CN1216414C - 可降低微粒污染的真空吸引装置 - Google Patents
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Abstract
一种可降低微粒污染的真空吸引装置，包括：支撑盘第一管路、控制装置、第二管路、第三管路和清洗装置。其中支撑盘具有一上表面，且支撑盘内具有至少一通道连接至上表面。第一管路的一端与该通道的位于非上表面的一端相连，另一端则与控制装置相连。第二管路的一端连接至控制装置，另一端则连接至一真空系统。第三管路的一端连接至控制装置，另一端则连接至一排水系统。清洗装置系用以清洗支撑盘的上表面。其中清洗装置可为喷水器、洗涤器、或超音波震动喷水器。
Description
技术领域
本发明系有关于一种真空吸引装置(Vacuum Chuck)特别是关于一种可降低微粒污染的真空吸引装置。
背景技术
真空吸引装置为半导体晶片制程中重要的装置之一，其系用来固定晶片，以利于微影制程、沉积制程、清洗制程等的进行。在晶片制程期间，晶片会与真空吸引装置接触，此时，晶片上(特别是晶背)的微粒易沉积在支撑盘上，而污染了此真空吸引装置。当微粒陷于晶片和支撑盘表面之间时，晶片易发生扭曲。特别是微影制程中所使用的真空吸引装置的支撑盘上表面的微粒存在与否，会影响微影制程品质的好坏。
此外，在进行沉积制程(特别是高密度等离子体沉积制程)时所用的真空吸引装置方面，若微粒陷于晶片和支撑盘表面之间时；除了晶片不易被吸住外，所通的氦气(He)会于晶背和支撑盘的间未封合处的缝隙往外进漏，如此会造成晶片的冷却效果不佳。
以下将配合图1、图2和图3对上述问题做详细的说明
图1系显示真空吸引装置的侧视图，图2显示一种真空吸引装置的环绕型支撑盘的上视图，图3系为图2的切线11的部分剖面放大图。图3的标号21表示支撑盘12高真空通道。支撑盘12的下方为旋转轴14，支撑盘12的高真空通道21穿过旋转轴14与管路16相连，而管路16的另一端则连接至真空系统18，并且在管路16上配置有阀门17。当支撑盘12使用频繁时，其上表面易为微粒22所污染而影响晶片20的固定。此支撑盘12需经常进行清洗。
传统上，支撑盘12的清洗系使用以乙醇或己醚沾湿的无绒毛布块(lintlesscloth)擦拭支撑盘12的上表面；但是在凹陷处和沟槽处的微粒22非常不易做有效地清除。
此外，当支撑盘12进行清洗时，整个机台则必须停机进行预防维护(preventive mamtenace；PM)，如此会影响产品的产率。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种可以减少机台停机的时间；而又可以进行真空吸引装置的清洗，以降低微粒污染的真空吸引装置。
因此，本发明的目的系针对于上述习知技术而提出改良，本发明提供一种可降低微粒污染的真空吸引装置，包括：支撑盘、第一管路、第二管路、设置于第二管路上的第一阀门、第三管路、设置于第三管路上的第二阀门、以及清洗装置。支撑盘具有上表面，且支撑盘内具有至少一通道连接至上表面。第一管路的一端与该通道的位于非上表面的一端相连。第二管路的一端连接至第一管路，另一端则连接至一真空系统。第三管路的一端连接至第一管路，另一端则连接至一排水系统。清洗装置系用以清洗支撑盘的上表面。其中清洗装置可为喷水器、洗涤器、或超音波震动喷水器。
依据本发明的第一实施例，其中第一开阀和第二阀门可为单向阀。
本发明提供另一种可降低微粒污染的真空吸引装置，包括：支撑盘、第一管路、控制装置、第二管路、第三管路和清洗装置。其中支撑盘具有一上表面，且支撑盘内具有至少一通道连接至上表面。第一管路的一端与该通道的位于非上表面的一端相连，另一端则与控制装置相连。第二管路的一端连接至控制装置，另一端则连接至一真空系统。第三管路的一端连接至控制装置，另一端则连接至一排水系统。清洗装置系用以清洗支撑盘的上表面。其中清洗装置可为喷水器、洗涤器、或超音波震动喷水器。
依据本发明的第二实施例；其中控制装置为控制阀组。此控制阀组具有第一入口、第二出口和第三出口；即一入二出，分别连接第一管路、第二管路和第三管路，且此控制阀组包含控制第一管路与第三管路之间的开关的第一阀门，以及控制第一管路与第二管路之间的开关的第二阀门。其中第一阀门和第二阀门可为单向阀。
依据本发明的第三实施例；其中控制装置为三通阀。上述的三通阀可为三通单向阀。
综上所述，本发明至少具有下列优点：
1.利用本发明所提供的真空吸引装置以在进行制程期间固定晶片，而当晶片自上述的真空吸引装置移开后，且在待机等下一晶片放置的期间，启动清洗装置对真空吸引装置的支撑盘的上表面进行清洗的动作，以去除支撑盘上表面的微粒。
2.由于本发明系在利用真空吸引装置待机等下一晶片放置的期间进行清洗的动作，并不需将机台停机，故可以提高产品的产率。
3.籍由喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器等清洗装置，可以有效移除凹陷处和沟槽处的微粒。
附图说明
图1系显示真空吸引装置的侧视图；
图2显示一种真空吸引装置的环绕型支撑盘的上视图；图3为图2的切线11的部分剖面放大图；
图4显示一种真空吸引装置的岛状型支持盘的上视图；
图5为图4的切线55的剖面图；
图6为根据本发明第一实施例的一种可降低微粒污染的真空吸引装置；
图7为根据本发明第二实施例的一种可降低微粒污染的真空吸引装置；
图8为根据本发明第三实施例的一种可降低微粒污染的真空吸引装置。
符号说明：
支撑盘～12、32；旋转轴～14、34；管路～16；阀门～17、37、41、54、56；真空系统～18、38；晶片～20；(高真空)通道～21；微粒～22；第一管路～36；第一入口～50a；第二管路～40；第二出口～50b：第三管路～42；第三出口～50C；控制阀组～50：三通阀～60；排水系统～44；清洗装置～70。
具体实施方式
以下以第一实施例、第二实施例和第三实施例对本发明的可降低微粒污染的真空吸引装置做详细的说明。
适用于本发明的可降低微粒污染的真空吸引装置的支撑盘12不限于何种构造，可以是如图2和图3所示的环绕型支撑盘12，或是如图4和第5图所示的岛状型支持盘12，其中图5为图4的切线55的剖面图，或是其他种类的支撑盘。
实施例一
本实施例提供一种可降低微牧污染的真空吸引装置(Vacuum chuck)其结构如图6所示。此真空吸引装置具有一支撑盘32用以支撑晶片，且支撑盘32内至少有一高真空通道21(如图3或图5所示)连接至上表面33，当晶片置于支撑盘32上时，此高真空通道21会延伸至晶片和支撑盘32之间的空隙。
清洗装置70置于支撑盘32上方，用以清洗支撑盘32，以去除支撑盘32上表面的微粒。其中清洗装置70可为喷水器(jet device)、洗涤器(rinse device)、超音波震动(megasonic)喷水器。
另外，旋转轴34位于支撑盘32下方，且与支撑盘32接触；可用以旋转支撑盘32。
第一管路36与通道21相连。
第二管路40一端与第一管路36连接，另一端接往真空系统38。且第二管路40上设置有一阀门37，用以控制气流的流动。其中阀门37较佳的是单向阀。
第三管路42一端与第一管路36连接；另一端接往排水系统44。且第三管路42上设置有阀门41，用以控制水流的流动。其中阀门41较佳的是单向阀。
当第二管路40上的阀门37开启；且第三管路42上的阀门41关闭时，则气流会自通道21、第一管路36和第二管路40通往真空系统38。
当第二管路40上的阀门37关闭；且第三管路42上的阀门41开启时，则水流会自通道21、第一管路36和第三管路42通往排水系统44。
操作方法：当晶片自上述的真空吸引装置移开后，则在真空吸引装置待机等下一晶片放置的期间，对真空吸引装置的支撑盘32的上表面33进行清洗的动作，以去除支撑盘32上表面33的微粒。清洗的方法如下。首先关闭通往真空系统38的阀门37，并使第一管路36与第三管路42相通，并通往排水系统44。接着启动清洗装置70，例如喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器，利用水流带走支撑盘32上表面33的微粒，支撑盘32上表面33的水则籍由第一管路36与第三管路42相通，而排往排水系统44。在进行清洗的同时，亦可利用旋转轴34带动支撑盘32转动，以加强洗净的能力。
实施例二
本实施例提供另一种可降低微粒污染的真空吸引装置，其结构如图7所示。此真空吸引装置具有一支撑盘32用以支撑晶片，且支撑盘32内至少有一高真空通道21(如图3或图5所示)连接至上表面33，当晶片置于支撑盘32上时，此高真空通道21会延伸至晶片和支撑盘32之间的空隙。
清洗装置70置于支撑盘32上方，用以清洗支撑盘32，以去除支撑盘32上表面的微粒。其中清洗装置70可为喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器。
另外，旋转轴34位于支撑盘32下方，且与支撑盘32接触，可用以旋转支撑盘32。
第一管路36与通道21相连，第一管路36的另一端则连接至控制装置，在此实施例中，控制装置系以控制阀组(monoblok)50为例。意即，第一管路36的另一端连接至控制阀组50的第一入口52a。
第二管路40一端与控制阀组50的第二出口52b连接，另一端接往真空系统38。且第二管路40上设置有一阀门37，用以控制气流的流动。其中阀门37较佳的是单向阀。第三管路42一端与控制阀组50的第三出口52C连接，另一端接往排水系统44。
上述的控制阀组50包含控制第一管路36与第三管路42之间的开关的阀门54，以及控制第一管路36与第二管路40之间的开关的阀门56。其中阀门54和56较佳的是单向阀。而且，此控制阀组50具有一第一入口52a、一第一出口52b和一第三出口52c，分别用以连接第一管路36、第二管路40和第三管路42。
当控制阀组50的阀门56开启，且第二管路40上的阀门37开启，以及控制阀组50的阀门54关闭时，则气流会自通道21、第一管路36、控制阀组50和第二管路40通往真空系统38。
当控制阀组50的阀门56关闭，以及控制阀组50的阀门54开启时，则水流会自通道21、第一管路36、控制阀组50和第三管路42通往排水系统44。在此情况下，第二管路40上的阀门37可开启亦可关闭。
当晶片自上述的真空吸引装置移开后，则在真空吸引装置待机等下一晶片放置的期间，对真空吸引装置的支撑盘32的上表面33进行清洗的动作；以去除支撑盘32上表面33的微粒。清洗的方法如下。首先关闭控制阀组50的阀门56，并开启控制阀组50的阀门54，以使第一管路36经由控制阀组50与第三管路42相通，并通往排水系统44。接着启动清洗装置70，例如喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器；利用水流带走支撑盘32上表面33的微粒，支撑盘32上表面33的水则藉由第一管路36与第三管路42相通而排放往排水系统44。在进行清洗的同时，亦可利用旋转轴34带动支撑盘32的转动，以加强洗净的能力。
实施例3
本实施例提供另一种可降低微粒污染的真空吸引装置其结构如图8所示。此真空吸引装置具有一支撑盘32用以支撑晶片，且支撑盘32内至少有一高真空通道21(如图3或图5所示)连接至上表面33，当晶片置于支撑盘32上时，此高真空通道21会延伸至晶片和支撑盘32之间的空隙。
清洗装置70置于支撑盘32上方，用以清洗支撑盘32，以去除支撑盘32上表面33的微粒。其中清洗装置70可为喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器。
另外，旋转轴34位于支撑盘32下方，且与支撑盘32接触，可用以旋转支撑盘32。
第一管路36与通道21相连，第一管路36的另一端则连接至控制装置，在此实施例中；控制装置以三通阀60为例。意即，第一管路36的另一端连接至三通阀60。
第二管路40一端与三通阀60连接，另一端接往真空系统38。且第二管路40上设置有一阀门37，其中阀门37较佳的是单向阀。
第三管路42一端与三通阀60连接，另一端接往排水系统44。
上述的三通阀60，较佳的是三通单向阀。
籍由控制三通阀60的开关，配合开启阀门37，可使气流自通道21、第一管路36、三通阀60和第二管路40通往真空系统38。
藉由控制三通阀60的开关，可使水流会自通道21、第一管路36、三通阀60和第三管路42通往排水系统44。在此情况下，第二管路40上的阀门37可开启亦可关闭。
操作方法：当晶片自上述的真空吸引装置移开后，则在真空吸引装置待机等下一晶片放置的期间，对真空吸引装置的支撑盘32的上表面33进行清洗的动作，以去除支撑盘32上表面33的微粒。清洗的方法如下。首先将三通阀60的开关控制至第一管路36与第三管路42连通，但与第二管路40不连通，以使第一管路36经由三通阀60与第三管路42相通，并通往排水系统44。接著启动清洗装置70，例如喷水器、洗涤器、超音波震动喷水器，利用水流带走支撑盘32上表面33的微粒，支撑盘32上表面33的水则藉由第一管路36与第三管路42相通，而排放往排水系统44。在进行清洗的同时，亦可利用旋转轴34带动支撑盘32的转动，以加强洗净的能力。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限制本发明；任何熟习此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (15)
1.一种可降低微粒污染的真空吸引装置，包括：
一支撑盘，具有一上表面，该支撑盘内具有至少一通道连接至该上表面；
一第一管路，一端与该通道的位于非上表面的一端相连；
一控制装置，与该第一管路的另一端相连；
一第二管路，一端连接至该控制装置，另一端连接至一真空系统；
一第三管路，一端连接至该控制装置，另一端连接至一排水系统；以及一清洗装置，用以清洗该支撑盘的该上表面。
2.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该控制装置为一控制阀组，该控制阀组具有一第一入口、一第二出口和一第三出口，分别连接该第一管路、该第二管路和该第三管路，且该控制阀组包含控制该第一管路与该第三管路之间的开关的一第一阀门，以及控制该第一管路与该第二管路之间的开关的一第二阀门。
3.如权利要求2所述的可降低微粒污染的真空吸引装置；其特征在于：该第一阀门和该第二阀门为单向阀。
4.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该控制装置为一三通阀。
5.如权利要求4所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该三通阀为一三通单向阀。
6.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置；其特征在于：该清洗装置为一喷水器。
7.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该清洗装置为一洗涤器。
8.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该清洗装置为一超音波震动喷水器。
9.如权利要求1所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：更包括一旋转轴位于该支撑盘下方，且与该支撑盘接触，用以旋转该支撑盘。
10.一种可降低微粒污染的真空吸引装置，包括：
一支撑盘，具有一上表面，该支撑盘内具有至少一通道连接至该上表面；
一第一管路，一端与该通道的位于非上表面的一端相连；
一第二管路，一端连接至该第一管路，另一端连接至一真空系统；一第一阀门，设置于该第二管路上；
一第三管路，一端连接至该第一管路，另一端连接至一排水系统；一第二阀门，设置于该第三管路上；以及
一清洗装置，用以清洗该支撑盘的该上表面。
11.如权利要求10所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该第一阀门和该第二阀门为单向阀。
12.如权利要求10所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该清洗装置为一喷水器。
13.如权利要求10所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该清洗装置为一洗涤器。
14.如权利要求I0所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：该清洗装置为一超音波震动喷水器。
15.如权利要求10所述的可降低微粒污染的真空吸引装置，其特征在于：更包括一旋转轴位于该支撑盘下方，且与该支撑盘接触，用以旋转该支撑盘。
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