CN1445787A - 大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法 - Google Patents

大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1445787A
CN1445787A CN02144246A CN02144246A CN1445787A CN 1445787 A CN1445787 A CN 1445787A CN 02144246 A CN02144246 A CN 02144246A CN 02144246 A CN02144246 A CN 02144246A CN 1445787 A CN1445787 A CN 1445787A
Authority
CN
China
Prior art keywords
erasable programmable
electrically erasable
programmable rom
flash electrically
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02144246A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1230829C (zh
Inventor
李堧喆
郑宗植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN1445787A publication Critical patent/CN1445787A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1230829C publication Critical patent/CN1230829C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/10Program control for peripheral devices
    • G06F13/12Program control for peripheral devices using hardware independent of the central processor, e.g. channel or peripheral processor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201Logical to physical mapping or translation of blocks or pages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Stored Programmes (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种具备设置接入至少一个快速可电擦写可编程只读存储器与主计算机而要访问所述主计算机,并在所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域下载/加载任何数据所需接口的控制器的快速可电擦写可编程只读存储器系统,特别是,如果提供以设置将所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分的第一过程;以存储于所述控制器内部的挥发内存区域的序列块、物理块以及备用块的该查找表为基准,将要访问所述主计算机的所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所述第一过程中细分的映射表格区域单位提供的第二过程为特征的大容量快速可电擦写可编程只读存储器的数据运行方法,将体现出采用大容量快速可电擦写可编程只读存储器而运行大量的信息块,并在有限容量的挥发内存运行此类信息块时,即使信息包的数量超过了挥发内存也可以运行的效果。

Description

大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法
技术领域
本发明涉及一种采用快速可电擦写可编程只读存储器的存储装置区域,即,作为如计算机、数码相机等装置存储数据的快速可电擦写可编程只读存储器的系统。具体涉及一种在采用具有有限挥发内存容量的快速可电擦写可编程只读存储器的补助记录装置,运行访问数据文件所需快速可电擦写可编程只读存储器的信息块所需查找表如果超过挥发内存,将分离运行所述表格所需大容量快速可电擦写可编程只读存储器的数据运行方法。
背景技术
最近,快速可电擦写可编程只读存储器作为代替硬盘、软盘等磁盘的半导体存储器,日益受到人们的青睐。所述快速可电擦写可编程只读存储器是一种非挥发性、低电力消耗型半导体存储器,能够以电气进行编程。所述内存实现了小型及轻量,并且具有强劲抗震动功能,广泛应用于便携型装置内存。
所述快速可电擦写可编程只读存储器通常使用于快速可电擦写可编程只读存储器卡。快速可电擦写可编程只读存储器卡在单一卡上设置一个或多个快速可电擦写可编程只读存储器(IC芯片)而构成。该卡通常以符合于个人计算机存储卡国际协议PCMCIA的PC卡提供。
由于PCMCIA要求提高符合标准的主计算机(例如,PC)之间的卡的兼容性,所以PC卡需要具有显示或表示卡的构成与卡的接入方式的CIS卡属性信息。
所述类型的快速可电擦写可编程只读存储器中,除快速可电擦写可编程只读存储器外,还设置为卡内快速可电擦写可编程只读存储器执行数据读取/记录动作而通过规定模型接口接入到主机系统的控制器、存储所述控制器动作所需程序的只读存储器ROM以及存储数据的随机存储器RAM。
从所述类型的传统快速可电擦写可编程只读存储器来看,CIS信息与其他软件程序共同存储于卡的ROM。如果快速可电擦写可编程只读存储器插入到主机系统的卡槽里,主计算机将查索卡的CIS信息。
此时,从快速可电擦写可编程只读存储器来看,控制器从ROM读取CIS信息并将信息存储于可由主计算机直接访问的RAM或寄存器。主计算机基于从快速可电擦写可编程只读存储器加载的CIS信息,将内存空间、I/O空间范围、中断电平等分配于卡内,随后将卡的快速可电擦写可编程只读存储器按照顺序进行读取/记录。
即,主机系统以柱面、标题、扇区(CHS)的形态传输到辅助存储器单元,辅助存储器单元的控制器将柱面、标题、扇区转换为逻辑块地址以下简称为LBA。然后控制器将LBA转换为物理块地址;以下简称为PBA,所述地址最终将用于接入快速可电擦写可编程只读存储器内数据文件。
如此,每次更换数据文件时,被更换数据文件将存储于快速可电擦写可编程只读存储器内不存在数据(未使用或被删除)的新PBA内。与此同时,在快速可电擦写可编程只读存储器内需要存在被更换数据文件所需已被删除但可采用的物理块,所以将执行删除动作。所述删除动作将除去更换之前的存在数据文件的过去物理块。
所述过程将导致更换相应于LBA的PBA的结果。即,将更换LB与PB的对应关系。所述对应关系的相关信息以查找表存在于挥发内存内,每次更换对应关系时,由控制器更新查找表。
另外,应维持所述已更新的查找表的信息。控制器控制管理更新的查找表,所述管理过程就是运行快速可电擦写可编程只读存储器内信息块。采用快速可电擦写可编程只读存储器使用于辅助存储器,挥发内存及控制器是内置型系统,大部分以接入半导体的形式存在,所以只能具备有限的规格。
随之,采用快速可电擦写可编程只读存储器的大容量辅助存储器存在为运行快速可电擦写可编程只读存储器的信息块而存在于挥发内存的查找表可能超过挥发内存容量的弊端。
即,随着近年来快速可电擦写可编程只读存储器的容量转变为大容量,应由微控制器处理的信息块的数量也逐渐增多。从而采用有限容量的挥发内存时,应按照情况实时处理的信息块的数量将超出挥发内存的容量,此时将出现处理实际数据有困难或发生错误等弊端。
发明内容
本发明为了解决所述传统技术的弊端而发明,其发明的目的是为了提供一种大容量快速可电擦写可编程只读存储器在系统中的数据运行方法;采用快速可电擦写可编程只读存储器的存储装置区域,即,为计算机、数码相机等装置作为存储装置采用快速可电擦写可编程只读存储器的系统。具体涉及一种在采用具有有限挥发内存容量的快速可电擦写可编程只读存储器的补助记录装置,运行访问数据文件所需快速可电擦写可编程只读存储器的信息块所需查找表如果超过挥发内存,将分离运行所述表格所需大容量快速可电擦写可编程只读存储器的数据运行方法。
为了实现本发明的所述目的,提供了一种以如下内容为特征的数据运行方法,该系统具备设置接入主计算机的至少一个快速可电擦写可编程只读存储器,及在所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域下载/加载任何数据所需接口的控制器,所述数据处理方法包括:设置将所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分的第一过程;以存储于所述控制器内部的挥发内存区域的序列块、物理块以及备用块的该查找表为基准,将要访问所述主计算机的所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所述第一过程中细分的映射表格区域单位提供的第二过程。
为了实现本发明的所述目的,本发明所涉及一种大容量快速可电擦写可编程只读存储器卡系统中的数据处理方法,区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分,所述数据处理方法包括:所述主机为了访问存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件传输CHS值的第一过程;以所述第一过程中传输的CHS为基准生成LBA,并且判断已生成LBA的范围是否超过整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量的第二过程;将由所述主机传输的数据存储于所述控制器内部的挥发内存,并转换为PBA的第三过程;以所述PBA为依据计算所述映射表格区域索引号后,将其与过去索引号进行比较的第四过程;通过所述第四过程,如果发现新索引号与过去索引号不一致,将当前查找表存储于所述快速可电擦写可编程只读存储器,并从所述快速可电擦写可编程只读存储器下载相应于新索引号的查找表,从而将新索引号变更为过去索引号的第五过程;从所述控制器内部挥发内存的“序列”分块表获取将用于快速可电擦写可编程只读存储器的新PBA,以新PBA为依据,写入到该快速可电擦写可编程只读存储器的相应映射表格区域后更新查找表的第六过程。
本发明另一特征为:对于具备设置接入至少一个快速可电擦写可编程只读存储器与主机计算机而要访问所述主机计算机,并在所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域下载/加载任何数据所需接口的控制器,设置将所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据领域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息块领域,并将各个信息块领域以所定数量的绘图表格领域进行细分的快速可电擦写可编程只读存储器系统中数据抄写动作运行方法:所述主机为了访问存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件传输CHS值的第一过程;以所述第一过程中传输的CHS为基准生成LBA,并且判断已生成LBA的范围是否超过整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量的第二过程;将由所述主机传输的数据存储于所述控制器内部的挥发内存,并转换为PBA的第三过程;以所述PBA为依据计算所述映射表格区域索引号后,将其与过去索引号进行比较的第四过程;通过所述第四过程,如果发现新索引号与过去索引号不一致,将当前查找表存储于所述快速可电擦写可编程只读存储器,并从所述快速可电擦写可编程只读存储器下载相应于新索引号的查找表,从而将新索引号变更为过去索引号的第五过程;从所述控制器内部挥发内存的“序列”分块表获取将用于快速可电擦写可编程只读存储器的新PBA,以新PBA为依据,写入到该快速可电擦写可编程只读存储器的相应映射表格区域后更新查找表的第六过程。
附图说明
图1是快速可电擦写可编程只读存储器的代表性电路构成示意图;
图2是在附图1标为参照10的控制器的功能性结构框图;
图3是各个快速可电擦写可编程只读存储器Fmi(i=0~n)的存储区域格式示意图;
图4是介绍传统技术数据运行方法的系统示意图;
图5是介绍本发明所涉及的数据运行方法的系统示意图;
图6是本发明所涉及的写动作的运行顺序示意图;
图7是本发明所涉及的读取动作的运行顺序示意图;
图8是存在于挥发内存的查找表结构示意图。
具体实施方式
通过以下参照附图对本发明的详细说明,将会更好地理解本发明,并且会更全面地了解本发明的各个目的各个优点。
以下,参考附图,将详细说明本发明所涉及的优选实施例。
首先,参考附图,从本发明所涉及的现有快速可电擦写可编程只读存储器及使用系统的技术来看,图1显示快速可电擦写可编程只读存储器的代表性电路结构,所述快速可电擦写可编程只读存储器是由一个单芯片控制器(10)、多个(n+1)NAND(“与非”)快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)以及一个安装于卡底片(12)的记录保护电路(13)组成。
如果卡底片(12)插入到主计算机(14)的卡槽里,控制器(10)通过符合于所定条件的如PCMCIA-ATA或IDE接口(16)等接口接入到计算机(14)。快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)是由具有相同配置及功能的内存芯片组成。
控制器(10)通过各8比特的内部总线(FD0~7)、对所有快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)的共同控制线路(FCLE、FALE、XFWP、XFWE-、XFRE-及XFBSY-)、快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)的整体数量与相同数量(例如,n+1)的个别控制线路(XFCE0~XFCEn)接入快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)。而内部总线(FD0~7)用于在控制器(10)与快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)之间传输命令、地址及数据。
从所述共同控制线路来看,控制线路(FCLE)是使快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)以命令识别总线(FD0~7)命令编码的命令启用锁存器控制线路。而控制线路(FALE)是使快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)以地址识别总线(FD0~7)地址编码的地址启用锁存器控制线路。控制线路(XFWP)是用于强制禁止内存(FM0~FMn)的记录动作的记录保护控制线路。控制线路(XFWE-)是使各快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)接收总线(FD0~7)的编码或数据的记录启用控制线路。控制线路(XFRE-)是将从快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)的各个输出端口读取的数据再传送到总线的读取(输出)启用控制线路。控制线路(XFBSY-)是使快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)向控制器(10)通知所述总线处于使用中状态的使用中线路。
所述各控制线路(XFCE0-~XFCEn-)是在芯片启动状态(可运作状态)下以个别,以独立设置各快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)的芯片启用控制线路。
记录保护电路(13)是如下所述,通过启动卡上安装的人工开关,向控制器(10)提供记录保护信号“WPIN”。如果将记录保护电路(13)提供的记录保护信号“WPIN”设置为活跃状态(H[高]状态),控制器(10)将设置为记录保护模式,并拒绝主计算机的记录要求。
控制器(10)是由硬件CPU、ROM、RAM、输入及输出接口电路等组成。
图2是在附图1标为参照10的控制器的功能性结构框图。
从功能的角度来看,控制器(10)具有主机/控制器接口(20)、复位处理器(22)、地址切换机(24)、命令处理器(26)、快速表格控制器(28)、快速命令发生器(30)、错误控制器(32)及显示/控制器接口(34)。
主机/控制器接口(20)是与主计算机(14)直接记录/读取数据的各种内存或寄存器相链接,通过所定条件,如通过符合于PCMCIA-ATA接口的接口与主计算机(14)的总线接入。在主计算机(14)与控制器(10)之间变更的CIS信息暂时存储于位于主机/控制器接口(20)的内存或寄存器内。
通过所述接口,主计算机(14)采用地址信号(A0~A10)与控制信号(XCE1-~XCE2-)可选择位于主机/控制器接口(20)的各个寄存器。
此时,第1控制信号(XREG-)是用于选择地址簿的内存空间及I/O空间。而第2控制信号(XWE-XOE-)是用于将数据记录到内存空间或从内存空间读取数据。第3控制信号(XIOWR-/XIORD-)是用于将数据记录到I/O空间或从此空间读取数据。
主机/控制器接口(20)是将中断邀请(XIREQ-)、输入认可信号(XINPACK)等以主计算机(14)传输。并且主机/控制接口(20)包含将由主计算机(14)传送的命令进行解码所需电路。
复位处理器(22)是控制外部复位信号,例如应答复位信号(XPONRST),并且控制对控制器(10)各构成成份的复位动作或解除复位动作后的初始化动作。
地址切换机(24)是将主计算机(14)的(柱面、标题、扇区)CHS模式的逻辑地址切换为快速可电擦写可编程只读存储器的LBA的逻辑地址。
命令处理器(26)是控制控制器(10)的各个构成成份,并可执行由主计算机(14)提供,通过主机/控制器接口(20)的解码命令。
显示表格控制器(28)是根据复位处理器(22)或命令处理器(26)的要求,将地址切换表格与空分块表初始化;根据主计算机(14)的命令探索及更新表格。显示表格控制器(28)具有以SRAM制成的表格存储器。根据所述表格存储器,将形成地址切换表格与空分块表。
快速命令发生器(30)按照显示表格控制器(28)、命令处理器(26)等的邀请,将生成快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)所需命令编码以及地址信号。
错误控制器(32)是在记录动作生成错误更正编码ECC,而在读取动作则执行ECC错误控制。并且错误控制器(32)在发生故障或错误时将执行信息包交替处理。
显示/控制器接口(34)是通过命令总线(FD0~7)与多种控制线路(例如控制线路FCLE、FALE)交换各种快速可电擦写可编程只读存储器(FM0~FMn)、数据及信号的输入及输出端口,它还具有在共同总线(FD0~7)将命令、地址及数据以不同的时间进行多路复用的调配时间控制功能。
图3是各快速可电擦写可编程只读存储器Fmi(i=0~n)的存储区域格式示意图。
从如上所述采用普通快速可电擦写可编程只读存储器的系统的内存运行方式来看,主机系统以柱面、标题、扇区(CHS)的形态传输到辅助记录装置,辅助存储器的控制器将柱面、标题、扇区转换为逻辑块地址;以下简称为LBA。然后控制器将LBA转换为物理块地址以下简称为PBA,所述地址最终将用于接入快速可电擦写可编程只读存储器内数据文件。
综上所述,每次更换数据文件时,被更换数据文件将存储于快速可电擦写可编程只读存储器内不存在数据(未使用或被删除)的新PBA内。与此同时,在快速可电擦写可编程只读存储器内需要存在被更换数据文件所需已被删除但可采用的物理块,所以将执行删除运作。所述删除运作将除去更换之前的存在数据文件的过去物理块。
所述过程将导致更换相应于LBA的PBA的结果。即,将更换LB与PB的对应关系。所述对应关系相关信息以查找表存在于挥发内存内,每次更换对应关系时,由控制器将更新查找表。
另外,应维持所述已更新的查找表的信息。控制器以运作管理更新的查找表,所述管理过程就是运行快速可电擦写可编程只读存储器内信息包。采用快速可电擦写可编程只读存储器使用于辅助存储器的装置来看,挥发内存及控制器是内置型系统,大部分以接入半导体的形式存在,只能具备有限的规格。
随之,本发明与如图4以块单位运行内存的传统方式不同,如图5,将信息包以细分的表格单位进行分配运行。
图4与图5中的块的结构显示本发明所涉及的采用快速可电擦写可编程只读存储器的辅助存储器的整体结构图。即,本发明的重点不在于其硬件,而在于运行方法。
另外,图4与图5中的结构是图1与图2中所显示的系统的简单结构,将整体系统从结构的角度来看,可由计算机、数码相机、PDA等成为主机(4)。
除主机(4)外,其余信息包(1、2、3、5、6)是一个模块,能够以卡的形式存在。所述主机(4)是可以通过主机接口(5)传输各种命令,并读取状态信息及数据文件。
所述控制器(1)具有解读并处理通过主机接口(5)传输的各种命令的功能,而挥发内存(2)是以在主机(1)通过快速可电擦写可编程只读存储器(3)读取或写数据时可暂时保存数据的缓冲器的功能以及所述控制器(1)存储处理数据所需各种变数的内存的功能采用。快速可电擦写可编程只读存储器(3)是用于辅助存储器的存储媒体。
传统方式是如图4,将快速可电擦写可编程只读存储器内部的数据区域以块单位进行接入,从而执行读取及写数据的功能。与此相反,本发明如图5,将构成快速可电擦写可编程只读存储器内部数据区域的块单位以众多映射表格细分,并以各映射表格(M-Table#)单位进行接入,从而执行读取与写数据的功能。
另外,所述动作将在标为1的控制器执行。
图6是如图5以细分块单位的映射表格(M-Table#)单位运行数据的方法的写数据的动作顺序图。
所述流程是通过控制器(1)完成。
在图6的步聚S101,主机(4)为了访问存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件,传输CHS值。
所述步聚S101中传输的CHS是通过步聚S102过程转换为LBA后向步聚S103进行。在所述步聚S103将判断从所述步聚S102转换的LBA值的正确性。
即,判断LBA范围是否超出整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量,如超出,将向步聚S104进行的同时向所述主机通知,以使停止写动作。
与此相反,在所述步聚S103判断LBA的范围是否超出整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量,如未超出,将向步聚S105进行,从而将从所述主机传输的数据首先存储于采用为数据缓冲器的挥发内存(2)内。
通过所述步聚S105过程,存储于采用为数据缓冲器的挥发内存(2),并由所述主机(4)传输的数据,即,LBA是通过步聚S106过程,将转换为可物理访问快速可电擦写可编程只读存储器的PBA。
所述PBA是可存储数据文件的快速可电擦写可编程只读存储器的整体信息包的块序号,它以排列结构如图8所示将存储于非挥发内存(3)内。
随后,依据所述PBA,控制器(1)通过快速可电擦写可编程只读存储器接口(6)将重新加工为可物理访问快速可电擦写可编程只读存储器(3)的地址(芯片始能,快速可电擦写可编程只读存储器的块序号、页码)。
在步聚S107过程中,以通过所述步聚S106过程而获取的PBA为依据,获得索引号。所述索引号是显示将所述PBA分为几块的信息。在本发明中,为了支持大容量辅助存储器而分割了PBA。
即,它是指在图5标为M-Table#的映射表格,将整体快速可电擦写可编程只读存储器的PBA分割成几块,以使不超过限定的挥发内存容量。
在初始化过程中,除装载于挥发内存的一个索引号的PBA,其余索引号的PBA将存储于快速可电擦写可编程只读存储器。
随后,通过步聚S108过程检查从所述步聚S107获得的索引号是否与当前存储于挥发内存的索引号相同。如一致,意味着从所述步聚S106获取的PBA范围与当前挥发内存(2)内PBA范围相一致。
所以,无需装载所述快速可电擦写可编程只读存储器(3)内部其他范围的PBA。
但,如不一致,应向步聚S109进行,将当前查找表存储于快速可电擦写可编程只读存储器(3),并通过步聚S110过程将相应于新索引号的查找表从快速可电擦写可编程只读存储器(3)下载,最终通过步聚S111过程,将新索引号变更为过去索引号,从而从快速可电擦写可编程只读存储器(3)重新下载具有与所述挥发内存(2)内部相一致范围的PBA。
随后,通过步聚S112过程,从图8中标为MBT1的“序列”分块表获取要用于快速可电擦写可编程只读存储器(3)的PBA。
并且,通过步聚S113过程,将存储于所述挥发内存(2)内数据缓冲器的数据根据在所述步聚S111获取的PBA用于该快速可电擦写可编程只读存储器(3)最后,通过步聚S114过程更新查找表,其更新过程如下:在写图8中标为MBT1的“序列”分块表所需“序列”中获取在图6所示步聚S112运行写动作所需信息块。所述“序列”具有以FIFO形态排列可采用的PBA。在所述过程中获取的PBA将成为应答主机命令而采用的快速可电擦写可编程只读存储器(3)的地址。
因为对应于主机LBA的查找表将相应于图8中MBT2,所以所述PBA将分配于图8中标为MBT2的物理分块表。
如上所述,从写动作所需“序列”获取的PBA分配于图8MBT2之前,存在于原先MBT2的PBA将所述图8的MBT1的删除动作分配于“序列”。所述“序列”将具有要以FIFO形态的排列删除的PBA。随之,将分配于写被删除信息块所需“序列”。
综上所述,图8的表格将继续发生变化。由于挥发内存的特性,将周期性地存储于快速可电擦写可编程只读存储器的保留存储块区域。图8中MBT3将具有定期存储于快速可电擦写可编程只读存储器的保留存储块的分块表的快速可电擦写可编程只读存储器的位置信息。
从读取动作来看,在步聚S201中,主机(4)为了接入存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件,将传输CHS值。
在所述步聚S201传输的CHS是通过步聚S202过程转换为LBA的同时向步聚S203进行。在所述步聚S203将判断在所述步聚S202被切换的LBA值的正确性。
即,判断LBA的范围是否超出了整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量,如果超出,则向步聚S204进行的同时向所述主机(4)通知,以使停止读取动作。
与此相反,在所述步聚S203判断LBA的范围是否超出了整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量,如果未超出,则向步聚S205进行的同时,从所述主机(4)传输的数据首先存储于用于数据缓冲器的挥发内存(2)。
通过所述步聚S205过程,存储于用于数据缓冲器的挥发内存(2),并由所述主机(4)传输的数据,即,LBA是通过步聚S206过程,将转换为可物理访问快速可电擦写可编程只读存储器的PBA。
所述PBA是可存储数据文件的快速可电擦写可编程只读存储器的整体信息包的块序号,它以排列结构如图8所示将存储于非挥发内存(2)的可电擦写可编程只读存储器(3)内。
随后,依据所述PBA,控制器(1)通过快速可电擦写可编程只读存储器接口(6)将重新加工为可物理访问快速可电擦写可编程只读存储器(3)的地址(芯片始能、快速可电擦写可编程只读存储器的块序号、页码)。
在步聚S207过程中,以通过所述步聚S206过程而获取的PBA为依据,获得索引号。所述索引号是显示将所述PBA分为几块的信息。在本发明中,为了支持大容量辅助存储器而分割了PBA。
即,它是指在图5标为M-Table#的映射表格,将整体快速可电擦写可编程只读存储器的PBA分割成几块,以使不超过限定的挥发内存容量。
在初始化过程中,除装载于挥发内存的一个索引号的PBA,其余索引号的PBA将存储于快速可电擦写可编程只读存储器。
随后,通过步聚S208过程,检查从所述步聚S207获得的索引号是否与当前存储于挥发内存的索引号相同。如一致,意味着从所述步聚S206获取的PBA范围与当前挥发内存(2)内PBA范围相一致。
所以,无需装载所述快速可电擦写可编程只读存储器内部其他范围的PBA。
但,如不一致,应向步聚S209进行,将当前查找表存储于快速可电擦写可编程只读存储器(3),并通过步聚S210过程将相应于新索引号的查找表从快速可电擦写可编程只读存储器下载,最终通过步聚S211过程,将新索引号变更为过去索引号,从而从快速可电擦写可编程只读存储器重新下载具有与所述挥发内存(2)内部相一致范围的PBA。
今后,应在步聚S212读取的PBA不在图8的“序列”分块表(MBT1)获取,而是在图8中物理分块表(MBT2)获取。
另外,与读取动作不同。不需要如图6步聚S114中所示的更新查找表。
综上所述,如果提供本发明所涉及的大容量快速可电擦写可编程只读存储器的数据运行方法,将体现出采用大容量快速可电擦写可编程只读存储器而运行大量的信息块,并在有限容量的挥发内存运行此类信息块时,即使信息包的数量超过了挥发内存也可以运行的效果。
虽然我们参照本发明的优选实施例图示及说明了本发明,但是本区域普通技术人员应明白,在不脱离散本发明的实质和范围的情况下,可以对本发明的内容进行没有具体说明的添加、修改、替换和删除。

Claims (3)

1.一种大容量快速可电擦写可编程只读存储器卡系统中的数据处理方法,该系统具备设置接入主计算机的至少一个快速可电擦写可编程只读存储器,及在所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域下载/加载任何数据所需接口的控制器,所述数据处理方法包括:
设置将所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分的第一过程;
以存储于所述控制器内部的挥发内存区域的序列块、物理块以及备用块的该查找表为基准,将要访问所述主计算机的所述快速可电擦写可编程只读存储器的数据区域以所述第一过程中细分的映射表格区域单位提供的第二过程。
2.一种大容量快速可电擦写可编程只读存储器卡系统中的数据写方法,区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分,所述数据写方法包括:
所述主机为了访问存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件传输CHS值的第一过程;
以所述第一过程中传输的CHS为基准生成LBA,并且判断已生成LBA的范围是否超过整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量的第二过程;
将由所述主机传输的数据存储于所述控制器内部的挥发内存,并转换为PBA的第三过程;
以所述PBA为依据计算所述映射表格区域索引号后,将其与过去索引号进行比较的第四过程;
通过所述第四过程,如果发现新索引号与过去索引号不一致,将当前查找表存储于所述快速可电擦写可编程只读存储器,并从所述快速可电擦写可编程只读存储器下载相应于新索引号的查找表,从而将新索引号变更为过去索引号的第五过程;
从所述控制器内部挥发内存的“序列”分块表获取将用于快速可电擦写可编程只读存储器的新PBA,以新PBA为依据,写入到该快速可电擦写可编程只读存储器的相应映射表格区域后更新查找表的第六过程。
3.一种大容量快速可电擦写可编程只读存储器卡系统中的数据写方法,区域以所定任意规格进行分割的所定数量的信息包区域,并将各个信息包区域以所定数量的映射表格区域进行细分,所述数据写方法包括:
所述主机为了访问存储于快速可电擦写可编程只读存储器的数据文件传输CHS值的第一过程;
以所述第一过程中传输的CHS为基准生成LBA,并且判断已生成LBA的范围是否超过整体快速可电擦写可编程只读存储器的容量的第二过程;
将由所述主机传输的数据存储于所述控制器内部的挥发内存,并转换为PBA的第三过程;
以所述PBA为依据计算所述映射表格区域索引号后,将其与过去索引号进行比较的第四过程;
通过所述第四过程,如果发现新索引号与过去索引号不一致,将当前查找表存储于所述快速可电擦写可编程只读存储器,并从所述快速可电擦写可编程只读存储器下载相应于新索引号的查找表,从而将新索引号变更为过去索引号的第五过程;
从所述第五过程中下载的相应于分块表的数据的第六过程为特征的
大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法。
CNB021442460A 2002-03-18 2002-09-30 快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法 Expired - Fee Related CN1230829C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR14532/2002 2002-03-18
KR10-2002-0014532A KR100439507B1 (ko) 2002-03-18 2002-03-18 고 용량 플래시 메모리 카드 시스템에서의 데이터 운영 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1445787A true CN1445787A (zh) 2003-10-01
CN1230829C CN1230829C (zh) 2005-12-07

Family

ID=28036094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021442460A Expired - Fee Related CN1230829C (zh) 2002-03-18 2002-09-30 快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20030177300A1 (zh)
JP (1) JP2003296188A (zh)
KR (1) KR100439507B1 (zh)
CN (1) CN1230829C (zh)
TW (1) TW574647B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104995607A (zh) * 2013-03-15 2015-10-21 桑迪士克科技股份有限公司 减少数据贮存装置的读取延迟的系统和方法

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7872871B2 (en) * 2000-01-06 2011-01-18 Super Talent Electronics, Inc. Molding methods to manufacture single-chip chip-on-board USB device
US7702831B2 (en) * 2000-01-06 2010-04-20 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory controller for electronic data flash card
US7690031B2 (en) * 2000-01-06 2010-03-30 Super Talent Electronics, Inc. Managing bad blocks in flash memory for electronic data flash card
US7299316B2 (en) * 2004-02-26 2007-11-20 Super Talent Electronics, Inc. Memory flash card reader employing an indexing scheme
US7318117B2 (en) * 2004-02-26 2008-01-08 Super Talent Electronics, Inc. Managing flash memory including recycling obsolete sectors
US7447037B2 (en) 1999-08-04 2008-11-04 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages by various assembly methods
US7830666B2 (en) 2000-01-06 2010-11-09 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing process for single-chip MMC/SD flash memory device with molded asymmetric circuit board
US8625270B2 (en) 1999-08-04 2014-01-07 Super Talent Technology, Corp. USB flash drive with deploying and retracting functionalities using retractable cover/cap
US8102662B2 (en) 2007-07-05 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. USB package with bistable sliding mechanism
US8141240B2 (en) 1999-08-04 2012-03-27 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing method for micro-SD flash memory card
US7535719B2 (en) * 1999-08-04 2009-05-19 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages with contact-pins cover
US7466556B2 (en) * 1999-08-04 2008-12-16 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages with swivel cover
US20080286990A1 (en) * 2003-12-02 2008-11-20 Super Talent Electronics, Inc. Direct Package Mold Process For Single Chip SD Flash Cards
US7702984B1 (en) 2000-01-06 2010-04-20 Super Talent Electronics, Inc. High volume testing for USB electronic data flash cards
US20060161725A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Lee Charles C Multiple function flash memory system
KR100947727B1 (ko) * 2003-01-21 2010-03-16 엘지전자 주식회사 플래시메모리의 롬 이미지 구성 및 업데이트 방법
US8998620B2 (en) * 2003-12-02 2015-04-07 Super Talent Technology, Corp. Molding method for COB-EUSB devices and metal housing package
US7872873B2 (en) 2003-12-02 2011-01-18 Super Talent Electronics, Inc. Extended COB-USB with dual-personality contacts
US8102657B2 (en) 2003-12-02 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. Single shot molding method for COB USB/EUSB devices with contact pad ribs
US7440286B2 (en) * 2005-04-21 2008-10-21 Super Talent Electronics, Inc. Extended USB dual-personality card reader
JP4567966B2 (ja) * 2003-12-22 2010-10-27 株式会社東芝 エミュレーションシステムおよびエミュレーション方法
US7869219B2 (en) * 2004-01-20 2011-01-11 Super Talent Electronics, Inc. Flash drive with spring-loaded retractable connector
KR100648243B1 (ko) * 2004-03-19 2006-11-24 삼성전자주식회사 낸드 플래시 메모리를 사용하는 메모리 카드
KR100605796B1 (ko) * 2004-03-31 2006-08-01 삼성전자주식회사 부팅 시간을 감소하기 위한 향상된 임베디드 파일시스템
US20080195817A1 (en) * 2004-07-08 2008-08-14 Super Talent Electronics, Inc. SD Flash Memory Card Manufacturing Using Rigid-Flex PCB
JP2006146460A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Sony Corp 通信システム、記憶装置、並びに制御装置
WO2006126445A1 (ja) * 2005-05-23 2006-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム及びメモリ制御方法
KR100827227B1 (ko) * 2005-06-24 2008-05-07 삼성전자주식회사 저성능 저장장치의 drm 권리 객체를 효율적으로관리하는 방법 및 장치
KR100745256B1 (ko) * 2005-10-11 2007-08-01 엘지전자 주식회사 임베디드 시스템에서의 코드 오버레이 방법
WO2007058617A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-24 Chee Keng Chang A controller for non-volatile memories, and methods of operating the memory controller
KR100745163B1 (ko) * 2006-06-19 2007-08-01 주식회사 셀픽 동적 매핑 테이블을 이용한 플래시 메모리 관리방법
KR100810666B1 (ko) * 2006-12-26 2008-03-07 (재)대구경북과학기술연구원 플래시 메모리를 저장장치로 사용하는 기기를 위한 데이터색인 방법
US8254134B2 (en) 2007-05-03 2012-08-28 Super Talent Electronics, Inc. Molded memory card with write protection switch assembly
US7850468B2 (en) 2007-06-28 2010-12-14 Super Talent Electronics, Inc. Lipstick-type USB device
US8102658B2 (en) * 2007-07-05 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. Micro-SD to secure digital adaptor card and manufacturing method
US8001444B2 (en) * 2007-08-08 2011-08-16 Intel Corporation ECC functional block placement in a multi-channel mass storage device
US7944702B2 (en) 2007-08-27 2011-05-17 Super Talent Electronics, Inc. Press-push flash drive apparatus with metal tubular casing and snap-coupled plastic sleeve
WO2009095902A2 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory
US8694715B2 (en) 2007-10-22 2014-04-08 Densbits Technologies Ltd. Methods for adaptively programming flash memory devices and flash memory systems incorporating same
US8241047B2 (en) * 2007-10-30 2012-08-14 Super Talent Electronics, Inc. Flash drive with spring-loaded swivel connector
US8116083B2 (en) * 2007-12-04 2012-02-14 Super Talent Electronics, Inc. Lipstick-type USB device with tubular housing
US8453022B2 (en) 2007-12-05 2013-05-28 Densbits Technologies Ltd. Apparatus and methods for generating row-specific reading thresholds in flash memory
US8359516B2 (en) 2007-12-12 2013-01-22 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for error correction and decoding on multi-level physical media
JP4551940B2 (ja) * 2008-03-01 2010-09-29 株式会社東芝 メモリシステム
US8972472B2 (en) 2008-03-25 2015-03-03 Densbits Technologies Ltd. Apparatus and methods for hardware-efficient unbiased rounding
US8762661B2 (en) * 2008-09-18 2014-06-24 Seagate Technology Llc System and method of managing metadata
US8819385B2 (en) 2009-04-06 2014-08-26 Densbits Technologies Ltd. Device and method for managing a flash memory
US8458574B2 (en) 2009-04-06 2013-06-04 Densbits Technologies Ltd. Compact chien-search based decoding apparatus and method
US8995197B1 (en) 2009-08-26 2015-03-31 Densbits Technologies Ltd. System and methods for dynamic erase and program control for flash memory device memories
US9330767B1 (en) 2009-08-26 2016-05-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash memory module and method for programming a page of flash memory cells
US8730729B2 (en) 2009-10-15 2014-05-20 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for averaging error rates in non-volatile devices and storage systems
US8724387B2 (en) 2009-10-22 2014-05-13 Densbits Technologies Ltd. Method, system, and computer readable medium for reading and programming flash memory cells using multiple bias voltages
US9037777B2 (en) 2009-12-22 2015-05-19 Densbits Technologies Ltd. Device, system, and method for reducing program/read disturb in flash arrays
US8745317B2 (en) 2010-04-07 2014-06-03 Densbits Technologies Ltd. System and method for storing information in a multi-level cell memory
US8510639B2 (en) 2010-07-01 2013-08-13 Densbits Technologies Ltd. System and method for multi-dimensional encoding and decoding
US8964464B2 (en) 2010-08-24 2015-02-24 Densbits Technologies Ltd. System and method for accelerated sampling
US9063878B2 (en) 2010-11-03 2015-06-23 Densbits Technologies Ltd. Method, system and computer readable medium for copy back
JP5296763B2 (ja) * 2010-11-11 2013-09-25 株式会社バッファロー 記憶装置、記憶プログラム及び制御方法
US8850100B2 (en) 2010-12-07 2014-09-30 Densbits Technologies Ltd. Interleaving codeword portions between multiple planes and/or dies of a flash memory device
US8990665B1 (en) 2011-04-06 2015-03-24 Densbits Technologies Ltd. System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding
US9324433B2 (en) 2011-04-25 2016-04-26 Microsoft Technology Licensing, Llc Intelligent flash reprogramming
US9372792B1 (en) 2011-05-12 2016-06-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Advanced management of a non-volatile memory
US9195592B1 (en) 2011-05-12 2015-11-24 Densbits Technologies Ltd. Advanced management of a non-volatile memory
US9110785B1 (en) 2011-05-12 2015-08-18 Densbits Technologies Ltd. Ordered merge of data sectors that belong to memory space portions
US9396106B2 (en) 2011-05-12 2016-07-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Advanced management of a non-volatile memory
US8996790B1 (en) * 2011-05-12 2015-03-31 Densbits Technologies Ltd. System and method for flash memory management
US9501392B1 (en) 2011-05-12 2016-11-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Management of a non-volatile memory module
US8947941B2 (en) 2012-02-09 2015-02-03 Densbits Technologies Ltd. State responsive operations relating to flash memory cells
US8996788B2 (en) 2012-02-09 2015-03-31 Densbits Technologies Ltd. Configurable flash interface
US8996793B1 (en) 2012-04-24 2015-03-31 Densbits Technologies Ltd. System, method and computer readable medium for generating soft information
US8838937B1 (en) 2012-05-23 2014-09-16 Densbits Technologies Ltd. Methods, systems and computer readable medium for writing and reading data
US8879325B1 (en) 2012-05-30 2014-11-04 Densbits Technologies Ltd. System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module
US9921954B1 (en) 2012-08-27 2018-03-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and system for split flash memory management between host and storage controller
CN102929794B (zh) * 2012-09-26 2015-12-02 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司 一种eeprom的存储方法
US9368225B1 (en) 2012-11-21 2016-06-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Determining read thresholds based upon read error direction statistics
US9069659B1 (en) 2013-01-03 2015-06-30 Densbits Technologies Ltd. Read threshold determination using reference read threshold
US10002001B1 (en) * 2013-02-19 2018-06-19 Amazon Technologies, Inc. Importing a virtual disk image into a compute service environment
US9136876B1 (en) 2013-06-13 2015-09-15 Densbits Technologies Ltd. Size limited multi-dimensional decoding
US9413491B1 (en) 2013-10-08 2016-08-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for multiple dimension decoding and encoding a message
US9786388B1 (en) 2013-10-09 2017-10-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Detecting and managing bad columns
US9348694B1 (en) 2013-10-09 2016-05-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Detecting and managing bad columns
US9397706B1 (en) 2013-10-09 2016-07-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for irregular multiple dimension decoding and encoding
KR101465426B1 (ko) * 2013-11-06 2014-11-27 성균관대학교산학협력단 익스텐트 매핑 플래시 디바이스
US9536612B1 (en) 2014-01-23 2017-01-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays
US10120792B1 (en) 2014-01-29 2018-11-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Programming an embedded flash storage device
US9542262B1 (en) 2014-05-29 2017-01-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Error correction
US9892033B1 (en) 2014-06-24 2018-02-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Management of memory units
US9972393B1 (en) 2014-07-03 2018-05-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accelerating programming of a flash memory module
US9584159B1 (en) 2014-07-03 2017-02-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Interleaved encoding
US9449702B1 (en) 2014-07-08 2016-09-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Power management
US9524211B1 (en) 2014-11-18 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Codeword management
US10305515B1 (en) 2015-02-02 2019-05-28 Avago Technologies International Sales Pte. Limited System and method for encoding using multiple linear feedback shift registers
US10628255B1 (en) 2015-06-11 2020-04-21 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Multi-dimensional decoding
US9851921B1 (en) 2015-07-05 2017-12-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash memory chip processing
KR20170015708A (ko) * 2015-07-30 2017-02-09 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
US9954558B1 (en) 2016-03-03 2018-04-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Fast decoding of data stored in a flash memory
KR101995460B1 (ko) * 2017-11-21 2019-07-02 한림대학교 산학협력단 Ext 파일 관리 구조의 파일단위 단편화 제거 시스템 및 방법
CN110990175B (zh) * 2018-10-03 2023-03-14 慧荣科技股份有限公司 错误处置方法以及数据存储装置及其控制器
CN110989918B (zh) 2018-10-03 2023-03-28 慧荣科技股份有限公司 写入控制方法以及数据存储装置及其控制器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69033438T2 (de) * 1989-04-13 2000-07-06 Sandisk Corp., Santa Clara Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze
JPH04307644A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードの記憶管理方式
JP3178909B2 (ja) * 1992-01-10 2001-06-25 株式会社東芝 半導体メモリ装置
JPH09212411A (ja) * 1996-02-06 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd メモリシステム
KR100319598B1 (ko) * 1998-03-18 2002-04-06 김영환 플래시메모리어레이액세스방법및장치
US6226728B1 (en) * 1998-04-21 2001-05-01 Intel Corporation Dynamic allocation for efficient management of variable sized data within a nonvolatile memory
JP4315488B2 (ja) * 1998-06-30 2009-08-19 ソニー株式会社 データ記憶装置、データ処理装置、データ処理システム並びにデータ処理方法
JP3544476B2 (ja) * 1998-09-11 2004-07-21 富士通株式会社 メモリ管理テーブル作成方法
JP2001101071A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Victor Co Of Japan Ltd フラッシュ型メモリを用いたデータ記憶装置及びフラッシュ型メモリのデータ管理方法
JP2001209574A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Mitsubishi Electric Corp 記憶装置の制御方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104995607A (zh) * 2013-03-15 2015-10-21 桑迪士克科技股份有限公司 减少数据贮存装置的读取延迟的系统和方法
CN104995607B (zh) * 2013-03-15 2017-11-17 桑迪士克科技有限责任公司 减少数据贮存装置的读取延迟的系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1230829C (zh) 2005-12-07
KR20030075356A (ko) 2003-09-26
KR100439507B1 (ko) 2004-07-09
TW574647B (en) 2004-02-01
US20030177300A1 (en) 2003-09-18
JP2003296188A (ja) 2003-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1230829C (zh) 快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法
US7877540B2 (en) Logically-addressed file storage methods
CN1282089C (zh) 控制串行快闪存储器中适当执行的装置和方法及相应芯片
EP1561168B1 (en) Method and apparatus for splitting a logical block
US7409489B2 (en) Scheduling of reclaim operations in non-volatile memory
US7702880B2 (en) Hybrid mapping implementation within a non-volatile memory system
US8055873B2 (en) Data writing method for flash memory, and controller and system using the same
US20100057976A1 (en) Multiple performance mode memory system
CN1795437A (zh) 用于块内页面分组的方法及设备
US9772797B2 (en) Buffer memory management method, memory control circuit unit and memory storage device
US20080307164A1 (en) Method And System For Memory Block Flushing
US20070136553A1 (en) Logically-addressed file storage systems
US20120005451A1 (en) Data storage device and bad block managing method thereof
CN1591685A (zh) 存储装置
US8909895B2 (en) Memory apparatus
US9785384B2 (en) Semiconductor storage device and method for controlling nonvolatile semiconductor memory
US8516184B2 (en) Data updating using mark count threshold in non-volatile memory
US20100217920A1 (en) Memory system and address allocating method of flash translation layer thereof
CN1701390A (zh) 跟踪非易失性存储器系统中最频繁擦除区块
CN1426557A (zh) 对快速存储器的数据记录装置和数据写入方法
CN1540672A (zh) 用于非易失存储系统的电源管理数据块
CN1538284A (zh) 存储设备
JPH09282111A (ja) 半導体メモリ装置及びその制御方法
JP2003006044A (ja) メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
KR20070046864A (ko) 플래쉬 화일 시스템에서 가상-물리 주소 변환 방법 및시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee