CN1479665A - 活化浆料化学机械平整系统及其实施方法 - Google Patents

活化浆料化学机械平整系统及其实施方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1479665A
CN1479665A CNA018202233A CN01820223A CN1479665A CN 1479665 A CN1479665 A CN 1479665A CN A018202233 A CNA018202233 A CN A018202233A CN 01820223 A CN01820223 A CN 01820223A CN 1479665 A CN1479665 A CN 1479665A
Authority
CN
China
Prior art keywords
slurry
wafer
polishing pad
cmp
surface layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA018202233A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1217767C (zh
Inventor
Y
Y·戈特基斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN1479665A publication Critical patent/CN1479665A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1217767C publication Critical patent/CN1217767C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

本发明提供在化学机械平整(CMP)系统(200a)中增强晶片的顶层的材料去除速度的方法。该方法包括在浆料(218)被施加到晶片(202)的顶层之前辐射适量的浆料(218)。在一个例子中，该方法还包括提供抛光垫(208)和用于保持晶片(202)的支架头。该方法还包括通过使抛光垫(208)与支架头接触，在抛光垫(208)、晶片顶层和被辐射的浆料(218)之间形成机械抛光界面。

Description

活化浆料化学机械平整系统及其实施方法
技术领域
本发明总的涉及化学机械平整(CMP)系统及其提高CMP操作的性能和效率的方法，特别涉及增强金属CMP系统的性能的方法。
背景技术
半导体器件制造中，需要进行CMP操作，包括：平整，擦光和晶片清洗。典型的集成电路器件是多层结构形式。在衬底层形成具有扩散区的晶体管器件。在随后的多层中，互连金属化线被构图，并电连接到晶体管器件，以确定规定的功能器件。如众所周知的，已构图的导电层用例如二氧化硅的电介质材料与其他导电层绝缘。当形成更多的金属化层和相关的电介质层时，对电介质材料进行平整的需要增加了。如果不进行平整，由于表面形状有更大的变化造成很难制造附加的多层金属化层。在某些其他的应用中，在电介质材料中形成金属化线图形，然后进行金属CMP操作，以除去多余的金属。铜(Cu)CMP成为一种铜双重镶嵌(Cu Dual Damascene)技术，能进行其他任何技术无法进行的铜栓和铜丝构形。
CMP系统通常采用旋转、带形、轨道或刷子工作台，其中，带形、垫形或刷子用来摩擦、擦光、抛光晶片的一边或两边。一般而言，通过在已处理过的晶片表面进行就地化学修整以除去多余的电介质材料和金属化层，从而使晶片表面更适合于材料去除。浆料有利于和增强CMP操作中的化学修整。浆料通常引入移动的制备表面上，例如抛光垫上，并分布在制备表面上以及要擦光、抛光或用CMP以其他方式制备的半导体晶片表面上。通常，制备表面移动与半导体晶片移动组合，在半导体晶片与制备表面之间产生摩擦，由此实现浆料分布。随后，从晶片表面除去化学修整的多余的金属化层和电介质层。由于金属化层和电介质层的化学特性不同，所以，金属化层的化学机械平整操作与电介质材料的化学机械平整操作不同。以下简述两种CMP操作。
电介质层的化学机械平整操作是，在加压下将电介质层(即，氧化物层)溶解在热水中从而形成疏松的多氢硅酸盐实现的。之后，多氢硅酸盐可很容易从晶片表面除去。相反，金属化层的化学机械平整操作明显困难，由于金属的可延展性使多余金属化层的去除变得几乎不可能。与电子位于原子之间的非金属元素相反，金属元素的价电子不位于原子对之间，并形成“导电带”、“电子云”或“电子层”。结果，自由金属离子被吸引到电子层。因此，形成的金属原子容易沿着金属化层表面移动而不会使它们之间的结合键和电子云断裂。通常这与金属的“延展”特性有关，这里是指连附产生的金属原子有容易从金属化层表面上的各个平衡位置移动而不会使金属原子之间的金属键和金属化层表面断裂的能力。与其相比，有配位电子的非金属元素中，通常使原子的角度简单的改变20％-30％将能容易的使分子键断裂。
如同在金属化层上执行CMP处理一样，金属化层必须转化成有分子键的化学化合物(例如氧化物等)。换句话说，生成的金属原子和金属化层之间的金属键必须变成电子位于两个特定原子之间的分子键形式。因此，金属CMP操作中，氧化金属化层形成氧化层。当氧化物分子有分子键时，氧化物层可容易地以机械力除去。
图1显示出典型的现有CMP系统100。图1显示出的CMP系统100是带形系统，之所以设计成这样，其原因是，制备表面是安装在两个滚筒114上的环形的抛光垫108，两个滚筒114驱动抛光垫108按抛光垫转动指示箭头116指示的方向转动。晶片102安装在支架104上。支架104按方向106转动。然后用力F将转动晶片102加到转动的抛光垫108上，以完成CMP处理。某些CMP处理需要加大的力F。设置平板112以稳定抛光垫108，并为设置晶片102提供一个坚固表面。根据要除去的多余材料的类型，包含例如NH4OH的水溶液的浆料或含有分散的磨料颗粒的去离子(DI)水会自晶片102的上游引入。
正如金属CMP处理一样，金属化层必须首先氧化，在金属CMP处理中浆料118的组成很重要。此外，必须选择使用这样的浆料118，使浆料118不会引起晶片102的表面腐蚀和出现缺陷。这样，典型的金属CMP浆料包含氧化剂和酸，氧化剂和酸都促进将金属化层变成氧化物层。通常，这些浆料都设计成具有“高稳定性”，因此有两个基本的特性。第一，有足够长的储藏寿命，第二，有很高的活化能。这样，金属浆料的高稳定性就会产生很低的氧化速度，因此，会降低总的去除速度。结果，金属CMP处理所消耗的总时间明显的增加，导致生产能力下降。
考虑到上述的问题，本领域需要一种用常规浆料的生产能力提高的增强型化学机械平整系统。
发明内容
总体来说，本发明通过控制浆料的组成来增强晶片表面形成的多余层的去除速度来满足这些要求。在一个实施例中，通过活化所用的浆料增强去除多余层的速度来提高化学机械平整(CMP)系统的生产能力。优选实施例中，在自抑制CMP系统中通过光引起浆料活化来提高晶片表面金属化层的去除速度。这里的自抑制CMP系统是指其中的氧化物形成速度大于金属氧化物的溶解速度的CMP系统。要知道，可以用多种方式(包括：工艺、设备、系统、装置或方法)实施本发明。以下描述本发明的几个实施例。
一个实施例中，公开了化学机械平整(CMP)设备。CMP设备包括配置成用于接收浆料化学品的抛光垫。CMP设备还包括能保持具有金属表面层的晶片的支架头。用浆料化学品抛光金属表面层的过程中，支架头和抛光垫能形成机械接触界面。CMP设备还包括辐射单元，辐射单元在浆料输送位置之后和抛光垫进入晶片下面之前的位置应用在抛光垫上面。辐射单元被设计成在晶片的金属表面层和抛光垫之间形成机械接触界面前辐射浆料化学品。
另一实施例中，公开了化学机械平整(CMP)设备。CMP设备包括能旋转的抛光垫和能夹持要抛光的晶片的支架。CMP设备还包括配置在支架旁边的调节垫。抛光垫可以部分地处在支架与调节垫上在它们之间移动并旋转，以逐渐完全脱离支架而完全覆盖在调节垫上。CMP设备还包括浆料输送单元。浆料输送单元在调节垫上加浆料，从而在旋转时抛光垫给晶片与抛光垫之间提供浆料。CMP设备还包括辐射源，它为要施加到晶片与抛光垫之间的浆料提供辐射。
另一实施例中，提供在化学机械平整(CMP)系统中促进去除晶片的一晶片层的方法。该方法包括在浆料施加到晶片层之前对大量的浆料进行辐射。
另一实施例中，公开了化学机械平整(CMP)设备。CMP设备包括配置成用于接收浆料化学品的抛光垫。还包括能保持具有金属表面层的晶片的支架头。用浆料化学品抛光金属表面层的过程中支架头和抛光垫能形成机械接触界面。CMP设备还包括辐射单元，辐射单元在浆料输送位置之后的一位置被设置到抛光垫上。辐射单元在晶片金属表面层和抛光垫之间形成机械接触界面之前辐射浆料。
本发明有很多优点。最重要的优点是，本发明用辐射就地活化浆料来代替现在使用的浆料，因此，能提高CMP系统中金属去除速度。因此，本发明通过例如进行UV或IR的辐射引入能量来促进和加速跨越浆料与多余层之间化学反应的活化势垒。这样，施加同等量的现有浆料，用同样的时间，按本发明实施例可以获得更高的生产能力同时不污染晶片表面。一个实施例中，用多段式光源结构是有利的，因为这种结构允许CMP系统对要处理的晶片的不同部分采用不同的除去速度，因此，晶片表面能获得所需的平整外形。多段式光源结构还有再分配本发明的活化效率的能力，而且能相对其他部分有选择地增加要抛光的半导体的一部分的除去速度。本发明实施例的另一优点是可以采用更稳定的氧化剂，甚至是气态氧，因此可以提高浆料的储藏寿命。
通过以下结合附图进行的详细描述，用实例描述本发明的原理，本发明的其他方案和优点将变得更清楚。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述将更容易理解本发明，所有附图中用相似的标号代表相似的构件。
图1是典型的现有CMP系统；
图2A是一个表，其中的反应式表示按本发明一个实施例，金属化层与多种氧化剂之间进行化学反应生成的金属化层的溶解的金属和金属副产物；
图2B是图2A所示反应式的曲线图，按本发明的另一实施例，随着温度升高跨越活化势垒所需的能量减少；
图3A-1是按本发明另一实施例的带形CMP系统的顶视图，显示浆料在达到晶片与抛光垫的接触面之前浆料的活化作用；
图3A-2是按本发明另一实施例的图3A-1所示CMP系统的简化的局部剖视图，显示用单个灯的浆料活化作用；
图3B-1是按本发明一个方面用有不同辐射强度的多个灯活化浆料的带形CMP系统的简化的局部顶视图；
图3B-2是按本发明另一个方面，能产生有不同活化程度的多种浆料的图3B-1所示的带形CMP系统的分解的局部剖视图；
图3C-1是按本发明另一个方案有铜层的晶片的分解的局部剖视图；
图3C-2是按本发明另一方案的有活化铜层的晶片顶层部分的分解的局部剖视图，其中，活化铜层有多个深度；
图3C-3是按本发明另一实施例的有活化铜层的晶片顶层部分的分解的局部剖视图，其中，活化铜层的多个深度之一已与活化浆料反应；
图3C-4是按本发明另一实施例的有活化铜层的晶片顶层部分的分解的局部剖视图，其中，活化铜层的多个深度之一已除去；
图3C-5是按本发明另一实施例的有活化铜层的晶片顶层部分的分解的局部剖视图，其中，活化铜层的多个深度都已除去；
图4是按本发明的一个方案的可变的局部重叠的(即，小口径)CMP系统的示意图。
具体实施方式
这里描述了化学机械平整(CMP)系统的多个实施例，该系统用于通过提高晶片表面上形成的多余层的去除速度来提高生产能力。优选实施例中，CMP系统通过采用活化浆料来提高去除速度。一个实施例中，用红外线(IR)或紫外线(UV)辐射来活化浆料。在自抑制金属CMP系统中，最好活化含有多种氧化剂的浆料以促进氧化剂与金属化层之间的化学反应。结果，形成金属氧化层，然后，通过例如抛光垫，浆料和晶片之间的相互作用，用晶片表面上的机械作用更容易去除所生成的氧化层。这样，在优选实施例中，辐射的金属CMP系统的氧化物形成速度大于非辐射的系统的氧化物形成速度，因此，提高了辐射的CMP系统的去除速度，提高了生产率。
以下的描述中，设定了许多具体的细节以更好的理解本发明。但是，本行业的技术人员应了解，即使没有这些具体细节中的一部分或全部也能实施本发明。其他例子中没有详细描述已公知的工艺操作，以免造成本发明的不必要的难以理解。
图2A是反应式表150，表示按本发明的一个实施例，金属化层与多种氧化剂之间的化学反应生成的能溶解的金属和金属化层的金属副产物。如反应式1所示，在一个实施例中，在晶片的金属化层Mlayer的金属CMP操作中，多种氧化剂，溶剂和金属化层Mlayer之间的化学反应和相互作用生成能溶解的金属化合物Mdissolved的溶液和副产物。如反应式2所示，进一步简化了反应式1的化学反应，按两个大致连续的阶段进行实际处理。在开始氧化阶段，氧化物形成速度是Rox，固体金属与一种或多种氧化剂进行化学反应，产生固体金属氧化物M-oxide。随后，在溶解阶段，溶解速度是Rdis，一种或多种溶剂与第一阶段生成的固体金属氧化物M-oxide进行化学反应，产生溶解的金属溶液Mdis和副产物。
执行CMP操作的目的是获得大致平整的表面，最好用CMP操作的机械部分而不是用CMP操作的化学部分来去除形成的固体金属氧化物层M-oxide。最好用机械去除形成的固体金属氧化物层M-oxide有几个原因。第一，CMP操作的机械部分对压力敏感，而CMP操作的化学部分对压力不敏感。即，机械抛光晶片的过程中，晶片的外形特征越高，在抛光的界面产生的压力越大，因此改善了从顶层去除固体金属氧化物层M-oxide，进而获得平整的外形。第二，如果CMP操作用比氧化物形成速度Rox快的溶解速度Rdis，那么CMP操作会引起不希望出现的晶片铜腐蚀。参见图2A中的表150中的反应式3将能对此有进一步的理解。如图所示，在缓慢形成氧化物的情况下，氧化速度Rox慢于溶解速度Rdis。该溶剂中，由于不能防止铜不断的氧化/溶解，因而会出现铜腐蚀。相反，在快速形成氧化物的溶液中，氧化速度Rox快于溶解速度Rdis，因此一旦形成不能穿透的氧化物层，那么，反应会受到抑制并基本上完全暂停。结果，能达到机械去除固体金属氧化物层M-oxide的目的而不会导致铜腐蚀，最好是氧化速度Rox快于溶解速度Rdis。
优选实施例中，本发明的CMP操作是自抑制型，定义为CMP工艺，其中，金属化层的氧化速度快于生成的固体金属氧化层的溶解速度。但是，在该CMP系统中，最好立即去除生成的固体金属氧化层，否则，生成的固体金属氧化层会完全覆盖(即抑制)晶片表面，因此，造成氧化处理暂停。这样，当氧化速度Rox慢于溶解速度Rdis时，金属CMP操作中不想要“湿腐蚀”。以下结合附图2B更详细描述氧化物形成速度。
考虑到此处使用自抑制型CMP处理，选择合适的浆料组分是有利的。由于有氧化速度Rox快于溶解速度Rdis的优点，所以，使用的浆料最好含氧化剂(例如，过氧化氢，硝酸铁，高锰酸盐，溶解的气态氧，溶解的气态臭氧，硝酸铵，硝酸钾，硝酸铜，和重铬酸钾等)。例如，在铜CMP中，在浆料中可以用各种不同的氧化剂(例如，过氧化氢，硝酸铁，高锰酸盐，溶解的气态氧，溶解的气态臭氧，硝酸铵，硝酸钾，硝酸铜，和重铬酸钾等)。优选实施例中，过氧化物是极有效的铜氧化剂。尽管含过氧化物的浆料似乎是最好的，但是某些公司会加入不同的氧化剂来氧化金属化层Mlayer。
图2B是按本发明一个实施例的图2A中的表150中的反应式的曲线图，随着温度升高跨越活化势垒所需的能量减小。如图所示，曲线的垂直轴表示加到分析系统上的能量变化，水平轴表示化学反应路径的不同阶段。在一个实施例中，曲线150a’从点152开始，点152是没辐射的金属化层Mlayer与氧化剂的最小势能面。通常，分子之间的相互排斥力会妨碍金属化层Mlayer的分子与氧化剂的化学反应。因此，为了有助于化学反应处理和克服这些排斥力，则需要给系统引入过量的能量。如图所示，曲线150a’的最高点156表示系统在进入产物状态之前要克服的位能面。为克服分子排斥力而引入的过量的能量通常称作“活化能”或“活化势垒”。只有其能量高于活化势垒的分子才能克服活化势垒并进入产物状态。活化势垒越高能克服势垒的分子数量越少，金属化层Mlayer与氧化剂之间的反应处理越慢。
如图示的，Eact150a”表示金属化层Mlayer与氧化剂之间进行化学反应所需的能量，总之，为了进行氧化反应，Eact150a”表示在氧化剂中断裂特定的分子健所需的能量大小，分子断裂释放出活性氧原子以与金属化层Mlayer自由反应。如图所示，一旦跨越了活化势垒，系统将会自发的产生氧化铜和相应的副产物。结果，具有最高能量的分子克服活化势垒而相互反应，进而确定反应速度。如图所示，系统的温度越高能克服活化势垒的分子越多。或者，在任何规定的温度活化势垒越低，能跨越活化势垒的分子数量越大。
通过增强催化速度或反应物激励可以提高反应速度。催化速度增强中，如曲线150b’所示，通过与催化剂的相互反应来降低跨越活化势垒所需的能量。如图示的，达到曲线150b’的峰值点158所需的能量大致小于达到曲线150a’的峰值点156所需的能量。换句话说，催化速度增强系统的活化能Eact-cat150b”远低于非催化系统的活化能Eact150a”。
或者，在不同的实施例中，通过反应物激励，增加系统的能量，可以提高反应速度。这已经由图2B中的曲线150c’显示。如图示的，曲线150c’从状态154开始，其中在状态154用外部能源(例如，加热、辐射、压力撞击)将定义为激励能Eex150d的某些外部能输送到系统中。如图示的，输入系统的能量越多，活化能Eact-ex150c”(即，跨越活化势垒164所需的能量)越低，反应速度越高。因此，通过增大金属化层Mlayer和氧化剂的开始能量，则明显减少跨越活化势垒所需的能量，能提高氧化物形成速度，最终增大CMP的去除速度。
典型的铜CMP系统用具有过氧化物(即，H2O2，或H-O-O-H)的浆料作为氧化剂，能进一步减小跨越活化势垒所需的能量。如众所周知的，过氧化物有两个氧原子，其中一个氧原子必须脱离以参与金属化层Mlayer的氧化处理。这样，断裂或至少减弱参与反应的过氧化物分子健需要能量，因此，释放出的氧自由进入与铜金属化层Mlayer的化学反应。因此，需要能量来减弱或断裂过氧化物中的分子健，以使铜金属化层Mlayer与过氧化物之间产生化学反应。一个实施例中，用IR或UV辐射来进一步活化氧化剂，以增强金属化层Mlayer与氧化剂之间的化学反应。IR辐射配置成会引起浆料中的分子激励的平行位移移动和振动移动，UV辐射配置成通过激励价电子并减弱或者甚至断裂反应剂分子中的化学健来增强反应速度。
图3A-1是按本发明一个实施例的带形CMP系统200a的简单顶视图，显示出浆料达到晶片与抛光垫208的接触面之前浆料的活化作用。如图示的，晶片202加到抛光垫208并随着抛光垫按旋转方向216移动，浆料218引入抛光垫208的表面上，在本实施例中，在确定晶片202与抛光垫208的接触表面之前，浆料218引入抛光垫208上。浆料218引入抛光垫208上以基本上覆盖抛光垫208的宽度，进而浸润抛光垫208。灯220大致位于移动的抛光垫208上，在浆料218达到晶片202与抛光垫208的界面之前，灯220产生的射线辐射到浆料218上。灯220最好用IR或UV灯构成。但是，在不同的实施例中，灯220可以是任何类型的灯或辐射单元，只要它能提供活化必须的能量而不会造成铜腐蚀或在晶片表面202上产生缺陷即可。最好，在一个实施例中，浆料218包括过氧化物或溶解的氧。但是，不同的实施例中，浆料可以包含任何类型的氧化剂。
图示的该结构中，与常规的铜CMP系统不同，本实施例的浆料218通过IR光的IR辐射或用UV灯220的辐射能迅速活化。通常，在现有的铜CMP系统中，纯粹用机械部件产生跨越活化势垒所需的能量。即，当浆料输送到晶片与抛光垫的抛光界面时，抛光垫、晶片和浆料移动，使抛光界面温度升高，因此，增加了能跨越活化势垒的分子数量。因此，这种状态下，不会长期出现金属化层Mlayer与氧化剂之间的化学反应。断裂活化势垒所需的时间明显的长，所以，在金属化层Mlayer上形成氧化铜要用大量的时间，因此，降低了金属氧化物(例如，在铜CMP处理中)的总去除速度。CMP处理消耗的总时间长，因此对生产率造成负面影响。
与现有的铜CMP处理相反，本发明能获得很高的去除速度。按本发明的一个方案能获得明显的高去除速度。按本发明的一个方案，因UV光的光子产生的大能量足够断裂过氧化物或其他氧化剂的原子之间的健，因此提高了铜CMP处理的氧化形成速度。当移动的抛光垫208加到晶片202上时，含过氧化物的活化浆料218进入与晶片202的铜层化学反应。当浆料218活化时，含自由氧原子的活化浆料218’准备与晶片202的金属化层Mlayer化学反应，因此从铜层更迅速的形成氧化铜层。即，作为化学反应的结果，铜层的金属健变成在氧化铜中更普遍存在的分子健。因此，本发明用两种形式的能量断裂活化势垒。第一种形式的能量是由晶片202的表面对着铜CMP处理系统的抛光垫208机械移动而产生的能量。第二种能量形式是由IR辐射或UV辐射产生的能量。本发明用这两种形式的能量促进形成固体氧化物金属化层，因而提高了氧化物的形成速度Rox。结果，能明显的减少晶片302的铜CMP操作所消耗的总时间。
而且，生成的固体氧化物金属化层的去除速度与铜层的氧化物形成速度Rox直接相关。因此，氧化物的形成速度Rox越大，从铜层表面去除生成的固体氧化物金属化层的去除速度越快。也同样适合于随后的氧化物金属化层。更具体的说，用铜层上的氧化物形成速度来限制铜CMP操作的总去除速度，它本身与浆料218的活化速度直接相关。以下结合附图3C-1到3C-5描述有关氧化物形成速度与铜CMP系统的总去除速度之间的关系。
图3A-2是按本发明一个实施例的图3A-1所示的CMP系统200a的简单的局部剖视图，示出了采用单个灯进行浆料的活化。如图示的，本实施例中，单个灯220被配置成大致均匀地对浆料218进行IR或UV辐射，以活化浆料218。灯220的长度范围是
Figure A0182022300141
英寸到 英寸，且最好稍大于晶片尺寸。如上面所充分描述的活化浆料218’被配置成包含大量的活性氧化剂分子，更容易与晶片202的抛光活性铜层进行化学反应以生成氧化物层。
图3B-1是用强度不同的多个灯(例如，辐射强度也是可编程的)活化浆料的带形CMP系统200a’的简单的局部顶视图。如图示的，随着抛光垫208按移动方向216移动，浆料218引入抛光垫208上。侧边灯220a，中心灯220b和侧边灯220c基本设置在抛光垫208的上方，从而在大致相同的垂直线上彼此并排地设置。侧边灯220a，中心灯220b和侧边灯220c。一个实施例中，侧边灯220a，中心灯220b和侧边灯220c配置成具有不同的辐射强度，以产生有不同活化强度的对应的活化浆料。而且，在图3B-1的实施例中，浆料218达到晶片202与抛光垫208的抛光界面之前被迅速活化。浆料218达到晶片202与抛光垫208的抛光界面之前用UV活化时，浆料活化不会影响其他CMP处理消耗品或晶片表面的热性能。例如，抛光垫208的温度保持尽可能的低是有益的，本发明提高了浆料的活性而不增高抛光垫208的温度。
图3B-2是按本发明一个实施例的图3B-1所示CMP系统200a’的分解的局部剖视图，显示本发明有产生不同活化程度的浆料的能力。如图示的，用辐射强度为220a’的侧边灯220a活化向晶片202侧边部分下面移动的浆料218，从而产生活化的侧边浆料218a。辐射强度为220b’的中心灯22 0b活化向晶片202中心部分下面移动的浆料218，从而产生活化的中心浆料218b。用强度为220c’的侧边灯220c活化向晶片202侧边部分下面移动的浆料218，从而，产生活化的侧边浆料218c。该典型实施例中，灯的辐射强度220a’、220b’、220c’被配置成可编程地选择，辐射强度220b’大于220a’和220c’，辐射强度220c’大于220a’。
用多段光源结构的优点是它允许铜CMP系统便于在要抛光的晶片的不同部分上采用不同的去除速度，因此对于要抛光的层能获得不同的去除速度。如众所周知的，有时侯晶片表面的形状从晶片202的边缘到晶片202的中心不同。本发明实施例提供一种相对其他部分能选择地提高一部分的去除速度的能力(例如，晶片202中心部分的去除速度大于晶片202的边缘部分的去除速度)。尽管本实施例是用3个分开的灯，但是本行业的技术人员会发现，本发明也可以用任何数量的灯或多段光单元来话化浆料。
图3C-1到3C-5是按本发明一个实施例的有铜层的晶片部分上进行化学机械平整操作的不同阶段的分解的局部剖视图。图3C-1显示出有电介质部分202a和铜层202b的晶片202。图3C-2是晶片202的顶层部分202’的分解剖视图。尽管该图中显示出铜层202b中的几个虚线表示的层，但是，随着铜被抛光掉只在最顶层在任何一个点被活化。为此，活化浆料218’引到铜层202b上。为了便于显示，图3C-2所示的铜层202b用虚线分成多个铜深度：深度一202bd1，深度二202bd2，深度三202bd3，深度四202bd4和深度五202bd5。深度一202bd1是最接近晶片202表面的铜深度，深度五202bd5是最接近晶片202的电介质部分202a的铜深度。如图3C-2所示，通过与抛光垫的机械接触将活化浆料加到深度一202bd1的顶表面。
参见图3C-3所示的实施例，铜层的深度1 202bd1与活化浆料218’反应产生氧化铜浆料膜202c。如图所示，氧化铜浆料膜202c基本上覆盖晶片202的整个表面。这时，除去深度一202bd1而没有所述的与常规金属CMP相关的所述问题。即，铜的去除速度大致等于氧化物的去除速度，且小于可延展金属的去除速度。如图示的，在该阶段，图3C-3所示的铜层202b现在包括：深度二202bd2，深度三202bd3，深度四202bd4，和深度五202bd5。图3C-4显示出在活化浆料限定在铜层202b的深度3202bd3的表面上的时间点的晶片202。本实施例中，铜层202b的深度3 202bd3与活化浆料218’反应，从而在晶片202表面附近产生氧化铜浆料膜202c。如图所示，在该阶段，图3C-4显示的铜层202b只包括深度4 202bd4，和深度5 202bd5。因而深度一202bd1和深度二202bd2已经与活化浆料218’反应并用机械方法除去。最终在图3C-5显示的实施例中，已基本上去除了铜层202b，留下基本上被平整的平坦的晶片电介质202a。
如图示的，铜CMP系统的去除速度与晶片202表面上的氧化铜层的形成相关。图还显示出活化浆料218’可以在任何规定的时间与活性铜层202b的任何深度反应。这样，铜CMP系统的总质量与氧化物的形成速度相关。即，氧化铜层形成速度越快，从晶片202表面去除金属化层Mlayer的速度越快。
图4是按本发明的一个方案的可变的局部重叠的(即，小口径)CMP系统200b的示意图。图4所示的实施例包括：随着抛光头208’按抛光旋转方向216旋转和按移动方向216’从晶片202的中心移动到晶片202的边缘抛光晶片202的表面的抛光头208’。抛光头208’还按振动方向216”前后移动以产生振动移动。如图示的，本实施例中，支架206位置低于抛光头208’。支架206用保持环204与晶片202接合。如图所示，一个实施例中，保持环204与晶片202处于同一平面，同时，用抛光头208’抛光晶片202。本实施例中，晶片202的露出表面面向抛光头208’。在一个实施例中，万向接头222位于支架206下面并与支架206对准以在CMP处理中移动抛光头208’。万向接头222安装在按晶片旋转方向207旋转的延伸轴224上。延伸轴224在支架206上施加力F。
调节头210位于支架206的右边(或任一边)低于抛光头208，以调节抛光头208’。与抛光头208’相同，调节头210随抛光头208’按相同的旋转方向(即抛光旋转方向216)旋转。调节头210安装在调节轴226上。调节轴226用于将力F施加到调节头210上。位于容器219a中的浆料源218通过浆料输送单元219b引向调节头210的表面。灯220基本上位于调节头210的一部分上面，在浆料218被引向抛光头208’与晶片202的调节界面，并随后引向抛光头208’与晶片202的抛光界面时活化浆料218。另一实施例中，活化的浆料通过抛光头208’中形成的输料管(未示出)供给晶片表面。在一个实施例中，灯220可以是IR灯或UV灯。
尽管本实施例中浆料218是在引到调节头210上之后活化的，但是，在不同的实施例中，也可以在浆料218在容器219a中时活化浆料218的供料源。然后，当浆料218活化后，将活化浆料218’引到调节头210上，使活化浆料218’通过调节界面引到抛光界面。光被应用到引入调节头210的浆料218上而不加到抛光头208’上是有利的，最好使抛光头208’的温度保持尽可能的低。
上述的IR灯和UV灯通常用于活化浆料，但是，本行业的技术人员会发现也可以用其他类型光辐射系统活化CMP系统中的浆料。此外，根据用途可以可控制地调节灯的辐射强度以获得与Rdis相关的Rox的所需值。
尽管为了清楚的理解本发明而描述了本发明的某些细节，但是在后附的权利要求书界定的发明范围内还会有某些变化和修改。例如，所述的实施例中，最初是对晶片进行化学机械抛光；但是，应了解本发明的化学机械平整操作同样适合抛光任何类型的衬底。而且这里描述的实施特别是针对铜的化学机械抛光，但是，本发明的化学机械平整操作同样适合抛光任何类型的电介质或金属，例如，钨和其他金属或合金。因此，本发明的这些实施例应被理解为示例性的而不是限定性的，本发明不限于这里描述的细节，在不脱离权利要求书及其等效物界定的发明范围内可以有各种修改。

Claims (23)

1、一种化学机械平整(CMP)设备，包括：
抛光垫，其被构型成接收浆料化学品；
支架头，其被构型成保持具有金属表面层的晶片，支架头与抛光垫被构型成在用浆料化学品抛光金属表面层的过程中机械地界面接触；和
辐射单元，其被构型成应用到浆料输送位置之后和抛光垫进入晶片下面之前的一位置处的抛光垫上面，从而恰好在晶片的金属表面层与抛光垫机械地界面接触前将浆料化学品暴露于辐射。
2、如权利要求1所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，辐射单元是红外线(IR)灯和紫外线(UV)灯之一。
3、如权利要求1所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，抛光垫是带形垫，且浆料输送位置被限定在晶片设置位置的上游，辐射单元位于浆料输送位置与晶片设置位置之间。
4.如权利要求1所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，抛光垫是旋转的化学急需平整垫，且浆料输送位置被限定在晶片设置位置的上游，辐射单元位于浆料输送位置与晶片设置位置之间。
5.如权利要求3所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，辐射单元是多段单元，多段单元中的每一段被构型成在带形抛光垫上运送的浆料应用不同或相同的辐射水平。
6、如权利要求1所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，金属表面层是铜和钨之一。
7、一种化学机械平整(CMP)设备，包括：
抛光垫，其被设置成可旋转；
支架，其被设置成保持要被抛光的晶片；
设置在支架旁边的调节垫，抛光垫被构型成部分地处在支架上面与调节垫上面在两者之间移动并旋转，以逐渐完全离开支架并完全覆盖在调节垫上；
浆料输送单元，浆料输送单元被构型成在调节垫上施加浆料，从而当抛光垫旋转时在晶片与抛光垫之间施加浆料；和
辐射源，该辐射源被构型成将辐射应用到要在晶片与抛光垫之间施加的浆料上面。
8、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，辐射源被构型成活化所述浆料。
9、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，辐射源是红外线(IR)灯和紫外线(UV)灯之一。
10、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，当浆料被施加到晶片与抛光垫之间时，所述被应用的辐射被引向所述浆料。
11、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，晶片具有金属表面层，该金属表面层被构型成随着采用暴露于辐射的浆料进行的抛光被氧化的程度增大。
12、如权利要求11所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，金属表面层是铜和钨之一。
13、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，抛光垫被构型成按可编程的速度振动，该振动被构型成在抛光垫部分地位于支架上面与调节垫上面在两者之间移动时发生，并且正完全离开支架而完全覆盖在调节垫上。
14、如权利要求7所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，在浆料被通过浆料输送单元施加到调节垫上之前将被应用的辐射引到浆料上。
15、如权利要求10所述的化学机械平整(CMP)设备，其中，随着金属表面层的氧化程度的增加，金属表面层的氧化层的机械去除程度也增加。
16、一种增强化学机械平整(CMP)系统中晶片的晶片层去除的方法，该方法包括：
在浆料被施加到晶片层上之前，将辐射应用到适量的浆料上。
17、如权利要求16所述的方法，还包括：
设置抛光垫；
设置用于保持晶片的支架头；和
通过使抛光垫和支架头接触，在抛光垫、晶片层与被辐射过的浆料之间形成机械抛光界面。
18、如权利要求17所述的方法，其中，晶片层是金属表面层。
19、如权利要求18所述的方法，其中，通过使抛光垫和支架头接触在抛光垫、晶片层与浆料之间形成机械抛光界面，还包括：
将被辐射过的浆料施加到金属表面层上以形成顶表面层；和
通过使顶表面层与抛光垫接触而机械地去除顶表面层。
20、如权利要求19所述的方法，其中，将被辐射过的浆料施加到金属表面层上以形成顶表面层，还包括：
将具有金属键的金属表面层变成有分子键的顶表面层。
21、如权利要求19所述的方法，其中，将被辐射过的浆料施加到金属表面层上以形成顶表面层，还包括：
氧化金属表面层以形成氧化的金属表面层。
22、如权利要求19所述的方法，其中，将被辐射过的浆料施加到金属表面层上使得随着金属表面层的氧化程度的增加金属表面层的机械去除量也增加。
23、一种化学机械平整(CMP)设备，包括：
抛光垫，其被构型成接收浆料化学品；
支架头，其被构型成保持具有金属表面层的晶片，所述支架头和抛光垫被构型成在用浆料化学品抛光金属表面层的过程中机械地界面接触；和
辐射单元，其被构型成在浆料输送位置后面的一位置应用到抛光垫上面，从而恰好在晶片的金属表面层和抛光垫之间机械地界面接触前，使所述浆料化学品暴露于辐射。
CN018202233A 2000-10-06 2001-10-02 活化浆料化学机械平整系统及其实施方法 Expired - Fee Related CN1217767C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/684,765 2000-10-06
US09/684,765 US6503129B1 (en) 2000-10-06 2000-10-06 Activated slurry CMP system and methods for implementing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1479665A true CN1479665A (zh) 2004-03-03
CN1217767C CN1217767C (zh) 2005-09-07

Family

ID=24749468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN018202233A Expired - Fee Related CN1217767C (zh) 2000-10-06 2001-10-02 活化浆料化学机械平整系统及其实施方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6503129B1 (zh)
EP (1) EP1322450B1 (zh)
JP (1) JP4141832B2 (zh)
KR (1) KR100846638B1 (zh)
CN (1) CN1217767C (zh)
AU (1) AU2001296492A1 (zh)
DE (1) DE60121008T2 (zh)
TW (1) TWI271795B (zh)
WO (1) WO2002030618A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6503129B1 (en) * 2000-10-06 2003-01-07 Lam Research Corporation Activated slurry CMP system and methods for implementing the same
JP2005019669A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨パッド、研磨装置、及びウェハの研磨方法
US7086932B2 (en) * 2004-05-11 2006-08-08 Freudenberg Nonwovens Polishing pad
US8012355B2 (en) * 2004-01-30 2011-09-06 Pss Acquisitionco Llc Molecular separator
JP4258663B2 (ja) * 2005-04-15 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 塗布装置および成膜装置
JP5199691B2 (ja) 2008-02-13 2013-05-15 株式会社荏原製作所 研磨装置
US8778203B2 (en) * 2010-05-28 2014-07-15 Clarkson University Tunable polish rates by varying dissolved oxygen content
CN109243976B (zh) 2013-01-11 2023-05-23 应用材料公司 化学机械抛光设备及方法
US9962801B2 (en) * 2014-01-07 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Systems and methods for performing chemical mechanical planarization
US9987724B2 (en) * 2014-07-18 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with pad carrier and conditioning station
JP6586023B2 (ja) * 2015-06-29 2019-10-02 パナソニック株式会社 加工装置及び加工方法
EP4272241A1 (en) * 2021-02-16 2023-11-08 Araca Incorporated Chemical mechanical planarization slurry processing techniques and systems and methods for polishing substrate using the same
US11752592B2 (en) * 2021-07-16 2023-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry enhancement for polishing system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3311203B2 (ja) * 1995-06-13 2002-08-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法
US5811355A (en) 1996-10-31 1998-09-22 Aiwa Co., Ltd. Enhanced chemical-mechanical polishing (E-CMP) method of forming a planar surface on a thin film magnetic head to avoid pole recession
JP3672685B2 (ja) * 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 研磨方法及び研磨装置
US6328642B1 (en) 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
DE19737849A1 (de) * 1997-08-29 1999-03-11 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern
US5957750A (en) * 1997-12-18 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
US6121144A (en) * 1997-12-29 2000-09-19 Intel Corporation Low temperature chemical mechanical polishing of dielectric materials
JP3075352B2 (ja) * 1998-04-15 2000-08-14 日本電気株式会社 化学的機械研磨液の供給方法および装置
JP2000015557A (ja) 1998-04-27 2000-01-18 Ebara Corp 研磨装置
US6177026B1 (en) 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
TW374051B (en) 1998-08-28 1999-11-11 Worldwide Semiconductor Mfg A chemical mechanical polishing table
US6315635B1 (en) * 1999-03-31 2001-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method and apparatus for slurry temperature control in a polishing process
US6227939B1 (en) * 2000-01-25 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Temperature controlled chemical mechanical polishing method and apparatus
US6340326B1 (en) * 2000-01-28 2002-01-22 Lam Research Corporation System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
US6585572B1 (en) * 2000-08-22 2003-07-01 Lam Research Corporation Subaperture chemical mechanical polishing system
US6443815B1 (en) * 2000-09-22 2002-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing
US6503129B1 (en) * 2000-10-06 2003-01-07 Lam Research Corporation Activated slurry CMP system and methods for implementing the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002030618A1 (en) 2002-04-18
AU2001296492A1 (en) 2002-04-22
TWI271795B (en) 2007-01-21
EP1322450B1 (en) 2006-06-21
EP1322450A1 (en) 2003-07-02
US20030077988A1 (en) 2003-04-24
DE60121008T2 (de) 2007-07-05
US6866567B2 (en) 2005-03-15
KR20030034251A (ko) 2003-05-01
DE60121008D1 (de) 2006-08-03
JP2004511109A (ja) 2004-04-08
KR100846638B1 (ko) 2008-07-16
CN1217767C (zh) 2005-09-07
JP4141832B2 (ja) 2008-08-27
US6503129B1 (en) 2003-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1217767C (zh) 活化浆料化学机械平整系统及其实施方法
CN1320610C (zh) 含固体催化剂的化学机械抛光的抛光垫
EP1090082B1 (en) Cmp slurry containing a solid catalyst
US6630433B2 (en) Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
CN1260786C (zh) 形成硅化钴的方法和装置组
US7052373B1 (en) Systems and slurries for chemical mechanical polishing
CN101069272A (zh) 蚀刻方法和蚀刻设备
US20060118760A1 (en) Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing
CN1884618A (zh) 蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法
CN1735671A (zh) 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物
EP0946979A1 (en) Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
CN1281795C (zh) 用激光显影掩模层对金属基体选择性镀覆方法及设备
CN101030531A (zh) 用于控制衬底腐蚀的方法
CN1215199C (zh) 用于钌的化学机械抛光的溶液
TW200910384A (en) Conductive ink and conductor
TW582066B (en) Slurry for chemical mechanical polishing of metal layer and method for CMP using thereof
CN1203529C (zh) 化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法
CN1170909C (zh) 金属布线的化学机械平面化
CN113964031A (zh) 光催化辅助的钨化学机械抛光组合物及抛光方法
US20020068456A1 (en) Method and system to provide material removal and planarization employing a reactive pad
JP2024072232A (ja) 材料表面処理装置、材料表面処理方法および炭化ケイ素材料表面処理方法
CN1959939A (zh) 蚀刻方法及开口的形成方法
TW202343652A (zh) 支撐組件、支撐組件的製造方法及顯示裝置
US20200032105A1 (en) Materials and Methods for Chemical Mechanical Polishing of Ruthenium-Containing Materials
JP2000124175A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: APPLIED MATERIAL CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: LAMB RESEARCH CO., LTD.

Effective date: 20090605

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090605

Address after: American California

Patentee after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Patentee before: Lam Research Corp.

C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: American California

Patentee after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Patentee before: Applied Materials Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050907

Termination date: 20141002

EXPY Termination of patent right or utility model