CN1550005A

CN1550005A - 光存储介质及其制造方法

Info

Publication number: CN1550005A
Application number: CNA028169360A
Authority: CN
Inventors: P��H��G��M��Τ��˹; P·H·G·M·韦罗曼斯; D��ڱ�˹; I·P·D·乌本斯; J; M·M·J·德雷
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2001-08-29
Filing date: 2002-08-26
Publication date: 2004-11-24
Also published as: CA2458638A1; US20050005284A1; EP1423849A1; MXPA04001914A; KR20040029063A; JP2005501359A; WO2003019541A1

Abstract

本发明描述了光数据存储介质，它包含衬底(2)，间隔物(5)和覆盖物层(8)。该介质包含两层信息层(3，4)和(6，7)。本发明进一步描述了制造这样的信息介质的方法，它涉及到为信息层设置数据图案的方式。本发明进一步公开了一种将紫外光(10)透明的压模(9)与光聚合漆和/或压敏粘合剂结合使用的方法。

Description

光存储介质及其制造方法

本发明涉及一种光存储介质，其依次包含：

i)衬底

ii)凹坑/凹槽的第一数据图案

iii)邻接第一数据图案的第一堆层

iv)间隔物

v)第二堆层

vi)凹坑/凹槽的第二数据图案，以及

vii)覆盖物

这样一个光存储介质可以从，例如，美国专利说明书5,679,429中获知。通过注模获得且包含有数据图案的聚碳酸酯衬底上设置有以溅射方式形成的无定形碳化硅反射层。具有上述组成结构的圆盘被放置于旋转涂胶机上，然后在旋转上述圆盘的过程中设置UV可固化的光敏聚合物间隔物层。在对这一间隔物进行固化之后，第二光敏聚合物层被设置于其上并进行固化。随后设置第三光敏聚合物层，在这之后将包含有第二数据图案负图案的压模，与未固化的第三光敏聚合物层进行接触，随后再通过UV曝光的方式对该第三光敏聚合物层进行固化，之后再小心地将该压模移除。反射层被应用于如此设置的第二数据图案上，而该反射层最终设置有覆盖物。

光存储介质的一种发展趋势是增加存储容量。这一目的可以通过减小激光波长λ和/或增大数值孔径(NA)来实现，这是因为激光点的大小和(λ/NA)2成正比。或者，这一目的也可以通过应用多重记录层来实现。

本发明的目的之一是特别地提供一种光存储介质，该介质可以被认为是由互相连接的元件组成，而这些元件是分别制造的。

根据本发明，这一目的可以实现，因为上述光存储介质的元件依次是：

a)设置有凹坑/凹槽的第一数据图案的衬底，在第一数据图案上面设

置有第一堆层，

b)间隔物，

c)设置有凹坑/凹槽的第二数据图案的覆盖物，在第二数据图案上面

设置有第二堆层，该第二堆层对着间隔物b)。

在本发明一特定实施例中，存储介质可以被认为是由互相连接的元件组成，上述元件依次是：

置有第一堆层，

d)设置有第二堆层的间隔物，在第二堆层上面设置有凹坑/凹槽的第

二数据图案，该第二数据图案通过间隔物与第一数据图案分开，

e)覆盖物。

根据一个不同的优选实施例，正被讨论的存储介质可以被认为是由互相连接的元件组成，上述元件依次是：

f)衬底，

g)设置有第一堆层的间隔物，在第一堆层上面设置有凹坑/凹槽的第

一数据图案，该第一数据图案对着衬底，

c)设置有具有凹坑/凹槽的第二数据图案的覆盖物，在第二数据图案

上面设置有第二堆层，该第二堆层对着间隔物g)。

根据本发明的另一实施例，光存储介质可以被认为是由互相连接的元件组成，上述元件依次是：

f)衬底，

h)间隔物，其中一面上设置有第一堆层，在第一堆层上面设置有凹坑

/凹槽的第一数据图案，而在另一面上设置有第二堆层，在第二堆

层上面设置有凹坑/凹槽的第二数据图案，以及

e)覆盖物。

应用于正被讨论的光存储介质的透明衬底可以由能够在其中形成凹坑/凹槽以形成数据图案的任何聚合材料构成，诸如聚碳酸酯或无定形聚烯烃化合物。或者也可以使用例如玻璃或有机玻璃的平衬底，在这种情况下，凹坑/凹槽的数据图案是通过光敏聚合物复制的方式形成的。

应用于正被讨论的光存储介质的间隔物可以是聚合物，例如辐射线可固化聚合物。透明的间隔物层必须足够厚，以使得激光源不但能够聚焦于第一数据图案，还能够聚焦于第二数据图案，由此干涉必须被减小到最低程度。用于正被讨论的光存储介质的反射层特别是一个金属层，它对用于再生数据图案的激光波长具有高反射率。适合的金属的例子有铝、金、银、铜及其合金。

本发明进一步涉及一种制造光存储介质的方法，这种方法的特征在于正被讨论的元件c)是通过下述步骤获得的：

c1)为覆盖物材料提供辅助衬底，

c2)在覆盖物材料上涂敷光聚合漆，

c3)在光聚合漆放置压模，

c4)进行聚合反应并移除压模，

c5)在构造的光聚合漆上溅射堆层，以及

c6)移除辅助衬底。

在一特定实施例中，最好利用下列步骤来获得上述元件d)：

d1)在压模上涂敷光聚合漆，

d2)进行聚合处理，并且

d3)将步骤d2)中聚合的漆连接至间隔物，

d4)去除压模，

d5)在构造的光聚合漆上溅射堆层。

在另一实施例中，正被讨论的方法的特征在于上述元件d)或g)是通过下述步骤获得的：

d6)在压模上涂敷堆层，

d7)在堆层上涂敷光聚合漆，并且

d8)进行聚合反应以使得形成设置有堆层的构造的光聚合漆。

在另一实施例中，正被讨论的方法的特征在于上述元件d)是通过下述步骤获得的：

d9)在元件a)上设置间隔物，

d10)在步骤d9)中的间隔物上放置UV辐射透明的压模，

d11)进行聚合反应，

d12)去除压模，并且最后

d13)在步骤d11)之后获得的构造的光聚合漆上溅射堆层。

在对最后提及的实施例的改进中，步骤d9)-d10)被分为4个子步骤，即：

d14)在元件a)上设置间隔物，

d15)进行聚合反应，

d16)在步骤d15)上聚合的间隔物上放置附加的间隔物，并且

d17)在步骤d16)中所述附加的间隔物上放置UV辐射透明的压模。

透明的压模可能是，例如，透明的合成树脂衬底，它可以通过喷射模塑工艺使用已知的镍压模来制造。透明的衬底可能包含与上述光存储介质描述中提到的那些材料一样的材料。

另外，上述元件a)-g)中的一个或几个可能是通过压敏粘合剂(PSA)或光聚合漆(2p)互相连接的。

参照接下来描述的本发明的实施例，本发明的各个方面将得到说明并更加清楚。

在附图中：

附图1显示了根据本发明的完成的光存储介质，

附图2显示了根据本发明的光存储介质的特定实施例，

附图3显示了根据本发明的光存储介质的不同实施例，

附图4显示了根据本发明的光存储介质的另一实施例，以及

附图5显示了根据本发明的光存储介质的进一步的实施例。

附图1中，光存储介质1依次包含：衬底2、凹坑/凹槽的第一数据图案3、邻接第一数据图案3的第一堆层4、间隔物5、第二堆层6、凹坑/凹槽的第二数据图案7和最后的覆盖物8。

根据本发明的光存储介质1的特定实施例如附图2所示，该图可以被认为由三个分开的部分组合而成，即，设置有具有凹坑/凹槽的第一数据图案3的衬底2，在第一数据图案3上面设置有第一堆层4，间隔物5，和最后设置有凹坑/凹槽的第二数据图案7的覆盖物8，在第二数据图案7上面设置有第二堆层6。

附图3显示了根据本发明的光存储介质1的一个特定实施例，其中光存储介质1被认为由三个单独的部分构成，即，设置有凹坑/凹槽的第一数据图案3的衬底2，在第一数据图案3上面设置有第一堆层4，设置有第二堆层6和凹坑/凹槽的第二数据图案7的间隔物5，和覆盖物8。利用UV辐射透明的压模9通过进行投射通过透明压模9的UV辐射10引起的聚合反应来提供凹坑/凹槽的数据图案7。

附图4显示了根据本发明的光存储介质1的一个特定实施例，其中光存储介质1被认为由三个单独的部分构成，即，衬底2，设置有第一堆层4和凹坑/凹槽的第一数据图案3的间隔物5，和设置有凹坑/凹槽的第二数据图案7和第二堆层6的覆盖物8。

附图5显示了根据本发明的光存储介质1的另一实施例，其中光存储介质1被认为由三个单独的部分构成，即，衬底2，间隔物5，其中一面上设置有凹坑/凹槽的第一数据图案3，在它上面设置有第一堆层4，而在另一面上设置有凹坑/凹槽的第二数据图案7，在它上面设置有第二堆层6。

Claims

1.一种光存储介质(1)，其依次包含：

i)衬底(2)

ii)凹坑/凹槽的第一数据图案(3)

iii)邻接第一数据图案(3)的第一堆层(4)

iv)间隔物(5)

v)第二堆层(6)

vi)凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，以及

vii)覆盖物(8)，其特征在于所述存储介质(1)可以被认为是由互相连接的元件组成的，上述元件依次是：

a)设置有凹坑/凹槽的第一数据图案(3)的衬底(2)，在第一数据图案(3)上面设置有第一堆层(4)，

b)间隔物(5)，

c)设置有凹坑/凹槽的第二数据图案(7)的覆盖物(8)，在第二数据图案(7)上面设置有第二堆层(6)，该第二堆层(6)对着间隔物(b)，(5)。

2.一种光存储介质(1)，其依次包含：

i)衬底(2)，

ii)凹坑/凹槽的第一数据图案(3)，

iii)邻接第一数据图案(3)的第一堆层(4)，

iv)间隔物(5)，

v)第二堆层(6)，

vi)凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，

a)设置有凹坑/凹槽的第一数据图案(3)的衬底(2)，在第一数据图案上面设置有第一堆层(4)，

d)设置有第二堆层(6)的间隔物(5)，在第二堆层(6)上面设置有凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，该第二数据图案(7)通过间隔物(5)与第一数据图案(3)分开，

e)覆盖物(8)。

3.一种光存储介质(1)，其依次包含：

i)衬底(2)

ii)凹坑/凹槽的第一数据图案(3)

iii)邻接第一数据图案(3)的第一堆层(4)

iv)间隔物(5)

v)第二堆层(6)

vi)凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，以及

vii)覆盖物(5)，其特征在于所述存储介质(1)可以被认为是由互相连接的元件组成的，上述元件依次是：

f)衬底(2)，

g)设置有第一堆层(4)的间隔物(5)，在第一堆层(4)上面设置有凹坑/凹槽的第一数据图案(3)，该第一数据图案对着衬底(2)，

c)设置有凹坑/凹槽的第二数据图案(7)的覆盖物(5)，在第二数据图案(7)上面设置有第二堆层(6)，该第二堆层(6)对着间隔物(g)，5)。

4.一种光存储介质(1)，其依次包含：

i)衬底(2)

ii)凹坑/凹槽的第一数据图案(3)

iii)邻接第一数据图案(3)的第一堆层(4)

iv)间隔物(5)

v)第二堆层(6)

vi)凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，以及

f)衬底(2)，

h)间隔物(5)，其中一面上设置有凹坑/凹槽的第一数据图案(3)，在第一数据图案(3)上面设置有第一堆层(4)，而在另一面上设置有凹坑/凹槽的第二数据图案(7)，在第二数据图案(7)上面设置有第二堆层(6)，以及

e)覆盖物(8)。

5.一种制造如权利要求1，3中所述的光存储介质(1)的方法，其特征在于元件c)是通过下述步骤获得的：

c1)为覆盖物材料提供辅助衬底，

c2)在覆盖物材料上涂敷光聚合漆，

c3)在光聚合漆上放置压模，

c4)进行聚合反应并移除压模，

c5)在构造的光聚合漆上溅射堆层，以及

c6)移除辅助衬底。

6.一种制造如权利要求2中所述的光存储介质(1)的方法，其特征在于元件d)是通过下述步骤获得的：

d1)在压模上涂敷光聚合漆，

d2)进行聚合处理，以及

d3)将步骤d2)中聚合的漆连接至间隔物(5)，

d4)去除压模，

d5)在构造的光聚合漆上溅射堆层。

7.一种制造如权利要求2-3中所述的光存储介质(1)的方法，其特征在于元件d)或g)是通过下述步骤获得的：

d6)在压模上涂敷堆层(6)，

d7)在堆层(6)上涂敷光聚合漆，并且

d8)进行聚合反应以形成设置有堆层(6)的构造的光聚合漆。

8.一种制造如权利要求2中所述的光存储介质(1)的方法，其特征在于元件d)是通过下述步骤获得的：

d9)在元件a)上设置间隔物(5)，

d10)在步骤d9)中的间隔物(5)上放置UV辐射(10)透明压模(9)，

d11)进行聚合反应，

d12)移除透明压模(9)，以及最后

d13)在步骤d11)之后获得的构造的光聚合漆上溅射堆层(6)。

9.一种如权利要求8中所述的光存储介质(1)的制造方法，其特征在于步骤d9)-d10)分为下列四个子步骤：

d14)在元件a)上设置间隔物(5)，

d15)进行聚合反应，

d16)在步骤d15)的聚合的间隔物上放置附加的间隔物，以及

d17)在步骤d16)的所述附加的间隔物上放置UV辐射(10)透明压模(9)。

10.一种制造如权利要求1-4中所述的光存储介质(1)的方法，其特征在于上述元件a)-g)中的一个或多个是通过压敏粘合剂或光聚合漆互相连接的。