有量Omin满足2.5×1017原子/cm3≤Omin≤1.3×1022原子/cm3的关系。
23.根据权利要求12所述的电子照相感光体，其特征在于：
上述最大含有量Fmax满足5.0×1019原子/cm3≤Fmax≤2.0×1022原子/cm3的关系，
上述最小含有量Fmin满足2.5×1017原子/cm3≤Fmin≤1.0×1022原子/cm3的关系。
24.根据权利要求19所述的电子照相感光体，其特征在于：
上述最大含有量Omax满足5.0×1020原子/cm3≤Omax≤2.5×1022原子/cm3的关系，
上述最小含有量Omin满足2.5×1017原子/cm3≤Omin≤1.3×1022原子/cm3的关系，
上述最大含有量Fmax满足5.0×1019原子/cm3≤Fmax≤2.0×1022原子/cm3的关系，
上述最小含有量Fmin满足2.5×1017原子/cm3≤Fmin≤1.0×1022原子/cm3的关系。
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