CN1396630A - 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法 - Google Patents

在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1396630A
CN1396630A CN 01108639 CN01108639A CN1396630A CN 1396630 A CN1396630 A CN 1396630A CN 01108639 CN01108639 CN 01108639 CN 01108639 A CN01108639 A CN 01108639A CN 1396630 A CN1396630 A CN 1396630A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputter
crystal
substrate
crystal film
amorphous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 01108639
Other languages
English (en)
Other versions
CN1168120C (zh
Inventor
杨宇
周湘萍
毛旭
周桢来
刘焕林
张洁
吴兴惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan University YNU
Original Assignee
Yunnan University YNU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yunnan University YNU filed Critical Yunnan University YNU
Priority to CNB011086394A priority Critical patent/CN1168120C/zh
Publication of CN1396630A publication Critical patent/CN1396630A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1168120C publication Critical patent/CN1168120C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本发明提供一种在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法，它利用磁控溅射技术，并控制工作气体压强、温度、溅射功率等工艺条件，在非晶体材料上生长锗晶体薄膜，且能快速生长出大面积的锗晶体薄膜，从而开辟了一条在非晶材料上生长锗晶体薄膜的新途径，使用本方法能大大提高生产效率，减少投资，降低生产成本，并能取得较好的经济效益，使锗晶体薄膜形成产业化。因此，实为新一代生产锗晶体薄膜的方法。

Description

在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法
本发明涉及一种制备锗晶体薄膜的方法，尤其是一种利用磁控溅射技术在基底材料上生长锗晶体薄膜的方法。
锗(Ge)晶体薄膜是一种很好的近红外窄带半导体材料，可用来制作半导体晶体管、半导体芯片。锗晶体薄膜还是很好的红外光学材料，可用来制备近红外控测器、锗透镜等，因而锗晶体薄膜的制备将对半导体工业和近红外控制技术起着极其重要的作用。另外，锗/硅异质材料是近年来兴起的一种新型半导体材料，在光电器件应用方面有着广阔的前景。但由于锗和硅(Si)的晶格失配高达4.2％，因此很难获得无失配位错异质界面。现有技术有用分子束外延技术和汽相沉积技术在单晶硅衬底上生长锗晶体薄膜，但这两种技术不仅存在设备参数要求高，设备价格昂贵(分子束外延技术所用设备价格为100美元，汽相沉积技术所用设备为50美元)，而且还存在锗晶体薄膜生长速度慢、薄膜面积小等不足，难于实现产业化生产，满足不了半导体材料日益扩大的需求，因此，如何开发和利用高效、快速生产锗/硅异质材料和技术，是当前半导体材料急需解决的问题。
本发明的目的在于克服现有技术之不足，提供一种能高效、快速生产锗晶体薄膜的方法。
本发明通过锗的自组织形成晶体机理，利用磁控溅射技术在非晶体材料衬基上生长锗晶体，从而获得锗晶体薄膜。
本发明通过下列技术方案实现：它包括低真空溅射，并使用氩(Ar)气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，并在工作气体压强为0.5-4.5Pa，温度为300-500℃，溅射功率为100-300W时进行磁控溅射，直接生长锗晶体。
本发明通过下列另一技术方案实现：它包括低真空溅射，并使用氩(Ar)气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，在工作气体压强为0.5-4.5Pa，温度低于300℃，溅射功率为100-300W时进行磁控溅射，生长出非晶锗后，再在400-800℃温度下，进行5-20分钟的真空热退火，即可得锗晶体。
本发明所述非晶体材料为非晶体硅或者玻璃，或者在硅单晶材料上溅射有一层非晶硅的材料。
本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：由于本发明利用磁控溅射技术在非晶体材料上进行溅射，能快速生长出大面积的锗晶体薄膜，从而开辟了一条在非晶材料上生长锗晶体薄膜的新途径，使用本方法能大大提高生产效率，减少投资，降低生产成本，并能取得较好的经济效益，使锗晶体薄膜形成产业化。因此，实为新一代生产锗晶体薄膜的方法。
图1为用本发明方法生产出的锗晶体喇曼光谱图；
图2、图3为用本发明另一方法生产出的锗晶体喇曼光谱图。
实施例1
本发明采用中国科学院沈阳科学仪器研制中心生产的JGP500A型超高真空多靶磁控溅射仪，并采用下列工艺步骤：
1、将非晶硅或者玻璃基片进行清洗，并置入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到300℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强0.5Pa，溅射功率100W；
5、溅射60分钟，得厚度为0.2微米的锗晶体薄膜。该锗晶体薄膜的喇曼光谱测试结果见图1 。
实施例2
所用设备同上，并采用下列工艺步骤：
1、在硅单晶衬底上生长一层非晶硅，并将它作为基片送入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到500℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强4.5Pa，溅射功率300W；
5、溅射60分钟，得厚度为0.5微米的锗晶体薄膜。
实施例3
设备同上，采用下列工艺步骤：
1、在硅单晶衬底上生长一层非晶硅，并将它作为基片送入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到400℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强2.5Pa，溅射功率200W；
5、溅射60分钟，得厚度为0.3微米的锗晶体薄膜。
实施例4
采用下列工艺步骤：
1、在硅单晶衬底上生长一层非晶硅，并将它作为基片送入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到450℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强3.5Pa，溅射功率150W；
5、溅射60分钟，得厚度为0.3微米的锗晶体薄膜。
实施例5
采用下列工艺步骤：
1、将非晶硅或者玻璃基片进行清洗，并置入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到250℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强0.5Pa，溅射功率100W，得非晶锗，该非晶锗的喇曼光谱测试结果见图2；
5、将非晶锗加温至400℃，进行20分钟的真空热退火处理，得晶化较好的锗晶体薄膜，其喇曼光谱测试结果见图3。
实施例6
采用下列工艺步骤：
1、将非晶硅或者玻璃基片进行清洗，并置入预室中；
2、将基片从预室中传到生长室，控制背景真空度低于2×10-4Pa；
3、将基片加温到100℃，并让基片架转动，以确保溅射薄膜的均匀性；
4、调节各种溅射工艺参数，并进行溅射：氩气体压强2.5Pa，溅射功率200W，得非晶锗；
5、将非晶锗加温至800℃，进行5分钟的真空热退火处理，得晶化较好的锗晶体薄膜。

Claims (3)

1，一种在非晶体材料上溅射锗晶体薄膜的方法，它包括低真空溅射，并使用氩(Ar)气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，并在工作气体压强为0.5-4.5Pa，温度为300-500℃，溅射功率为100-300W时进行磁控溅射，直接生长锗晶体。
2，根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述非晶体材料为非晶体硅或者玻璃，或者在硅单晶材料上溅射有一层非晶硅的材料。
3，一种在非晶体材料上溅射锗晶体薄膜的方法，它包括低真空溅射，并使用氩(Ar)气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，在工作气体压强为0.5-4.5Pa，温度低于300℃，溅射功率为100-300W时进行磁控溅射，生长出非晶锗后，再在400-800℃温度下，进行5-20分钟的真空热退火，即可得锗晶体。
CNB011086394A 2001-07-11 2001-07-11 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法 Expired - Fee Related CN1168120C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011086394A CN1168120C (zh) 2001-07-11 2001-07-11 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011086394A CN1168120C (zh) 2001-07-11 2001-07-11 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1396630A true CN1396630A (zh) 2003-02-12
CN1168120C CN1168120C (zh) 2004-09-22

Family

ID=4657440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011086394A Expired - Fee Related CN1168120C (zh) 2001-07-11 2001-07-11 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1168120C (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100431157C (zh) * 2006-01-24 2008-11-05 河北大学 一种氧化物铁电存储单元及制备方法
CN101568669B (zh) * 2007-03-13 2011-03-02 国立大学法人东北大学 金属玻璃部件的表面处理方法及采用该方法进行过表面处理的金属玻璃部件
CN102534533A (zh) * 2012-01-26 2012-07-04 云南大学 磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100431157C (zh) * 2006-01-24 2008-11-05 河北大学 一种氧化物铁电存储单元及制备方法
CN101568669B (zh) * 2007-03-13 2011-03-02 国立大学法人东北大学 金属玻璃部件的表面处理方法及采用该方法进行过表面处理的金属玻璃部件
CN102534533A (zh) * 2012-01-26 2012-07-04 云南大学 磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
CN102534533B (zh) * 2012-01-26 2014-03-05 云南大学 磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1168120C (zh) 2004-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1588649A (zh) 硅薄膜异质结太阳电池的制备方法
CN111334856B (zh) 用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法
CN113278948A (zh) 一种硫化锡/二硫化锡异质结材料及其制备方法
CN109161844A (zh) 一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法
CN103996606A (zh) 生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜及其制备方法和应用
CN1168120C (zh) 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法
CN1564314A (zh) 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
CN1789495A (zh) 用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法
CN1967882A (zh) 择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
CN1294633C (zh) 在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备ZnO单晶薄膜的方法
CN112103177A (zh) 一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法
CN102268650B (zh) 一种制备InN薄膜的磁控溅射方法
CN110993752A (zh) 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法
CN108330536B (zh) PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
CN1178278C (zh) 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
CN1302529C (zh) 一种三缓冲层制备氧化锌薄膜的方法
CN110896024A (zh) 碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构
CN1309020C (zh) 一种在铝酸镁衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
CN1888127A (zh) GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法
CN110697696B (zh) 一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法
CN109166788B (zh) 一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法
CN103103479B (zh) 一种硫氮共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法
CN111575666B (zh) 一种制备(222)强织构ito薄膜的方法
CN112053942A (zh) 一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法
CN112725746A (zh) 一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee