CN1487595A - 高压n型横向双扩散金属氧化物半导体管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在源下方设有P型阱，在P型阱上设有P型阱接触孔，P型阱、漏和场氧设在P型衬底上，源连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板即与地相接，从而获得低电压，而极板上的电压越低，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。

Description

高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管
一、技术领域
本发明是一种金属氧化物半导体管，尤其是高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管。
二、背景技术
金属氧化物半导体型功率集成器件具有开关特性好、功耗小等优点，更为重要的是金属氧化物半导体型功率器件易于兼容标准低压互补金属氧化物半导体工艺，降低芯片的生产成本，因此在10V-600V的应用范围内金属氧化物半导体型功率集成器件具有较大的优势。在金属氧化物半导体型功率集成器件中以横向双扩散、偏置栅等结构较多，虽然对器件结构进行了改进，在一定程度上提高了击穿特性，但带来的结果是金属氧化物半导体器件的结构变得越来越复杂，制备成本也越来越高，成品率降低。
三、技术内容
技术问题  本发明提供一种能够提高击穿电压且制造成本低的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管。
技术方案  一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源2、漏3、栅4、场氧6、栅氧7和氧化层8组成，栅氧7设在源2、漏3和场氧6上，栅4位于栅氧7与氧化层8之间，在栅4、源2和漏3上设有铝引线，在源2下方设有P型阱21，在P型阱21上设有P型阱接触孔211，P型阱21、漏3和场氧6设在P型衬底1上，源2连接有场极板5。
有益效果  (1)本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板即与地相接，从而获得低电压，而极板上的电压越低，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。本发明可以基于1.2μm标准外延低压互补金属氧化物半导体工艺线上实现，这使其制造成本低。(2)由于本发明的场极板设在氧化层与栅氧之间，使场极板的制作可以与栅的制作同步完成，况且本发明可以基于1.2μm标准外延低压互补金属氧化物半导体工艺线上实现，故本发明具有制造成本低的优点。(3)N型外延材料与体硅材料相比可以提供更好的击穿特性。
四、附图说明
图1是本实施例的结构示意图。
五、具体实施方案
一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源2、漏3、栅4、场氧6、栅氧7和氧化层8组成，栅氧7设在源2、漏3和场氧6上，栅4位于栅氧7与氧化层8之间，在栅4、源2和漏3上设有铝引线，在源2下方设有P型阱21，在P型阱21上设有P型阱接触孔211，P型阱21、漏3和场氧6设在P型衬底1上，源2连接有场极板5，在本实施例中，场极板5设在氧化层8与栅氧7之间且位于场氧6的上方，在P型衬底1与源2、漏3及场氧6之间设有N型外延9。

Claims (3)

1、一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源(2)、漏(3)、栅(4)、场氧(6)、栅氧(7)和氧化层(8)组成，栅氧(7)设在源(2)、漏(3)和场氧(6)上，栅(4)位于栅氧(7)与氧化层(8)之间，在栅(4)、源(2)和漏(3)上设有铝引线，在源(2)下方设有P型阱(21)，在P型阱(21)上设有P型阱接触孔(211)，P型阱(21)、漏(3)和场氧(6)设在P型衬底(1)上，其特征在于源(2)连接有场极板(5)。
2、根据权利要求1所述的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于场极板(5)设在氧化层(8)与栅氧(7)之间且位于场氧(6)的上方。
3、根据权利要求1或2所述的高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于在P型衬底(1)与源(2)、漏(3)及场氧(6)之间设有N型外延(9)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1324717C (zh) * 2004-06-24 2007-07-04 东南大学 多电位场极板横向高压n型金属氧化物半导体管
CN100464421C (zh) * 2007-10-30 2009-02-25 无锡博创微电子有限公司 集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管
CN101661955B (zh) * 2008-08-28 2011-06-01 新唐科技股份有限公司 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

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