CN1405853A - 寻找晶片边界的方法 - Google Patents

Abstract

一种寻找晶片边界的方法，所述方法运用于一切割机，借助一摄影机先向上、再向右及向左拍摄存取一破片晶片的影像，并与一母样本芯片进行影像比较，借以得到所述破片晶片的上切割边界，同理，利用相同步骤也可得到所述破片晶片的下、左、右切割边界，这样，即可精确地界定所述破片晶片的切割边界。

Description

寻找晶片边界的方法

【技术领域】

本发明涉及一种晶片边界的搜寻方法，特别是涉及一种可精确地自动搜寻晶片边界的寻找晶片边界的方法。

【背景技术】

亚洲地区现已是世界晶片代加工的重要区域，然而，随着全球化竞争的日趋剧烈，如何以最有效率的方式将产品完成并送至客户手中已成为一相当重要的课题。

现有一种晶片切割机100，如图1、2、3所示，所述切割机100具有一可沿X轴方向左右移动、且可绕Z轴方向自转的切割工作台1，以供置放一晶片(所述晶片为一破片晶片101)、一组可同步沿Y轴方向前后移动的刀轴2及摄影机3，且所述刀轴2可独自地沿Z轴方向上下移动，并设有一刀片201、一可操控驱动所述切割工作台1、所述刀轴2及所述摄影机3的中央处理器4，及一与所述中央处理器4连结的显示器5，且所述摄影机3与所述中央处理器4之间还依序设有一模拟/数字转换器401、一影像存储装置402。

借此，操作者可利用所述晶片切割机100自动切割对正后的所述破片晶片101，但是，请再参阅图4，因所述破片晶片101是呈不规则的形状，所以，操作者无法以切割完整晶片的方式切割所述破片晶片101，而必须在切割所述破片晶片101前，先以人工的方式量测所述破片晶片101的切割参考尺寸L1、L2，并将所述切割参考尺寸L1、L2输入所述晶片切割机100的中央处理器4，以作为所述破片晶片101的假想切割边界。诚然，利用此种人工量测方式可设定所述破片晶片101的假想切割边界，但是，此种人工量测方式在实际操作上却具有以下的缺点：

一、操作者为了避免漏切所述破片晶片101，所述切割参考尺寸L1、L2通常是选取比所述破片晶片101实际尺寸更大的数值，这样，往往会造成所述刀片201产生过度的空切，徒然浪费许多时间于无效的切割上，当单位芯片尺寸愈小(如0.2mm×0.2mm的LED芯片)，空切愈费时，因而严重地影响整体的生产效率。

二、因为每一破片晶片的形状、大小皆不尽相同，所以，操作者于每次切割时，必须一再量测每一破片晶片的切割参考尺寸，并一再更改所述晶片切割机100的输入设定，这样，不但麻烦，也会对生产效率造成影响。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种搜寻晶片边界时可精确地自动搜寻晶片边界的寻找晶片边界的方法。

本发明寻找晶片边界的方法，运用于一切割机，所述切割机具有：一可沿X轴方向左右移动、且可绕Z轴方向自转的切割工作台，以供置放一待切割工件；一组可同步沿Y轴方向前后移动的刀轴及摄影机，且所述刀轴可独自地沿Z轴方向上下移动；一可操控驱动所述切割工作台、所述刀轴及所述摄影机的中央处理器；及一与所述中央处理器连结的显示器，且置放于所述切割工作台的所述待切割工件上，形成有数个与所述中央处理器通过所述摄影机预先摄下储存的一母样本芯片完全相同、且可切割分离的单位芯片，所述单位芯片均为相同形状，且呈阵列式排列，每一单位芯片均具有至少二切割方向，在所述切割方向上每一单位芯片均各形成有一切割距离；其特点是，所述方法包括以下步骤：一、以所述待切割工件的其中一单位芯片的中心点为一起始搜寻点；二、将由所述起始搜寻点沿Y轴方向向上平移一参考尺寸的地方形成为一上边界点，对应所述上边界点，所述起始搜寻点形成为一下边界点；三、将所述上、下边界点的Y轴方向坐标的平均值，除以所述待切割工件与Y轴方向平行的一第一切割方向的一第一切割距离，并取整数，再将所述整数乘以所述第一切割距离，可得到一Y轴方向新坐标，所述Y轴方向新坐标形成为一第二搜寻点；四、将所述摄影机平移至所述第二搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较，若影像比较符合，所述第二搜寻点的坐标则形成为所述下边界点，并与步骤三的所述上边界点相减取绝对值，若影像比较不符合，所述第二搜寻点的坐标则形成为所述上边界点，并与步骤三的所述下边界点相减取绝对值；五、重复递归步骤三、步骤四，直至所述上、下边界点相减的绝对值小于一设定公差，则所述上、下边界点互相逼近的地方形成为一第三搜寻点；六、将所述第三搜寻点沿X轴方向向右平移一水平参考距离的地方形成为一第四搜寻点，所述水平参考距离等于所述待切割工件与X轴方向平行的一第二切割方向的一第二切割距离的整数倍长度；七、将所述摄影机平移至所述第四搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较，若影像比较符合，则将所述第四搜寻点沿Y轴方向向上平移一垂直参考距离至一第五搜寻点，所述垂直参考距离等于所述第一切割距离的整数倍长度，并将所述第五搜寻点的坐标形成为所述第四搜寻点，若影像比较不符合，则将所述第四搜寻点沿X轴方向向右平移所述水平参考距离至一第六搜寻点，并将所述第六搜寻点的坐标形成为所述第四搜寻点；八、重复进行步骤七，直至所述四搜寻点连续沿X轴方向向右平移所述水平参考距离至所述第六搜寻点的次数大于一预设参数，并将所述第四搜寻点连续向右平移的起始坐标形成为一第七搜寻点；九、将所述第七搜寻点沿X轴方向向左平移所述水平参考距离的地方形成为一第八搜寻点；十、将所述摄影机平移至所述第八搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较，若影像比较符合，则将所述第八搜寻点沿Y轴方向向上平移所述垂直参考距离至一第九搜寻点，并将所述第九搜寻点的坐标形成为所述第八搜寻点，若影像比较不符合，则将所述第八搜寻点沿X轴方向向左平移所述水平参考距离至一第十搜寻点，并将所述第十搜寻点的坐标形成为所述第八搜寻点；十一、重复进行步骤十，直至所述八搜寻点连续沿X轴方向向左平移所述水平参考距离至所述第十搜寻点的次数大于所述预设参数，并将所述第八搜寻点连续向左平移的起始坐标形成为一第十一搜寻点，所述第十一搜寻点即为所述待切割工件在其第一切割方向上的一绝对上边界点。

【附图说明】

下面结合附图及较佳实施例对本发明进行详细说明：

图1是现有一种晶片切割机的立体外观示意图；

图2是现有所述切割机拆除一外部壳体后的立体示意图；

图3是现有所述切割机的系统连结示意图；

图4是一破片晶片置放于一切割工作台上，且经对正后的平面示意图；

图5是现有所述种切割机的一窗口显示一置放于所述切割工作台上的母片晶片的影像，并建立一母样本芯片的局部平面示意图；

图6是另一破片晶片未对正前置放于所述切割工作台上的平面示意图；

图7是所述破片晶片采样的平面示意图；

图8是所述破片晶片自动对正示意图；

图9是所述破片晶片的自动对正完成示意图；

图10是本发明一较佳实施例的流程图；

图11是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(一)；

图12是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(二)；

图13是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(三)；

图14是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(四)；

图15是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(五)；

图16是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(六)；

图17是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(七)；

图18是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(八)；

图19是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(九)；

图20是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(十)；

图21是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(十一)；

图22是所述较佳实施例的上边界搜寻示意图(十二)；

图23是所述较佳实施例的上边界搜寻完成示意图；

图24是所述较佳实施例的上、下、左、右边界搜寻完成示意图；

图25是所述切割工作台上置放有多片破片晶片的平面示意图。

【具体实施方式】

本发明寻找晶片边界的方法的一较佳实施例，是与所述切割机100搭配使用，且在本实施例中，是先进行一晶片自动对正程序，然后再进行本发明的步骤，但是，该实施例并不拘限本发明的应用范围。

请参阅图5，所述晶片自动对正程序的前置作业是先将一母片晶片10置于所述切割工作台1上，则所述母片晶片10的影像可由所述摄影机3的一镜头301，通过所述模拟/数字转换器401、所述影像存储装置402及所述中央处理器4而于所述显示器5的一窗口501中显示，且所述母片晶片10上形成有数个可切割分离的单位芯片11，所述单位芯片11均具有一第一切割方向y及一第二切割方向x，并呈阵列式排列，且彼此间均间隔有一切割道12，在所述第一、第二切割方向y、x上每一单位芯片11均各形成有一第一切割距离D1及一第二切割距离D2(所述第一(第二)切割距离D1(D2)等于所述单位芯片11的宽度(长度)加上所述切割道12的宽度)，且所述第一、第二切割距离D1、D2的长度是分别等于任二单位芯片11的中心点间距D3、D4的长度，而当操作者以目视所述显示器5的窗口501，并配合手动调整所述切割工作台1及所述摄影机3的方式将所述母片晶片10对正后，所述摄影机3可将所述母片晶片10上的其中一单位芯片11的影像摄下储存，并将其形成为一母样本芯片13，这样，即完成所述晶片自动对正程序的前置作业，则当要对正一与所述母片晶片10相同规格的破片晶片20时，即可以所述晶片自动对正程序加以自动对正，所述晶片自动对正程序包括以下步骤：

一、归零：请参阅图6，所述中央处理器4会将放置有与所述母片晶片10相同规格的所述破片晶片20(所述破片晶片20的每一单位芯片21均与所述单位芯片11同尺寸，且具有相同的第一、第二切割方向y、x及第一、第二切割距离D1、D2)的所述切割工作台1及所述摄影机3驱动调整至一原点，使所述摄影机3的镜头301可位于所述切割工作台1的上方。

二、采样：请参阅图7，所述中央处理器4通过所述摄影机3的镜头301拍摄存取所述破片晶片20的影像，并与所述母样本芯片13进行影像比较，从而选取出与所述母样本芯片13符合的单位芯片，并将其各形成为一子样本，本实施例中采得三个完整的子样本22、23、24，且记录其中心点坐标值，此外，在此步骤若无法选取到至少二个子样本(例如在所述破片晶片20边界)，所述中央处理器4会驱动所述切割工作台1沿X轴方向平移，及驱动所述摄影机3沿Y轴方向平移，以使所述摄影机3可拍摄到至少二个子样本的影像。

三、计算间距：请参阅图7，所述中央处理器4分别计算任二子样本22及23、23及24、22及24的中心点间的间距S1、S2、S3。

四、计算间距余数：所述中央处理器4将任二子样本22及23、23及24、22及24的间距S1、S2、S3，先对所述第二切割方向x的第二切割距离D2取余数，余数最小者表示所述组子样本是同样地位于所述第二切割方向x上。

五、判断并选取余数最小的其中一组子样本：由图5、7可知，所述二子样本23、24的中心点间的间距S2是几乎等于任二单位芯片11的中心点间距D4(考虑制造误差及浮点运算的误差)，且所述中心点间距D4是等于所述第二切割距离D2，所以，所述二子样本23、24的间距S2对所述切割距离D2所取的余数将逼近零，即所述中央处理器4取选所述二子样本23、24为余数最小的一组子样本，此外，若在此步骤所取到的余数大于一预设的公差值，即表示所述破片晶片20与所述母片晶片10规格不同，是误放于所述切割工作台1上，则所述中央处理器4会立即停止后续步骤的进行，并发出错误信息。

六、由步骤四、五可知，所述组子样本23、24是同样地位于所述第二切割方向x上，请参阅图8，所述中央处理器4驱动所述切割工作台1以其台面中心点(x₀，y₀)为回转中心点，绕Z轴方向转动，使所述组子样本23、24的第二切割方向x转动至一水平线上。

七、最后，请参阅图9，所述中央处理器4再驱动所述切割工作台1沿X轴方向平移，及驱动所述摄影机3沿Y轴方向平移，以使所述窗口501的一标记502的中心点调整移动至其中一单位芯片21的中心点处。

这样，借助上述步骤，可使所述破片晶片20完成自动对正的动作，然后，即可以本发明的方法为所述破片晶片20寻找边界，请配合参阅图10，所述方法包括以下步骤：

一、请参阅图11，所述中央处理器4以所述破片晶片20的其中一单位芯片21的中心点为一起始搜寻点(x₁，y₁)；

二、请参阅图11，所述中央处理器4将由所述起始搜寻点(x₁，y₁)沿Y轴方向向上平移一参考尺寸R(所述参考尺寸R可采用所述母片晶片10二分之一的实际尺寸)的地方形成为一上边界点(x_up，y_up)，对应所述上边界点(x_up，y_up)，所述起始搜寻点(x₁，y₁)形成为一下边界点(x_down，y_down)。

三、请参阅图11，所述中央处理器4将所述上、下边界点(x_up，y_up)、(x_down，y_down)的Y轴方向坐标的平均值，除以所述破片晶片20与Y轴方向平行的所述第一切割方向y的第一切割距离D1，并取整数，再将所述整数乘以所述第一切割距离D1，可得到一Y轴方向新坐标，所述Y轴方向新坐标形成为一第二搜寻点(x₂，y₂)。

四、请参阅图12，所述中央处理器4将所述摄影机3平移至所述第二搜寻点(x₂，y₂)，拍摄存取所述破片晶片20于所述第二搜寻点(x₂，y₂)的影像，并与所述母样本芯片13进行影像比较；若影像比较符合，所述第二搜寻点(x₂，y₂)的坐标则形成为所述下边界点(x_down，y_down)，并与步骤三的所述上边界点(x_up，y_up)相减取绝对值，若影像比较不符合，所述第二搜寻点(x₂，y₂)的坐标则形成为所述上边界点(x_up，y_up)，并与步骤三的所述下边界点(x_down，y_down)相减取绝对值。而由图12中可知，所述第二搜寻点(x₂，y₂)处的单位芯片21的影像是与所述母样本芯片13的影像符合，所以所述第二搜寻点(x₂，y₂)的坐标形成为所述下边界点(x_down，y_down)，并与步骤三的所述上边界点(x_up，y_up)相减取绝对值。

五、请参阅图13，通过重复递归步骤三、步骤四，直至所述上、下边界点(x_up，y_up)、(x_down，y_down)相减的绝对值小于一设定公差T(在本实施例中所述设定公差T等于两倍所述第一切割距离D1的长度)，则互相逼近的所述上、下边界点(x_up，y_up)、(x_down，y_down)的其中之一形成为一第三搜寻点(x₃，y₃)，在本实施例中是将所述下边界点(x_down，y_down)形成为所述第三搜寻点(x₃，y₃)。

六、请参阅图14，所述中央处理器4将所述第三搜寻点(x₃，y₃)，沿X轴方向向右平移一水平参考距离H的地方，形成为一第四搜寻点(x₄，y₄)，所述水平参考距离H等于所述破片晶片20与X轴方向平行的所述第二切割方向x的第二切割距离D2的一倍长度。

七、请参阅图15，所述中央处理器4将所述摄影机3平移至所述第四搜寻点(x₄，y₄)，拍摄存取所述破片晶片20于所述第四搜寻点(x₄，y₄)的影像，并与所述母样本芯片13进行影像比较；若影像比较符合，则将所述第四搜寻点(x₄，y₄)沿Y轴方向向上平移一垂直参考距离V至一第五搜寻点(x₅，y₅)，所述垂直参考距离V等于所述第一切割距离D1的一倍长度，并将所述第五搜寻点(x₅，y₅)的坐标形成为所述第四搜寻点(x₄，y₄)，若影像比较不符合，则将所述第四搜寻点(x₄，y₄)沿X轴方向向右平移所述水平参考距离H至一第六搜寻点(x₆，y₆)，并将所述第六搜寻点(x₆，y₆)的坐标形成为所述第四搜寻点(x₄，y₄)。而由图15、16中可知，所述第四搜寻点(x₄，y₄)处的影像与所述母样本芯片13的影像并不符合，所以，所述中央处理器4将所述第四搜寻点(x₄，y₄)沿X轴方向向右平移所述水平参考距离H至所述第六搜寻点(x₆，y₆)，并将所述第六搜寻点(x₆，y₆)的坐标形成为所述第四搜寻点(x₄，y₄)。

八、请参阅图15、17，经由重复进行步骤七，直至所述第四搜寻点(x₄，y₄)连续沿X轴方向向右平移所述水平参考距离H至所述第六搜寻点(x₆，y₆)的次数大于一预设参数P，并将所述第四搜寻点(x₄，y₄)连续向右平移的起始坐标形成为一第七搜寻点(x₇，y₇)，此第七搜寻点(x₇，y₇)即代表在所述第三搜寻点(x₃，y₃)右侧最高的一点。

九、请参阅图18，所述中央处理器4将所述第七搜寻点(x₇，y₇)沿X轴方向向左平移所述水平参考距离H的地方形成为一第八搜寻点(x₈，y₈)。

十、请参阅图19，所述中央处理器4将所述摄影机平移至所述第八搜寻点(x₈，y₈)，拍摄存取所述破片晶片20于所述第八搜寻点(x₈，y₈)的影像，并与所述母样本芯片13进行影像比较。若影像比较符合，则将所述第八搜寻点(x₈，y₈)沿Y轴方向向上平移所述垂直参考距离V至一第九搜寻点(x₉，y₉)，并将所述第九搜寻点(x₉，y₉)的坐标形成为所述第八搜寻点(x₈，y₈)，若影像比较不符合，则将所述第八搜寻点(x₈，y₈)沿X轴方向向左平移所述水平参考距离H至一第十搜寻点(x₁₀，y₁₀)，并将所述第十搜寻点(x₁₀，y₁₀)的坐标形成为所述第八搜寻点(x₈，y₈)。而由图19、20中可知，所述第八搜寻点(x₈，y₈)处的单位芯片21的影像是与所述母样本芯片13的影像符合，所以，所述中央处理器4将所述第八搜寻点(x₈，y₈)沿Y轴方向向上平移所述垂直参考距离V至所述第九搜寻点(x₉，y₉)，并将所述第九搜寻点(x₉，y₉)的坐标形成为所述第八搜寻点(x₈，y₈)。

十一、请参阅图21、22、23，通过重复进行步骤十，直至所述八搜寻点(x₈，y₈)连续沿X轴方向向左平移所述水平参考距离H至所述第十搜寻点(x₁₀，y₁₀)的次数大于所述预设参数P，则所述第八搜寻点(x₈，y₈)连续向左平移的起始坐标形成为一第十一搜寻点(x₁₁，y₁₁)，所述第十一搜寻点(x₁₁，y₁₁)即为所述破片晶片20在其第一切割方向y上的一绝对上边界点。

借此，如图24所示，利用上述本发明的方法即可得到所述破片晶片20在其第一切割方向y上的绝对上边界点，即得到所述破片晶片20在其第一切割方向y上的上切割边界，而为了保险起见，也可将所述第十一搜寻点(x₁₁，y₁₁)再沿Y轴方向向上平移一安全余裕S的地方形成为所述绝对上边界点(在本实施例中所述安全余裕S等于所述第一切割距离D1的一倍长度)。此外，利用相同的步骤，并将步骤二、七、十中沿Y轴方向向上平移的操作改为沿Y轴方向向下平移，即可得到所述破片晶片20在其第一切割方向y上的一绝对下边界点(x₁₂，y₁₂)。同理，将所述切割工作台1转动九十度后，利用上述的步骤，也可得到所述破片晶片20在其第二切割方向x上的一绝对右边界点(x₁₃，y₁₃)及一绝对左边界点(x₁₄，y₁₄)。这样，即可得到所述破片晶片20完整、精确的切割边界。

通过以上的说明，可再将本发明的优点归纳如下：

一、借助本发明的方法，可精确地界定所述破片晶片20的切割边界，所以，所述刀片201不会产生过度的空切，因而可有效地提升整体的生产效率。

二、借助本发明的方法，所述晶片切割机100经一次输入设定相关参数后，即可适用于每一形状、大小皆不相同的破片晶片，而不必一再更改设定，所以，本发明的方法的设定操作简便，而可再进一步提升整体的生产效率。

值得一提的是，本发明的方法在向上搜寻后，也可先向左平移搜寻，再向右平移搜寻，则也可达到与上述相同的目的与功效，而前置作业的对正程序也可以改由人工对正方式完成，另外，如图25所示，所述切割工作台1上也可同时置放数个的破片晶片30、40、50、60，则每一破片晶片30、40、50、60，在各别经由所述晶片自动对正程序的对正，及本发明的方法的搜寻后，也可先后分别界定出其自身的切割边界，便于进行多片自动切割。

归纳上述，本发明的寻找晶片边界的方法，不但可精确地界定晶片切割边界，且经一次输入设定后，即可自动搜寻数个相同规格晶片的切割边界，所以确实能达到发明的目的。

Claims (3)

1.一种寻找晶片边界的方法，所述方法运用于一切割机，所述切割机具有：一可沿X轴方向左右移动、且可绕Z轴方向自转的切割工作台，以供置放一待切割工件；一组可同步沿Y轴方向前后移动的刀轴及摄影机，且所述刀轴可独自地沿Z轴方向上下移动；一可操控驱动所述切割工作台；所述刀轴及所述摄影机的中央处理器；及一与所述中央处理器连结的显示器，且置放于所述切割工作台的所述待切割工件上，形成有数个与所述中央处理器通过所述摄影机预先摄下储存的一母样本芯片完全相同、且可切割分离的单位芯片，所述单位芯片均为相同形状，且呈阵列式排列，每一单位芯片均具有至少二切割方向，在所述切割方向上每一单位芯片均各形成有一切割距离；其特征在于，所述方法包括以下步骤：

一、以所述待切割工件的其中一单位芯片的中心点为一起始搜寻点；

二、将由所述起始搜寻点沿Y轴方向向上平移一参考尺寸的地方形成为一上边界点，对应所述上边界点，所述起始搜寻点形成为一下边界点；

三、取所述上、下边界点的Y轴方向坐标的平均值，可得到一Y轴方向新坐标，所述Y轴方向新坐标形成为一第二搜寻点；

四、将所述摄影机平移至所述第二搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较；

若影像比较符合，所述第二搜寻点的坐标则形成为所述下边界点，并与步骤三的所述上边界点相减取绝对值；

若影像比较不符合，所述第二搜寻点的坐标则形成为所述上边界点，并与步骤三的所述下边界点相减取绝对值；

五、重复递归步骤三、步骤四，直至所述上、下边界点相减的绝对值小于一设定公差，则所述上、下边界点互相逼近的地方形成为一第三搜寻点；

六、将所述第三搜寻点沿X轴方向向右平移一水平参考距离的地方形成为一第四搜寻点，所述水平参考距离等于所述待切割工件与X轴方向平行的一第二切割方向的一第二切割距离的整数倍长度；

七、将所述摄影机平移至所述第四搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较；

若影像比较符合，则将所述第四搜寻点沿Y轴方向向上平移一垂直参考距离至一第五搜寻点，所述垂直参考距离等于所述待切割工件与Y轴方向平行的一第一切割方向的一第一切割距离的整数倍长度，并将所述第五搜寻点的坐标形成为所述第四搜寻点；

若影像比较不符合，则将所述第四搜寻点沿X轴方向向右平移所述水平参考距离至一第六搜寻点，并将所述第六搜寻点的坐标形成为所述第四搜寻点；

八、重复进行步骤七，直至所述四搜寻点连续沿X轴方向向右平移所述水平参考距离至所述第六搜寻点的次数，大于一预设参数，并将所述第四搜寻点连续向右平移的起始坐标形成为一第七搜寻点；

九、将所述第七搜寻点沿X轴方向向左平移所述水平参考距离的地方形成为一第八搜寻点；

十、将所述摄影机平移至所述第八搜寻点，拍摄存取所述待切割工件于所述处的影像，并与所述母样本芯片进行影像比较；

若影像比较符合，则将所述第八搜寻点沿Y轴方向向上平移所述垂直参考距离至一第九搜寻点，并将所述第九搜寻点的坐标形成为所述第八搜寻点；

若影像比较不符合，则将所述第八搜寻点沿X轴方向向左平移所述水平参考距离至一第十搜寻点，并将所述第十搜寻点的坐标形成为所述第八搜寻点；

十一、重复进行步骤十，直至所述八搜寻点连续沿X轴方向向左平移所述水平参考距离至所述第十搜寻点的次数大于所述预设参数，并将所述第八搜寻点连续向左平移的起始坐标形成为一第十一搜寻点，所述第十一搜寻点即为所述待切割工件在其第一切割方向上的一绝对上边界点。

2.如权利要求1所述的寻找晶片边界的方法，其特征在于：

将所述第十一搜寻点再沿Y轴方向向上平移一安全余裕的地方形成为所述绝对上边界点，且所述安全余裕等于所述第一切割距离的整数倍长度。

3.如权利要求1所述的寻找晶片边界的方法，其特征在于：

在步骤三时，将所述上、下边界点的Y轴方向坐标的平均值，除以所述待切割工件与Y轴方向平行的一第一切割方向的一第一切割距离，并取整数，再将所述整数乘以所述第一切割距离，以得到一Y轴方向新坐标，所述Y轴方向新坐标形成为一第二搜寻点。

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