CN1550466A - 光纤预制件的椭圆度的改进方法 - Google Patents

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Abstract

在一个光纤预制件的形成中和形成后改进预制件芯子椭圆度的各种方法。在一个起动管上进行改进的化学气相沉积(MCVD)之前，起动管的外径借助浸蚀或类似的过程改变，以改进它的椭圆度。再者，在改进的化学气相沉积形成芯子杆之后，但在芯子杆进行外包覆之前芯子杆可以浸蚀以改变它的椭圆度。两种方法可以单独地或结合地使用，以改进由此芯子杆拉制的光纤的椭圆度和减少其极化模式分散(PMD)。一个补充的方法包括浸蚀具有一个椭圆芯子的芯子杆或椭圆芯子的包覆材料，从而使包覆材料复制椭圆芯子的形状。在拉制时，由此产生的预制件处于一个表面张力下或以一种方式拉制，以产生一个圆形的或接近完美的圆光纤，具有希望的椭圆度和低的PMD。

Description

光纤预制件的椭圆度的改进方法
本发明的领域
本发明一般地涉及光纤的制造，以及更具体地说，涉及在制造光纤中使用的光纤预制件的椭圆度的减少方法。
本发明的背景
通信和数据传输系统，它们以光学脉冲的形式传输信息信号通过光纤，现在已很普通，以及光纤已成为一种物理的运输介质，选择使用长途电话、数据和视频通信网络，这是由于它们的信号传输本领，它极大地超过了机械的传导体。尽管它们的这些优点，为了在大量生产中获得长的、高获取率和无缺陷的光纤，在它们的制造中还有许多困难必须克服。
光纤的制造使用一个玻璃预制件，由它产生光纤。玻璃预制件在一个粗的玻璃杆内复制光纤的希望的指数型面。在预制件产生后，它装载入一个纤维拉伸塔。
预制件的下端下降入一个炉子，从而使预制件的末端软化直至一个软化的球体由于重力而下落。当它下落时形成一条线。线在下落时冷却和经过一系列的加工步骤(例如，涂覆涂层)以形成最终的光纤。因此，可以理解，借助这种加工产生的光纤的组织和长度取决于预制件的特点，由它拉制出光纤。
产生预制件的主要的制造步骤对于技术熟练人员是已知的。生产预制件的三种主要的形式包括：内沉积，其中材料在一个管子内部生长；外沉积，其中沉积在一个随后阶段拆除的心轴上进行；以及轴向沉积，其中沉积是轴向地直接地在玻璃预制件上进行。一种最普通的广泛使用的光纤预制件生产过程是改进的化学气相沉积(MCVD(Modified ChemicalVapor Deposition)它是一种内沉积。改进的化学气相沉积是一种制造预制件的过程，其中预制件芯子材料是沉积在一个基体或起动管的表面内部(在文中“基体管子”和起动管可互换地使用)。沉积材料的单独层被一个沿着管子长度往复移动的喷灯转化为玻璃(玻璃化)。在沉积过程中，喷灯组件缓慢地跨过起动管的长度，而这时反应的气体供入和排出管子。跟随芯子材料的沉积和/或包覆材料的沉积，起动管借助加热至一个超过沉积时的温度而塌陷，以形成一个实心的芯子杆。在芯子杆产生以后，在一个外包覆的过程中，添加材料，比如二氧化硅，以增加芯子杆的直径。在外包覆之后，光纤预制件完成和准备拉伸成为光纤。
虽然借助上述的方法产生预制件已经普遍地使用于光纤的制造，按这种过程产生的预制件经常具有椭圆形；这就是说，预制件不能够在通过其整个长度具有一个圆形的横截面。预制件的椭圆度是不希望的，因为它改变，以及更经常是增加光纤的极化模式分散PMD(PolerizationMode Dispersion)。极化模式弥散是一种随机的现象，它导致在光纤内传输的光学脉冲的分散。尤其是，这种分散是由于纤维的极化模式之间的传播速度差引起的。极化模式分散限制光学通信系统的传输能力，这是因为产生符号间干扰。
由于低的极化模式分散是希望的光纤的特点，降低预制件的椭圆度是达到希望的光纤的传输特点的决定性的因素。
因此，需要的是一种方法，用以达到希望的预制件的芯子椭圆度，以降低由此产生的光纤的极化模式分散(PMD)。
本发明的概述
本发明克服了现有技术的缺点，借助提供各种方法用以降低在一个光纤预制件产生时和产生后的预制件芯子的椭圆度。按照本发明的一个实施例。在起动管上进行改进的化学气相沉积(MCVD)之前，起动管的外径用浸蚀或类似过程改变，以降低其椭圆度。按照本发明的另一个实施例，在改进的化学气相沉积之后形成芯子杆，但是在外包覆芯子杆之前，芯子杆可以浸蚀、加热和转动以降低其椭圆度。两种方法可以单独地使用或组合地使用，以及它们的优点是可以降低由此光纤预制件拉制的光纤的极化模式分散(PMD)。按照本发明的一个第三实施例，一个具有椭圆度的芯子的芯子杆的包覆材料可以被浸蚀以复制椭圆形芯子的形状。由它们产生的预制件可以随后放置在一个表面张力下面或者以一种方式拉伸以产生具有低的椭圆度和低的PMD的一个圆形的光纤。
按照本发明的一个实施例，公开一种降低光纤预制件的椭圆度的方法。本方法包括一个步骤是提供一个起动管，其管壁具有一个外表面和一个内表面，其中内表面限定起动管的一个空腔区。方法还包括一个步骤是浸蚀管壁直到壁的外部具有基本上圆形的横截面。
按照本发明的一个方面，壁的浸蚀包括使用加热器件浸蚀壁，比如使用一个等离子喷灯。按照本发明的另一方面，本方法还包括一个步骤是在起动管的壁的浸蚀之前测量起动管的椭圆度，以确定起动管的椭圆度。按照本发明的另一方面，壁的浸蚀包括仅浸蚀壁的一部分，那里壁的外部在横截面上基本上是椭圆的。本方法还包括一个步骤是在起动管浸蚀时转动起动管和/或一个步骤是可移动地安装起动管到一个机床上以浸蚀管壁。
按照本发明的另一个实施例，公开一种降低光纤预制件椭圆度的方法。本方法包括提供一个芯子杆，芯子杆包括一个芯子杆和一个包覆层，其中芯子具有一个椭圆形横截面，安装芯子杆到一个具有至少两个转子的机床上，以及使用两个转子中至少一个转动芯子杆。方法还包括使芯子杆经受一个热源，在芯子杆安装到机床上之后，两个转子中至少一个相位移离开至少两个转子中的另一个。
按照本发明的一个方面，方法还包括一个步骤是浸蚀芯子杆。按照本发明的另一个方面，壁的浸蚀包括使用一个加热器件浸蚀芯子杆，它可以是一个等离子喷灯。按照本发明的另一个方面，方法还包括一个步骤是在芯子杆浸蚀之前测量芯子杆的椭圆度。测量步骤还可以包括测量包覆层的椭圆度。
此外，浸蚀步骤还可以包括仅浸蚀芯子杆的一部分，那里包覆层在横截面上基本上是椭圆的。此外，转动步骤可以包括在芯子杆浸蚀时转动芯子杆。按照本发明的另一个方面，转动步骤包括在顺时针方向上和在反时针方向上转动芯子杆。再者，两个转子的角速度在转动时可以相等。
附图的简要说明
已用一般的术语说明了本发明，现在参见附图，它不需要以比例绘出，其中：
图1是一个示意图，示出一个通用的装置，适合于改进的化学气相沉积(MCVD)；
图2A至2C是示意图，示出一个通用的MCVD方法；
图3A至3C是不希望的预制件几何形状的剖面图，是按照本发明的说明的实例借助普通的MCVD过程产生的；
图4是按照本发明的说明的实例的一个起动管的横剖面图，具有不均匀的厚度；
图5是按照本发明的一个实施例的一个起动管椭圆度改进装置的截开图，一个起动管连接在它的上面；
图6是按照本发明的一个方面的校正的起动管的横剖面图，具有一个基本上圆形的外径和均匀的厚度；
图7是按照本发明的一个实施例的一个芯子杆椭圆度改进装置的截开图，一个芯子杆连接在它的上面；
图8A至8C示出借助图7的芯子杆椭圆度改进装置实现的椭圆度改进；
图9A至9C示出借助本发明的一个椭圆度改进装置和拉伸过程实现的椭圆度改进。
本发明的详细说明
本发明将在下面更充分地参见附图予以说明，其中示出本发明一部分而不是全部的实施例。的确，本发明可以用许多不同的形式实施，以及不应该局限于这里列出的实施例；相反地，提供这些实施例是使公开满足可适用的法律要求。各图中相似的图号表示相似的元件。
图1示出一个装置，适合于MCVD过程，它是现有技术中已知的。装置包括一个支架1，它支承一个起动管2和一个加热器件4，后者施加热量至起动管2的加热区3。起动管2转动，例如沿箭头5a所示的方向，以及加热器件4借助在轨道6内的一个可移动元件沿箭头5b所示的方向往复地运动，从而使加热区3沿着整个起动管2偏移，而这时起动管2转动。一个源气体通过供给管7被引入起动管2，供给管7连接至一个源材料存储部分8。
源材料存储部分8具有一个氧入口9。存储箱14和15存储反应材料16和17，它们通常是液体，以及反应材料16和17被运载气体的输入运载，通过入口10和11进入起动管2。还有，激发的材料通过一个出口18排放。一个混合活门(图中未示出)和一个阻断活门(图中未示出)测量气体的流动和进行混合要求的其它调节。在沉积过程中，喷灯组件缓慢地跨过起动管2的长度，而这时反应材料和氧供给进入供给管7和由其排出。在芯子和/或包覆材料沉积之后(以相反的顺序，即包覆材料是在芯子材料沉积之前沉积的)，借助起动管2加热至一个比沉积时更高的温度将起动管塌陷以形成一个实心的芯子杆，如随后的图2A至2C所示。
图2A至2C示出起动管2在沉积材料上的塌陷，以形成一个光纤预制件。
如图1所示，在MCVD过程中，一种高纯度的源气体，比如SiCl4，GeCl4，PoCl3，BCl3或CF4和氧一起被引入玻璃的起动管21，以及起动管21被加热器件23加热，导致结垢的氧化沉积在起动管21的内部，它是由热氧化形成的(见图2A)。在此处源气体的浓度在一个计算机化系统的控制下精确地调节，以控制一个反射指数，从而沉积一个芯子和/或包覆层22在起动管21的内部(见图2B)。随后已沉积包覆层和/或芯子层22的起动管21被加热器件23加热，以及塌陷以形成一个光纤预制件25。
虽然以上所述的改进的化学气相沉积(MCVD)过程广泛地使用于产生光纤，经常形成预制件的不希望的椭圆度。椭圆度的产生是当一个或多个相继的材料层组成的预制件具有改变的厚度或是椭圆的，而不是圆横截面的。图3A至3C示出在MCVD过程中产生的某些不希望的预制件的几何形状。图3A示出一个芯子杆30的横剖面图，具有一个椭圆的包覆层34，并带有一个基本上非椭圆的或圆芯子32。一个芯子杆是用PMCVD过程产生的，但在借助随后的增加一个外包覆层产生一个光纤预制件之前，如技术中已知那样。为了这种涂覆的目的，在起动管内沉积的芯子和/或包覆材料在下文中总称为芯子。芯子被起动管围绕，它在MCVD过程中塌陷在芯子上，如以上图2A-2C所示；因此，芯子和塌陷的起动管的组合包括芯子杆。图3B示出一个芯子杆36的横剖面图，具有一个椭圆芯子38，并带有一个基本上非椭圆的或圆形的包覆层40。最后，图3C示出一个芯子杆42的横剖面图，具有一个椭圆芯子44和椭圆包覆层46。
如以上所述，一个光纤预制件的增加的椭圆度会增加由它拉制的光纤的极化模式分散(PMD)。PMD是一种随机的现象，它导致在一个光纤内传输的光学脉冲的分散。尤其是，这种分散是由于纤维的极化模式之间的传播速度差引起的。极化模式分散限制光学通信系统的传输能力，这是因为产生符号间干扰。由于低的PMD是希望的光纤的特点，降低预制件的椭圆度是达到希望的光纤的特点的决定性的因素。
按照本发明的一个实施例，一种改进光纤预制件椭圆度的方法是借助在MCVD沉积之前改变起动管的椭圆度。技术熟练人员可以理解，起动管的外径(OD)椭圆度在MCVD过程之后对于预制件芯子的椭圆度产生重要的作用。事实上，起动管的外椭圆度与预制件芯子的椭圆度和PMD直接地相关。再者，已经知道，预制件芯子的椭圆度和PMD对起动管的内径(ID)的敏感性较低。
图4示出按照本发明的一个说明的实例的起动管48的横剖面图，具有不希望的高的椭圆度。如图所示，起动管48具有厚度T的管子壁49，它围绕开始管48的周边改变。因此，不是沿管子壁49的外表面50的所有部分至通过管子48的长度的一个中心的纵轴51等距离。另一方面，在此实例中，管子壁49的内表面52至中心的纵向轴51基本上等距离。
图5是按照本发明的一个实施例的起动管和起动管椭圆度改进装置的截开图，起动管48可移动地安装在起动管椭圆度改进装置53上。起动管椭圆度改进装置53借助使用一个热源，在MCVD沉积之前接近起动管48改变它的外径椭圆度来改进起动管48的外径椭圆度(或管子壁49的均匀性)。更具体地说，装置53包括一个机床(图中未示出)，比如一个玻璃加工机床，起动管48安装在它的上面。机床工作时沿方向57，59转动管子48围绕通过管子48的中心的纵向轴51。按照本发明的一个优选的实施例，机床的转动由两个转子56，58控制。在浸蚀过程中，两个转子56，58的转速是同步的和锁定到一起，因此没有扭转施加至起动管48。一个示范性的机床的说明见U.S Patent No.6,178,779，其整个内容列于此处供参考。由于机床的结构和工作对于一般技术人员是已知的，在此不再说明。
再次参见图5，起动管48是可移动地安装以邻接一个等温的等离子喷灯54，它是技术中已知的，产生一个等离子火球55。等离子喷灯54安装在一个可移动的支承上，它允许等离子喷灯跨过起动管48的长度。因此，与转子56，58提供的转动相结合，等离子喷灯能够加热起动管48的任何外部分。本发明的改进椭圆度装置53可以使一系列的等温的等离子体，它的实例包括氧和含氧等离子体，例如氧/氩。此等离子体基本上是无氢的，比如在最终的产物中OH杂质基本上免除。等离子火球55加热和浸蚀起动管壁49的外表面50，从而由起动管壁49清除玻璃，一般地，等离子火球55加热起动管壁49的一个特定的部分时间越长，由其浸蚀掉的玻璃量越多。可以理解，浸蚀不会影响管子壁49的内表面52。选择地浸蚀起动管壁49的外表面太厚的部分，比如图4的起动管48的横剖面图中所示的12时和6时位置，减少管子壁49的厚度，从而达到一个恒定的或接近恒定的厚度和降低的椭圆度。按照本发明的一个方面，由管子壁49的外径可以清除至1mm的材料，以便使外径完美地或接近完美地均匀。
起动管外径降低的椭圆度降低了由它控制的光纤的极化模式分散(PMD)，从而改进了最终的光纤的传输特性。
一般的技术人员可以理解，起动管壁49或外径椭圆度的优选的浸蚀是借助改变管子48的转速作为起动管椭圆度的一个函数而达到的。因此，起动管的转动越慢，浸蚀掉的玻璃量越大。为了控制管子48浸蚀的部分，起动管48的外径椭圆度可以在浸蚀之前或者在生产线上或者脱离生产线进行扫描。脱离生产线的扫描器是一般的技术人员已知的，用于测量起动管的尺寸和椭圆度。然而，这种扫描器没有在一个改进外径椭圆度的封闭的环路系统内与控制一个等离子喷灯或其它热源的系统一体化。代替地，在生产线上的扫描能够与一个激光器装置一起使用，如技术中已知。按照本发明的一个实施例，起动管48的椭圆度被扫描设备计算出，它构造为测量沿管子48的整个长度任何横截面的椭圆度。扫描设备与起动管椭圆度改进装置53电通信，以通信要求的转动速度和等离子喷灯54的位置，以减少需要处的起动管48的外径，以产生一个基本上非椭圆的和圆外径。代替的方案是，测量可以人工地进行，以及使用一个技术上已知的器件输入到管子椭圆度改进装置53。
图6示出图4的起动管的横剖面图，它是在借助起动管椭圆度改进装置53外径椭圆度降低之后。校正的起动管6。在起动管壁64的内表面54和起动管壁64的外表面62之间具有均匀的厚度D。因此，管子60的外表面62沿着它的整个表面至通过管子60的长度的中心的纵向轴53是基本上等距离的。一旦使用上述的装置和方法达到起动管的椭圆度，可进行使用改进的起动管的MCVD，使用改进的起动管的MCVD沉积能够保证低的PMD，以及因而改进光纤的传输特性，比MCVD沉积前起动管外径椭圆度保留未变化的其它方案能达到得更好。
按照本发明的另一实施例，在MCVD沉积形成芯子杆之后，但在外包覆芯子杆以产生完全的预制件之前，芯子杆浸蚀以改进其椭圆度。因此，本方法可以单独地使用或与上面讨论的用于消除或降低起动管椭圆度的那些方法结合使用。正确地浸蚀芯子杆也能够降低由光学预制件拉制的光纤的极化模式分散(PMD)。
图7示出按照本发明的一个实施例的一个芯子杆椭圆度改进装置73的截开图。一个芯子杆69可移动地连接在它的上面。装置73与以上图5讨论的装置基本上是类似的。芯子杆椭圆度改进装置73借助在芯子杆上使用一个热源和与芯子杆69的转动相结合而改进芯子杆69的椭圆度，以改进芯子杆69的芯子72和外包覆层70两者的椭圆度。如图7所示，装置73包括一个机床(图中未示出)，比如一个玻璃加工机床，一个具有不希望的椭圆度的芯子杆69安装在它的上面。机床工作时沿方向77，79转动芯子杆69围绕通过芯子杆69长度的中心的纵向轴。按照本发明的一个说明的实施例，芯子杆69开始时具有图8A所示的几何形状，包括一个椭圆芯子72和一个椭圆包覆层70。
再次参见图7，芯子杆69是可移动地安装邻接一个等温的等离子喷灯74，它是技术中已知的，产生一个等离子火球75，如以上所述。与图7的装置类似，等离子喷灯74安装在一个可移动的支承上，它允许等离子喷灯跨过芯子杆69的长度。等离子火球75加热和浸蚀芯子杆69的外表面，从而由包覆层70的外部清除玻璃，一般地，等离子火球75加热包覆层70的一个特定部分的时间越长，由其浸蚀掉的玻璃量越多。可以理解，浸蚀不会影响芯子杆69的芯子72。更特殊地，按照本发明的一个实施例，装置73最好浸蚀芯子杆69的外径68，直到包覆层70基本上与芯子的横截面相同。这样导致优选地浸蚀，如图8B所示。优选的浸蚀减少图8A的包覆层70的某些选择部分的厚度，从而使外包覆层81的厚度基本上是一致的或围绕芯子82是恒定的。随后，当芯子杆69继续沿着其椭圆段的长度加热时，控制机床的转动的转子76，78相位移，作为芯子杆69沿着其整个长度的椭圆度的一个函数。
按照本发明的一个方面，相位移作为其椭圆度的一个函数计算：
Δθ＝f(Ov)＝Asin(Ωt)＝K*Ov*(Ωt)
式中θ是相位移的度数，或者半径作为椭圆度，位置和时间的一个函数；Ov是椭圆度，％(例如(max-min)/max+min)/2)作为位置的一个函数；K是换算常数，以及Ω是芯子杆顺时针和反时针的转动的频率，转动是交替的。相位移工作提供芯子杆的一个“转动运动”，以改进它的椭圆度。
按照本发明的一个方面，两个转子76，78的角速度是同步的，但是用于在相位移时传输时间周期。此外，应该理解，在正和反方向，即顺时针和反时针方向交替相位移是优越的。它防止了任何永久的扭转可以施加在芯子杆上面。这种相位移或转动运动的效应是平均和改进芯子72的椭圆度。再者，当结合使用借助优选的浸蚀产生的表面张力，芯子杆69的相位移或转动，将会扰动芯子72，使其重新分布至一个更圆的形状。因此，具有一个椭圆芯子82的椭圆芯子杆80的相位移转动将导致图8C所示的芯子杆83，它包括一个基本上圆芯子85和包覆层84。因此，选择地浸蚀芯子杆69的外面以匹配芯子的椭圆的形状，随后借助芯子杆69的相位移转动降低芯子杆69的椭圆度，从而降低了由其拉制的光纤的PMD。因此，本发明的各方法增强了最终的光纤的传输特性。还应该理解，当包覆层基本上是圆形时，芯子杆椭圆度校正装置73需要进行开始的步骤是在转动芯子杆之前浸蚀包覆层70，以达到一个具有低椭圆度的预制件。
与图7所示的实施例类似，一般的技术人员将会理解，芯子杆69的包覆层70的优选的浸蚀是借助改变作为芯子杆的椭圆度函数的芯子杆69的转动速度实现的，因此，芯子杆69的转动越慢，浸蚀掉的玻璃量越大。为了控制芯子杆69被浸蚀的部分，芯子杆69的外径68的椭圆度可以在浸蚀之前在生产线上或者脱离生产线进行扫描。按照本发明的一个实施例，芯子杆69的椭圆度是被扫描设备计算的，它构造为沿着芯子杆的整个长度测量任何横截面的椭圆度。扫描设备与芯子杆改进装置73电通信，以通信要求的转动速度和等离子喷灯74的位置，以匹配芯子杆69的外径68与芯子72，从而使相关的各层的相对的外表面是基本上一致的。代替的方案是，测量可以人工地进行，以及使用一个技术上已知的器件输入芯子杆改进装置73。
按照本发明另一个实施例，具有一个椭圆度的一个预制件或椭圆芯子的包覆材料可以复制椭圆芯子的形状。因此，预制件可以处于表面张力下，或以一种方式拉制，以产生圆形光纤，具有低的椭圆度和PMD。
图9A至9C示出按照本发明的一个椭圆度改进装置和方法实现的椭圆度改进。按照本发明的一个说明的实施例，芯子杆85开始具有图9A所示的几何形状。芯子杆的几何形状与图3B和图8B所示的几何形状类似，具有一个椭圆芯子87和一个基本上圆的包覆层89。
使用芯子杆椭圆度改进装置73，芯子杆的外径优选地浸蚀以匹配芯子87的形状。优选的浸蚀的结果示于图9B。如图9B所示，优选的浸蚀减少了图9A的外包覆层93的某些或选择部分的厚度，从而使外包覆层95的厚度围绕芯子95基本上是一致的和恒定的。因此，在图9B所示的芯子杆91内，外包覆层93是与芯子91一致的。在改进进行之后，芯子杆91准备用于进行按技术中已知的外包覆(未示出)。
随后，最终的预制件进行的拉制过程。在由拉制塔拉制光纤时，使用表面张力与一个拉制速度相结合，它受一个较长的熔化区的影响，以便将优选地浸蚀的预制件拉制成有效的光纤，具有芯子99和包覆层98一个基本上圆的横截面，如图9C内所示的一个光纤97的芯子和包覆层的横剖面图。对于一般的技术人员是知道的，如何使用表面张力以产生基本上圆的芯子和包覆层(即横截面)，以形成一个椭圆形的芯子杆和包覆层，如图9B所示。按照本发明的一个方面，光纤典型的拉制温度(即不需要几何形状改进的拉制温度)可以增加至促进产生图9C所示的横截面。再者，在拉制时，纤维可以在顺时针和反时针方向上转动，以促进在图9B和图9C之间产生几何形状的改进。与以上所述的方法相似，此过程导致一个光纤，具有低的椭圆度和低的PMD，以及因此获得优越的传输本领。
这里列出的本发明的许多改进和其它的实施例将被一个技术熟练人员理解，对于他们在以上说明和附图中提供的教导是有益的。因此，一般技术人员应该理解，本发明能够以许多形式实施，不应局限于以上说明的实施例。例如，虽然以上的装置和方法的公开涉及一个改进的化学气相沉积过程(MCVD)，这里公开的本发明也可以结合一系列的光纤制造过程使用，比如真空电弧沉积过程(VAD)。因此，应该理解，本发明不应局限于公开的特定的实施例，以及一些改进和其它的实施例是有意地包括在所附权利要求书的范围内。虽然这里使用了专门的术语，它们的使用仅在于一般的和说明的意义，而不是作为限制的目的。

Claims (22)

1.一种改进一个光纤预制件的椭圆度的方法，包括：
提供一个起动管，具有一个管壁，上述的管壁具有一个外表面和一个内表面，以及其中上述的内表面限定上述的起动管的一个空腔区；以及
浸蚀上述的管壁，直到上述的管壁的外部具有一个基本上圆的横截面。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，上述管壁的浸蚀包括使用加热器件浸蚀上述的管壁。
3.按照权利要求2的方法，其特征在于，上述的加热器件包括一个等离子喷灯。
4.按照权利要求1的方法，还包括一个步骤是上述的起动管的壁浸蚀之前测量上述的起动管的椭圆度。
5.按照权利要求1的方法，其特征在于，上述的壁的浸蚀包括仅浸蚀壁的一部分，那里上述的壁在横截面上基本上是椭圆的。
6.按照权利要求5的方法，还包括在上述的起动管浸蚀时转动上述的起动管。
7.按照权利要求6的方法，还包括可移动地安装上述的起动管到一个机床上，以浸蚀上述的管壁。
8.一种改进一个光纤预制件的椭圆度的方法，包括：
提供一个芯子杆，其中上述的芯子杆包括一个芯子和一个包覆层以及其中上述的包覆层具有一个不均匀的厚度；
安装上述的芯子杆到一个具有至少两个转子的机床上；
使用上述的至少两个转子转动上述的芯子杆；以及
使上述的芯子杆经受一个热源，其中上述的热源改变包覆层的几何形状，从而使光学预制件的椭圆度改进，以及其中在上述的芯子杆安装到上述的机床之后，上述的至少两个转子中的一个相位移离开上述的至少两个转子中的另一个。
9.按照权利要求8的方法，还包括一个步骤是使用上述的热源浸蚀上述的芯子杆的上述的包覆层。
10.按照权利要求9的方法，其特征在于，使上述的芯子杆经受一个热源包括使上述的芯子杆经受一个等离子喷灯。
11.按照权利要求9的方法，还包括一个步骤是在芯子杆浸蚀之前测量上述的芯子杆的椭圆度。
12.按照权利要求11的方法，其特征在于，上述的测量步骤包括测量上述的包覆层的椭圆度。
13.按照权利要求9的方法，其特征在于，浸蚀步骤包括仅浸蚀上述的芯子杆的一部分，那里包覆层在横截面上基本是椭圆的。
14.按照权利要求9的方法，其特征在于，转动步骤包括在上述的芯子杆浸蚀时转动上述的芯子杆。
15.按照权利要求9的方法，其特征在于，转动步骤包括在顺时针和反时针的方向上转动上述的芯子杆。
16.按照权利要求9的方法，其特征在于，上述的两个转子的角速度是相同的。
17.按照权利要求9的方法，其特征在于，浸蚀步骤产生一个芯子杆具有小于5％的芯子椭圆度。
18.按照权利要求9的方法，其特征在于，浸蚀步骤产生一个芯子杆，适合于制造光纤，具有小于0.1ps/sqrt(km)的极化模式分散。
19.一种光纤的制造方法，包括：
提供一个芯子杆，其中上述的芯子杆包括一个芯子和一个包覆层，以及其中上述的包覆层具有一个非均匀的厚度；
安装上述的芯子杆到具有至少一个转子的一个机床上；
使用上述的至少一个转子转动上述的芯子杆；
使上述的芯子杆经受一个热源以改变包覆层的几何形状，从而使包覆层具有一个基本上均匀的厚度；以及
由上述的芯子杆拉制光纤，其中在光纤的拉制时一个表面张力施加至光纤上，以改变上述的光纤的几何形状。
20.按照权利要求19的方法，其特征在于，施加上述的表面张力是为了降低光纤的椭圆度。
21.按照权利要求20的方法，其特征在于，施加上述的表面张力是为了降低光纤的椭圆度，从而使它具有小于5％的芯子椭圆度。
22.按照权利要求20的方法，其特征在于，施加上述的表面张力是为了降低光纤的椭圆度，从而使它具有小于0.1ps/sqrt(km)的极化模式分散。
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