CN1462175A - 分立元件阵列 - Google Patents
分立元件阵列 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1462175A CN1462175A CN03142922.XA CN03142922A CN1462175A CN 1462175 A CN1462175 A CN 1462175A CN 03142922 A CN03142922 A CN 03142922A CN 1462175 A CN1462175 A CN 1462175A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- array
- spacer ribs
- discrete
- sidewalls
- mills
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 89
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000011469 building brick Substances 0.000 claims 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 abstract 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 abstract 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 48
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000004242 micellar liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
一种用于集成无源元件的阵列外壳或者阵列框架容纳结构,以隔离和保护分立无源元件,并提供一模块结构,以便于将其安装在一衬底上。该容纳结构的实施例包括一底部、间隔肋和可选侧壁。间隔肋可以是连接的或者是相对的间隔肋部分,以有效隔离相邻的元件端子。可将支座部件合并在所公开技术中的选定实施例中,以有助于器件的安装,并便于粘附后的清洗和可视性端子接触。根据本发明主题所述的分立无源元件可包括电阻、电容、电感和其他合适器件的选定组合。
Description
本申请要求申请日为2002年4月12日、指定的USSN号为60/372,193、名称为“分立元件阵列”的美国临时专利的在先申请的优先权,为了达到各种目的,而将该在先申请在本文中作参照引用。
技术领域
本发明的主题总体涉及分立电子元件阵列,以及多层电容、电阻、电感和/或其他无源元件的集成度得到改进的结构。所公开的技术内容特别涉及诸如封装外壳和阵列框架的容纳结构(receiving structures),这些结构有助于把多个无源元件组合在单个模块中,以便将其安装在一衬底上。
背景技术
许多现代化的电子器件提供一字型组合或结构阵列的多个元件。在单个实施例中提供多个元件便于采用各种方式使用这种多元件器件。例如,为了达到各种目的,可使用这种电容阵列中的每一独立元件,以在不同的电路位置提供电容量,甚至可提供不同的电容值。替代地,可并联连接电容阵列中的多个电容,并以组合的方式使用,从而提供一种电容值增加的单个容性元件。美国专利No.4,831,494(Arnold等人)中公开了一种多层电容,如一种可用于这种电容阵列中的电容。美国专利No.6,243,605(Youker)、No.5,936,840(Satwinder)以及No.4,365,284(Tanaka)中公开了在一统一标准结构中的多个电子元件组合的实例。
当在单个实施例中提供多个元件时,通常需要组合不同类型的元件。现有的集成无源元件把诸如电阻、电容、和/或电感的元件组合合并在单个电子器件中。这种多样化的组合方式提供可采用这种单个器件的电路应用类型的多样性。在美国专利No.6,058,004(Duva等人)、以及No.5,495,387(Mandai)中可找出实例性集成无源元件的组合。
我们知道有多种方法可在单个电子器件中方便地把多个元件组合起来。这些方法中的某些方法集中在独特的端子结构或者组合元件间的电连接。美国专利No.6,172,878(Takabayashi)、No.5,367,437(Anderson)、No.4,672,511(Meusel等人)以及Re.31,929(Donaher等人)中提供了一些具有特殊电连接部件的多元件模块的实例。其他电子元件阵列采用诸如焊接或者安装框架的机械部件,以便于在单个实施例中对元件进行组合。具有特殊机械结构的电子元件的实例包括美国专利No.6,154,372(Kalivas等人)、No.6,097,611(Samaras等人)、No.6,091,145(Clayton)、No.6,081,416(Trinh)以及No.5,307,240(Mcmahon)。在美国专利No.6,040,622(Wallace)以及No.3,280,378(Byady等人)中公开了具有特殊阵列结构的电子元件的其它实例。
有关电子元件技术的其它背景参考资料包括美国专利No.5,786,987(Barbier等人)、No.5,754,405(Derouiche)以及No.5,670,824(Weinberg)。
为了各种目的的需要,所有上述美国专利的公开内容都在此作参照引用到本申请中。
发明内容
本发明的主题涉及认识并解决有关电子元件技术特定方面的各种缺陷和其它限制。因此,广义地说,本发明所公开技术的主要目的是提高无源电子元件的集成度。更具体地说,所公开的技术涉及用于容纳多个分立无源元件并将其组合在单个模块中的机械结构,以便于将该模块安装在一衬底上。
本发明所公开技术的另一主要目的是提供一种分立元件阵列,可实现将具有大致类似尺寸的多个无源元件设置在线性或者阵列结构中。然后,采用比单独安装这些元件相对更小的印迹(footprint)将这种多元件结构优选地安装在一印刷电路板或者其他衬底上。
本发明主题的另一目的是提供一种与分立元件阵列相适应的封装外壳模块,该模块选择性地提供支座部件以有助于该器件的安装。这种支座部件可提供其它的优点,包括改进端子的故障检修性能,并易于清洗粘附后的元件。
本发明主题的又一目的是提供一种容纳各种范围的元件功能的分立元件阵列。本技术的不同实施例可将不同的电容、电阻、和/或电感元件的各种组合合并在单个模块外壳中。
本发明所公开技术的又一目的是提供一种根据分立元件阵列而使用的机械隔离结构,以改善对分立元件的机械保护。这种隔离结构的特殊方面优选地还有助于降低在元件阵列中的分立元件之间的不期望的端子桥接(termination bridging)的可能性。
本发明所公开技术的又一目的是提供与各种电子连接件、端子部件以及安装结构兼容的分立元件阵列。这种部件的实例可包括导电端子跳线、球栅阵列(BGA)焊接附件和导电粘结焊盘。
公开技术方面的又一目的是提供与各种电子应用情况兼容的分立元件阵列,这些应用包括可移植医疗设备、助听器、武器系统以及其它设备。
下面将列出本发明的其他目的和优点,或者说,本领域的普通技术人员可从本文的详细说明中对此有清楚地理解。而且,本领域的普通技术人员可进一步理解,通过参照本发明,在不超出其精神实质和保护范围的情况下,可使用所公开的技术以及在各种实施例中对具体描述、参考和讨论的特征进行修改和改变。这种改变可包括,但并不局限于,等同替换图示、参照或者讨论的器件、部件或材料,以及颠倒各部分、部件等的功能、操作或者位置。
进一步地,可以理解,本发明的不同优选实施例以及不同的实施例可包括现有公开的部件或者元件的各种组合或者结构,或者其等同物(包括附图中未特别显示或者详细说明中未提及的部件或者结构的组合)。本发明主题的第一实例性实施例涉及一阵列外壳,用于容纳多个分立无源元件并用于提供无源元件的机械保护和这些无源元件之间的隔离。
更具体地说,这种实例性阵列外壳可包括一通常为矩形的底部(baseportion)、多个侧壁(side walls)以及多个间隔肋(spacer ribs)。侧壁优选地在与底部大致垂直的方向上从底部的周边延伸,构成一开口箱体结构。然后,间隔肋优选地沿选定侧壁的内部从选定的位置延伸。通过连接选定侧壁的内部和与该选定侧壁相对的侧壁的内部,间隔肋可跨过阵列外壳(array shell)的整个长度或宽度。替代地,相对的间隔肋(opposing spacer ribs)可从相对的侧壁位置延伸,没有在中部连接,且没有跨过阵列外壳的整个长度或宽度。每一连接的间隔肋或者相对的一对间隔肋优选地大致平行于主题阵列外壳的的两个选定侧壁,并不依赖于实际的间隔肋结构。在根据本技术所述的阵列外壳实施例中,每一侧壁和间隔肋的高度可随着所需电子元件的应用情况或者给定实施例的其它变化方面而改变。
更具体的实例性阵列外壳实施例,包括如上所述的选定部件(features),可包括具体数量的间隔肋,依赖于安装在外壳内的无源元件的数量。例如,在用于容纳两个分立无源元件的阵列外壳实施例的构成中,优选地具有至少一个连接的间隔肋(connected spacer rib)或者一对相对的间隔肋(opposingspacer ribs)。在用于容纳5个分立无源元件的线性阵列外壳实施例中,优选地具有至少4个连接的间隔肋或者4对相对的间隔肋。在诸如5×2元件阵列的非线性阵列结构中,典型地包括根据本发明主题所述的附加的间隔肋。
可把其它的部件或者替换结构合并在如上所述的实例性阵列外壳实施例中。例如,可在选定侧壁或者间隔肋的位置提供支座延伸件,以增加阵列外壳的选定侧壁或者间隔肋部分的高度。这种根据本技术所述的支座部件便于将元件安装在衬底上,或者便于粘附之后的清洗。
本发明主题的另一实例性实施例涉及一种用于容纳分立无源元件和提供分立无源元件之间的隔离的阵列框架结构。这种阵列框架(array frame)优选地包括一底部和多个结合在一起以构成一栅格状分隔结构的间隔肋。可根据线性或者非线性元件阵列配置该分隔框架的结构。在该结构中的每一间隔肋的高度可随所需的应用情况而改变,可根据选定的间隔肋增加支座元件,以进一步便于将元件安装在一衬底上。
本公开技术的另一实例性实施例涉及一种分立电容阵列,其包括一机械容纳结构(mechanical receiving structure)和多个分立电容元件。该机械容纳结构可与阵列外壳或者阵列框架结构相对应,并为该电容阵列的每一分立电容提供分开的容纳区域。每一容纳结构中的底部、侧壁和间隔肋的选定组合提供电容之间的隔离和电容的结构保护。这种实例性电容中的分立电容可以是多层陶瓷电容(MLCs)、钽电容或者其他电容。阵列中的每一电容的特征是相同的电容值,或者替代地,其特征是不同的电容值。
本发明所公开技术的叉一实例性实施例涉及一种无源电子器件,该器件包括一机械容纳结构、多个分立无源元件、多个环氧树脂粘接层以及多个粘附部件。该容纳结构优选地包括一底部和多个间隔肋,该容纳结构提供一容纳框架,用于隔离无源电子器件内部的分立无源元件。侧壁也可被加入一些实例性容纳结构的实施例中。环氧树脂粘接层优选地被用于牢固地将分立无源元件设置在容纳结构内部的位置上。分立无源元件可包括电容、电阻、电感或者其他无源元件的任意选定组合,通常根据可能的电子应用情况选取元件的特定组合。每一无源元件优选地被定位在容纳结构内部,使端子位置暴露在电子元件的至少一个选定侧。然后,优选地将金属化部件提供在每一无源元件的每一端子位置,以在该电子元件内部连接一个端子位置和另一端子位置,或者便于将电子元件安装在一印刷电路板的焊接焊盘或跟踪位置。
本发明主题所述的其它实施例,没有必要在这个概述部分被说明,可包括和合并上述概述目标中参照的部件或者部分的方面的各种组合,和/或在这种应用中被另外讨论的部件或者部分。
纵览说明书的其余部分,本领域的普通技术人员会更好地理解这些实施例和其他实施例的特征和方面。
附图说明
对于某位本领域的普通技术人员来说,本发明的主题所述的全部和实现性的描述,包括其最佳模式,被记载在参照附图的说明书中。在附图中:
图1A是一总体侧视图和少许底部透视图,显示根据本发明主题所述的、具有阵列外壳和连接侧肋的一实例性分立元件阵列实施例;
图1B是一总体侧视图和少许顶部透视图,显示根据本发明主题所述的、具有阵列外壳和实例性安装部件的一实例性分立元件阵列实施例,处于相对于实例性衬底的暴露位置;
图2A是一总体侧视图和少许底部透视图,显示根据本发明主题所述的、具有阵列框架和连接侧肋的一实例性分立元件阵列实施例;
图2B是一总体侧视图和少许底部透视图,显示根据本发明主题所述的、具有阵列框架和相对侧肋的一实例性分立元件阵列实施例;
图3A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性2×1分立电容阵列实施例;
图3B是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的底视图;
图3C是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图3D是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图3E是图3A~3D的实例性2×1分立元件阵列实施例沿图3B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图4A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性3×1分立电容阵列实施例;
图4B是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的底视图;
图4C是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图4D是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图4E是图4A~4D的实例性3×1分立元件阵列实施例沿图4B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图5A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性4×1分立电容阵列实施例;
图5B是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的底视图;
图5C是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图5D是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图5E是图5A~5D的实例性4×1分立元件阵列实施例沿图5B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图6A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性5×1分立电容阵列实施例;
图6B是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的底视图;
图6C是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图6D是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图6E是图6A~6D的实例性5×1分立元件阵列实施例沿图6B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图7A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性7×1分立电容阵列实施例;
图7B是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的底视图;
图7C是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图7D是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图7E是图7A~7D的实例性7×1分立元件阵列实施例沿图7B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图8A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性8×1分立电容阵列实施例;
图8B是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的底视图;
图8C是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图8D是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图8E是图8A~8D的实例性8×1分立元件阵列实施例沿图8B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
图9A是一总体底部和少许侧面透视的等距示意图,显示根据所公开的技术所述的一实例性5×2分立电容阵列实施例;
图9B是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的底视图;
图9C是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的第一侧视图;
图9D是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的第二侧视图;
图9E是图9A~9D的实例性5×2分立元件阵列实施例沿图9B中的平面剖开线A-A的侧剖视图;
试图重复利用贯穿本发明的说明书和附图中的参考标记来显示本发明的相同或者相似的部件或者元件。
具体实施方式
正如本发明的综述部分所指出的,本发明的主题涉及提高无源电子元件的集成度。更具体地,所公开的技术涉及诸如阵列框架和阵列外壳的封装机构,用于容纳多个分立无源元件并将这些元件组合在一单一的模块中,以便于将其安装到一衬底上。
下面参照附图讨论本发明的主题所述的实例性实施例,并把最初的焦点集中在常见的不同类型的机械绝缘结构或者容纳结构。有两种具体类型的容纳结构涉及阵列外壳(array shells)和阵列框架(array frames)。图1A和1B显示具有阵列外壳结构的实例性分立元件阵列,而图1B显示用于把这种元件阵列安装在衬底上的实例性粘附部件。图2A和2B显示具有阵列框架结构的实例性分立元件阵列。然后,参照图3A~9E,这些附图分别显示许多更具体的本发明主题所述的实施例。这些实施例涉及具有阵列外壳隔离结构的分立元件阵列,阵列外壳隔离结构被设计用于容纳具体选定数量的分立元件。
需要指出的是,这里所述的每一实例性实施例并不是对所公开的技术进行限制。被显示或描述为一个实施例的部分的部件可被组合在另一实施例中,以产生又一实施例。另外,特定的部件可以与未被提及的、完成同样的或者类似功能的相似器件或者部件进行互换。而且,某些实施例可能包括未被显示或讨论的分立元件的选定结构和数量。
现在,参照附图,图1A和1B显示具有一阵列外壳容纳结构12的实例性分立元件阵列10。图1A是结构12的实例性分立元件阵列10。图1A是一总体侧视图和少许底部透视图,图1B一总体侧视图和少许顶部透视图,显示同一分立元件阵列10。可以理解,为了方便起见,本文采用主题分立元件阵列的特定的顶部、底部和侧面部分的参考说明及其示意图,但并不是暗示对该器件或者任何衬底以及其它相关联的元件的可能方位进行限制。总之,本文称作底侧13的元件侧面指通常被安装在印刷电路板或者其它衬底上的元件侧面。
这种阵列外壳12通常提供一机械结构,用于容纳多个单片无源元件14,并提供该些元件和它们各自的端子22之间的隔离。这种阵列外壳12包括一底部16、多个侧壁18以及多个间隔肋20。典型端子材料的实例包括银、锡、镍、金、和/或从上述材料中选取的材料组合。另外,可以理解,所公开的技术很容易地适于与被电子工业协会(EIA)认可的、任何类型的端子或者材料结合起来。用于阵列外壳12的合适材料的一般实例包括具有高热阻特性的塑料或者陶瓷。合适材料的具体实例是XYDAR牌的聚合物,例如AmocoPolymers公司出售的XYDAR FC110。
图1A所示阵列外壳实施例被构造成底部16大致呈矩形的形状。大致呈矩形的底部很容易容纳线性阵列(堆栈)元件和非线性阵列元件。根据本发明的主题所述的线性阵列是一m×n的分立元件阵列,其中m或n等于1。根据本发明的主题所述的非线性阵列是一m×n的元件阵列,其中m和n均大于1。尽管本文所公开的分立元件阵列是指通常为矩形的元件阵列,但是应该认识到,所公开的技术可很容易地被应用于不是矩形结构的容纳结构和相应的元件阵列实施例。具有任意大小和形状的底部可被设计为具有延长的侧壁和间隔肋,以提供与本文所公开的实例性实例相同的优点。
进一步参照图1A和1B所示的实例性分立元件阵列10,侧壁18以与底部16基本垂直的方式从底部16的周边延伸。对于矩形底部16,优选地包括四个侧壁18。间隔肋20大致从侧壁18的内部位置延伸,构成用于容纳元件14的内部隔离栅格结构。总体来说,m×n元件阵列具有沿(m-1)+(n-1)个不同平面的间隔肋,以改善分立元件之间的隔离性。例如,在图1A所示的3×2阵列中,在(3-1)+(2-1)=3个不同平面上的间隔肋提供分立元件之间的隔离。在分立元件阵列10中,每一间隔肋20大致平行于通常呈矩形的阵列外壳12的两个侧壁18。
对于给定的阵列外壳12的特定设计方案,优选地利用环氧树脂层或者其它合适的粘结材料将分立无源元件14安装在各自的容纳位置中,并牢固地粘附在阵列外壳12的内部。优选地将无源元件14设置在阵列外壳12内,从而可在与底部16相对的一侧接触端子位置,为了方便起见,现在就把这一侧称作底侧13。
许多分立无源元件的特征是有两个相对的端子,如图1A所示的无源元件。图1B示出了如何将元件阵列10安装在印刷电路板或者衬底24上的实例。多个导电焊盘26被设置在衬底24上,并与分立元件阵列10的端子22的位置相匹配。然后,可将器件10与衬底24上的匹配焊盘26适当地对齐,再烧结该器件以固化元件,并建立想要的电连接。与利用导电粘结剂或者环氧树脂焊盘的元件粘附相一致,优选地,端子22是镀金或者其他适当材料的端子。
根据所公开的技术,可使用附加的粘附部件,以便于所需的安装技术,例如球栅阵列(BGA)结构。在这种情况下,焊锡料可被设置在阵列10的选定端子位置22,然后将其准确定位和烧结,使焊锡料再流动,实现与分立元件14的所需的电连接。与采用再流焊技术的元件粘附相对应,端子22优选地包括银、锡、镍或者其它合金的电镀端子。
由于阵列外壳12的存在,特别是提供了间隔肋20,当将元件阵列安装到焊盘24上时,可在元件之间进行隔离。在保持分立元件之间隔离位置的帮助下,降低了分立元件14之间的不期望的端子桥接的可能性。当根据主题阵列实施例应用导电粘结剂时,阵列外壳12也有助于防止由于粘结剂污点而产生的桥接。同时,如果与单独安装每一个分立元件14相比,可利用相对较小的印迹将器件10安装在衬底24上。
与元件阵列10的元件14的电连接有关的另一种选择是在阵列10内部的选定分立元件之间进行连接。例如,可以在元件阵列10中的选定元件14的端子上设置导电分流条(shunt bars)或者跳线(在这些图中未显示),使该器件可以组合起来被使用。因此,在给定的应用方式中,每一无源元件14可作为一独立元件或者以与阵列10中的其它元件的选定组合的方式被使用。
可以理解,当不超出所公开技术的精神实质和保护范围时,根据本发明的主题所使用的分立无源元件可提供其它的端子部件和连接结构。在主题元件阵列中,还可使用许多不同类型的无源元件。例如,无源元件14可以是电容、电感、电阻、其它无源元件以及它们的组合。
例如,无源元件14可全部是多层陶瓷电容,构成一种分立电容阵列结构。每一元件的特征还可以是具有相同或者不同的元件值。例如,具有不同数量的有源层(active layer)或者不同介质成分的多个多层陶瓷电容(MLCS)可提供多个大小类似但电容值不同的MLCs,每一种都可以实现本发明的主题。根据本技术的特定实施例所述电容值的实例包括大约1nF至大约10nF的范围。对于特定的应用情况,其它特定值也可能是优选的。总之,每一分立无源元件优选地具有大致相同的被电子工业协会(EIA)认可的标准尺寸。这样便于形成具有相同标准元件间距的元件阵列。
有许多用于隔离阵列10中的分立元件14的容纳结构的可选实施例。图1A和1B所示的实例性实施例12包括大具有致相同高度的侧壁和间隔肋。在其它实例性实施例中,侧壁18的高度比内部间隔肋20的高度小。可在不同程度上应用这种缩短该结构12的侧壁18的选择。有可能彻底降低侧壁18的高度,以形成如图2A所示的阵列框架容纳结构28。这种阵列框架28一般包括一底部30和间隔肋32。间隔肋32以大致垂直的方式从底部30延伸,以提供一用于多个分立无源元件34的隔离栅格和容纳结构。同样,每一分立无源元件34都可以从多种不同的电容、电感、和/或电阻元件中选取。
在设计根据本发明主题的容纳结构时,另一种选择是在特定情况下的间隔肋32不需要跨过元件阵列36的整个长度或者宽度。可去除图2A所示的间隔肋32的部分,该处的分立无源元件34的端子35不存在。当去除连接间隔肋32的部分时,产生如图2B所示的相对间隔肋部分38的结构。由于图2B所示的元件阵列40是一种非线性阵列,而且由于特殊的端子结构,因此间隔肋42优选地沿该器件的整个宽度延伸。尽管可采用不同组合的连接间隔肋42和相对间隔肋38,提供间隔肋的一个重要设计目标是有助于隔离分立元件之间的端子35。
可根据特定的设计偏好和电子应用情况,采用阵列外壳容纳结构或阵列框架容纳结构。阵列外壳提供更好的阵列中的分立元件的机械保护和封装。在把部件安装在电路板上时,这一方面成为特别的优点。但是,通过提供对分立元件及其端子和安装部件的可视性接触,阵列框架便于端子的故障检修。这样,在具有阵列框架容纳结构和缩短侧壁的阵列外壳实施例中,能更好地实现每一种本技术的端子安装和故障检修。
可被合并入本技术实施例的另一种选择是,在容纳结构的选定侧壁或者间隔肋位置加入的一种支座部件。在图3A~9E所示的实例性实施例中分别示出了这种支座部件,其提供本发明的主题的附加优点。支座一般有助于安装分立元件阵列,并可使无源元件不靠近电路板。这种支座还减少了元件间端子桥接的可能性。通过延伸元件阵列至电路板之上,支座还有助于元件粘附之后的清洗工艺。可采用合适的溶剂更容易地清洗无源元件,并确保该器件具有更加可靠的性能。
在本技术的具体实施例中提供的支座部件还具有另一优点,即附加地把元件阵列牢固在电路板上。通过在电路板上设置与元件阵列的支座相匹配的凹槽,可将该电子器件锁定在电路板上的位置中。结果,可使无源元件与安装元件阵列的衬底平齐。
现在可以理解,可根据所公开的技术实施本发明的多个不同的实施例。主题分立元件阵列中的许多的不同点是不同的容纳结构配置。例如,可以应用阵列外壳或者阵列框架结构,也可以应用具有缩短侧壁的阵列外壳实施例。可提供不同类型的间隔肋,例如连接间隔肋、相对间隔肋、或者它们的组合。还可以应用根据本发明的主题的又一改进部件,例如支座和特定安装部件。
下面,分别参照图3A~9E,讨论本发明的主题所述的更具体的实例性实施例的例子。在这些附图中公开的每一实例性容纳结构均被设计为可容纳0402标准大小的元件(千分之40英寸×千分之20英寸)。通过适当地调整相对于元件大小的公开尺寸(disclosed dimensions),还可设计出容纳具有不同标准元件大小的无源元件的容纳结构。
还可把容纳结构设计成可容纳不同的线性和非线性结构。例如,尽管具体的公开尺寸涉及2×1阵列、3×1阵列、4×1阵列、5×1阵列、7×1阵列、8×1阵列、以及5×2阵列,可很容易地改变公开尺寸,以容纳任意具体阵列。其他阵列的实例可包括:6×1阵列、9×1阵列、10×1阵列、2×2阵列、3×2阵列、4×2阵列、6×2阵列、7×2阵列、8×2阵列、9×2阵列、10×2阵列、3×3阵列、9×3阵列、10×3阵列等等。
还可以理解,可很容易地改进公开的阵列外壳的方面,以合并上述公开的其它部件。例如,可把某些相对间隔肋替换成连接间隔肋,反之亦然。而且,根据阵列外壳与阵列框架实施例,以及具有介于上述两者之间的侧壁高度的实施例,可调整选定侧壁的高度。
图3A显示具有阵列外壳容纳结构46的实例性2×1分立电容阵列44。阵列外壳46包括一底部48、一第一对较长的相对侧壁50、一第二对较短的相对侧壁52a和52b、以及相对间隔肋部分54。侧壁52a和52b一般比侧壁50高,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁52b的一部分可被切除,以有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图3B是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例的尺寸。相对间隔肋部分54之间的距离56优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分54的厚度58优选地大约为10密尔。距离60优选地大约为25密尔,而距离62优选地大约为60密尔。
图3C是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁52a和52b的实例性尺寸。侧壁52a和52b的长度64优选地大约为65密尔,而高度66优选地大约为40密尔。侧壁52b除了其具有一被去除的额外凹槽部分68之外,其余部分与侧壁52a相同,尺寸70大约为10密尔,尺寸72大约为20密尔,而尺寸74大约为25密尔。
图3D是图3A所示的实例性2×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁50的实例性尺寸。部分76优选地大约为10密尔,部分78优选地大约为10密尔,而部分80优选地大约为80密尔。阵列外壳44的这个部分的每一拐角82优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图3E是图3A~3D的实例性2×1分立元件阵列实施例沿图3B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离84优选地大约为45密尔,距离86优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分88优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图4A显示具有阵列外壳容纳结构92的实例性3×1分立电容阵列90。阵列外壳92包括一底部94、一第一对较长的相对侧壁96、一第二对较短的相对侧壁98a和98b,以及相对间隔肋部分100。侧壁98a和98b一般高于侧壁96,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁98b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图4B是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分100之间的距离102优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分100的厚度104大约为10密尔。距离106优选地大约为25密尔,而距离108优选地大约为95密尔。
图4C是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁98a和98b的实例性尺寸。侧壁98a和98b的长度108优选地大约为65密尔,而高度110优选地大约为40密尔。侧壁98b除了具有一被去除的额外凹槽部分112之外,其余的部分优选地与侧壁98a相同,尺寸114大约为10密尔,尺寸116大约为20密尔,而尺寸18大约为25密尔。
图4D是图4A所示的实例性3×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁96的实例性尺寸。部分120优选地大约为10密尔,部分122优选地大约为10密尔,而部分124优选地大约为115密尔。阵列外壳92的这个部分的每一拐角126优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图4E是图4A~4D的实例性3×1分立元件阵列实施例沿图4B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离128优选地大约为45密尔,距离130优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分132优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图5A显示具有阵列外壳容纳结构136的实例性4×1分立电容阵列134。阵列外壳136包括一底部138、一第一对较长的相对侧壁140、一第二对较短的相对侧壁142a和142b,以及相对间隔肋部分144。侧壁142a和142b一般高于侧壁140,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁142b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图5B是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分144之间的距离146优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分144的厚度148大约为10密尔。距离150优选地大约为25密尔,而距离152优选地大约为130密尔。
图5C是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁142a和142b的实例性尺寸。侧壁142a和142b的长度154优选地大约为65密尔,而高度156优选地大约为40密尔。侧壁42b除了具有一被去除的额外凹槽部分158之外,其余的部分优选地与侧壁142a相同,尺寸160大约为10密尔,尺寸162大约为20密尔,而尺寸164大约为25密尔。
图5D是图5A所示的实例性4×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁140的实例性尺寸。部分166优选地大约为10密尔,部分168优选地大约为10密尔,而部分170优选地大约为150密尔。阵列外壳136的这个部分的每一拐角172优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图5E是图5A~5D的实例性4×1分立元件阵列实施例沿图5B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离174优选地大约为45密尔,距离176优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分178优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图6A显示具有阵列外壳容纳结构182的实例性5×1分立电容阵列180。阵列外壳182包括一底部184、一第一对较长的相对侧壁186、一第二对较短的相对侧壁188a和188b,以及相对间隔肋部分190。侧壁188a和188b一般高于侧壁186,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁188b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图6B是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分190之间的距离192优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分190的厚度194优选地大约为10密尔。距离196优选地大约为25密尔,而距离198优选地大约为165密尔。
图6C是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁188a和188b的实例性尺寸。侧壁188a和188b的长度200优选地大约为65密尔,而高度202优选地大约为40密尔。侧壁188b除了具有一被去除的额外凹槽部分204之外,其余部分优选地与侧壁188a相同,尺寸206大约为10密尔,尺寸208大约为20密尔,而尺寸210大约为25密尔。
图6D是图6A所示的实例性5×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁186的实例性尺寸。部分212优选地大约为10密尔,部分214优选地大约为10密尔,而部分216优选地大约为185密尔。阵列外壳182的这个部分的每一拐角218优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图6E是图6A~6D的实例性5×1分立元件阵列实施例沿图6B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离220优选地大约为45密尔,距离222优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分224优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图7A显示具有阵列外壳容纳结构228的实例性7×1分立电容阵列226。阵列外壳228包括一底部230、一第一对较长的相对侧壁232、一第二对较短的相对侧壁234a和234b,以及相对间隔肋部分236。侧壁234a和234b一般高于侧壁232,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁234b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图7B是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分236之间的距离238优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分236的厚度240优选地大约为10密尔。距离242优选地大约为25密尔,而距离244优选地大约为235密尔。
图7C是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁234a和234b的实例性尺寸。侧壁234a和234b的长度246优选地大约为65密尔,而高度248优选地大约为40密尔。侧壁234b除了具有一被去除的额外凹槽部分250之外,其余部分优选地与侧壁234a相同,尺寸252大约为10密尔,尺寸254大约为20密尔,而尺寸256大约为25密尔。
图7D是图7A所示的实例性7×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁232的实例性尺寸。部分258优选地大约为10密尔,部分260优选地大约为10密尔,而部分262优选地大约为255密尔。阵列外壳228的这个部分的每一拐角264优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图7E是图7A~7D的实例性7×1分立元件阵列实施例沿图7B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离266优选地大约为45密尔,距离268优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分270优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图8A显示具有阵列外壳容纳结构274的实例性8×1分立电容阵列272。阵列外壳274包括一底部276、一第一对较长的相对侧壁278、一第二对较短的相对侧壁280a和280b,以及相对间隔肋部分282。侧壁280a和280b一般高于侧壁278,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁280b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图8B是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分282之间的距离284优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。间隔肋部分282的厚度286优选地大约为10密尔。距离288优选地大约为25密尔,而距离290优选地大约为270密尔。
图8C是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁280a和280b的实例性尺寸。侧壁280a和280b的长度292优选地大约为65密尔,而高度294优选地大约为40密尔。侧壁280b除了具有一被去除的额外凹槽部分296之外,其余部分优选地与侧壁280a相同,尺寸298大约为10密尔,尺寸300大约为20密尔,而尺寸302大约为25密尔。
图8D是图8A所示的实例性8×1分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁278的实例性尺寸。部分304优选地大约为10密尔,部分306优选地大约为10密尔,而部分308优选地大约为290密尔。阵列外壳272的这个部分的每一拐角310优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图8E是图8A~8D的实例性8×1分立元件阵列实施例沿图8B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离312优选地大约为45密尔,距离314优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分316优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
图9A显示具有阵列外壳容纳结构320的实例性5×2分立电容阵列318。阵列外壳320包括一底部322、一第一对较长的相对侧壁324、一第二对较短的相对侧壁326a和326b、连接间隔肋328以及相对间隔肋部分330。侧壁326a和326b一般高于侧壁324,以便于选取上述支座部件的优点。所示的侧壁326b的一部分可被切除,以进一步有助于器件的清洗和连接的故障检修。
图9B是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的底视图,特别参考了实例性尺寸。相对间隔肋部分330之间的距离332优选地大约为25密尔(千分之一英寸)。连接间隔肋部分328的厚度334优选地大约为10密尔,间隔肋部分330的厚度336优选地大约为10密尔。距离338优选地大约为25密尔,而距离340优选地大约为165密尔。
图9C是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的第一侧视图,参考了较短侧壁326a和326b的实例性尺寸。侧壁326a和326b的长度342优选地大约为120密尔,而高度344优选地大约为40密尔。侧壁326b除了具有一被去除的额外凹槽部分346之外,其余部分优选地与侧壁326a相同,尺寸348大约为10密尔,尺寸350大约为47密尔,而尺寸352大约为25密尔。
图9D是图9A所示的实例性5×2分立元件阵列实施例的第二侧视图,参考了较长侧壁324的实例性尺寸。部分354优选地大约为10密尔,部分356优选地大约为10密尔,而部分358优选地大约为185密尔。阵列外壳320的这个部分的每一拐角360优选地是圆的,其圆角半径大约为10密尔。
图9E是图9A~9D的实例性5×2分立元件阵列实施例沿图9B中的平面剖开线A-A的侧剖视图。距离362优选地大约为45密尔,距离364优选地大约为30密尔,而圆形的间隔肋部分366优选地具有大约为10密尔的圆角半径。
尽管参照其具体的实施例详细说明了本发明的主题,但是可以认识到,本领域的技术人员一旦理解了上述内容,就可以很容易地在应用本技术时,对这些实施例进行更改、变化或者进行等同替换。因此,利用实例的方式公开了本发明的保护范围,而不是对其进行限制,对于本领域的普通技术人员,可以很容易地理解所公开的主题并不排除包括这些修改、变化和/或增加的内容。
Claims (31)
1.一种阵列外壳,用于容纳多个分立电子元件,并提供对这些电子元件的机械保护和这些电子元件之间的隔离,所述阵列外壳包括:
一基本上为平面的底部;
多个侧壁,该侧壁在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部的周边延伸,所述多个侧壁的特征分别在于其内部和外部表面;以及
多个间隔肋,该间隔肋沿所述多个侧壁的选定的各内部表面从选定的位置延伸。
2.如权利要求1所述的阵列外壳,其中所述底部是大致的矩形结构。
3.如权利要求2所述的阵列外壳,其中所述多个侧壁完全环绕所述底部的周边延伸,其与所述底部结合在一起构成一开口箱式结构。
4.如权利要求2所述的阵列外壳,其中每一所述间隔肋大致平行于该阵列外壳的两个侧壁。
5.如权利要求1所述的阵列外壳,其中通过连接选定侧壁的内表面和与所述选定侧壁相对的侧壁的内表面,而使选定的所述间隔肋跨过所述阵列外壳的整个尺寸。
6.如权利要求1所述的阵列外壳,其中所述多个侧壁和所述多个间隔肋被设置为彼此相关,以定义用于容纳各多个电子元件的多个分离容纳位置。
7.如权利要求1所述的阵列外壳,还包括沿所述多个侧壁和所述多个间隔肋被设置在选定位置的多个支座延伸件。
8.一种阵列框架,用于容纳分立电子元件和提供分立电子元件之间的隔离,所述阵列框架包括:
一底部;
多个间隔肋,该间隔肋在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部延伸,所述多个间隔肋被定位以构成一栅格状的结构;
其中,所述底部和所述多个间隔肋被设置为彼此相关,以定义用于容纳各多个电子元件的多个分离容纳位置。
9.如权利要求8所述的阵列框架,其中所述底部是大致的矩形结构。
10.如权利要求9所述的阵列框架,其中选定的所述间隔肋跨过所述大致为矩形的底部的整个长度或宽度尺寸。
11.如权利要求8所述的阵列框架,还包括沿所述多个间隔肋被设置在选定位置的多个支座延伸件。
12.一种分立电容阵列,包括:
一机械容纳结构,包括:
一底部;
多个间隔肋,该间隔肋在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部
延伸;
其中,所述底部和所述多个间隔肋被设置为彼此相关,以定义多个
分离容纳位置;以及,
多个分立电容,其被设置在由所述机械容纳结构所定义的选定的分离容纳位置内;从而所述机械容纳结构提供所述多个分立电容之间的隔离,并提供多个分立电容的结构保护。
13.如权利要求12所述的分立电容阵列,还包括被分别设置在所述多个分立电容和所述机械容纳结构之间的多个环氧树脂粘接层,以将所述分立电容固定就位。
14.如权利要求12所述的分立电容阵列,其中所述多个分立电容中的每一分立电容可以是一多层陶瓷电容,或一电解电容。
15.如权利要求12所述的分立电容阵列,其中所述底部是大致的矩形结构。
16.如权利要求15所述的分立电容阵列,其中选定的所述间隔肋跨过所述大致为矩形的底部的整个长度或宽度尺寸。
17.如权利要求12所述的分立电容阵列,其中所述机械容纳结构还包括多个侧壁,该侧壁在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部的周边延伸,所述多个侧壁的特征分别在于其内部和外部表面,而且其中所述多个间隔肋沿所述多个侧壁的选定的各内表面从选定的位置延伸。
18.如权利要求17所述的分立电容阵列,其中所述多个侧壁完全环绕所述底部的周边延伸,其与所述底部结合在一起构成一开口容器型结构。
19.如权利要求17所述的分立电容阵列,其中所述底部是大致的矩形结构,而且其中每一所述间隔肋大致平行于所述机械容纳结构的两个侧壁。
20.如权利要求17所述的分立电容阵列,还包括沿所述多个侧壁和所述多个间隔肋被设置在选定位置的多个支座延伸件。
21.如权利要求12所述的分立电容阵列,其中所述多个分立电容中的每一电容被设置在所述机械容纳结构的内部,使至少一个端子位置暴露出来,其中所述分立电容阵列还包括多个粘附部件,用于将选定的暴露端子部件粘附到一安装位置。
22.一种电子组件,包括:
一机械容纳结构,包括:
一底部;和
多个间隔肋,该间隔肋在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部
延伸;
其中,所述底部和所述多个间隔肋被设置为彼此相关,以定义多个
分离容纳位置;以及,
多个分立无源元件,其被设置在由所述机械容纳结构定义的选定的分离容纳位置内;从而使所述机械容纳结构提供多个分立无源元件之间的隔离,并提供多个分立电容的结构保护。
23.如权利要求22所述的电子组件,还包括分别被设置在所述多个分立无源元件和所述机械容纳结构之间的多个环氧树脂粘接层,以将所述分立无源元件固定就位。
24.如权利要求22所述的电子组件,其中所述多个分立无源元件中的每一分立无源元件是从电容、电阻和电感构成的组中选取的。
25.如权利要求22所述的电子组件,其中所述底部是大致的矩形结构。
26.如权利要求25所述的电子组件,其中选定的所述间隔肋跨过所述大致为矩形的底部的整个长度或者宽度尺寸。
27.如权利要求22所述的电子组件,其中所述机械容纳结构还包括多个侧壁,该侧壁在与所述底部大致垂直的方向上从所述底部的周边延伸,所述多个侧壁的特征分别在于其内部和外部表面,而且其中所述多个间隔肋沿所述多个侧壁的选定的各内表面从选定的位置延伸。
28.如权利要求27所述的电子组件,其中所述多个侧壁完全环绕所述底部的周边延伸,其与所述底部结合在一起构成一开口容器型结构。
29.如权利要求27所述的电子组件,其中所述底部是大致的矩形结构,而且其中每一所述间隔肋大致平行于所述机械容纳结构的两个侧壁。
30.如权利要求27所述的电子组件,还包括沿所述多个侧壁和所述多个间隔肋被设置在选定位置的多个支座延伸件。
31.如权利要求22所述的电子组件,其中所述多个分立无源元件中的每一无源元件被设置在所述机械容纳结构的内部,使至少一个端子位置暴露出来,其中所述电子组件还包括多个粘附部件,用于将选定的暴露端子部件粘附到一安装位置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37219302P | 2002-04-12 | 2002-04-12 | |
US60/372,193 | 2002-04-12 | ||
US10/409,024 | 2003-04-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1462175A true CN1462175A (zh) | 2003-12-17 |
Family
ID=29780505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN03142922.XA Pending CN1462175A (zh) | 2002-04-12 | 2003-04-12 | 分立元件阵列 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7057878B2 (zh) |
JP (1) | JP2004040083A (zh) |
CN (1) | CN1462175A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102548213A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-04 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器在电路板上的安装结构、方法及封装单元 |
US10204737B2 (en) | 2014-06-11 | 2019-02-12 | Avx Corporation | Low noise capacitors |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253349A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ及びその製造方法 |
US20070096345A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-03 | Vishay Vitramon Inc. | Frame packaged array electronic component |
US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
US8496499B2 (en) * | 2006-04-05 | 2013-07-30 | Pulse Electronics, Inc. | Modular electronic header assembly and methods of manufacture |
US7280343B1 (en) | 2006-10-31 | 2007-10-09 | Avx Corporation | Low profile electrolytic capacitor assembly |
US7545623B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-06-09 | Kemet Electronics Corporation | Interposer decoupling array having reduced electrical shorts |
US8125766B2 (en) | 2008-06-13 | 2012-02-28 | Kemet Electronics Corporation | Concentrated capacitor assembly |
US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
JP5770539B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-08-26 | Tdk株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP2013080773A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Tdk Corp | 複合電子部品及び複合電子部品の実装構造 |
US8934215B2 (en) * | 2012-07-20 | 2015-01-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Laminated chip electronic component, board for mounting the same, and packing unit thereof |
US10319529B2 (en) | 2013-02-14 | 2019-06-11 | Kemet Electronics Corporation | One-sided capacitor foils and methods of making one-sided capacitor foils |
US10102977B2 (en) * | 2014-06-10 | 2018-10-16 | Smart Hybrid Systems Incorporated | High energy density capacitor with micrometer structures and nanometer components |
KR102139759B1 (ko) | 2015-01-20 | 2020-07-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
KR102483617B1 (ko) | 2017-12-21 | 2023-01-02 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
KR20200064551A (ko) | 2018-11-29 | 2020-06-08 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
US11594379B2 (en) * | 2020-11-16 | 2023-02-28 | Tdk Corporation | Electronic device |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3280378A (en) * | 1964-07-01 | 1966-10-18 | Cts Corp | Means for anchoring and connecting lead wires in an electrical component |
JPS592364B2 (ja) * | 1979-04-27 | 1984-01-18 | 富士通株式会社 | 集合抵抗モジユ−ル |
USRE31929E (en) * | 1980-07-18 | 1985-06-25 | Thomas & Betts Corporation | Electronic package and accessory component assembly |
IN164043B (zh) * | 1984-05-21 | 1988-12-31 | Siemens Ag | |
US4831494A (en) * | 1988-06-27 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Multilayer capacitor |
US4853827A (en) * | 1988-08-01 | 1989-08-01 | Rogers Corporation | High dielectric multilayer capacitor |
US5495387A (en) * | 1991-08-09 | 1996-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RC array |
JPH05205984A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Nec Corp | 積層型固体電解コンデンサ |
US5731633A (en) * | 1992-09-16 | 1998-03-24 | Gary W. Hamilton | Thin multichip module |
US5493259A (en) * | 1992-10-13 | 1996-02-20 | The Whitaker Corporation | High voltage, low pass filtering connector with multiple ground planes |
US5307240A (en) * | 1992-12-02 | 1994-04-26 | Intel Corporation | Chiplid, multichip semiconductor package design concept |
US5428499A (en) * | 1993-01-28 | 1995-06-27 | Storage Technology Corporation | Printed circuit board having integrated decoupling capacitive core with discrete elements |
US5367437A (en) * | 1993-04-06 | 1994-11-22 | Sundstrand Corporation | Multiple layer capacitor mounting arrangement |
DE4329696C2 (de) * | 1993-09-02 | 1995-07-06 | Siemens Ag | Auf Leiterplatten oberflächenmontierbares Multichip-Modul mit SMD-fähigen Anschlußelementen |
US5670824A (en) * | 1994-12-22 | 1997-09-23 | Pacsetter, Inc. | Vertically integrated component assembly incorporating active and passive components |
FR2730350A1 (fr) * | 1995-02-07 | 1996-08-09 | Schneider Electric Sa | Dispositif d'interfacage electrique composable |
US5548473A (en) * | 1995-09-12 | 1996-08-20 | Wang; Ching-Heng | Condensers |
US5754405A (en) * | 1995-11-20 | 1998-05-19 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | Stacked dual in-line package assembly |
US6058004A (en) * | 1997-09-08 | 2000-05-02 | Delaware Capital Formation, Inc. | Unitized discrete electronic component arrays |
US5936840A (en) * | 1997-11-03 | 1999-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Stacked passive components |
US5991161A (en) * | 1997-12-19 | 1999-11-23 | Intel Corporation | Multi-chip land grid array carrier |
US6172878B1 (en) * | 1997-12-27 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-element module and production process thereof |
US6243605B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-06-05 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Cardiac rhythm management system having multi-capacitor module |
US6081416A (en) * | 1998-05-28 | 2000-06-27 | Trinh; Hung | Lead frames for mounting ceramic electronic parts, particularly ceramic capacitors, where the coefficient of thermal expansion of the lead frame is less than that of the ceramic |
US6040622A (en) * | 1998-06-11 | 2000-03-21 | Sandisk Corporation | Semiconductor package using terminals formed on a conductive layer of a circuit board |
-
2003
- 2003-04-08 US US10/409,024 patent/US7057878B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-11 JP JP2003108471A patent/JP2004040083A/ja active Pending
- 2003-04-12 CN CN03142922.XA patent/CN1462175A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102548213A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-04 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器在电路板上的安装结构、方法及封装单元 |
CN102548213B (zh) * | 2010-12-21 | 2015-05-13 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器在电路板上的安装结构、方法及封装单元 |
US10204737B2 (en) | 2014-06-11 | 2019-02-12 | Avx Corporation | Low noise capacitors |
US10923277B2 (en) | 2014-06-11 | 2021-02-16 | Avx Corporation | Low noise capacitors |
US11817262B2 (en) | 2014-06-11 | 2023-11-14 | KYOCERA AVX Components Corporation | Low noise capacitors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030231477A1 (en) | 2003-12-18 |
US7057878B2 (en) | 2006-06-06 |
JP2004040083A (ja) | 2004-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1462175A (zh) | 分立元件阵列 | |
CN1062377C (zh) | 多层穿心式电容器阵列 | |
CN100345466C (zh) | 元件内置型多层基板 | |
EP1895590B1 (en) | Electronic component module | |
CN1164029C (zh) | 噪声抑制滤波器 | |
KR101731691B1 (ko) | 3차원 수동 다중-컴포넌트 구조물 | |
CN1681374A (zh) | 三维装配结构及其制造方法 | |
CN1198486C (zh) | 具有用于安装电子部件的空腔的印刷线路板 | |
CN1224301C (zh) | 高频模块 | |
CN1842937A (zh) | 平衡型分配器 | |
US9781828B2 (en) | Module substrate and method for manufacturing module substrate | |
CN1610971A (zh) | 具有垂直连接电容器的电子装置及其制造方法 | |
CN1658345A (zh) | 固态电解电容器、传输线器件、它们的制作方法及采用它们的复合电子元件 | |
CN1767104A (zh) | 表面安装型电容器及其制造方法 | |
CN1906848A (zh) | 压电谐振器单元封装和压电谐振器 | |
CN1860833A (zh) | 多层层叠电路基板 | |
CN1574608A (zh) | 温度补偿晶体振荡器 | |
CN1976396A (zh) | 照相机组件封装件 | |
CN1901185A (zh) | 瞬态电压保护设备、材料和制造方法 | |
CN1855477A (zh) | 电路装置 | |
CN101065817A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1906758A (zh) | 复合陶瓷基板 | |
CN1815733A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN1505150A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN1734757A (zh) | 电子回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |