CN1464303A - 高聚物微流控芯片的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明是涉及一种高聚物微流控芯片的制造方法，特别涉及金属模版印制高聚物微流控芯片的制备方法，具体而言是适合微量下的以各种尺寸DNA断片为首的核酸，氨基酸，蛋白质，有机污染物等有机分子，金属离子，无机阴离子等分离用的微流控芯片的制造方法。在金属板上涂上光刻胶，通过曝光，显影，刻蚀的步骤得到金属负板，用于高聚物微流控芯片的制备。本发明与文献中报道的高聚物芯片制作方法相比，具有负板材料价格低廉，制作方法简单，重现性好，材质坚硬，使用寿命长等优点，能够降低生产成本，易于批量生产。

Description

高聚物微流控芯片的制备方法

                    技术领域

本发明是涉及一种高聚物微流控芯片的制造方法，特别涉及金属模版印制高聚物微流控芯片的制备方法，具体而言是适合微量下的以各种尺寸DNA断片为首的核酸，氨基酸，蛋白质，有机污染物等有机分子，金属离子，无机阴离子等分离用的微流控芯片的制造方法。

                    背景技术

科学技术的发展要求分析科学用更低的能耗，更简便的方法，更快速地提供待测物质的信息。最具有代表性的研究是利用半导体微加工技术的微全分析系统。即在玻璃或石英片上采用光刻蚀技术制作出宽约20-200微米，深约10-50微米的微通道。在这些通道上集成了化学反应，细胞培养，分离检测等实验操作过程的“实验室芯片”，它是继DNA芯片之后作为下一代芯片最受世界的关注。目前应用于分离分析的微流控芯片的报道很多，基本上都是用玻璃芯片或石英芯片。这些材料具有光学透明性强，坚固等优点，但质脆易碎，而且通道芯片和盖片的键合需要在600度左右的高温，通道腐蚀过程中要用强腐蚀性酸，制作成本高，重现性差，难于进行大规模生产。高分子芯片的开发具有以下利点：高分子良好的柔韧性、延展性、良好的绝缘性，适合各种槽形的芯片，制作工艺简单，材料价格低廉，材料改性容易，便于集成其他器件，适合于批量生产与自动化操作，能够降低成本，特别适用于一次性芯片的使用。

目前报道的高聚物芯片的制作有如下几种方法：(1)DEEMO(Deep Etching，Electroplating，Molding)技术：先用硅

 或玻璃芯片的制作方法制成一块负板或者在旋涂了光刻胶

 的硅片上，通过电镀法制成一个镍的母板，再利用此母板制

 出子板，最后再利用该子板作模子，用注塑的方法制出许多

 高聚物芯片来。(J.Elders，H.V.Jansen，M.Elwenspoek，

 W.Ehrfeld，DEEMO：a new technology for the fabrication of

 microstructures，Proc.MEMS 95，Amsterdam 1995，238-244.

 McCormick R.M.，Neison R.J，Goretty Alonso-Amigo M，

 Benvegnu D.J.Hooper H.H.Microchannel electrophoretic

 separations of DNA in injection-molded plastic substrates.

Anal.Chem..，1997，69，2626-2630.US 20020056639A1)结果显示各次分离之间的相对标准偏差小于1％，不同芯片之间的测定误差为2-3％。(2)金属丝印模的方法(hot wire impriting method)制作聚合物芯片。(Locascio，L.E，Perso，C.E.Cheng，S.L.J.Chromatogr.，A，1999，857，275-284.Martynova，L，Locascio L.E.，Gaitan，M.，Kramer，G.W.，Christensen，R.G.，MacCrehan，W.A.，Fabrication of plastic microfluid channels by imprintingmethods，Anal.Chem..，1997，69，4783-4789.)将长约20厘米，直径为13-25微米的Ni-Cr合金丝的两端固定在一金属弓上，使之绷紧，放在1.6毫米PMMA片上，上下加上载波片，然后用两个铝块将载波片完全盖上，夹紧铝块，放入炉中，在105度加热10分钟，冷却后取出。但是结果表明该方法的偏差较大，理论值与实际值的最大偏差为42％，原因是粘合时热涨使槽口发生了变形。(3)用硅负片印压的方法制作高聚物芯片。(Martynova，L，Locascio L.E.，Gaitan，M.，Kramer，G.W.，Christensen，R.G.，MacCrehan，W.A.，Fabrication of plastic microfluid channelsby imprinting methods，Anal.Chem.，1997，69，4783-4789.)将硅负片置于两个光滑的铝片之间，在硅片和上铝片之间放入PMMA片，然后同样夹紧，加热到135度，5分钟。冷却取出。此方法作成的芯片表面宽度的实际值和理论值之间的相对误差为13％，深度相对误差为2％。而且硅玻片容易碎。(4)激光烧蚀法制聚合物芯片是将高强度的激光从掩膜上射向如PMMA，聚乙烯，聚碳酸脂等高聚物，瞬间将高聚物片的特定位置烧蚀，形成所需的形状。该方法制成的槽垂直，规则，误差小，有电渗流并且电渗流与所加场强成线形关系。(Roberts M A，Rossier J S，Bercier P，Girault H.UV lasermachined polymaer substrates for the development ofmicrodiagnostic system，Anal.Chem.，1997，69，2035-2042.)此方法需要特殊的仪器，制作成本高。(5)日本理化学研究所申请的专利--特开2000-039420“树脂芯片”中提出了一次性高分子芯片的制备方法，是在玻璃或硅片上涂上负性光刻胶SU-8得到20微米厚的薄膜，然后将掩膜转移到光刻胶上在紫外光照射下曝光，然后在显影液中显影而得到负板，再将硅橡胶PDMS的预聚合体浇注到负板上聚合得到微芯片。此方法制作一个芯片是很简单，但是负板上的光刻胶容易脱落，不适合批量生产，而且此方法制备芯片需要消耗大量光刻胶，会提高制作成本。

本专利申请的发明人曾试图在硅负片上直接在线聚合PMMA，但是在聚合后冷却取下PMMA时，由于受力不均，很容易将硅负片弄碎，操作麻烦。

                    发明内容

本发明的目的是提出一种高聚物微流控芯片的简单低成本的制备方法，以微细加工技术为基础，在金属板上涂上光刻胶，通过曝光，显影，刻蚀的步骤得到金属负板，用于高聚物微流控芯片的制备。

本发明提出的高聚物微流控芯片的制备方法，包括盖片及基片的制作，所述的方法为：

(1)盖片上的通孔制作(如图1所示)：

(a)在金属板或玻璃板上的特定位置上放置适当尺寸(Φ＝1-3mm)的表面抛光的金属柱，如不锈钢柱，通过在线聚合、注塑或热压模法制成带有液池的高聚物盖片，待用。

或

(b)对制备好的高聚物盖片进行机械打孔或激光打孔，待用。

(2)微通道凸形模板即金属负板的制作(如图2-(a-e)所示)：

在洁净光亮的金属板上涂上光刻胶，预烘1-30分钟，将具有微通道网络图案的掩膜板放在光刻胶上后，在紫外光照射下曝光，然后在显影液中显影，在金属板上形成微通道图案；在腐蚀液中腐蚀，形成凸形的微通道网络后，去除覆盖在网络上的光刻胶，用水冲洗干净，得到金属负板，烘干备用。

(3)高聚物微流控芯片基片的制作方法：

A.在线浇注法(如图2-f所示)：

向新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体中，加入引发剂，加入量为高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体重量的0.01-0.5％，同时根据需要可加入适当添加剂，如增塑剂或/和脱模剂等，其中增塑剂的加入量为新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体的2wt％～10wt％，脱模剂的加入量为新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体的1wt％～2wt％；在75℃～90℃中预聚合到一定粘度(70～100Pa.s)后，迅速降温至5℃～25℃之间，在0.06～0.09Mpa压强下真空脱气半小时左右，浇注到步骤(2)的金属负板上，在30℃～60℃下密封进行低温聚合10～24小时，然后缓慢升温到90℃～130℃进行高温处理1～3小时，缓慢冷却到40℃下脱模，得到高聚物微流控芯片基片。

或

B 热压印法：

将市售的高聚物板水平放置在步骤(2)的金属负板上，在金属负板和高聚物板的外侧分别用较厚的平整光滑的金属板夹住，如铝板或镜面不锈钢板等，组成一个系统，放入压力机中加压，保持压力在15Mpa以上，然后将系统放入加热炉中加热，控制温度稍高于高聚物的玻璃化温度，停留5～10分钟后，停止加热，随炉温冷却到60℃以下后启模取出成型高聚物，制得高聚物微流控芯片基片。

或

C 注塑法：

将市售的高聚物干燥脱水后放入注射成型机的机筒中，升高机筒温度至高聚物的熔融温度，使高聚物呈熔融状态，然后以一定注射压力和注射速度，将高聚物加压注射到闭合的步骤(2)的金属负板上，此时金属负板保持适当温度在40℃～100℃，保持温度和压力一段时间(几秒钟)后，自然冷却到室温后取出成型高聚物片，为了消除注塑成型的高聚物片内较大的内应力，在鼓风电热干燥箱中将高聚物片进行加热处理，温度为60℃～85℃几小时后，缓慢冷却到室温，便制得高聚物微流控芯片基片。

(4)高聚物微流控芯片(如图2-g所示)：

将步骤(1)的盖片和步骤(3)的基片在软点附近键合5分钟，得到高聚物微流控芯片。

所述的高聚物微流控芯片基片的厚度为1-3mm。

通过本体聚合的高聚物都适合采取在线浇注法制作高聚物微流控芯片，典型高聚物种类有聚丙烯酸低碳酯如聚二甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、有机硅树脂如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚苯乙烯(PS)树脂、聚乙烯类树脂如聚氯乙烯(PVC)或异丁烷聚乙烯(TPS)、酚醛树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯、碱催化的聚己内酰胺或它们之间的任意共聚物，如甲基丙烯酸甲酯与聚苯乙烯的共聚物(MAS)，甲基丙烯酸甲酯与苯乙烯共聚物(SAN)等。

所述的引发剂一般采用过氧化合物、偶氮类化合物或它们互相混合组成的复合引发剂，如过氧化苯甲酰、过氧化十二酰、过氧化苯甲酸酯、过氧化二碳酸二异丙酯、偶氮二异丁腈或偶氮二异庚腈等。

所述的在线浇注法的增塑剂有邻苯二甲酸酯类如邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丙酯或邻苯二甲酸二丁酯等；也可采用烷基磺酸苯酯、多元醇酯类或聚酯类与邻苯二甲酸酯类并用。

为了改善脱模效果，可加入一些脱模剂如硅油、硬脂酸、石蜡、甘油或凡士林等。

所述适合浇注成型的热塑性高聚物树脂都适合热压法，另外聚碳酸酯类树脂如二烯丙基二甘醇碳酸酯(CR-39)或纤维素塑料也适合热压法，纤维素塑料如醋酸纤维素或硝酸纤维素。

所述的热塑性高聚物树脂及其共聚物如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚苯乙烯等都适合注塑法。

金属板包括钛金板、不锈钢板、镜面板或镀有铜、镍、锌或铬等薄膜的金属板材。

光刻胶可以是正性胶如北京化学试剂研究所的BP-213、苏州瑞红公司生产的RZJ-390或负性胶如北京佳隆泰科技发展有限公司的JL-SR1000、Microchem.Corp(Newton，MA)的SU-8等。

曝光前后的预烘和后烘的时间和温度根据光刻胶的性质而不同。显影剂可以使用光刻胶配套的显影剂或根据光刻胶的性质使用0.1-0.5wt％NaOH或NaCO₃溶液，在15-50℃显影5-30分钟。腐蚀液用酸性氧化剂，如过硫酸铵、过硫酸钠、三氯化硼、三氯化铁、氯气的酸性水溶液或它们的任意混合物等，为了改善腐蚀效果，增加腐蚀表面的光洁度，可适当加入某些季氨盐缓蚀剂如重量比为0.1～1.0％的十六烷基三甲基溴化铵等。

本发明与文献中报道的高聚物芯片制作方法相比，具有负板材料价格低廉，制作方法简单，重现性好，材质坚硬，使用寿命长等优点，能够降低生产成本，易于批量生产。

                    附图说明

图1.高聚物盖片的正面图；

图2.金属负板的制作和高聚物微流控芯片的制作过程。

1.盖片  2.样品池1  3.样品池2  4.缓冲液1  5.缓冲液2

                  具体实施方式

实施例1：

(1)盖片的制作：将直径为2mm，高度为2mm的不锈钢柱放置于光洁玻璃的特定位置上，将PMMA单体及过氧化苯甲酰(重量比为1000∶5)的混合物经过预聚合、脱气后，转移到该玻璃上，将空气排除干净并密封，经过24小时的低温聚合(45℃)及两小时的高温聚合(90℃)后，在40℃取出剥离模板。(2)金属负板制作：钛金板用水冲洗干净，放在洗剂中一天，去除表面油污，用蒸馏水冲洗干净，烘干。在钛金板上甩胶(BP-213)并预烘，预烘时间为5分钟，温度为90度。将带有微通道网络的掩膜板放在光刻胶上，紫外光曝光1分钟，然后使用0.5wt％的NaOH溶液在15℃中显影10分钟，去除钛金板上微通道网络以外的光刻胶，在120度下热烘1小时。用三氯化铁酸性腐蚀液室温刻蚀钛金板30分钟，腐蚀液中三氯化铁含量为35wt％；从而形成带有凸形微通道图形的钛金负板，微通道的深度为20微米，宽度为90微米。

(3)含有微通道高聚物PMMA基片的制作：将步骤(2)的钛金负板所产生的凸纹的大小对应于微芯片分离通道的尺寸，PMMA单体及过氧化苯甲酰以重量比为1000∶5混合，在80℃中预聚合到粘度为80Pa.s后，迅速降温至25℃，在0.06Mpa压强下真空脱气半小时左右，浇注到步骤(2)的钛金负板上，在45℃下密封进行低温聚合24小时，然后缓慢升温到90℃进行高温处理2小时，缓慢冷却到40℃下脱模，得到高聚物微流控芯片基片。

(4)将盖片与基片合拢，并在120度加热10分钟，使其键合。得到PMMA芯片长5厘米，宽5厘米，厚4毫米，分离通道长为3厘米，通道宽度90微米，通道深度为20微米的PMMA芯片。

实施例2：

(1)金属负板制作：不锈钢板用水冲洗干净，放在洗剂中一天，去除表面油污，用蒸馏水冲洗干净，烘干。在不锈钢板上甩胶(RZJ-390)并预烘，预烘时间为1.5分钟，温度为100度。将带有微通道网络图案的掩膜板放在光刻胶上，紫外光曝光20秒钟，然后将金属板放入0.4wt％的NaOH溶液中，25℃显影5分钟，去除不锈钢板上微通道网络以外的光刻胶，在130度下热烘半小时。用三氯化铁酸性腐蚀液在50℃刻蚀不锈钢板10分钟，腐蚀液中三氯化铁含量为25wt％，腐蚀液中含有0.2wt％的季氨盐缓蚀剂。从而形成带有凸形微通道图形的不锈钢负板。微通道的深度约为20微米，宽度为100微米。

(2)含有微通道高聚物PMMA基片的制作：将步骤(1)的不锈钢负板所产生的凸纹的大小对应于微芯片分离通道的尺寸，PMMA单体及偶氮二异丁腈以重量比为1000∶0.6混合，在75℃中预聚合到粘度为70Pa.s后，迅速降温至20℃，在0.09Mpa压强下真空脱气半小时左右，浇注到步骤(1)的不锈钢负板上，在45℃下密封进行低温聚合15小时，然后缓慢升温到90℃进行高温处理2小时，缓慢冷却到40℃下脱模，得到高聚物微流控芯片基片。

(3)盖片的制作：将直径为2mm，高度为2mm的不锈钢柱放置于光洁的不锈钢板的特定位置上，将PMMA单体和偶氮二异丁腈重量比为1000∶0.6比例混合，混合物经过预聚合、脱气后，转移到该不锈钢板上，将空气排除干净并密封，经过15小时的低温聚合(45℃)及两小时的高温聚合(90℃)后，在40℃取出剥离模板。

(4)将步骤(3)的盖片与步骤(1)的基片合拢，并在120度加热10分钟，使其键合。得到PMMA芯片通道宽度100微米，通道深度为20微米的PMMA芯片。实施例3：

(1)金属负板制作：不锈钢板用水冲洗干净，放在洗剂中一天，去除表面油污，用蒸馏水冲洗干净，烘干。在不锈钢板上采取筛网印刷技术涂胶JL-SR1000并预烘，预烘时间为30分钟，温度为80度。将带有微通道网络图案的掩膜板放在光刻胶上，紫外光曝光20秒钟，然后将金属板放入0.2wt％的Na₂CO₃溶液中，25℃显影5分钟，去除不锈钢板上微通道网络以外的光刻胶，在120度下热烘15分钟。用三氯化铁酸性腐蚀液在50℃刻蚀不锈钢板10分钟，腐蚀液中三氯化铁含量为25wt％，腐蚀液中含有0.2wt％的季氨盐缓蚀剂。从而形成带有凸形微通道图形的不锈钢负板。微通道的深度约为20微米，宽度为100微米。

(2)含有微通道高聚物聚碳酸酯基片的制作：用步骤(1)方法制作的金属负板，采用热印压模法制作聚碳酸酯微流控基片。具体条件是在金属负板和聚碳酸酯板的外侧分别用5毫米厚的平整光滑的镜面不锈钢板夹住，放入压力机中加压，保持压力在15Mpa以上，然后将系统放入加热炉中加热，在150度停留10分钟后，停止加热，随炉温冷却到60℃以下后启模取出成型高聚物，制得聚碳酸酯微流控芯片基片。

(3)盖片的制作：购得厚度为2毫米的聚碳酸酯片，在特定位置上钻孔作为芯片的液槽，孔径为2毫米。

(4)基片与盖片热键合：聚碳酸酯基片与盖片用去离子水超声清洗后，将基片和盖片合拢，在130度下热键合10分钟，得到微通道宽度100微米，通道深度为20微米的聚碳酸酯芯片。

实施例4：

(1)金属负板的制作：用例2方法制作金属负板。

(2)制作PDMS微通道基片：在金属负板特定位置上固定不锈钢柱，柱高2毫米，直径2毫米，将PDMS的单体与它的固化剂(Sylgard 184，Dow Cowing公司)以10∶1(w/w)均匀混合后浇注在金属负板上，在65度下聚合4小时，冷却至室温后脱模得PDMS微通道基片，基片上相应位置形成了储液槽。

(3)PDMS基片与盖片的粘合：PDMS基片与购得的PDMS盖片合拢后，利用PDMS的粘性，两边用玻璃片夹紧后不需加热直接粘合约5分钟，得到PDMS微流控芯片，通道宽度为100微米，通道深度为20微米。实施例5：

将悬浮聚合到的PMMA珠粒干燥脱水后放入注射成型机的机筒中，保持机筒温度200℃，注射压力100Mpa，使处于熔融状态的PMMA在10s内注射到闭合的不锈钢负板上(不锈钢负板采用实施例2的)，此时不锈钢负板的温度保持在60℃，保持温度和压力约5秒后，自然冷却到室温后取出成型高聚物片，为了消除注塑成型的PMMA片内较大的内应力，在鼓风电热干燥箱中将PMMA片加热到80℃处理4小时后，缓慢冷却到室温，便制得PMMA微流控芯片基片。盖片采用实施例2的，将基片和盖片合拢并在105℃下热键合8分钟，得到PMMA微流控芯片。

实施例6

(1)金属负板制作：用例2方法制作不锈钢负板。

(2)含有微通道高聚物PMMA基片的制作：将步骤(1)的不锈钢负板所产生的凸纹的大小对应于微芯片分离通道的尺寸，PMMA单体和偶氮二异丁腈及脱模剂硬脂酸以重量比为1000∶0.6∶6混合，在75℃中预聚合到粘度为70Pa.s后，迅速降温至20℃，在0.09Mpa压强下真空脱气半小时左右，浇注到步骤(1)的不锈钢负板上，在45℃下密封进行低温聚合15小时，然后缓慢升温到90℃进行高温处理2小时，缓慢冷却到40℃下脱模，得到高聚物微流控芯片基片。

(3)盖片的制作：将直径为2mm，高度为2mm的不锈钢柱放置于光洁的不锈钢板的特定位置上，将PMMA单体、偶氮二异丁腈、脱模剂硬脂酸和增塑剂邻苯二甲酸二丁酯以重量比为1000∶0.6∶6∶40的比例混合，混合物经过预聚合、脱气后，转移到该不锈钢板上，将空气排除干净并密封，经过15小时的低温聚合(45℃)及两小时的高温聚合(90℃)后，在40℃取出剥离模板。

(4)将盖片与基片合拢，并在115度加热10分钟，使其键合。得到PMMA芯片，通道宽度为90微米，通道深度为20微米。

Claims (13)

1.一种高聚物微流控芯片的制备方法，包括盖片及基片的制作，其特征是：所述的方法为：

(1)盖片上的通孔制作：

(a)在金属板或玻璃板上的特定位置上放置表面抛光的金属柱，直径为1-3mm，通过在线聚合、注塑或热压模法制成带有液池的高聚物盖片，待用；

或

(b)对制备好的高聚物盖片进行机械打孔或激光打孔，待用；

(2)微通道凸形模板即金属负板的制作：

在金属板上涂上光刻胶，预烘1-30分钟，将带有微通道网络图案的掩膜板放在光刻胶上后，在紫外光照射下曝光，然后在显影液中显影，在金属板上形成微通道图案；在腐蚀液中腐蚀，形成凸形微通道后，去除覆盖在微通道上的光刻胶，用水冲洗干净，得到金属负板，烘干备用；

(3)高聚物微流控芯片基片的制作方法：

A.在线浇注法：

向新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体中，加入引发剂，加入量为高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体重量的0.01-0.5％，抽真空为0.04～0.1MPa，在75℃～90℃中预聚合到粘度为70～100Pa.s后，迅速降温至5℃～25℃之间，在0.06～0.09Mpa压强下真空脱气，浇注到步骤(2)的金属负板上，在30℃～60℃下密封进行低温聚合，然后缓慢升温到90℃～130℃进行高温处理，缓慢冷却脱模，得到高聚物微流控芯片基片；

或

B 热压印法：

将高聚物板水平放置在步骤(2)的金属负板上，在金属负板和高聚物板的外侧分别用较厚的平整光滑的金属板夹住，组成一个系统，加压，保持压力在15Mpa以上，然后对系统加热，控制温度稍高于高聚物的玻璃化温度，停留5～10分钟后，停止加热，冷却后启模取出成型高聚物，制得高聚物微流控芯片基片；

或

C 注塑法：

将高聚物干燥脱水后放入注射成型机的机筒中，升高机筒温度至高聚物的熔融温度，使高聚物呈熔融状态，然后加压将高聚物注射到闭合的步骤(2)的金属负板上，此时金属负板保持温度在40℃～100℃，几秒钟后，自然冷却到室温后取出成型高聚物片，对高聚物片进行加热处理，温度为60℃～85℃，缓慢冷却到室温，便制得高聚物微流控芯片基片；

(4)高聚物微流控芯片：

将步骤(1)的盖片和步骤(3)的基片在软点附近键合，得到高聚物微流控芯片；

所述的高聚物微流控芯片基片的厚度为1-3mm。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述的在线浇注法中进一步含有增塑剂或/和脱模剂，其中增塑剂的加入量为新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体的2wt％～10wt％，脱模剂的加入量为新蒸馏的高聚物单体、初步聚合或缩聚的预聚体的1wt％～2wt％。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述的密封进行低温聚合的时间为10～48小时，高温处理时间为1～3小时。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是：

所述的在线浇注法的高聚物是聚丙烯酸低碳酯、有机硅树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯类树脂、酚醛树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯、碱催化的聚己内酰胺或它们之间的任意共聚物；

所述的热压法的高聚物树脂是聚丙烯酸低碳酯、有机硅树脂、聚苯乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、酚醛树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯、碱催化的聚己内酰胺或它们之间的任意共聚物；或聚碳酸酯类树脂，或纤维素塑料；

所述的注塑法的高聚物树脂及其共聚物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚苯乙烯。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述的引发剂是过氧化合物、偶氮类化合物或它们互相混合组成的复合引发剂。

6.如权利要求5所述的方法，其特征是：所述的过氧化合物是过氧化苯甲酰、过氧化十二酰、过氧化苯甲酸酯或过氧化二碳酸二异丙酯；偶氮类化合物是偶氮二异丁腈或偶氮二异庚腈。

7.如权利要求2所述的方法，其特征是：所述的增塑剂是邻苯二甲酸酯类、烷基磺酸苯酯、多元醇酯类或聚酯类与邻苯二甲酸酯类并用。

8.如权利要求7所述的方法，其特征是：所述的邻苯二甲酸酯类是邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丙酯或邻苯二甲酸二丁酯。

9.如权利要求2所述的方法，其特征是：所述的脱模剂是硅油、硬脂酸、石蜡、甘油或凡士林。

10.如权利要求5所述的方法，其特征是：所述的聚碳酸酯类树脂是二烯丙基二甘醇碳酸酯；纤维素塑料是醋酸纤维素或硝酸纤维素。

11.如权利要求10所述的方法，其特征是：所述的金属板包括钛金板、不锈钢板、镜面板或镀有铜、镍、锌或铬薄膜的金属板材。

12.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述的光刻胶是BP-213、RZJ-390、JL-SR1000或SU-8。

13.如权利要求1所述的方法，其特征是：所述的腐蚀液是过硫酸铵、过硫酸钠、三氯化硼、三氯化铁、氯气的酸性水溶液或它们的任意混合物。

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