CN1426094A - 晶圆的清洗液成分及其清洗方法 - Google Patents
晶圆的清洗液成分及其清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1426094A CN1426094A CN02146203.8A CN02146203A CN1426094A CN 1426094 A CN1426094 A CN 1426094A CN 02146203 A CN02146203 A CN 02146203A CN 1426094 A CN1426094 A CN 1426094A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- oxidant
- cleaning
- fluid composition
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
一种晶圆的清洗液成分及其清洗方法，清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属；氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；第二酸用以移除浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。具有洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，并移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子及有效去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属的功效。
Description
技术领域
本发明是关于硅晶圆(silicon wafer)的清洗，特别是关于硅晶圆背侧表面(backside surface)与边缘(bevel edges)的清洗方法，以及其清洗液成分(cleaning composition)。
背景技术
随着半导体组件效能的快速提升以及市场上对高速运算晶片的需求，传统以铝金属材料为主要架构的金属内联机已遇到瓶颈，取而代的的是新兴的铜导线与铜制程技术。这是由于铜的电性较佳，而且容易取得。
众所周知，铜制程大体上包括将氮化钽(TaN)等阻障材质以物理气相沉积(PVD)技术溅镀到晶圆表面的镶嵌结构中，接着镀上铜晶种层(seed copperlayer)，最后再覆以填入铜金属。其主要缺陷在于：
采用铜内联机(copper interconnect)架构的集成电路制程却普遍都会遇到晶圆背侧表面以及边缘的铜污染问题，以及金属阻障材质，例如TaN，残留于晶圆边缘。这些残留在晶圆背侧表面以及边缘的铜原子或者阻障材质可能在后续制程中掉落在集成电路中，造成缺陷或电路的短路，并且形成严重的污染颗粒问题，导致交叉污染(cros s-contamination)。
传统的解决方式是采用化学试剂来移除铜金属。例如，以1-10％硫酸(H2SO4)、1-10％过氧化氢(H2O2)加上去离子水所构成的水溶液清洗可能受污染的晶圆表面。然而，上述清洗液成分仅能洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，却无法移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子。此外，上述清洗液成分亦无法去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种晶圆的清洗液成分及其清洗方法，清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属；氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属；克服现有技术的缺陷，达到洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，并移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子及有效去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属的目的。
本发明的目的是这样实现的：一种晶圆的清洗液成分，其特征是：它包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属一氧化剂，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。
该第一酸选自下列酸的至少一种：硫酸、硝酸、乙酸或磷酸。该氧化剂选自过氧化氢或硝酸。该第二酸为氢氟酸。该清洗液成分的重量百分比组成浓度为：第一酸10-15％、氧化剂30-35％、第二酸0.5-1.0％及去离子水为余量。该阻障金属为氮化钛或氮化钽所构成。
本发明还提供一种晶圆的清洗方法，其特征是：它包含如下步骤：
(1)将硅晶圆接触一清洗液成分，并进行一预定时间的清洗，该清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属一氧化剂，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属；
(2)旋干该硅晶圆。
该第一酸选自下列酸的至少一种：硫酸、硝酸、乙酸或磷酸。该氧化剂选自过氧化氢或硝酸。该第二酸为氢氟酸。该清洗液成分的重量百分比组成浓度为：第一酸10-1 5％、氧化剂30-35％、第二酸0.5-1.0％及去离子水为余量。该阻障金属为氮化钛或氮化钽所构成。该清洗的预定时间为30秒。
下面结合较佳实施例和附图详细说明。
附图说明
图1为本发明的晶圆清洗流程示意图。
具体实施方式
参阅图1所示，本发明的晶圆清洗方法包括如下步骤：
步骤10，将待清洗晶圆首先送进一清洗设备中，待清洗晶圆上已经溅镀有一金属阻障层以及一铜晶种层。依据本发明的较佳实施例，该清洗设备可为Semitool公司所提供的自动清洗平台或者由SEZ公司所生的蚀刻暨清洗系统。此外，金属阻障层可以为氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)或者其它阻障材质。
在铜晶种层被溅镀到晶圆上的金属阻障层上后，铜金属以及阻障金属残留可能存在于晶圆背侧表面以及晶圆边缘上。本发明因此利用一特别的清洗液成分以喷洒方式清洗晶圆表面，如步骤12所示，本发明的较佳实施例，清洗时间可维持约30秒左右。
本发明的特别清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸以及去离子水。第一酸用以移除晶圆表面的铜金属；氧化剂(oxidizing agent)，用以氧化晶圆的浅表面，产生一薄氧化膜，同时用以氧化残留于晶圆边缘的金属阻障材质；第二酸，用以移除由于氧化剂形成于晶圆表面的薄氧化膜以及被氧化的金属阻障材质。
其中，第一酸可为下列组合的任一种酸：硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)或磷酸(H3PO4)。氧化剂可为下列组合的任一种所构成：过氧化氢(H2O2)或硝酸(HNO3)。第二酸是为氢氟酸(HF)。清洗液成分的组成浓度建议如下：第一酸的重量百分比浓度10-15％；氧化剂的重量百分比浓度30％-35％；第二酸的重量百分比浓度0.5％-1.0％；余量为去离子水。
如步骤14，本发明以上述清洗液成分清洗晶圆表面时，辅以旋转干燥法，进行晶圆表面的干燥。依据本发明的较佳实施例，本发明以上述清洗液成分清洗晶圆表面与进行旋转干燥是在同一清洗设备中进行。具有方便及清洗效果较佳的功效。
如前所述，传统的方法是采用化学试剂以1-10％硫酸(H2SO4)、1-10％过氧化氢(H2O2)加上去离子水所构成的水溶液清洗可能受污染的晶圆表面。然而，传统的清洗液成分仅能洗去或溶解晶圆表面上的铜残留，却无法移除穿透晶圆表面而固着于晶圆浅表面内的铜原子。此外，传统的清洗液成分亦无法去除残留于晶圆边缘的铜原子以及TaN等阻障金属。
相较于传统技术，本发明的清洗液成分具有氢氟酸(HF)成分，因此可以移除由氧化剂[例如过氧化氢(H2O2)]所氧化的晶圆浅表面、固着于晶圆浅表面内的铜金属，以及残留于晶圆边缘的氧化金属阻障材质。
下表列出Total X-Ray Reflectance Fluorescence(TXRF)实验数据，验证本发明的清洗液成分确实具有较佳的清洗功效。
Test Wafer：1.5K Cu/Si
| 清洗液成分 | 时间(秒) | Cu含量(×E10) | 结果 | ||
| 实验号1 | 实验号2 | 实验号3 | |||
| 传统清洗液H2SO4/H2O2/DI | 10 | 13041.21 | 14348.19 | 14322.49 | Fail |
| 30 | 13063.24 | 13377.96 | 13796.53 | Fail | |
| 60 | 13556.48 | 13917.64 | 13343.70 | Fail | |
| 本发明清洗液HF/H2SO4/H2O2/DI | 10 | 4287.41 | 4995.22 | 5943.09 | Fail |
| 30 | 1.05 | 1.54 | 2.40 | O.K. | |
| 60 | 1.29 | 1.26 | 0.76 | O.K. | |
从上述实验结果可以清楚看到：
使用传统方法的清洗液，不能有效地清除铜。
以本发明的清洗液成分处理晶圆达30秒钟时，残留的铜金属已降至可以接受的标准。以上结果显示本发明具有新颖性、创造性及实用性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明所作的均等变化与修饰，皆应属于本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1、一种晶圆的清洗液成分，其特征是：它包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属一氧化剂，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属。
2、根据权利要求1所述的晶圆的清洗液成分，其特征是：该第一酸选自下列酸的至少一种：硫酸、硝酸、乙酸或磷酸。
3、根据权利要求1所述的晶圆的清洗液成分，其特征是：该氧化剂选自过氧化氢或硝酸。
4、根据权利要求1所述的清洗液成分，其特征是：该第二酸为氢氟酸。
5、根据权利要求1所述的晶圆的清洗液成分，其特征是：该清洗液成分的重量百分比组成浓度为：第一酸10-15％、氧化剂30-35％、第二酸0.5-1.0％及去离子水为余量。
6、根据权利要求1所述的晶圆的清洗液成分，其特征是：该阻障金属为氮化钛或氮化钽所构成。
7、一种晶圆的清洗方法，其特征是：它包含如下步骤：
(1)将硅晶圆接触一清洗液成分，并进行一预定时间的清洗，该清洗液成分包含有第一酸、氧化剂、第二酸及去离子水，该第一酸用以移除残留于硅晶圆表面的铜金属一氧化剂，该氧化剂用以氧化硅晶圆表面形成一浅氧化层，并氧化残留于硅晶圆边缘的阻障金属；该第二酸用以移除该浅氧化层以及残留于硅晶圆边缘的氧化阻障金属；
(2)旋干该硅晶圆。
8、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该第一酸选自下列酸的至少一种：硫酸、硝酸、乙酸或磷酸。
9、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该氧化剂选自过氧化氢或硝酸。
10、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该第二酸为氢氟酸。
11、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该清洗液成分的重量百分比组成浓度为：第一酸10-15％、氧化剂30-35％、第二酸0.5-1.0％及去离子水为余量。
12、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该阻障金属为氮化钛或氮化钽所构成。
13、根据权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征是：该清洗的预定时间为30秒。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/683,247 | 2001-12-05 | ||
| US09/683,247 US20030104703A1 (en) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | Cleaning composition and method of washing a silicon wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1426094A true CN1426094A (zh) | 2003-06-25 |
| CN1203531C CN1203531C (zh) | 2005-05-25 |
Family
ID=24743176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN02146203.8A Expired - Lifetime CN1203531C (zh) | 2001-12-05 | 2002-10-15 | 晶圆的清洗液成分及其清洗方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030104703A1 (zh) |
| CN (1) | CN1203531C (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102077696A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-05-25 | 朗姆研究公司 | 整修多部件电极的方法 |
| CN102517171A (zh) * | 2011-10-25 | 2012-06-27 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 |
| CN102888300A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-23 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 |
| CN103231304A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-08-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法 |
| CN103915314A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆边缘清洗方法 |
| CN107076716A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-08-18 | 栗田工业株式会社 | 氧化剂浓度的测定方法及测定装置以及电子材料洗净装置 |
| CN116005121A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-04-25 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种用于基片的磁控溅射制备ito膜的方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| EP1763072A4 (en) * | 2004-06-04 | 2010-02-24 | Tokyo Electron Ltd | SUBSTRATE PURIFICATION METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM |
| US7507670B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-03-24 | Lam Research Corporation | Silicon electrode assembly surface decontamination by acidic solution |
| CN100459057C (zh) * | 2006-05-22 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆表面的清洗方法 |
| SG176188A1 (en) * | 2009-05-21 | 2011-12-29 | Stella Chemifa Corp | Cleaning liquid and cleaning method |
| CN103854970B (zh) * | 2012-12-04 | 2018-05-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜沉积方法和半导体器件 |
| CN112750698B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-10-11 | 中锗科技有限公司 | 一种降低锗衬底晶片背面缺陷的腐蚀方法 |
| CN116344407B (zh) * | 2023-04-16 | 2023-09-29 | 苏州冠礼科技有限公司 | 一种晶圆蚀刻清洗后干燥设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240933B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| KR100726015B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2007-06-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판세정방법 및 그 장치 |
| US6589882B2 (en) * | 2001-10-24 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Copper post-etch cleaning process |
-
2001
- 2001-12-05 US US09/683,247 patent/US20030104703A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-10-15 CN CN02146203.8A patent/CN1203531C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-13 US US10/710,452 patent/US20040235306A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102077696A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-05-25 | 朗姆研究公司 | 整修多部件电极的方法 |
| CN102517171A (zh) * | 2011-10-25 | 2012-06-27 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 |
| CN102888300A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-23 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 |
| CN102888300B (zh) * | 2012-09-29 | 2014-08-20 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗液及其使用方法 |
| CN103915314A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆边缘清洗方法 |
| CN103915314B (zh) * | 2012-12-31 | 2016-12-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆边缘清洗方法 |
| CN103231304A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-08-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法 |
| CN103231304B (zh) * | 2013-04-26 | 2015-07-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法 |
| CN107076716A (zh) * | 2015-01-14 | 2017-08-18 | 栗田工业株式会社 | 氧化剂浓度的测定方法及测定装置以及电子材料洗净装置 |
| CN116005121A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-04-25 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种用于基片的磁控溅射制备ito膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1203531C (zh) | 2005-05-25 |
| US20040235306A1 (en) | 2004-11-25 |
| US20030104703A1 (en) | 2003-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1203531C (zh) | 晶圆的清洗液成分及其清洗方法 | |
| EP0918081B1 (en) | Etching composition and use | |
| CA2306242C (en) | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film | |
| US7727891B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process | |
| CN100586585C (zh) | 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法 | |
| EP1086191B1 (en) | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film | |
| KR101082993B1 (ko) | 레지스트용 박리제조성물 및 반도체장치의 제조방법 | |
| KR20070003854A (ko) | Ｃｍｐ 후 세정을 위한 개선된 산성 화학 | |
| JP2002353308A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| TW200400257A (en) | Post-CMP washing liquid composition | |
| JPWO2012066894A1 (ja) | 半導体基板の洗浄用液体組成物およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3236225B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR0157251B1 (ko) | 반도체 기판의 세정 방법 | |
| JP3705724B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4086567B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN1610078A (zh) | 消除晶片边缘剥离的方法 | |
| JP3701193B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW424002B (en) | A cleaning method after finishing polishing process of Cu interconnection | |
| Mistkawi et al. | Corrosion behavior of copper thin films in organic HF-containing cleaning solution for semiconductor applications | |
| JP2001110895A (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPH0962013A (ja) | 半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法 | |
| CN118406498A (zh) | 一种高蚀刻速率、高选择比氮化钛蚀刻液及其制备方法与用途 | |
| Peters et al. | Eliminating carbon and watermarks during post-CMP cleaning | |
| EP0348119B1 (en) | Method of processing metal connectors on semi-conductor devices | |
| JP2001023985A (ja) | 配線構造及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180103 Address after: No. 88 Lianhua Avenue, Jinjiang City, Quanzhou, Fujian Patentee after: FUJIAN JINHUA INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd. Address before: Hsinchu City, Taiwan, China Patentee before: UNITED MICROELECTRONICS Corp. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20050525 |