CN1480990A - 半导体晶圆的清洗方法 - Google Patents
半导体晶圆的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1480990A CN1480990A CNA021318689A CN02131868A CN1480990A CN 1480990 A CN1480990 A CN 1480990A CN A021318689 A CNA021318689 A CN A021318689A CN 02131868 A CN02131868 A CN 02131868A CN 1480990 A CN1480990 A CN 1480990A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor crystal
- cleaning method
- material layer
- crystal wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
一种半导体晶圆的清洗方法，此方法提供具有材料层的晶圆。然后，进行刷洗工艺，以刷头与去离子水移除晶圆表面的微粒。之后，以惰性气体喷吹晶圆，以移除晶圆表面的水痕与防止晶圆受氧影响。
Description
技术领域
本发明是有关于一种半导体清洗工艺，且特别是有关于一种半导体晶圆的清洗方法。
背景技术
在集成电路元件的工艺中，最频繁的工艺步骤就是晶圆洗净。晶圆洗净的目的乃是为了去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微粒(Particle)。而这些污染物会对于产品后续工艺的影响非常大。金属杂质的污染会造成p-n接面的漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影工艺图案转移的真实性，甚至造成电路结构的短路。因此，在晶圆清洗工艺中，必须有效的去除附着于晶圆表面的有机化合物、金属杂质以及微粒(Particle)，同时在清洗后晶圆表面必须没有原生氧化层(NativeOxide)，表面粗糙度要极小。
刷洗工艺(Scrubber Process)是目前业界常用来移除金属导线工艺、化学气相沉积工艺(Chemical Vapor Deposition，CVD)、与磊晶工艺之后，去除微粒的方法。公知的刷洗工艺是将晶圆片置于刷洗机内，利用大量的去离子水(压力为12MPa至20MPa左右)冲洗晶圆表面，同时并利用刷洗机内的刷头刷洗晶圆片表面，如此可以有效的清除附着于晶圆表面的粒子。
然而，在上述的刷洗过程之后，在晶圆的表面上常有出现水痕的现象。而水痕的生成易造成合格率与电性不佳等问题。而且，空气中的氧(O2)也很容易和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而影响元件的效能。因此，如何防止晶圆表面产生水痕，以及防止空气中的氧和去离子水在晶圆表面形成弱酸是很重要的。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的为提供一种半导体晶圆的清洗方法，可以防止晶圆表面产生水痕，并防止空气中的氧和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而能够提升元件效能，并且提高制造产能。
根据本发明的上述目的，提出一种半导体晶圆的清洗方法，此方法是提供具有材料层的晶圆。然后，进行刷洗工艺，以刷头与去离子水移除晶圆表面的微粒。之后，以惰性气体喷吹晶圆，以移除晶圆表面的水痕与防止晶圆受氧影响。
本发明是以金属导线工艺、化学气相沉积工艺、或磊晶工艺于一晶圆表面形成一材料层后，对此晶圆进行一刷洗工艺时，先供给去离子水至晶圆表面，并以刷头刷洗晶圆表面后，在甩干附着于晶圆表面的去离子水的同时，以惰性气体喷吹晶圆表面，不但可以防止晶圆表面形成水痕，并且可以避免空气中的氧(O2)和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而影响元件的效能。
附图说明
图1为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的清洗方法流程图；
图2为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的刷洗装置示意图；
图3A与图3B为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的刷洗装置剖面示意图。
100、102、104：步骤
200：晶圆
202：刷洗系统
204：晶圆承载台
206：刷头臂
208：刷头
210：喷射喷头臂
212：喷射喷头
214：气体喷头
216：去离子水清洗喷头
具体实施方式
图1为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的清洗方法流程图。图2为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的刷洗装置示意图。图3A与图3B为本发明的一较佳实施例的半导体晶圆的刷洗装置剖面示意图。以下请同时参照图1、图2、图3A与图3B，其用以说明本发明的较佳实施例。而且，在图2、图3A与图3B中，相同的构件给予相同的符号。
首先，提供一预定进行刷洗的晶圆200，并将此晶圆200放进设置于刷洗系统202的晶圆承载台204上(步骤100)。其中，晶圆200上已形成一材料层，此材料层的材质包括导体材料(例如是多晶硅、多晶硅化金属、铜、铝或其它金属等)、介电材料(例如氧化硅、氮化硅等)。形成此材料层的方法例如是溅镀法、化学气相沉积法、磊晶法等。而且，晶圆200的表面在材料层的形成工艺中会附着许多微粒。
接着，供给去离子水至晶圆200表面，以进行刷洗工艺，移除晶圆200表面的微粒(步骤102)。在此步骤中，利用刷头臂(Brush Arm)206移动刷头208至晶圆200表面，并以喷射喷头臂210移动喷射喷头212晶圆200上方。然后，晶圆承载台204带动晶圆200一方面以方向A转动，刷头208则以方向B来移动(如图3A所示)，同时利用喷射喷头212供给去离子水至晶圆200表面，以刷洗移除晶圆200粒子，借以使晶圆200的整个表面得以被清洗干净。接着，移动喷射喷头臂210使喷射喷头212从晶圆200上方移开，并停止供应去离子水至晶圆200表面，同时以刷头臂206使刷头208从晶圆200表面移开。接着，再以去离子水清洗喷头216供给去离子水至晶圆200表面以进行清洗。
之后，以一惰性气体喷吹晶圆200表面，以移除晶圆200表面的水痕以及防止空气中的氧(O2)和去离子水在晶圆表面形成弱酸(步骤104)。在此步骤中，首先，停止供给去离子水，并持续旋转晶圆承载台204使晶圆200旋转，以甩干附着于晶圆200表面的去离子水。由于，以此方式甩干晶圆200时，很容易在晶圆200表面形成水痕，而且空气中的氧(O2)也会和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而影响元件的效能。因此，为了移除晶圆200表面的水痕以及防止空气中的氧(O2)和去离子水在晶圆表面形成弱酸，在本步骤中，进行旋转晶圆承载台204以甩干附着于晶圆200表面的去离子水时，同时从气体喷头214供给一惰性气体喷吹晶圆200表面，以移除晶圆200表面的水痕并防止空气中的氧(O2)和去离子水在晶圆表面形成弱酸。其中，惰性气体例如是氮气、氪气、或氩气(如图3B所示)。
依照本发明实施例所述，以金属导线工艺、化学气相沉积工艺、或磊晶工艺于晶圆表面形成一材料层后，对此晶圆进行一刷洗工艺时，先供给去离子水至晶圆表面，并以刷头刷洗晶圆表面后，在甩干附着于晶圆表面的去离子水的同时，以惰性气体喷吹晶圆表面，不但可以防止晶圆表面形成水痕，并且可以避免空气中的氧(O2)和去离子水在晶圆表面形成弱酸，而影响元件的效能。
Claims (12)
1.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该方法包括：
提供一晶圆，该晶圆上具有一材料层；
进行一刷洗工艺，以一刷头与一去离子水移除该晶圆表面的微粒；以及
以一惰性气体喷吹该晶圆，以移除该晶圆表面的水痕与防止该晶圆受氧影响。
2.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该惰性气体包括氮气。
3.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该惰性气体选自氮气、氩气与氪气所组成的族群。
4.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层包括导体材料。
5.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层包括介电材料。
6.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层选自多晶硅、多晶硅化金属、铜、铝、氧化硅与氮化硅所组成的族群。
7.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层的形成方法包括溅镀法。
8.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层的形成方法包括化学气相沉积法。
9.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该材料层的形成方法包括磊晶法。
10.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该方法包括：
提供一刷洗装置，该刷洗装置具有一刷头；
放置一晶圆于该刷洗装置内；
以一去离子水冲洗该晶圆，并以该刷头刷洗该晶圆；
以一惰性气体喷吹该晶圆，以移除该晶圆表面的水痕与防止该晶圆受氧影响。
11.如权利要求10所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该惰性气体包括氮气。
12.如权利要求10所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征是，该惰性气体选自氮气、氩气与氪气所组成的族群。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021318689A CN1303652C (zh) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | 半导体晶圆的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021318689A CN1303652C (zh) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | 半导体晶圆的清洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1480990A true CN1480990A (zh) | 2004-03-10 |
| CN1303652C CN1303652C (zh) | 2007-03-07 |
Family
ID=34145057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021318689A Expired - Fee Related CN1303652C (zh) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | 半导体晶圆的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1303652C (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108054083A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法 |
| CN111826632A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
-
2002
- 2002-09-04 CN CNB021318689A patent/CN1303652C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108054083A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法 |
| CN111826632A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1303652C (zh) | 2007-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7498269B2 (en) | Cleaning methods for silicon electrode assembly surface contamination removal | |
| KR101177334B1 (ko) | 산성 용액에 의한 실리콘 전극 어셈블리 표면 정화 | |
| CN101632158B (zh) | 用于清洁等离子体反应室的组合喷淋头电极的清洁套件和方法 | |
| CN100501937C (zh) | 在半导体制造工艺中形成低k电介质的方法 | |
| CN1838385A (zh) | 清洗和干燥晶片的方法及装置 | |
| US6921494B2 (en) | Backside etching in a scrubber | |
| US5782984A (en) | Method for cleaning an integrated circuit device using an aqueous cleaning composition | |
| CN1182593C (zh) | 氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法 | |
| CN1203531C (zh) | 晶圆的清洗液成分及其清洗方法 | |
| CN1303652C (zh) | 半导体晶圆的清洗方法 | |
| US7067015B2 (en) | Modified clean chemistry and megasonic nozzle for removing backside CMP slurries | |
| CN1282999C (zh) | 制造半导体元件的方法 | |
| US8236382B2 (en) | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same | |
| TWI309430B (en) | A method for cleaning wafer | |
| KR20090121527A (ko) | 실리콘 웨이퍼 재생방법 및 그 재생장치 | |
| CN1610079A (zh) | 在金属层蚀刻后移除光阻的方法 | |
| CN1402311A (zh) | 清洗具有接触孔或介层洞的芯片清洗装置与方法 | |
| CN102446821B (zh) | 减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法 | |
| CN1164724C (zh) | 用于化学机械平坦化后的含水清洁液组合物 | |
| JP2006237095A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置、半導体製造装置 | |
| CN102921656A (zh) | 半导体晶圆的清洗装置及其清洗方法 | |
| CN1302861C (zh) | 可重复进行的旋转涂布制造方法 | |
| CN115527884B (zh) | 一种晶圆片的清洗装置及方法 | |
| CN1215374C (zh) | 抗静电光罩的制造方法 | |
| CN1216414C (zh) | 可降低微粒污染的真空吸引装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070307 Termination date: 20190904 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |