CN1521762B - 窄化起始电压分布的方法 - Google Patents

窄化起始电压分布的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1521762B
CN1521762B CN 03101942 CN03101942A CN1521762B CN 1521762 B CN1521762 B CN 1521762B CN 03101942 CN03101942 CN 03101942 CN 03101942 A CN03101942 A CN 03101942A CN 1521762 B CN1521762 B CN 1521762B
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage unit
erasing
strange
those
starting potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 03101942
Other languages
English (en)
Other versions
CN1521762A (zh
Inventor
张耀文
卢道政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Priority to CN 03101942 priority Critical patent/CN1521762B/zh
Publication of CN1521762A publication Critical patent/CN1521762A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1521762B publication Critical patent/CN1521762B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

一种窄化起始电压分布的方法。此窄化起始电压分布的方法是通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此，此窄化起始电压分布的方法可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。

Description

窄化起始电压分布的方法
技术领域
本发明是有关于一种窄化起始电压分布的方法，且特别是有关于一种将奇存储单元(cell)的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化的窄化起始电压分布的方法。
背景技术
非挥发性存储器(例如是闪存)为一种电气抹除式可程序化只读存储器(EEPROM)，其具有可程序化、可抹除、以及断电后仍可保存资料的优点，所以目前是个人计算机及电子设备所广泛采用的一种存储元件。
随着工艺技术的增进，非挥发性存储器的设计原则为轻薄短小，于是体积相当小的先进非挥发性存储器产生。先进非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元。对于先进非挥发性存储器而言，当触点未对准(contact misalign)时，奇存储单元的抹除速度将会与偶存储单元的抹除速度不相同。当触点较靠近奇存储单元时，奇存储单元的抹除速度将会慢于偶存储单元的抹除速度。而对于公知的先进非挥发性存储器而言，因为奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证一起实施，所以在抹除时，会使得公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压(threshold voltage)分布较大。对于先进非挥发性存储器而言，起始电压分布较大将会产生很多问题。举例而言，在抹除时，如果抹除过度，将会造成负起始电压的效应，而导致先进非挥发性存储器不能正常运作。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种窄化起始电压分布的方法。本发明是通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
为达成上述及其它目的，本发明提出一种窄化起始电压分布的方法。此方法适用于触点未对准的先进非挥发性存储器，此先进非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元。在此方法中，首先会对于这些奇存储单元进行抹除及抹除验证。之后，会对于这些偶存储单元进行抹除及抹除验证。
在本发明的较佳实施例中，这些奇存储单元的抹除速度与这些偶存储单元的抹除速度不相同。其中，当这些奇存储单元的栅极耦合比小于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除速度慢于这些偶存储单元的抹除速度。而当这些奇存储单元的栅极耦合比大于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除速度大于这些偶存储单元的抹除速度。
在本发明的较佳实施例中，这些奇存储单元的抹除验证速度与这些偶存储单元的抹除验证速度不相同.其中，当这些奇存储单元的栅极耦合比小于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除验证速度慢于这些偶存储单元的抹除验证速度.而当这些奇存储单元的栅极耦合比大于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除验证速度大于这些偶存储单元的抹除验证速度.
综上所述，本发明通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
附图说明
图1为与非门型式的闪存的结构示意图；
图2为非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图；
图3为触点未对准的先进非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图；
图4为公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布图；
图5为根据本发明一较佳实施例的窄化起始电压分布的方法的抹除的起始电压分布图。
10：与非门型式的闪存
102：浮置栅极
104：源极触点
106：位线触点
202，218：浮置栅极
204，220：浮置栅极
206、208、210、212、222、224、226、228：电容
214，302：触点
216、230、304、306：触点电容
具体实施方式
非挥发性存储器中的一种型式为闪存。为了了解闪存的基本结构，接下来将举一例做说明。请参照图1，其为或非(NOR)门型式的闪存的结构示意图。由图1可知，与非门型式的闪存10包括浮置栅极102、源极触点104、以及位线触点106。
非挥发性存储器包括多个奇存储单元(cell)及多个偶存储单元。接下来请参照图2，其为非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图。由图2可知，奇存储单元的总电容(Ct1)包括浮置栅极202与控制栅极204间的电容(CONO1)206、电容208、电容210、电容212、以及浮置栅极202与触点214间的触点电容(Ccont1)216。而奇存储单元的栅极耦合比(gate coupling ratio，简称GCR)为GCR奇＝CONO1/Ct1。同样地，偶存储单元的总电容(Ct2)包括浮置栅极218与控制栅极220间的电容(CONO2)222、电容224、电容226、电容228、以及浮置栅极218与触点214间的触点电容(Ccont2)230。而偶存储单元的栅极耦合比为GCR偶＝CONO2/Ct2。一般而言，由于触点电容(Ccont1)216与触点电容(Ccont2)230相当小，所以可以忽略不计。然而，对于体积相当小的先进非挥发性存储器而言，触点电容不能予以忽略，而应该加入总电容之中，如此一来将会使栅极耦合比降低。
接下来将说明先进非挥发性存储器发生触点未对准的情形，并且举一例做说明.请参照图3，其为触点未对准的先进非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图.由图3可知，触点302离奇存储单元较近，而离偶存储单元较远，所以奇存储单元的触点电容(Ccont1)304会大于偶存储单元的触点电容(Ccont2)306。因此，奇存储单元的栅极耦合比(GCR奇)将会小于偶存储单元的栅极耦合比(GCR偶)。
接下来将说明图3的先进非挥发性存储器在抹除时的情况。在图3中，因为奇存储单元的栅极耦合比小于偶存储单元的栅极耦合比，所以奇存储单元的抹除及抹除验证速度将会慢于偶存储单元的抹除及抹除验证速度。在此情况下，公知的先进非挥发性存储器会因为奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证一起实施，所以在抹除时，会使得公知的先进非挥发性存储器的起始电压(以Vt表示)分布较大，并且具有两个峰值，如图4所绘示。图4所为公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布图。由图4可知，奇存储单元的抹除的起始电压分布介于1V至2V之间(起始电压分布为1V)，而偶存储单元的抹除的起始电压分布介于0.8V至1.8V之间(起始电压分布为1V)，所以会使得全部的起始电压分布介于0.8V至2V之间(起始电压分布为1.2V)，并且具有两个峰值，因此会使得公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布变大。
为了使起始电压窄化，本发明提出了窄化起始电压分布的方法。此方法适用于触点未对准的先进非挥发性存储器。此方法是将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化。接下将以抹除时的情况来说明本发明。请参照图5，其为根据本发明一较佳实施例的窄化起始电压分布的方法的抹除的起始电压分布图。由图5可知，本发明是将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开。例如，首先会对于奇存储单元进行抹除及抹除验证，所以此时的起始电压分布介于1V至2V(全部的起始电压分布为1V)。之后，会对于偶存储单元进行抹除及抹除验证，所以此时的起始电压分布也介于1V至2V(全部的起始电压分布仍为1V)。因此，利用本发明的方法，可以窄化抹除的起始电压分布。
综上所述，本发明通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。

Claims (8)

1.一种窄化起始电压分布的方法，适用于一非挥发性存储器，该非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元，其特征是，该方法包括下列步骤：
对于该些奇存储单元进行抹除及抹除验证；以及
对于该些偶存储单元进行抹除及抹除验证。
2.如权利要求1所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，该些奇存储单元的抹除速度与该些偶存储单元的抹除速度不相同。
3.如权利要求2所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比小于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除速度慢于该些偶存储单元的抹除速度。
4.如权利要求2所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比大于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除速度大于该些偶存储单元的抹除速度。
5.如权利要求1所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，该些奇存储单元的抹除验证速度与该些偶存储单元的抹除验证速度不相同。
6.如权利要求5所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比小于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除验证速度慢于该些偶存储单元的抹除验证速度。
7.如权利要求5所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比大于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除验证速度大于该些偶存储单元的抹除验证速度。
8.如权利要求1所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，上述非挥发存储器的触点未对准。
CN 03101942 2003-01-30 2003-01-30 窄化起始电压分布的方法 Expired - Fee Related CN1521762B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 03101942 CN1521762B (zh) 2003-01-30 2003-01-30 窄化起始电压分布的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 03101942 CN1521762B (zh) 2003-01-30 2003-01-30 窄化起始电压分布的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1521762A CN1521762A (zh) 2004-08-18
CN1521762B true CN1521762B (zh) 2010-05-05

Family

ID=34281517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 03101942 Expired - Fee Related CN1521762B (zh) 2003-01-30 2003-01-30 窄化起始电压分布的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1521762B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101371522B1 (ko) * 2007-02-27 2014-03-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 구동 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1350665A (zh) * 1999-03-15 2002-05-22 西门子能量及自动化公司 具有短持续脉冲检测能力的可编程逻辑控制器
CN1353828A (zh) * 1999-03-30 2002-06-12 西门子能量及自动化公司 可编程逻辑控制器方法,系统和设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1350665A (zh) * 1999-03-15 2002-05-22 西门子能量及自动化公司 具有短持续脉冲检测能力的可编程逻辑控制器
CN1353828A (zh) * 1999-03-30 2002-06-12 西门子能量及自动化公司 可编程逻辑控制器方法,系统和设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN1521762A (zh) 2004-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Helm et al. 19.1 A 128Gb MLC NAND-Flash device using 16nm planar cell
US8773903B2 (en) High speed high density nand-based 2T-NOR flash memory design
US7230851B2 (en) Reducing floating gate to floating gate coupling effect
US7372739B2 (en) High voltage generation and regulation circuit in a memory device
US20150071008A1 (en) Systems And Methods For Read Disturb Management In Non-Volatile Memory
US20230307040A1 (en) Method of programming memory device and related memory device
US7342833B2 (en) Nonvolatile memory cell programming
US6052305A (en) Erasing circuit for a flash memory device having a triple well structure
US11676665B2 (en) Memory device and erasing and verification method thereof
US6965145B2 (en) Non-volatile memory device
CN109378028A (zh) 一种降低编程干扰的控制方法及装置
US20120002485A1 (en) Semiconductor memory device
JP2001216788A (ja) 不揮発性半導体メモリ装置の消去方式
US7518911B2 (en) Method and system for programming multi-state non-volatile memory devices
US20120243319A1 (en) Nonvolatile semicondcutor memory device, ic card and portable apparatus
JP2024020649A (ja) メモリデバイスおよびその消去動作
CN1521762B (zh) 窄化起始电压分布的方法
US20150255124A1 (en) Electrically erasable programmable read-only memory and storage array of the same
US8520465B2 (en) Semiconductor device
CN107799146B (zh) 存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法
US7961514B2 (en) Semiconductor device, a method of using a semiconductor device, a programmable memory device, and method of producing a semiconductor device
JP2001015716A (ja) 半導体記憶装置
JP2009266351A (ja) 半導体記憶装置、及びその制御方法
CN112509626B (zh) 非易失性存储器及其控制方法
CN112802528A (zh) Nand闪存的位线开关电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100505

Termination date: 20210130

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee