CN1420806A - 用于排放均匀化学制品的滴落歧管 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于晶片清洗系统的带有滴落喷嘴的滴落歧管，该滴落喷嘴构造为能够形成受控的液滴。该滴落歧管包括固定到滴落歧管上的多个滴落喷嘴，多个滴落喷嘴中的每个具有限定在第一段和第二端之间的通道。一蓝宝石孔口限定在该通道内且位于滴落喷嘴的第一端。该蓝宝石孔口形成角度，以产生在通道内朝向第二端反射的流体束，从而形成在刷子上的一个或多个均匀的液滴。

Description

用于排放均匀化学制品的滴落歧管

技术领域

本发明涉及半导体晶片的清洗，尤其是涉及用来将流体施加到清洗刷上且提高晶片清洗量和效率的方法。

背景技术

在半导体芯片的制造过程中，已知，在已经完成的在晶片表面上留有不想要的残留物的制造过程的情况下，需要清洗晶片。这样的制造过程的例子包括等离子蚀刻(比如钨蚀刻背面(WEB))和化学机械抛光(CMP)。在其他物体中，如果不想要的残留物质和颗粒留在晶片表面上，对于后续的制造操作，可能引起这些缺陷：比如在晶片表面上的划痕和在金属喷镀零件之间的不合适的相互作用。在某些情况下，这样的缺陷可以使晶片上的装置变得不能工作。为了避免带有不能工作的装置的废弃晶片成本的过度浪费，所以必须在晶片表面上留有不需要的残留物的制造操作之后充分有效地清洗晶片。

图1A示出了晶片清洗系统50的高级示意图。该清洗系统50通常包括一加载位置10，在此可以将多个晶片插入装填盒14内，以便通过该系统来清洗。一旦晶片被插入加载位置10，晶片12可以从装填盒14取出并且移动进入刷洗位置一16a，在此晶片12被用选择的化学制品和水(如消电离(DI)水)来擦洗。然后晶片12被移动到刷洗位置二16b。晶片在刷洗位置16被擦洗之后，移动到旋转、冲洗和干燥(SRD)位置20，在此消电离的水被喷射到晶片的表面上，并且旋转干燥。在SRD位置的冲洗过程中，晶片以每分钟大约100转或者更高的速度转动。在晶片已经通过SRD位置20之后，移动到一卸载位置22。

图1B示出了在刷洗位置16进行的清洗过程的简化图。在刷洗位置16，晶片12被插在顶部刷子30a和底部刷子30b之间，晶片顶面12a面朝上。晶片12能够用辊子(未示出)来旋转，从而能够转动刷子30a和30b，以便充分地清洗晶片12的整个顶面和底面。在某些情况下，晶片的底面需要被清洗，也是由于来自底部的污染物可以移动到顶面12a。尽管晶片的顶面和底面都用刷子30来擦洗，但是用顶部刷子30a擦洗的顶面12a是用来清洗的主要表面，因为顶面12a是制造集成电路装置的地方。为了更加有效地清洗晶片12，通过使用滴落歧管13a，可以将清洗溶液施加到顶部刷子30a上。在该例子中，滴落歧管13a被附加到滴落控制装置13上，该滴落控制装置依次连接到流体源24。该流体源24经过控制进入滴落歧管13a的流体量的流体控制装置13来泵送流体(比如任何清洗的化学制品或者DI水)。在接收来自流体控制装置13的流体之后，滴落歧管13a将不均匀的液滴32喷射在顶部刷子30a上。如下面将要描述的那样，发现这种不均匀的液滴32引起清洗操作的许多问题。

图1C示出了在图1B中绘出的部件的截面图。当晶片12已经放在的底部刷子30b上时，顶部刷子30a降落到晶片12上。当顶部刷子30a降落到晶片12上时，滴落控制装置13起动，流体流到滴落歧管13a，其将不均匀的液滴排放到顶部刷子30a上。在此过程中，刷子30a和30b都转动，从而产生化学制品的擦洗作用。

图1D示出了在图1B中绘出的晶片清洗结构的更加详细的侧视图。一般而言，其目的是形成提供到滴落歧管13a的流体，能够将流体的“液滴”均匀地喷射到刷子32a的整个长度上。为了做到这一点，通常的操作是将流体以减小的流速和压力引导进入滴落歧管13a内。为了实现它，流体源24经过滴落控制装置13供应清洗流体，该滴落控制装置调节喷入滴落歧管13a的近端31a的流体量。不幸的是，当流体进入近端31a时，流体在这端势必比在远端31b更快地流出滴落歧管。发生这种流体排放的差别是因为在流体能够到达远端31b的滴孔之前，大多数的流体就已经通过在近端31a的滴孔排放。因此，如果滴落歧管31a整个都是水平的，那么将会喷射比远端液滴32b更多的近端液滴32a。在现有技术中，有时滴落歧管13a以歧管角度φ42略微向下倾斜，从而允许更多的流体到达远端31b。通过发现产生来自近端31a和远端31b的相同滴落量的滴落歧管13a的最佳角度，可以确定该歧管角度42。相对于y轴40a和x轴40b来测量歧管角度42。当滴落歧管13a将远端液滴32a和近端液滴32b喷射到顶部刷子30a上时，该刷子转动擦洗晶片12。

不幸的是，测定滴落歧管以产生大量的流体流束是非常花费时间和困难的过程。经过猜测、试验和犯错，必须测试大量的歧管角度φ42，才能找到清洗流体的最佳流速。甚至在已经找到最佳流速之后，也可以要求重新测定滴落歧管，每次清洗装置被移动到另一位置。发生这一问题，是因为每个不同的位置(甚至同一房间的不同部分)可以具有不同于先前位置的基底角度。因此，如经常是这种情况的话，如果必须频繁地移动清洗装置，那么持续地重新测定的需要，能够造成时间的大量浪费并且降低晶片的清洗量。另外，如果通过撞击或者轻推清洗装置来移动滴落歧管，因为即使滴落歧管的轻微移动也能够造成改变歧管角度φ42的结果，所以可以发生保持歧管角度φ42的进一步的问题。因此，现有技术的滴落歧管13a必须经常重新测定，其次数远远大于需要的或者实际的次数。

图1E示出了滴落歧管13a的更加详细的截面图，滴落歧管正在通过一滴孔13b喷射不均匀的液滴32。如常规实践的那样，通过在滴落歧管13a内钻孔，形成滴孔13b。不幸的是，大家都知道，在滴孔13b内或者周围会留下毛刺13c。这些毛刺可能作为使电路毁坏或者阻止流体流动的颗粒，被引导到晶片上，从而沿着滴落歧管13a发生不均匀的流体喷射。为了补偿潜在的毛刺13c和不均匀的流体排放，常规实践是以高压和高流速将流体排放到滴落歧管13a。相信这将改善流体沿着滴落歧管13a从所有滴孔13b的分配。然而，结果是，这种高压排放和流动势必产生高压喷射32’。

尽管改善了流体从滴孔13b的分配，但是高压喷射32’具有损坏刷子32a的精密表面的不利的作用。在某些情况下，在相对很少的清洗操作之后，就注意到刷子32a有些被撕碎或者磨损。结果，除了引起不均匀的流体排放之外，简单地增加流体排放流量和压力的方案引发了另外的问题。

由于在目前的滴落歧管13a中的这些固有的问题，诸如作为滴落控制装置13的一部分的压力调整器、压力计和流量计的使用，使得试图防止过量喷射的方法很不成功。不幸的是，即使看上去合适的滴落控制，也会发生流体压力无法预测的波动，可能导致公知的损坏刷子30a和/或晶片12的高压喷射32’。

显然，使用前述的滴落歧管效率过低。这样的滴落歧管具有需要花费更多时间来安装的底侧，并且需要大量的维修时间来保持滴落歧管在理想的歧管角度φ42。另外，流体施加必须被仔细地监控，因为由流体压力中的波动和孔边毛刺13c的流量改变作用可能引起刷子或者晶片的损坏。因此，使用现有技术的滴落装置能够引起晶片清洗量的降低和/或刷子及晶片的损坏。

由于上面的原因，需要一种滴落歧管，通过改善清洗流体的滴落以及提高晶片清洗效率和产量来避免现有技术中的问题。

发明内容

广义的讲，本发明通过提供一种改进的方法来将均匀的化学制品排放到晶片清洗系统的刷子上，从而满足这些需要。显然，本发明能够以许多方式进行，包括作为一种过程、装置、系统、设备或者方法。下面描述本发明的几个有创造性的实施例。

在一实施例中，公开了一种用于晶片清洗操作中的滴落歧管。该滴落歧管具有被固定到滴落歧管上的多个滴落喷嘴。多个滴落喷嘴中的每一个具有限定在第一端和第二端之间的通道。一蓝宝石孔口被限定在该通道内，且位于滴落喷嘴的第一端。该蓝宝石孔口形成一角度，从而产生流入该通道内的流体束并且朝向第二端反射，以便在刷子上形成一个或者多个均匀的液滴。

在另一实施例中，公开了一种用于晶片清洗操作中的滴落歧管。提供了一种带有第一刷子和第二刷子的清洗台。该滴落歧管在第一刷子的长度上延伸。多个滴落歧管被固定到滴落歧管上。多个滴落喷嘴中的每一个彼此相互隔开，在滴落歧管的长度上分配开。每个滴落歧管具有限定在第一端和第二端之间的通道。一蓝宝石孔口被限定在该通道内，且位于滴落喷嘴的第一端。该蓝宝石孔口倾斜，从而产生流入该通道内的流体束并且朝向第二端反射，以便在刷子上形成一个或者多个均匀的液滴。

在另一实施例中，公开了一种用在晶片清洗操作中的滴落喷嘴的制造方法。该方法包括产生具有第一端和第二端的管状部分。该方法还包括在第一端和第二端之间确定一通道并且在第一端将蓝宝石孔口插入管状部分的通道内。制造滴落喷嘴的方法也包括以一角度将蓝宝石孔口插入通道且构成这样的角度，即：流体流能够从第一端经过蓝宝石孔口进入管状部分的通道内，流体流作为均匀的液滴排出第二端。

本发明有很多好处。最显著的是，通过设计产生均匀液滴持续滴落的滴落歧管，可以提高晶片清洗的的效率和产量。该要求的发明消除了常变的清洗用化学制品流的问题，它引起诸如刷子和/或晶片损坏的问题。

该滴落歧管不必以特定的歧管角度来定位，从而可以以正确的方式正确地施加清洗流体。这一改进排除了连续重复地调整滴落歧管系统的需要，以便获得并保持较好的歧管角度。这一特征减少了花费在保持滴落歧管上的时间，并且允许提高晶片的清洗量。另外，该滴落歧管几乎消除了由较小的流体压力变化引发滴落的清洗流体的波动。进一步地，由于该滴落喷嘴的设计，也可以消除由孔毛刺引起得便通常的流量变化。因此，该滴落歧管将允许新的滴落系统更加容易地产生并且保持在晶片清洗过程中较好的滴落方式。

根据下面接合附图进行的通过实施例解释主要发明的详细描述，本发明的其他方面和好处可将变得更加明白。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本发明将会更易理解。为了便于描述，相似的参考标号表示相似的结构部件。

图1A表示晶片清洗系统的高级示意图，

图1B示出了在一刷洗位置中进行的清洗过程的简化视图，

图1C示出了在图1B中绘出的部件的剖面图，

图1D示出了在图1B中绘出的晶片清洗结构更加详细的侧视图，

图1E示出了滴落歧管的更加详细的截面图，其通过一孔正在排出不均匀的液滴，

图2A和2B分别是根据本发明一实施例的清洗系统的侧视图和顶视图，

图3A表示根据本发明的一实施例的滴落喷嘴的剖面图，

图3B示出了根据本发明的一实施例的滴落歧管的剖面图，

图3C示出了根据本发明一实施例的蓝宝石孔口歧管的分解图，

图3D示出了根据本发明一实施例的另一孔的视图，

图4示出了包含多个根据本发明一实施例的滴落喷嘴的滴落歧管的侧视图，

图5示出了一清洗系统，其使用包含多个根据本发明一实施例的滴落喷嘴的滴落歧管。

具体实施方式

本发明提供了一种方法和装置，表示用来将均匀的化学制品排放到晶片清洗系统的刷子上的改进方法。在下面的描述中，为了彻底地理解本发明，给出了许多特殊的零件。然而，对于本领域普通技术人员来说，应理解，没有这些具体零件中的一些或所有零件，也可以实现本发明。在其他情况下，没有详细地描述公知的操作过程，并不能使本发明难以理解。

图2A和2B分别示出了清洗系统120的侧视图和顶视图。清洗系统120通常包括一输入位置100，多个晶片可以插在这里，以便经过该系统进行清洗。一旦晶片12被插入输入位置100，晶片12可以被从输入位置100拿出并移动进入刷洗位置一102a，在它们被移动到刷洗位置二102b之前，在此用选择的化学制品和水(比如消电离的水)来洗刷晶片12。在刷洗位置，包含有包括本发明的滴落喷嘴的滴落歧管，下面将更加详细的描述滴落歧管和滴落喷嘴的特征。

在刷洗位置102已经刷洗晶片12后，晶片12被移动进入旋转、冲洗和干燥(SDR)位置104，在此将消电离(DI)的水喷流到晶片表面上，且旋转进行干燥。在晶片已经通过SRD位置后，晶片12移动到输出位置106。该清洗系统120构造为由系统电子设备108来编程和控制。当然，该清洗系统实际上只是例示性的，使用结合滴落歧管的刷洗技术的任一其他形式的清洗系统也将会从本发明的好处中得益。例如，该系统可以是用于水平或者垂直刷洗晶片的可独立应用的刷洗站点，或者化学机械抛光(CMP)系统和清洗系统结合的部分。

图3A表示根据本发明实施例的滴落喷嘴200的剖面图。该滴落喷嘴200构造成能够提供更多均匀液滴的更一致地滴落。

在一实施例中，滴落喷嘴200具有第一端201a和第二端201b。滴落喷嘴200具有一连接喷嘴头200c的管状部分201c。滴落喷嘴200包含在第一端201a和第二端201b之间的通道，流体在此流动。通常，由具有一内表面200’的圆柱形状限定一通道205。在一实施例中，滴落喷嘴200的第一端201a最好具有一倾斜壁200a。应理解，该倾斜壁200a的角度可以根据流体流动需要或者任何其他测量口径的参数而变化。该滴落喷嘴200也有一外喷嘴壁200b，为了将滴落喷嘴200固定到滴落歧管(如下所述)上，外喷嘴壁最好具有螺纹(没有画出来)。

在一实施例中，最好将一蓝宝石孔口202在第一端201a插入到倾斜壁200a。在另一实施例中，蓝宝石孔口由足够硬且适合清洗液的任意合适的材料制成，因此，蓝宝石孔口另一由任意材料制造，从而确定插入孔。因为一通道200”被倾斜形成倾斜壁200a，该蓝宝石孔口202也要倾斜，以装配进入通道200”。这样，蓝宝石孔口202将包括限定进入通道205的倾斜路径的孔内表面202’。该倾斜路径提供用来制造倾斜的液体流，在流动接触表面206其被引导到滴落喷嘴内表面200’。

尽管在例示的实施例中使用蓝宝石，但是也可以使用其他的材料，比如适合于各种清洗流体的材料。这样的清洗流体可以包括基液、酸液(比如HF)和其他流体。该蓝宝石材料也可以确定为通道形式(比如孔)，其被限定为紧公差，并且该通道一旦形成，就会留下非常清洁、无阻碍的表面(如平滑表面)。另外，应理解，对于本领域普通技术人员来说，该蓝宝石孔口202可以被不同地定位，只要形成的构造产生一流体的倾斜的流道，其能够被引导到滴落喷嘴的内表面200’。

当孔输入流体204’首先进入滴落喷嘴200时，它穿过蓝宝石孔口202流动。当结果产生的倾斜的液流离开蓝宝石孔口202且进入滴落喷嘴200的内部通道205时，它开始扩张并且由液流边界206a和206b来限定。然后初始的液流撞击作为滴落喷嘴内表面200’一部分的液流接触表面206。由于初始液流以一定角度撞击液流接触表面206，所以初始液流从液流接触表面206反射并且向滴落喷嘴200的第二端201b拐弯。当该反射发生时，初始液流失去速度并且扩张形成带有喷流边界208a和喷流边界208b的第一反射喷流。当该扩张发生时，带有喷流边界208a和208b的第一反射喷流的部分接触带有喷流边界206a和206b的射入的初始液流的部分。这种接触用来降低初始液流和第一反射喷流的速度。

然后，第一反射喷流撞击喷流接触表面208。到此时，第一反射喷流已经扩张成这样：喷流接触表面208的面积大于喷流接触表面206。当发生这样的接触时，该第一反射喷流被朝着滴落喷嘴200的第二端201b第二次反射。当反射发生时，第一反射喷流失去速度，并且产生更慢移动的第二反射喷流。速度的降低导致该喷流边界的进一步扩张，从而形成喷流边界210a和喷流边界210b。当第二反射喷流扩张时，它和射入的第一反射喷流相接触。这种接触进一步降低了第一反射喷流和第二反射喷流的速度。

之后，第二反射喷流接触喷流接触表面210。再一次由于途中喷流的扩张，该喷流接触表面210大于喷流接触表面208。当这种接触发生时，该喷流再一次以一角度向滴落喷嘴200的第二端201b反射，从而产生第三反射喷流。当发生这种反射时，喷流速度再一次得以降低，并且发生喷流的进一步扩张。该扩张形成喷流边界212a和喷流边界212b。另外，当这种喷流扩张发生时，第三反射喷流和射入的第二反射喷流接触。当发生这样的接触时，第二反射喷流和第三反射喷流的速度会降低。

因此，每一次喷流反射会产生流体速度的降低。这些喷流继续反射，直到该流体到达在第二端201b的喷嘴头200c的边缘。到此时，流体速度已经充分降低。速度的这种降低产生液体朝向滴落喷嘴的第二端的积聚，沿着第一端201a的方向产生向后的力207。向后力207的产生用来进一步减慢流体流过滴落喷嘴200的通道205的速度。这样，在喷嘴头200c的开口处慢慢形成均匀的液滴，产生被控制的、一致和均匀的滴落效果。

在该例中，滴落喷嘴头200c构造成这样：在圆周上其大于外面的喷嘴壁200b。该喷嘴头最好也被控制在滴落喷嘴200的表面200c’，从而进一步有助于均匀液滴的产生。例如，直径D263有助于均匀液滴的形成，该液滴由将均匀液滴附加到喷嘴头200c上的面积来确定。该均匀液滴在尺寸上长大，直到它的质量使它和表面200c’分离。另外，通过防止流体向喷嘴上移动，角度θ265也有助于均匀液滴的形成。显然，喷嘴可以以各种形状构造，以便产生相似的液滴。另外，滴落喷嘴200也能够制造为没有滴落喷嘴头200c。滴落喷嘴200的实际形状主要取决于流体的粘性、滴落速度以及其被安装进入的环境。还有，滴落喷嘴200最好由和流体的化学性质相容的材料制造，比如特氟隆(Teflon^TM)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。PET材料的高纯度是公知的，并且相对容易制造。在一实施例中，滴落喷嘴的长度L260可以在0.02英寸左右和1英寸左右之间改变，优选长度为大约0.437英寸。这一尺寸通常可以被改变到允许一次或者多次喷流从滴落喷嘴内表面200’反射的任意长度。这将确保形成更加均匀的液滴。在该实施例中，滴落喷嘴200的通道直径D262可以在在0.02英寸左右和1英寸左右之间改变，优选大约0.062英寸。当然，该尺寸可以根据粘性和需要的流体流而变化。更进一步的，该蓝宝石孔口最好一次折弯插入孔内表面200”。该角度可以广泛地变化，比如，角度θ264可以在15度左右到75度左右之间，且优选设定为大约45度。通常，只要产生离开滴落喷嘴内表面200’的一次或多次喷流反射，有些角度就必须存在。

图3B示出了根据本发明另一实施例的滴落歧管220的剖面图。在该实施例中，滴落歧管220具有歧管内表面220a和歧管外表面220b。通过螺纹200d，滴落喷嘴200被固定到滴落歧管220上。显然，用多种其他方式可以将滴落喷嘴200紧固到滴落歧管220上，比如将滴落喷嘴200压进滴落歧管220内。在一实施例中，滴落喷嘴200最好被这样定位，即：该第一端201a突出进入滴落歧管220的内部区域203。对于滴落歧管220的内部来说，尽管可以使用在0.250英寸左右到1.00英寸左右范围内任一合适的直径，但是优选使用0.375英寸左右。通过形成延伸进入内部区域203的滴落喷嘴200，孔边毛刺220c(由孔的钻削产生)很少能阻塞由孔表面202’限定的孔。滴落歧管220的内部区域203优选由歧管内表面204a确定的圆柱形。当清洗流体被抽吸进入滴落歧管220时，内部区域203充满歧管流体204。歧管204的一部分进入作为孔输入流体204’的蓝宝石孔口202。然后，该孔输入流体204’经过如上所述参考图3A的许多反射作用前进，且从喷嘴头200c排放均匀液滴204a。当然，在真正的滴落歧管220内，实际上有几个滴落喷嘴200，如下面将要描述的那样。

图3C示出了蓝宝石孔口202的透视图。在该实施例中，蓝宝石孔口202包括通常为圆柱形的内表面202’。在蓝宝石孔口202的一端，内表面202，向外倾斜，从而确定一斜面202”。斜面202”构造为能够送入滴落喷嘴200的通道205。这样，在工作中，孔输入流体204’进入蓝宝石孔口202，并且从由液流边界206a和206b限定的一侧流出。在一实施例中，蓝宝石孔口202的外径D266最好是0.087英寸左右。显然，孔内表面202’的直径可以改变，从而产生根据需要的不同流速。孔内表面202’的直径严格控制到一理想的公差，以便特定尺寸的所有蓝宝石孔口202中的大多数接近一样。在一优选实施例中，孔内表面202’可以具有大约0.010英寸的直径。蓝宝石孔口202的长度L268是大约0.047英寸。当然，长度L268可以根据需要的滴落性质改变。图3D示出了另一替换孔202”的视图。

在该实施例中，另一替换孔202”最好也由蓝宝石材料制造。该另一替换孔202”的孔内表面202’保持不变的造型，并且不向外倾斜成滴落喷嘴200的通道205。在一实施例中，另一替换孔202”的直径D266也是0.087英寸左右。显然，孔内表面202’的直径可以改变，从而产生根据需要的不同流速。孔内表面202’的直径严格控制到一理想的公差，以便特定尺寸的所有蓝宝石孔口202中的大多数接近一样。在另一优选实施例中，另一替换孔202”的长度L268是大约0.047英寸。另一替换孔202”的长度L268可以根据需要的滴落性质改变。孔输入流体204’进入另一替换孔202”，并且从由液流边界206a和206b限定的另一侧流出。如上所述，蓝宝石孔口202和另一替换孔202”可以由其他材料制造，这些材料适合于不同的清洗流体并且限定到严格的公差，在其形成后留下平滑的表面。这样，该平滑表面能够产生流体更加一致的进入点，并且产生离开一体形成在滴落歧管220内的每个滴落喷嘴200的更加受控的液滴。

图4示出了包含多个根据本发明实施例的滴落喷嘴200的滴落歧管220。在该实施例中，通过一管子252将流体源258连接到压力调整器256。然后，压力计254连接到管子252的一部分上，该管子252将压力调整器256连接到滴落歧管220的一端。多个滴落喷嘴200固定到滴落歧管220上，如上面参考图3B说描述的那样。在一实施例中，滴落歧管220最好是圆柱形结构，由特氟隆(Teflon^TM)或者适合于清洗流体的化学性质的其他任何材料来制造。

在该实施例中，流体源258通常将流体供应到压力调整器256，在此，能够控制引导到滴落歧管的流体压力。压力计监控管子252中的流体压力。通过压力调整器256和压力计252两者的使用，清洗流体的流体压力(和导致的滴落)能够得到控制。然后，流体通过管子252流到滴落歧管220。一旦进入滴落歧管220，加压流体均等地流进多个滴落喷嘴200。因为滴落歧管220可以被加压流体充满，所以进入所有滴落喷嘴200内的流体量基本相等。如上所述，在流体已经通过滴落喷嘴200之后，均匀的液滴以恒定的、受控的速率从滴落喷嘴200落下。有利的是，仅仅使用压力计254和压力调整器256就可以调节经过滴落歧管220的流体量，而不需要采用流量计或者另外的部件。

图5示出了采用包含多个根据本发明实施例的滴落歧管200的滴落歧管220的清洗系统。管子252连接到滴落歧管220的一端。在一实施例中，滴落歧管220最好位于顶部刷子30a之上，从而清洗流体能够滴落到顶部刷子30a上。显然，滴落歧管220可以位于任何位置，在此允许清洗液恒定地施加到顶部刷子30a上(或者位于滴落歧管220之下的任一其他的刷子上)。晶片12放置在底部刷子30b的顶上和顶部刷子30a的下面。管子252将流体传送到滴落歧管220内。流体流过滴落喷嘴200，并且以均匀液滴204a的形式被排出。当均匀液滴204a以恒定速率施加到顶部刷子30a上时，刷子30能够转动，从而擦洗晶片12。这样，滴落歧管220精确地将恰当量的清洗流体以需要的速度施加到顶部刷子30a上，从而导致晶片12的最佳清洗。

虽然已经根据几个优选实施例描述了本发明，但是应理解，依靠阅读前面的说明书以及研究附图，本领域技术人员将能够实现各种改变、添加、变换以及其等同替换。因此，本发明倾向于包括落在本发明的实质精神和范围内的所有这样的改变、添加、变换以及其等同替换。

Claims (30)

1、一种用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其包括：

多个滴落喷嘴，每个滴落喷嘴包括第一端和第二端以及限定在它们之间的通道；

蓝宝石孔口，被限定在该通道内，且位于滴落喷嘴的第一端，该蓝宝石孔口形成一角度，从而产生朝向第二端反射的流体束，以便在一表面上形成一个或者多个均匀的液滴。

2、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，该滴落歧管并入具有第一刷子和第二刷子的清洗台；并且该滴落歧管在第一刷子的长度上延伸。

3、如权利要求2所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个彼此相互隔开，并且在滴落歧管的长度上分配开。

4、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个的第一端突出进入滴落歧管的内部区域。

5、如权利要求4所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个的第二端向外延伸超出滴落歧管的外表面。

6、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，该第一端具有倾斜的壁，该倾斜壁形成为能够以插入的形式接收该蓝宝石孔口。

7、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个喷嘴中的每一个包含有螺纹，从而能够拧入该滴落歧管。

8、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个喷嘴中的每一个在第二端带有一喷嘴头。

9、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，限定在滴落喷嘴的第一端和第二端之间的通道限定一长度，流体束经过该长度反射一次或者多次，直到该流体束形成均匀的液滴。

10、如权利要求1所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，在一端，蓝宝石孔口的内表面形成外扩的角度，从而限定一斜面，所述的斜面构造为能够将流体输送进入由滴落喷嘴的第一端和第二端确定的通道。

11、一种用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其包括：具有第一刷子和第二刷子清洗台；

在第一刷子的长度上延伸的滴落歧管；

和滴落歧管一体形成的多个滴落喷嘴，多个滴落喷嘴中的每一个彼此相互隔开，并且在滴落歧管的长度上分配开；

每个滴落喷嘴包括：

第一端和第二端以及限定在它们之间的通道；

蓝宝石孔口，被限定在该通道内，且位于滴落喷嘴的第一端，该蓝宝石孔口形成角度，从而产生朝向第二端反射的流体束，以便在以表面上形成一个或者多个均匀的液滴。

12、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个的第一端突出进入滴落歧管的内部区域。

13、如权利要求12所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个的第二端向外延伸超出滴落歧管的外表面。

14、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，该第一端具有倾斜的壁，该倾斜壁形成为能够以插入的形式接收该蓝宝石孔口。

15、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个喷嘴中的每一个含有螺纹，从而能够拧入该滴落歧管。

16、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个喷嘴中的每一个在第二端带有一喷嘴头。

17、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，限定在滴落喷嘴的第一端和第二端之间的通道限定一长度，流体束经过该长度反射一次或者多次，直到该流体束形成均匀的液滴。

18、如权利要求11所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，在一端，蓝宝石孔口的内表面形成外扩的角度，从而形成斜面，所述的斜面构造为能够将流体输送进入由滴落喷嘴的第一端和第二端确定的通道。

19、一种制造滴落喷嘴的方法，该滴落喷嘴构造为用于定位在一表面上的滴落歧管，其包括：

产生具有第一端和第二端的管状部分，该管状部分确定在第一端和第二端之间的一通道；在第一端将蓝宝石孔口插入管状部分的通道内，这样进行插入，即：蓝宝石孔口以一角度对准，该角度为：流体流能够从第一端经过处于该角度的蓝宝石孔口进入该管状部分的通道内，并且在该管状部分的第二端排出，在所述端排出的流体流确定为一个或者多个液滴。

20、如权利要求19所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该蓝宝石孔口构造为包括圆柱形的孔内表面，其确定进入该管状部分的通道内的倾斜的路径。

21、如权利要求20所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，在蓝宝石孔口的一端该圆柱形孔口内表面形成为向外的一角度。

22、如权利要求19所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该蓝宝石孔口由蓝宝石材料或者适合清洗的材料构造。

23、如权利要求19所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该蓝宝石孔口的角度产生从滴落喷嘴内表面进行的清洗流体的一次或者多次反射，该清洗流体作为均匀的液滴从滴落喷嘴排出。

24、如权利要求19所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该管状部分的第二端构造为滴落喷嘴头。

25、如权利要求24所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该滴落喷嘴头大于外部的喷嘴壁。

26、如权利要求24所述的制造用于晶片清洗操作的滴落喷嘴的方法，其特征在于，该滴落喷嘴头的一端是平的。

27、一种滴落歧管，包括：

多个滴落喷嘴，每个滴落喷嘴包括第一端和第二端以及限定在它们之间的通道；以及

插入孔口，被限定在该通道内，且位于滴落喷嘴的第一端，该插入孔口形成角度，从而产生朝向第二端反射的流体束，以便在一承接物体上形成一个或者多个均匀的液滴。

28、如权利要求27所述的用于晶片清洗操作的滴落歧管，其特征在于，该滴落歧管并入具有第一刷子和第二刷子的清洗台；并且该滴落歧管在第一刷子的长度上延伸。

29、如权利要求28所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，多个滴落喷嘴中的每一个彼此相互隔开，并且在滴落歧管的长度上分配开。

30、如权利要求27所述的用在晶片清洗操作中的滴落歧管，其特征在于，该插入孔口由蓝宝石材料和适合清洗的材料之一形成。

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