CN1497029A - 用于抛光铜基金属的浆 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 51
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010953 base metal Substances 0.000 title claims description 24
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 22
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 19
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 19
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 10
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- -1 glutaminate monohydrate Chemical class 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- XUYPXLNMDZIRQH-LURJTMIESA-N N-acetyl-L-methionine Chemical compound CSCC[C@@H](C(O)=O)NC(C)=O XUYPXLNMDZIRQH-LURJTMIESA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N glutaric acid Chemical compound OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075930 picrate Drugs 0.000 description 2
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-M picrate anion Chemical compound [O-]C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000597 tin-copper alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIJRTFXNRTXDIP-UHFFFAOYSA-N (1-carboxy-2-sulfanylethyl)azanium;chloride;hydrate Chemical compound O.Cl.SCC(N)C(O)=O QIJRTFXNRTXDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- GGTYBZJRPHEQDG-WCCKRBBISA-N (2s)-2,5-diaminopentanoic acid hydrochloride Chemical compound Cl.NCCC[C@H](N)C(O)=O GGTYBZJRPHEQDG-WCCKRBBISA-N 0.000 description 1
- JBBURJFZIMRPCZ-XRIGFGBMSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;hydron;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NCCCC[C@H](N)C(O)=O JBBURJFZIMRPCZ-XRIGFGBMSA-N 0.000 description 1
- XEJCDBUNISUVGZ-XRIGFGBMSA-N (2s)-2-amino-3-(1h-imidazol-5-yl)propanoic acid;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 XEJCDBUNISUVGZ-XRIGFGBMSA-N 0.000 description 1
- QZNNVYOVQUKYSC-JEDNCBNOSA-N (2s)-2-amino-3-(1h-imidazol-5-yl)propanoic acid;hydron;chloride Chemical compound Cl.OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 QZNNVYOVQUKYSC-JEDNCBNOSA-N 0.000 description 1
- LBXRPPWPQUZKBO-DKWTVANSSA-N (2s)-2-aminobutanedioic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O LBXRPPWPQUZKBO-DKWTVANSSA-N 0.000 description 1
- 150000000177 1,2,3-triazoles Chemical class 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 6-aminohexanoic acid Chemical compound NCCCCCC(O)=O SLXKOJJOQWFEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWTQSFXGGICVPE-WCCKRBBISA-N Arginine hydrochloride Chemical compound Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N KWTQSFXGGICVPE-WCCKRBBISA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- BVHLGVCQOALMSV-JEDNCBNOSA-N L-lysine hydrochloride Chemical compound Cl.NCCCC[C@H](N)C(O)=O BVHLGVCQOALMSV-JEDNCBNOSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQPCESFUQXWBMX-AIDJSRAFSA-L O.O.O.N[C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-].[Ca+2] Chemical compound O.O.O.N[C@@H](CC(=O)[O-])C(=O)[O-].[Ca+2] DQPCESFUQXWBMX-AIDJSRAFSA-L 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006035 Tryptophane Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229960002684 aminocaproic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229960001305 cysteine hydrochloride Drugs 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- YKZPPPNXRZHVGX-PXYKVGKMSA-L dipotassium;(2s)-2-aminobutanedioate;hydron;hydrate Chemical compound [H+].[H+].O.[K+].[K+].[O-]C(=O)[C@@H](N)CC([O-])=O.[O-]C(=O)[C@@H](N)CC([O-])=O YKZPPPNXRZHVGX-PXYKVGKMSA-L 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- FCQJEPASRCXVCB-UHFFFAOYSA-L flavianate Chemical compound C1=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C([O-])=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 FCQJEPASRCXVCB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 1
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229960005337 lysine hydrochloride Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical class [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003244 ornithine hydrochloride Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229940068988 potassium aspartate Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009955 starching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004799 tryptophan Drugs 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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Abstract
本发明涉及一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5－8。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于抛光铜基金属的浆，它适用于在形成半导体器件的包埋型铜基金属互连时所进行的化学机械抛光。
背景技术
在制造半导体集成电路，比如日趋小型化、更集成化、处理速度更高的超大规模集成电路过程中，铜是用来构筑性能良好、可靠性高的互连的特别有用的电连接材料，因为它电阻小，耐电迁移和应力迁移的性能好。
因为难以通过干腐蚀将铜加工成型，因此，铜的互连目前是通过所谓的金属镶嵌法(damascene method)，例如，通过以下的方式：
首先，在硅基片上形成的绝缘膜上形成凹陷部分，如凹槽或连接孔。然后，在包括该凹陷部分的内侧的表面上形成阻挡金属膜之后，通过电镀法使铜膜生长从而填满该凹陷部分。之后通过化学机械抛光法(以下称为“CMP”)进行抛光直到除凹陷部分外的绝缘膜的表面完全裸露，从而使表面被平坦化。这样，形成了电连接部分如包埋铜互连，通道插头(via plug)或接触插头(contact plug)，它是由埋入凹部的铜构成的，介于其间的是阻挡金属膜。
对于形成这类铜互连所使用的CMP浆来说，通常使用的浆包含氧化剂和抛光材料作为主要成分，另外还包括有机酸，如氨基酸或羧酸。
例如，在日本专利申请公开No.233485/1995中公开了一种用于铜基金属的抛光剂，其包含氧化剂(过氧化氢)、抛光磨料、水和选自氨基乙酸(甘氨酸)、氨基磺酸的至少一种有机酸。另外，其中描述到，使用这种抛光剂，当铜或铜合金浸于该试剂中时，通过前述氧化剂的氧化作用，在铜或铜合金表面上形成了氧化层，该氧化层用作腐蚀阻挡层，以及在抛光铜或铜合金时，上述氧化物层被机械去除，上述有机酸有助于腐蚀裸露出的铜或铜合金。
另外，在日本专利申请公开No.83780/1996中公开了一种抛光剂，其包含氧化剂(过氧化氢)、水、苯并三唑或其衍生物、含抛光磨料和氨基乙酸(甘氨酸)和/或氨基磺酸的抛光剂：以及一种抛光方法，其中，使用该抛光剂进行CMP，从而在基材的凹陷部分中形成铜或铜合金膜。另外，其中也描述到：通过用这种抛光剂进行CMP，在待抛光的膜上会形成一层保护性膜从而防止发生各向同性的化学腐蚀，然后，通过机械抛光而除去用于抛光的膜上凸起部分表面上的这层保护性膜，从而可以形成几乎没有凹坑或损坏的可靠性高的导电膜。
此外，在日本专利申请公开No.238709/1999中公开了一种用于铜抛光的CMP浆，它包含柠檬酸盐、氧化剂(过氧化氢)、抛光材料和1，2，4-三唑或苯并三唑。另外，其中还描述到：使用该CMP浆可以提高铜的去除速率，并且加入前述三唑或苯并三唑可以提高铜层的平坦度。
近年来，因为半导体集成电路日趋小型化、高密度化，因此，由于互连小型化而导致的互连电阻的增加和逻辑电路的进一步复杂化成为必须要解决的问题，使用可以减少互连长度的多层互连已经越来越普遍。但是，伴随着多层互连结构使用过程中层数的增加，基材表面的凹凸增加，台阶高差会变大。使用多层结构导致的台阶高差的增加可带来各种问题，包括互连短路和电流泄漏，二者均可能由CMP后在上层凹陷部分中残留的金属残渣引起，以及在光刻步骤中出现焦点位移。因此，浆不产生实质的凹陷(换言之，提供高的平坦度)是必要的。另外，在多层互连中，互连的顶层部分用于电源互连，信号互连或时钟互连，为降低这些互连的阻抗以降低电压变化并改善各种特性，需要将互连沟作得深并形成厚的互连。象这样形成了厚的铜膜且之后形成铜互连时，一次CMP中需除去的铜抛光量增加，因此抛光步骤所需时间大大延长，带来生产率降低的问题。其结果是强烈需要更高抛光速率的铜抛光。
通常，为以高抛光速率抛光铜，包含于抛光浆中的铜腐蚀成分如氧化剂与酸的量配制得更高以提高它们的化学作用。但是，如果抛光浆的化学作用太强，即使作为包埋部分形成的铜也会被腐蚀而形成凹处(凹陷)，且电连通部分，如互连及通道插头的可靠性会下降。
另外，为抑制铜互连等中凹陷的形成，如果凹陷抑制剂如苯并三唑或1，2，4-三唑的含量配制得过高，铜的抛光速率(去除速率)大大降低。另外，很可能会带来新的问题：抛光会产生强烈的振动，且当阻挡金属膜露出时，会以阻挡金属膜露出的部分为起点产生互连边缘的损坏。
因此，以高速率抛光铜而同时令人满意地阻止凹陷的产生是困难的。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够以高抛光速率抛光铜基金属并防止出现凹坑的CMP浆。
考虑到上述问题，本发明人对抛光浆的组成进行了研究，特别注意到了有机酸和三唑类化合物，并发现，当使用氨基酸作为有机酸，氨基酸与三唑类化合物的含量比在特定范围内时抛光速率显著增加。相反，当使用广泛应用的羧酸作为有机酸时则观察不到这种效果。除此之外，本发明人还发现，使用氨基酸作为有机酸的腐蚀速率比使用羧酸时的腐蚀速率要低。这些发现导致完成了本发明。
因此，本发明涉及一种用于抛光铜基金属的浆，其包含二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5-8。
本发明可以提供能够令人满意地以高抛光速率抛光铜基金属并防止出现凹坑的CMP浆。
附图说明
图1是表示抛光浆中甘氨酸与1，2，4-三唑含量比与抛光速率、腐蚀速率之间关系的图；
图2是表示抛光浆的pH值与抛光速率之间关系的图；
图3是表示抛光浆的pH值与其透过率变化比之间关系的图；
具体实施方式
以下描述本发明的优选实施方案。
根据本发明用于抛光铜基金属的浆包含二氧化硅抛光材料(抛光磨料)，氧化剂，氨基酸和三唑类化合物。
作为本发明的抛光材料，从在抛光的表面上几乎不产生划痕和具有优良的分散稳定性角度出发，优选使用二氧化硅抛光材料，如胶体二氧化硅或煅制二氧化硅。特别是，优选使用胶体二氧化硅，这是因为它具有球状粒子形态并粒径均匀，因此它特别难以产生划痕，除此之外，它能以高纯度获得并可以提供许多种粒径级别。
就抛光速率、分散稳定性，己抛光表面的表面粗糙度等来说，通过光散射法测定的二氧化硅抛光材料的平均粒径，优选不低于5nm，更优选不低于10nm，还更优选不低于20nm，但优选不超过100nm，更优选不超过50nm，还更优选不超过30nm。
考虑到抛光效率、抛光精度等，将二氧化硅抛光材料相对于抛光浆总量的含量在0.1-50重量％范围内适当设定。特别是，从抛光速率、分散稳定性、已抛光表面的表面粗糙度等角度出发，优选将其设定为不低于0.5重量％，更优选不低于1重量％，但优选不超过10重量％，更优选不超过5重量％。
考虑到抛光精度和抛光效率，本发明的氧化剂可以从已知的水溶性氧化剂中适当选择。例如，可能几乎不引起金属离子污染的那些氧化剂，包括过氧化物，如H2O2，Na2O2，Ba2O2和(C6H5C)2O2；次氯酸(HClO)；高氯酸；硝酸；臭氧水；过乙酸；硝基苯和有机过氧化物。在这些当中，优选过氧化氢(H2O2)，因为它不包含金属成分或不产生有害的副产物。
考虑到抛光精度和抛光效率，在本发明中，将氧化剂相对于抛光浆总量的含量在0.01-10重量％范围内适当设定。为获得较好的抛光速率，其含量优选不低于0.1重量％，更优选不低于0.2重量％，但是为抑制凹坑和调整抛光速率，其优选不超过5重量％，更优选不超过2重量％。当氧化剂含量太低时，抛光浆的化学效果变小，这样所得抛光速率可能会变得不充分或可能会容易发生抛光表面的损坏。相反，当氧化剂的含量太高时，可能容易发生凹坑，或者在铜基金属膜的表面上过量生成氧化铜(CuO)，结果，可能会产生抛光速率降低或三唑类化合物的吸附受到抑制而使抛光面变粗糙等不希望的结果。
在使用过氧化氢作为氧化剂的情况下，例如通过在浆中加入1-5重量％的浓度为30重量％的过氧化氢水溶液可以得到良好的抛光浆(H2O2的浓度为：0.3-1.5重量％)。然而，当使用这种比较容易随时间增长而变质的氧化剂，如过氧化氢时，可以分别制备加入稳定剂的含有规定浓度氧化剂的溶液，和通过加入这种包含氧化剂的溶液可提供前述抛光浆的组合物，之后在使用前将其混合。
本发明的抛光浆包含的氨基酸是必要成分，如果这种氨基酸和三唑类化合物以下述特定的比例包括在其中，则可以很好地防止出现凹坑，除此之外，可以以高抛光速率抛光铜基金属膜。
本发明中的氨基酸可以以单纯物质或盐或水合物的形式加入。其例子包括精氨酸，精氨酸盐酸盐，精氨酸苦味酸盐，精氨酸黄安酸盐，赖氨酸，赖氨酸盐酸盐，赖氨酸二盐酸盐，赖氨酸苦味酸盐，组氨酸，组氨酸盐酸盐，组氨酸二盐酸盐，谷氨酸，谷氨酸盐一水合物，谷酰胺，谷胱甘肽，甘氨酰甘氨酸，丙氨酸，β-丙氨酸，γ-氨基丁酸，ε-氨基己酸，天冬氨酸，天冬氨酸一水合物，天冬氨酸钾，天冬氨酸钙三水合物，色氨酸，苏氨酸，甘氨酸，半胱氨酸，半胱氨酸盐酸盐一水合物，羟基脯氨酸，异亮氨酸，亮氨酸，蛋氨酸，鸟氨酸盐酸盐，苯丙氨酸，苯基甘氨酸，脯氨酸，丝氨酸，酪氨酸和缬氨酸。也可以加入两种或多种不同类型的选自上述的氨基酸。在这些氨基酸当中，就抛光速率和抑制凹坑效果来说优选甘氨酸。另外，因为甘氨酸溶解性高，因此就抛光浆的制备来说也优选甘氨酸，除此之外，甘氨酸也能以低廉的价格得到，这样使用它就能够使抛光浆的制造成本低。
就本发明浆中氨基酸的含量来说，将这一含量的设定使得氨基酸与以下所述的三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))在5-8的范围内是必要的。这一含量比优选为5-7.5，更优选为5-7，还更优选为6-7。当这一含量比太小时，抛光速率降低。但是，当这一含量比太大时，抛光速率也降低。并且，在这种情况下(在含量比太大的情况下)，即，当氨基酸过多和/或当三唑类化合物过少时，易于出现凹坑。
本发明的抛光浆在不损害所期望的特性的范围内可以包含上述氨基酸以餐的有机酸。加入有机酸可能会有助于氧化剂溶解铜并进行稳定抛光。这种有机酸的例子包括各种羧酸，如草酸，丙二酸，酒石酸，苹果酸，戊二酸，柠檬酸，马来酸，甲酸，乙酸，丙酸，丁酸，戊酸，丙烯酸，乳酸，丁二酸，烟酸和它们的盐。
本发明的抛光浆还包含三唑类化合物。通过三唑类化合物，可以在铜基金属膜的表面上形成一层保护性膜，它在抛光时以外抑制腐蚀作用(化学作用)，从而防止发生凹坑。另外，如上所述，通过以对氨基酸特定的比例包含在内，三唑类化合物可以提高抛光速率。
本发明抛光浆中三唑类化合物的含量优选不低于0.05重量％，更优选不低于0.06重量％，还更优选不低于0.07重量％，但是优选不超过0.5重量％，更优选不超过0.4重量％，还更优选不超过0.3重量％。当三唑类化合物含量太低时，腐蚀速率增加，形成凹坑的程度增大。相反，当三唑类化合物含量太高时，尽管可以保持抑制凹坑的效果但抛光速率降低。
本发明中三唑类化合物意指三唑或其衍生物。三唑类化合物的例子包括1，2，4-三唑，1，2，3-三唑和它们的衍生物(具有至少一个连接到五元杂环碳原子上的取代基的取代产物)。作为连接到五元杂环碳原子上的取代基的例子，可以给出羟基；烷氧基，如甲氧基和乙氧基；氨基；硝基；烷基，如甲基、乙基和丁基；以及卤素取代基，如氟、氯、溴和碘，并且，在这里，可以只是五元杂环两个碳原子的一个带有取代基或两个都带有相同或者不同的取代基。在这些化合物当中，因为水溶性和价格等获取成本，优选1，2，4-三唑。
从抛光速率、防止凹坑、已抛光表面的腐蚀和表面粗糙度、浆粘度以及分散稳定性角度出发，本发明抛光浆的pH值优选设定在pH为3-8。特别是，就抛光速率和防止凹坑来说，更优选pH为5-7，另外，考虑到抛光材料的分散稳定性，更优选pH为6-7，pH为6.5-7是特别优选的。当pH太低时，腐蚀能力加强，可能易于发生凹坑。相反，当pH太高时，氧化剂的作用变弱，而且，就安全性而言，浆的处理容易性降低。此外，当pH太高时，腐蚀能力太强以致于再次增加生成凹坑的倾向。
抛光浆的pH可以通过任何公知的方法进行调节，可以用于这一场合的碱的例子包括碱金属氢氧化物，如氢氧化钠和氢氧化钾；碱金属碳酸盐，如碳酸钠和碳酸钾；氨；和胺。在它们当中，优选不包含金属成分的氨和胺。
本发明的抛光浆可以包含各种广泛用作抛光浆通用添加剂的添加剂，如分散剂，缓冲剂和粘度改进剂，条件是它不对浆的性能造成不利影响。
对于制备本发明抛光浆的方法而言，可以使用制备含游离磨料的含水抛光浆组合物的一般方法。具体而言，将适量的抛光材料加入到含水溶剂中，然后，如果需要的话，加入适量的分散剂，进行分散处理。在分散处理步骤中，根据情况可以使用，例如超声分散器、珠磨分散器(bead mill disperser)、捏合分散器、球磨分散器等。
使用本发明抛光浆的CMP，例如，可以如下进行：首先，准备基材，其中形成了绝缘膜，并在绝缘膜中形成了具有规定图案形状的凹陷部分，并在其上生成铜基金属膜。把该基材置于晶片载体，如锭子上。用所施加的规定的压力，使该基材的铜基金属膜表面与附着到平台，如旋转台上的抛光垫接触，并且在把抛光浆供料到基材与抛光垫之间的同时，使晶片与抛光垫相对于彼此发生移动(如，二者同时旋转)，并由此抛光晶片。抛光浆可以从单独设置的供料管供料到抛光垫上或可以从平台一侧供料到抛光垫的表面上。如果需要的话，可以令垫调节器与抛光垫的表面接触以调节抛光垫的表面。
当凹陷部分，如凹槽或连接孔是在基材上设置的绝缘膜中形成，铜基金属膜是在其整个表面上生成从而通过设置在基间的阻挡金属膜充满这一凹陷部分时，上述本发明的抛光浆最有效，并且通过对铜基金属膜进行CMP抛光，会形成电连接部分，如包埋的互联，通道插头，接触点等。作为绝缘膜，可以举出二氧化硅膜，BPSG(硼磷硅玻璃)膜，SOG(旋涂式玻璃)膜，SiOF膜，HSQ(氢倍半硅氧烷)膜，SiOC膜，MSQ(甲基倍半硅氧烷)膜，聚酰亚胺膜，Parylene膜(聚对苯二甲撑)，Teflon膜及无定形碳膜。作为非常适合于铜基金属膜的阻挡金属膜，即，其主要成分是铜的铜膜或铜合金膜，可以给出由钽(Ta)、氮化钽、氮化钽硅等构成的钽基金属膜。
实施例
以下更详细地描述本发明。
CMP条件
使用由SpeedFam Co.，Ltd.制造的抛光机SH-24进行CMP。使用抛光机，在其一个平台上连接有一个直径为61cm的抛光垫(IC 1400，由Rodel Nitta Company制造)。抛光条件如下：抛光垫的接触压力：27.6kpa；抛光垫的抛光面积：1820cm2；平台的旋转速度：55rpm；载体旋转速度：55rpm；抛光浆液的进料速率：100ml/分。
对于进行抛光的基材，使用其中通过溅射法在硅基材上生长了铜膜的基材。
抛光速率的测定
按以下方法从抛光前后的表面电阻率计算抛光速率。将四根针式电极以一定的间隔排列在晶片上，并在两根外侧探针之间施加给定的电流，测量两根内侧探针之间的电势差而求出电阻(R’)，并另外通过将该值乘以校正因子RCF(电阻率校正因子)而得到表面电阻率(ρs’)。同样得到另一个已知厚度T(nm)的晶片膜的表面电阻率(ρs)。因为表面电阻率与厚度成反比，因此，如果表面电阻率为ρs’的晶片厚度取为d，则给出等式：
d(nm)＝(ρs×T)/ρs’
用这一等式，可以确定厚度d，然后通过用抛光前后的膜厚度差除以抛光时间就可以估算出抛光速率。为了测定表面电阻率，使用表面电阻测定仪(四探针电阻测定仪，Loresta-GP，由Mitsubishi ChemicalCorporation制造)。
腐蚀速率的测定
将生成了Cu膜的Si基材劈成1.2×1.2cm2大，并在25℃下在50ml抛光浆中浸没30分钟。通过表面电阻测定仪(四探针电阻测定仪，Loresta-GP，由Mitsubishi Chemical Corporation制造)测定浸没前后Cu膜的表面电阻率(ρs’)。使用前述关系式“d(nm)＝(ρs×T)/ρs’”，得到浸没后的膜厚度，然后通过用浸没前后的膜厚度差除以浸没时间计算出腐蚀速率。
分散稳定性评价
使用自记录分光光度计(U-4000型，由Hitachi，Ltd.制造)，测定浆刚刚制备好和制备好3000小时后浆的透过率。
抛光浆的制备和评价结果
制备一系列浆，每一浆均包含5重量％的胶态二氧化硅(TSOL系列，由Tama Chemicals Co.，Ltd.制造；一次粒径：约30nm)，2重量％的浓度为30重量％的过氧化氢水溶液(H2O2的量：0.6重量％)，1，2，4-三唑，甘氨酸和水。各个浆中1，2，4-三唑和甘氨酸的量列于表1。另外，用氨水溶液将各个浆的pH值调节到6.5-7范围内。
对各个浆的抛光速率和腐蚀速率的测定结果示于表1和图1。这些结果表明，当甘氨酸与1，2，4-三唑的含量比(甘氨酸含量比)在特定的范围内时可以获得高的抛光速率。另外，很清楚地看出，腐蚀速率随着甘氨酸含量比的增加而增加。这些结果表明，为了满意地抑制腐蚀，换句话说，为了防止出现凹坑并同时获得高抛光速率，优选甘氨酸含量比为5-8，特别是6-7。
表1
| 浆号 | 1，2，4-三唑含量(重量％) | 甘氨酸含量比 | 抛光速率(nm/分) | 腐蚀速率(nm/分) |
| 1 | 0.075 | 3 | 110 | 0.9 |
| 2 | 0.075 | 5 | 249 | 0.8 |
| 3 | 0.075 | 7 | 395 | 0.8 |
| 4 | 0.075 | 10 | 230 | 2.2 |
| 5 | 0.1 | 3 | 120 | 0.5 |
| 6 | 0.1 | 5 | 310 | 0.6 |
| 7 | 0.1 | 7 | 455 | 0.6 |
| 8 | 0.1 | 10 | 280 | 1.7 |
| 9 | 0.3 | 3 | 110 | 0.5 |
| 10 | 0.3 | 6 | 360 | 0.4 |
| 11 | 0.3 | 7 | 370 | 0.8 |
| 12 | 0.3 | 10 | 320 | 1.8 |
H2O2含量(重量％)：0.6重量％
使用不同的过氧化氢含量，在甘氨酸含量比为7的情况下测定的抛光速率结果示于表2。这些结果表明，即使过氧化氢的量比需要的高，也不能获得高的抛光速率，相反，可能会导致抛光速率降低。
表2
| 浆号 | H2O2含量(重量％) | 1，2，4-三唑含量(重量％) | 甘氨酸含量比 | 抛光速率(nm/分) |
| 7 | 0.6 | 0.1 | 7 | 455 |
| 13 | 0.9 | 0.1 | 7 | 690 |
| 14 | 1.5 | 0.1 | 7 | 450 |
| 15 | 3.0 | 0.1 | 7 | 380 |
使用甘氨酸含量比为6、pH不同的浆所得到的抛光速率测定结果示于图2。这些结果表明，在pH为5-7时可以获得高的抛光速率。
使用甘氨酸含量比为6、pH不同的浆所得到的透过率测定结果示于图3。图3中纵坐标上的数表示浆制备3000小时后测定的透过率与刚刚制备好后测定的透过率之变化比。这些结果表明，pH不低于6，尤其是在pH不低于6.5时，浆显示出优良的分散稳定性。
作为比较例，将各自包含苯并三唑代替各个浆中包含的1，2，4-三唑的抛光浆的抛光速率与腐蚀速率的测定结果示于表1和表3。这些结果表明，使用包含苯并三唑的抛光浆不能获得高抛光速率。我们认为这是因为苯并三唑易于被强有力地吸附而形成坚固的涂层，从而不能获得高的抛光速率。
表3
| 浆号 | 苯并三唑含量(重量％) | 甘氨酸含量比 | 抛光速率(nm/分) | 腐蚀速率(nm/分) |
| 16 | 0.005 | 3 | 42 | 0.9 |
| 17 | 0.005 | 5 | 119 | 0.8 |
| 18 | 0.005 | 7 | 122 | 0.9 |
| 19 | 0.005 | 10 | 98 | 2.5 |
| 20 | 0.01 | 3 | 82 | 0.5 |
| 21 | 0.01 | 5 | 178 | 0.5 |
| 22 | 0.01 | 7 | 152 | 0.6 |
| 23 | 0.01 | 10 | 130 | 1.2 |
| 24 | 0.02 | 3 | 57 | 0.7 |
| 25 | 0.02 | 5 | 140 | 0.8 |
| 26 | 0.02 | 7 | 152 | 0.7 |
| 27 | 0.02 | 10 | 85 | 1.8 |
H2O2含量(重量％)：0.6重量％
作为比较例，将各自包含酒石酸或柠檬酸代替各个浆中包含的甘氨酸的抛光浆的抛光速率与腐蚀速率的测定结果示于表1和表4。这些结果表明，用包含羧酸而不是氨基酸的抛光浆不能在抑制腐蚀速率的同时获得高的抛光速率。
表4
| 浆号 | 羧酸 | 羧酸含量比 | 抛光速率(nm/分) | 腐蚀速率(nm/分) |
| 28 | 酒石酸 | 5 | 110 | 1.0 |
| 29 | 酒石酸 | 7 | 145 | 1.8 |
| 30 | 酒石酸 | 10 | 180 | 2.8 |
| 31 | 柠檬酸 | 4 | 240 | 10.0 |
| 32 | 柠檬酸 | 7 | 250 | 17.0 |
| 33 | 柠檬酸 | 10 | 320 | 23.0 |
H2O2含量(重量％)：0.6重量％；1，2，4-三唑含量：0.1重量％
Claims (6)
1.一种用于抛光铜基金属的浆，包括二氧化硅抛光材料，氧化剂，氨基酸，三唑类化合物和水，其中，所述氨基酸与所述三唑类化合物的含量比(氨基酸/三唑类化合物(重量比))为5-8。
2.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述氨基酸为甘氨酸。
3.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述三唑类化合物为1，2，4-三唑或其衍生物。
4.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述三唑类化合物的含量为不低于0.05重量％，但不超过0.5重量％。
5.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述浆的pH值在5-7范围内。
6.根据权利要求1的用于抛光铜基金属的浆，其中所述二氧化硅抛光材料为胶态二氧化硅。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP225734/2002 | 2002-08-02 | ||
| JP2002225734A JP2004071673A (ja) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | 銅系金属研磨スラリー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1497029A true CN1497029A (zh) | 2004-05-19 |
| CN1289620C CN1289620C (zh) | 2006-12-13 |
Family
ID=31185057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB031524915A Expired - Lifetime CN1289620C (zh) | 2002-08-02 | 2003-08-01 | 用于抛光铜基金属的浆 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040020135A1 (zh) |
| JP (1) | JP2004071673A (zh) |
| KR (1) | KR100566537B1 (zh) |
| CN (1) | CN1289620C (zh) |
| TW (1) | TWI235761B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1746254B (zh) * | 2004-09-09 | 2011-09-21 | 福吉米株式会社 | 抛光组合物和使用该抛光组合物的抛光方法 |
| CN104916582A (zh) * | 2014-03-12 | 2015-09-16 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
| CN106661382A (zh) * | 2014-07-15 | 2017-05-10 | 巴斯夫欧洲公司 | 化学机械抛光(cmp)组合物 |
| CN114952600A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-30 | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 | 高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20050252151A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-17 | Kindred David J | Under deck drainage system |
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| JP2009164188A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| CN102753651B (zh) | 2010-02-25 | 2014-09-10 | 旭化成电子材料株式会社 | 氧化铜用蚀刻液以及使用其的蚀刻方法 |
| JP6050934B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2016-12-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| JP2014072336A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP6385085B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-09-05 | 株式会社ディスコ | バイト切削方法 |
| US9577555B2 (en) * | 2014-04-02 | 2017-02-21 | Deere & Company | Methods of estimating a position of a rotor in a motor under transient and systems thereof |
| KR102523465B1 (ko) | 2017-11-09 | 2023-04-18 | 엘지전자 주식회사 | 의류처리장치 |
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| TW455626B (en) * | 1998-07-23 | 2001-09-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
| WO2001012739A1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-02-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing systems and methods for their use |
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2002
- 2002-08-02 JP JP2002225734A patent/JP2004071673A/ja active Pending
-
2003
- 2003-07-21 US US10/622,735 patent/US20040020135A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-01 CN CNB031524915A patent/CN1289620C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-01 KR KR20030053470A patent/KR100566537B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-01 TW TW092121118A patent/TWI235761B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040020135A1 (en) | 2004-02-05 |
| TWI235761B (en) | 2005-07-11 |
| TW200406483A (en) | 2004-05-01 |
| JP2004071673A (ja) | 2004-03-04 |
| CN1289620C (zh) | 2006-12-13 |
| KR100566537B1 (ko) | 2006-03-31 |
| KR20040012600A (ko) | 2004-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CI01 | Publication of corrected invention patent application |
Correction item: Inventor Correct: Tsuchiya Yashuaki|Inoue Tomoko|Ying Jingshen|Aoyagi Kenichi|Of a slab False: Tsuchiya Yashuaki|Aoyagi Kenichi|Inoue Tomoko|Of a slab|Ying Jingshen Number: 20 Volume: 20 |
|
| CI02 | Correction of invention patent application |
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|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: TSUCHIYA YASUAKI AOYANAGI KENITI TOMOKO INOUE ITAKURA-CHOL NOBUYUKI SAKURAI TO: TSUCHIYA YASUAKI TOMOKO INOUE NOBUYUKI SAKURAI AOYANAGI KENITI ITAKURA-CHOL |
|
| ERR | Gazette correction |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: TSUCHIYA YASUAKI AOYANAGI KENITI TOMOKO INOUE ITAKURA-CHOL NOBUYUKI SAKURAI TO: TSUCHIYA YASUAKI TOMOKO INOUE NOBUYUKI SAKURAI AOYANAGI KENITI ITAKURA-CHOL |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: NEC ELECTRONICS TAIWAN LTD.; CO., LTD. TOPPAN TDK Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: NEC ELECTRONICS TAIWAN LTD.; CO., LTD. TMP Owner name: NEC ELECTRONICS TAIWAN LTD.; CO., LTD. TMP Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: NEC ELECTRONICS TAIWAN LTD.; TOKYO MAGNETIC PRINTING CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Kanagawa, Japan Co-patentee after: TOPPAN TDK LABEL Co.,Ltd. Patentee after: NEC ELECTRONICS Corp. Address before: Kanagawa, Japan Co-patentee before: TMP Corp. Patentee before: NEC ELECTRONICS Corp. Address after: Kanagawa, Japan Co-patentee after: TMP Corp. Patentee after: NEC ELECTRONICS Corp. Address before: Kanagawa, Japan Co-patentee before: Tokyo Magnetic Printing Co.,Ltd. Patentee before: NEC ELECTRONICS Corp. |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: RENESAS ELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: NEC CORP. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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