CN1392579A - 制造真空容器的方法和制造使用该真空容器的图像形成装置的方法 - Google Patents

Abstract

在连接构架件和构成图像形成装置的真空容器的衬底后，为了均匀所述构架件高度而不破坏真空容器中的衬底表面。通过下列步骤连接构架件与后板，(a)将玻璃料加于所述后板，(e)在所述玻璃料上布置构架件，(g)布置间距限定件到靠近所述构架件的后板的部分，在那部分不形成真空容器，给所述构架件加压，然后软化所述玻璃料和由此连接所述构架件和后板。

Description

制造真空容器的方法和制造使用该真空容器 的图像形成装置的方法

技术领域

本发明涉及一种制造真空容器的方法和制造使用该真空容器的图像形成装置的方法

背景技术

最近几年，已经广泛地进行了使用电子源的应用研究，电子源通过在平面衬底上布置许多电子放电元件构成，例如，如图像显示单元和图像记录器的图像形成装置的开发已经取得发展。尤其是，超薄平面图像显示单元看作为阴极射线管显示单元的替代品，因为它节省空间和重量轻。提出一种显示单元作为这种类型的平面显示单元，其中通过构架件，电子源衬底(后板)和包含磷光体的面板形成为气密容器，通过把电子放电元件布置为一矩阵得到后板，和布置面板使得其面对衬底。例如，显示单元的结构在日本专利申请平开08-180821和09-82245的公报中公开，和制造上述显示单元的气密容器的方法在日本专利申请平开09-237571，2000-090829和2000-090830中公开。

在显示单元具有上述结构的情况下，通过使用玻璃料，面板和后板可以相互连接。使用玻璃料的连接是优选的，因为(1)进行充分密封连接构成真空容器和(2)容许组件(面板、后板和构架件)的空间误差，因为使用缓冲功能。尤其需要上述功能(2)因为面板、后板和构架件尺寸随着显示单元尺寸增加而增加，和由此形状应变或尺寸误差容易出现在每个组件中。而且，由于显示单元尺寸的增加，在气密容器中可以使用隔板作为抗气压结构。因为所述隔板位于以高密度排列的电子发射元件附近，存在这些情况(3)所述隔板形状具有非常高的纵横比和(4)高阻抗薄膜(半导体薄膜)在所述隔板表面上形成来阻止在隔板表面上充电。当高温(例如约400℃)处理例如使用釉料的粘接步骤应用到上述隔板时，可能出现问题(5)由于其形状所述隔板爆裂或(6)应用到所述隔板表面上的抗静电处理特性可能改变。而且，日本专利申请平开2000-200543的公报中公开了一种使用低温连接材料的显示单元和一种显示单元，其中低温连接材料和玻璃料混合。然而，当只使用低温连接材料时，难以得到上述(1)和(2)功能。而且，当混合玻璃料时，连接温度升高和出现上述(5)和(6)问题。

发明内容

考虑到上述在先技术，本发明的目的是提供一种真空容器和一种装配使用真空容器的显示单元的新颖方法。

为了实现上述目的，本发明一方面提供一种制造真空容器的方法，包含以下步骤：

通过第一连接部件在第一衬底主表面上布置构架件；

加热和由此软化所述第一连接部件，然后冷却和由此固化所述第一连接部件，由所述第一连接材料连接所述第一衬底和所述构架件；

在与所述构架件连接的第一衬底主表面上布置隔板；和

布置第二衬底使得其面向其上布置所述隔板的所述第一衬底主表面，并通过第二连接材料连接所述第二衬底和所述构架件，所述第二连接材料比所述第一连接材料的熔点低。

本发明另一方面提供一种制造真空容器的方法，包含以下步骤：

通过第一连接材料在第一衬底主表面上布置构架件；

加热和由此软化所述第一连接材料，然后冷却和由此固化所述第一连接材料，由所述第一连接材料连接所述第一衬底和所述构架件；

给第二衬底布置隔板；

布置在其上布置有隔板的第二衬底，使得其面向与构加件连接的所述第一衬底主表面，通过第二连接材料连接所述第二衬底和所述构架件，所述第二连接材料比所述第一连接材料的熔点低。

优选的是通过布置间距限定件，连接所述第一衬底和所述构架件，间距限定件高于所述构架件但低于通过第一连接材料布置在所述第一衬底主表面上的构架件，给其上布置构架件和间距限定件的所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙加压，由此保持通过第一衬底布置的所述构架件的高度和所述间距限定件高度几乎相同。在这种情况下，控制所述构架件下沉到所述第一连接材料中的距离是可能的。即使使用一种不能预期缓冲功能的低熔点连接材料，来连接所述第二衬底和构架件，其随后得到执行，形成具有高密封性真空容器是可能的，因为所述构架件高度(与第二衬底连接面的高度)是一致的。

另外，优选的是所述间距限定件布置在第一衬底主表面上所述构架件布置位置的外面。

在这种情况下，因为所述间距限定件布置到真空容器不形成的部分，能阻止构架件布置位置内面(在真空容器中)的衬底面遭到破坏或产生灰尘。因此，形成更好的真空容器和制造使用所述真空容器的的图像形成装置是可能的。

另外，优选的是所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过升降单元加压。

在这种情况下，因为可以控制加压，给构架件均匀加压是可能的，因此，在装配构架件时防止了构架件整个上面对角连接。因此，这是更优选的。

更优选的是所述升降单元包含加热部件。

另外，优选的是所述第一连接材料由玻璃料构成。在这种情况下，玻璃料作用为缓冲材料，由此，吸收构架件或衬底的扭曲或应变是可能的。在这个连接中，为了减少对所述电子发射元件的破坏，优选的是把所述玻璃料加到所述构架件。在这种情况下，减少对电子发射元件热处理例如临时烘焙等经历的次数是可能的。

优选的是还包含给所述第二衬底提供吸气剂材料的步骤。

当提供所述吸气剂材料给衬底时，优选的是执行低温处理来避免装配时吸气剂材料的不必要激活。因此，优选的是有选择地提供吸气剂部件给所述要通过低熔点连接材料(例如低熔点金属)与构架件连接的第二衬底。由此，保持真空容器内面处于真空状态是可能的。而且，因为隔板设在真空容器中，可能恶化电导。然而，电导的恶化通过提供吸气剂给所述第二衬底得到解决，和充分表现吸气剂功能是可能的。在使用低熔点金属作为第二连接材料的情况下，例如第二衬底具有吸气剂的情况，优选的是通过使用上述间距限定件来连接所述第一衬底和构架件。玻璃料的缓冲功能用于低熔点金属是不可能的，优选的是当连接所述第一衬底(例如后板)与构架件时，通过使用间距限定件来均匀设定构架件高度。

优选的是使用低熔点金属构成的连接材料作为第二连接材料来连接所述第二衬底和构架件。

优选的是所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过夹子加压。

在这种情况下，使用一种简单方法加压，不需要大规模设备。因此，例如，在一个炉中同时形成多个真空容器是可能的。

另外，在该说明书中本发明另一方面是一种制造使用真空容器的图像形成装置的方法，和所述真空容器通过使用上述制造方法制造。

附图说明

图1表示一种图像显示单元的构架件装配程序的工艺流程图，其是本发明的实施例；

图2表示一种烤盘型的装配系统框图，其用于装配本发明实施例图像显示单元的构架件。

图3表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，应用玻璃料情形的图解；

图4A和4B表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，把后板布置到下烤盘情形的图解；

图5A和5B表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，把构架件布置到后板上情形的图解；

图6A和6B表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，把保护件布置到构架件上情形的图解；

图7A和7B表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，布置间距限定件情形的图解；

图8A和8B是用于详细说明图7A和7B中布置间距限定件情形的图解；

图9A、9B和9C表示结合本发明实施例的图像显示单元的构架件情形的图解，通过在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，装配所述构架件程序中，把推动衬底布置到上烤盘后，实际烘焙玻璃料；

图10表示当通过实际烘焙玻璃料结合构架件时，温度曲线的图解；

图11表示在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中，实际烘焙玻璃料后取出的后板的图解；

图12A和12B是说明在装配本发明实施例的图像显示单元的构架件程序中当使用另一个间距限定件时的结构图解，；

图13是本发明显示单元的原理框图；

图14是本发明显示单元的局部放大图；

图15A和15B是说明在本发明第二实施例中加压的图解；

图16是说明在本发明第二实施例中加压的透视图；和

图17是说明在本发明第二实施例中在电炉中处理的图解。

具体实施方式

实施例1

然后，在下文中通过参考附图描述本发明的实施例。然而，本发明的图像形成装置实施例的显示单元的透视结构与日本专利申请平开09-82245的公报中公开的相同，随后将描述它的说明书，但是下面主要详细描述衬底，尤其是后板(第一衬底)与构架件之间的连接和后板与隔板之间的连接。

因此，虽然下面通过参考图1-11来描述构造显示单元时构架件的结合步骤，在下面通过参考图2来描述用于构架件连接步骤的装配系统的轮廓。

图2表示一种烤盘型(hot-plate-type)的装配系统的框图，其用于装配本发明实施例的图像显示单元的构架件，其中附图标记21表示上烤盘，附图标记22表示下烤盘，附图标记23表示用于升高烤盘21和22温度的加热器。

上烤盘21连接到升降单元25上，升降单元可以通过旋转滚珠丝杠垂直移动。由烤盘21和升降单元25组成加压件。沿垂直于后板衬底的面的方向上通过升降单元均匀加压整个构架件是可能的。在该实施例的情况下，用于真空吸引的孔在上烤盘的表面上形成(与下烤盘表面相对)，因此，通过真空吸引固定衬底是可能的。

下烤盘22固定到XY工作台24上，通过移动XY工作台24在平面内的方向(在与下烤盘表面相同的平面上的两轴直交方向和旋转方向)上移动下烤盘22是可能的。

测量温度的热电偶(未图示)布置在上、下烤盘21和22上，和加热器23受到反馈控制，由此上、下烤盘21和22具有需要的温度。

在冷却条件下空气从未图示的冷却设备中被排放，通过穿过烤盘中形成的通道来执行冷却。

当操作工操作控制器(未图示)时升降单元25可以垂直移动。

用于这个实施例的烤盘型装配系统的烤盘用不锈钢作成，棒加热器布置在烤盘中。

通过使用具有上述结构的系统，根据图1来连接构架件，图1表示装配这个实施例的显示单元的构架件程序。

图3-11更详细地说明图1中表示的工艺流程。

图4A、5A、6A和7A是从顶部观察烤盘时的图解，图4B、5B、6B和7B是在烤盘中心部分上的剖视图。

下面根据图1中的步骤a-j来详细描述装配这个实施例的构架件的程序。在这个实施例的情况下，然而，省略后板制造程序的细节。

a、釉料涂层(图3)

首先，如图3所示，玻璃料(frit glass)(第一连接材料)33适当地加到后板衬底31(由玻璃或类似物形成)的主表面上的构架结合位置，在其上通过分配器(图3只表示喷嘴32)电极和布线图与电子放电装置在一起形成。

在这种情况下，通过搅动并混合玻璃料粉和媒介物(有机溶剂和树脂粉的混合物)，玻璃料33用作糊。

根据后续步骤中的热处理温度，玻璃料种类从两种类型中选择，例如晶体和非晶体种类中选择。虽然不限定，这个实施例使用是晶体玻璃料的CL23(由Asahi Techno玻璃公司制造)作为玻璃料粉。

媒介物使用一种混合物，该混合物通过增加树脂粉ELVACITE(DuPont公司生产)到松油醇(terpineol)中得到，松油醇是一种比率为100∶1(重量％)的有机溶剂，以10∶1比率搅动和混合玻璃料和媒介物来形成糊。

上述树脂粉ELVACITE用来提高糊的被覆性能，它与媒介物的混合比可以适当选择。

b、釉料干燥

涂上上述玻璃料的后板31在干燥炉中以120℃干燥10分钟。

c、釉料临时烘焙

而且，后板31在临时烘焙炉中以360℃烘焙10分钟，临时烘焙是一种热处理来分离和去除形成糊的媒介物组分。玻璃料粉通过上述热处理在软化温度下，被临时熔化和然后在处理后形成固体。

d、后板布置(下烤盘)(图4A和4B)

如图4A和4B中所示，后板31布置在烤盘型装配系统的下烤盘22上(图2)，上述釉料临时烘焙应用到后板上。在这种情况下，后板31通过固定夹具(未图示)固定到需要位置，夹具装配在下烤盘22上。

e、构架布置(图5A和5B)

如图5A和5B中所示，构架件51布置在为后板主表面(第一衬底)提供的玻璃料33上。

构架件51通过切割1.1mm厚玻璃板来制造，通过使用印刷方法把银(Ag)糊施加到构架件51的任一面上并烘焙它，铟(In)基层(银(Ag)层)形成。而且，如后所述，在后续步骤中，低熔点金属铟在Ag层上形成，构架和面板通过铟得到密封而形成真空容器。

构架件51布置在玻璃料33上，由此构架件51的玻璃面(在构架件端部中不提供上述铟基层(Ag层)的一侧面)与玻璃料33接触。

布置构架件51后，使用未图示的定位夹具来执行定位，由此把构架件51带到后板31的预定位置。

构架件51使用与后板31相同的材料。

f、保护件布置(图6A和6B)

如图6A和6B所示，保护件61布置在构架件51的Ag层上。布置保护件61后，使用未图示的定位夹具来执行定位，由此把保护件61带到构架件51的预定位置。

保护件61用来保护施加到构架件51的铟基层(Ag层)，由此所述层不粘接到推动衬底上，其将在下文中描述。

优选的是保护件61使用一种不同于玻璃的材料，这种材料具有与后板31几乎相同的热膨胀。在这个实施例的情况下，薄片形成与构架件51相同的形状，薄片由426合金(42％Fe-6％Ni-Cr铬合金)做成且厚0.15mm(但是宽度大于构架件51的宽度)。使用一种不同于玻璃的材料是因为在加压情形下，在高温下用作这个实施例使用的起铟基层处理层作用的Ag印刷厚膜容易粘接到玻璃上。

g、间距限定件布置(图7A、7B、8A和8B)

如图7A、7B、8A和8B所示，具有与后板(第一衬底)31相同或稍小于后板的厚度的辅助件72布置在后板31周围。

而且，布置间距限定件71使得与后板31主表面上的端部和辅助件72相关。

在这个实施例的情况下，因为后板31具有2.8mm的厚度，两种类型的2.75mm厚、30mm宽，600mm和900mm长的辅助件72(玻璃制造)分别布置到后板31主侧面和次侧面。

使用1.57mm厚、10mm宽，500mm和800mm长的间距限定件71(玻璃制造)。

如图8A和8B所示，间距限定件71安装在后板31(辅助件72)的主表面上使得避开布线81接触玻璃面，以防止因1间距限定件71而破坏布线82。

而且，布置辅助件72来稳定间距限定件71。

在这个实施例的情况下，因为选择衬底的周围(无布线的位置)作为间距限定件71布置的位置，可以布置间距限定件71的位置宽度小。因此，考虑到当布置具有5mm宽度或小于该位置的间距限定件71时，间距限定件可能因为强度不足而折断，所述宽度设定为10mm。因此，间距限定件71的宽度的一半或更多从后板31凸出，因此间距限定件71变得不稳定。因此，辅助件72布置在间距限定件71的下面来稳定它。

除非间距限定件具有强度问题，使用具有如图12A和12B所示没有辅助件结构是可能的。

h、推动衬底布置(上烤盘)(图9A)

然后，如图9A所示，使得上烤盘21真空吸引推动衬底91。

推动衬底91使用与后板31的材料相同的玻璃。

使用推动衬底，因为当加热时由于热膨胀造成的上烤盘21的扩展和收缩可能会破坏间距限定件71或保护件61，并且为了阻止杂质(例如玻璃料)附着到上烤盘21上。

i、实际烘焙(图9A-9C和图10)

在如图10所室的温度曲线下实际烘焙玻璃料来粘接构架件。

在这种情况下，通过根据温度曲线操纵升降单元和降低上烤盘21，使一负载作用到构架件51。在这种情况下，通过升降单元来控制所述负载并把负载垂直作用到后板衬底面(构架的上面)是可能的。因此，即使布置间距限定夹具到构架的外面(在与后板的面板相对的面上的真空容器外面的部分)，避免构架的整个上面对角连接是可能的。

温度和负载之间的关系在下文中描述。

在温度达到400℃之前，约1mm间隙在布置在构架件51上的保护件61和由上烤盘21真空吸住的推动衬底91之间形成(图9A)。

400℃在处上烤盘21降低使得推动衬底91与保护件61接触(图9B)。在这种情况下，约20kg的负载作用于构架件51上。

当温度达到425℃时，所述负载增加到100kg。因此，玻璃料完全粉碎且构架件51被推到间距限定件71限定的高度。

在冷却开始后，所述负载减少到约20kg。保持这种状态直到温度达到常温(20kg负载；推动衬底91与保护件61接触)。

j、取出(图11)

在实际烘焙后，上升上烤盘21来从下烤盘22上取出后板31。图11表示取出的后板31。

为了取出后板31，从构架件51的表面移走保护件和间距限定件。

经过上述程序后，构架件51用玻璃料粘接到后板的需要位置。

在这个实施例的情况下，粘接从后板玻璃表面到铟基层表面(Ag层)1.365mm的平均高度的构架件51且精度在0.1mm范围内是可能的。

当根据烤盘的平直度，需要的值和范围得不到满足时，通过设定金属薄垫片调整平直度与构架件最高部分相一致是可能的。在这种情况下，金属薄垫片布置在下烤盘和后板之间。

优选的是使用一种具有小热容且不附着(不粘结)到烤盘或玻璃衬底的金属薄垫片。因此，铝板或不锈钢板被用作薄垫片。

在上述构架件结合步骤之后，一电子源元件形成并被激活，然后，铟(第二连接材料)加在构架件上，然后布置支撑面板和后板之间的间隙的隔板。在下文中详细描述隔板布置。所述隔板使用这样一种隔板，其中阻止起电的薄膜在玻璃底部材料上形成，类似于日本专利申请平开08-180821的情形。此外，隔板151粘结在布线155上，布线与后板的电子发射元件156电连接，通过使用低温下可粘接的无机粘合剂(在这个实施例的情况下，使用TOAGOSEI有限公司制造的ARON CERAMIC)。无机粘合剂154以充分薄的厚度和以具有内部空间的分散方式加到隔板的端部，由此通过隔板和布线之间的部分接触来进行电连接。图14表示后板的局部剖视图，隔板布置在其上。另外，最后，后板在真空密封系统中进行烘焙，面板与所述后板连接，在后板上布置构架152和隔板151并通过用面板密封后板形成一屏板，在面板的与后板相对的面上，通过加到上述构架件上的铟，吸气剂(getter)形成。在这种情况下，在减少压力的环境下，在稍高于铟的熔点的180℃下，执行密封。图13表示这样形成的显示单元的示意图。(在这种情况下，隔板未图示)隔板的布置不局限于上述情形。也允许通过如下方式来形成嵌板，使用上述无机粘合剂粘接隔板到面板的需要的位置，把其上布置有所述隔板的所述面板与其上布置有上述构架件的后板对齐，并通过施加到构架件上的铟来密封所述板。这样，在通过使用熔点高于第二连接接材料的第一连接材料153，粘接构架件到第一衬底后，允许执行布置隔板到第一衬底的步骤。因此，靠第一连接材料执行气密连接是可能的，且在阻止热对隔板件产生坏影响的同时，所述连接允许构架件、面板和后板的尺寸误差。

因此，制造更好的图像显示单元是可能的。

本发明不仅应用到上述图像显示单元而且应用到需要真空容器的图像记录器。

实施例2

然后，在下文中描述本发明第二实施例。在该实施例的情况下，从在上述第一实施例中的步骤h向下的步骤是不同的。因此，下文中只描述不同的步骤。实施例2使用夹子作为加压设备和使用烘焙炉作为烘焙设备。这样，在下文中描述这个实施例从步骤h向下的步骤。

h、(夹子固定步骤)

如上所述装配的间距限定件71、构架51和后板31由夹子92来固定。夹子92均匀布置在四个侧面，由此均匀压力可以作用于整个构架51(参考图16)。

夹子92用来固定构架51的位置，并在稍后描述的加热步骤中，给玻璃料(第一连接材料)33加压，因此，它具有耐热性和需要的弹力。因此，不限定材料，只要所述材料满足上述条件。通常使用由例如铬镍铁合金(Inconel)的耐热金属板条材料制造的夹子。这个实施例使用20个MITSUBISHI材料公司制造的金属夹子。(材料：MA750(商标名称)，弹簧加压部分的宽度：30mm，弹力：在7mm的伸展值下约3kg)并具有30kg总负载。总负载根据玻璃料33熔化时的粘性来决定，并根据玻璃料33的类型适当调整。而且，通过调整夹子92的数量和弹力，容易和精确地设定作用到玻璃料33的压力是可能的。

i、(加热和加压步骤)

如上所述由夹子92固定的间距限定件71、构架件51和后板31布置在电炉中。然后，在这个实施例的情况下，升高炉中的温度并在425℃保持30分钟。通过上述加热，玻璃料33被软化，并如图15B所述，在玻璃33软化期间，由夹子92的压力使其被加压直到间距限定件71与推动衬底91接触。因此，在玻璃料33与后板31和构架件51紧密接触期间，层压状态下的保护件61、构架51和玻璃料33的总厚度由间距限定件71来限定。然后，冷却它们，玻璃料33得到结晶并固化来固定构架件51和后板31。

所述电炉通常使用热气循环型炉子。然而，如果温度分布波动，由于后板31的部分之间的温度差产生的膨胀和收缩之间的差，电炉可能破裂。因此，使用具有一种结构的电炉，其中热气均匀地循环穿过后板31和构架件51，并实现均匀加热。另外，通过使用一种电炉，许多组件(根据情况10-20个组件)同时批处理是可能的，如图17所述。而且，如图17所述，电炉的结构不局限于如图17所述后板31水平放置的一种结构，而允许使用一种后板31垂直放置的结构。

电炉中的温度上升速率和下降速率通过考虑后板31的破损来确定，破损是由于温度分布的波动或热应变的残余应力的减少产生的。在这个实施例的情况下，温度上升速率控制到约10℃/分钟而温度的下降速率控制到约2℃/分钟。

(间距限定夹具去除步骤)

在电炉内面冷却到50℃或更低后，从电炉中取出由夹子92固定的间距限定件71、构架件51和后板31。然后，去除夹子92。此时，后板31和构架件51通过玻璃料33得到固定。优选的是与对称位置上多个夹子92同时去除的方式去除夹子92，由此当偏压力作用到后板31上时，后板31不破裂。

然后，类似于实施例1的情况，电子源元件形成和得到激活，然后，铟(第二连接材料)加到构架件上，然后装配支撑面板和后板之间间隙的隔板，最后在真空密封系统中烘焙，装配有构架件的后板和面板通过加到构架件上的铟得到密封，因此所述面板和后板相互连接在一起和形成一屏板(图13)。

因此，制造更好的图像显示单元是可能的。

而且，实施例2不仅应用到上述图像显示单元而且应用到需要真空容器的图像记录器。

(图像显示单元)

然后，具有与日本专利申请平开09-82245的公报中公开的图像显示单元相同结构的显示单元，对于该显示单元来说，通过参考图13在下文中来描述本发明上述实施例1或2的制造方法(构架件和隔板的粘接步骤)。

在图13中，附图标记2表示后板，其用作容器底部，4表示面板，3表示支撑构架，用于支撑面板4和后板2之间的间隙。这些组件2-4构成真空容器(气密容器)用于保持显示单元的内部处于真空状态。

为了装配气密容器，需要密封组件来保持元件之间连接的充分强度和气密封。如上所述，在这个实施例的情况下，通过使用玻璃料和低熔点金属，实现密封，玻璃料用于后板2和支撑构架3之间的连接(密封)材料(第一连接材料)，低熔点金属用于面板4和支撑构架件3之间的连接(密封)材料(第二连接材料)。如上所述，构架件连接到后板，然后隔板布置到后板。

分别用作电子源1的N×M表面传导型(surface-conduction-type)发射元件在后板2上形成。(N和M是2或更大正整数，其根据显示器像素的目标数量来恰当地设定。在这个实施例的情况下，N设定为1440而M设定为480。)上述N×M表面传导型发射元件通过M个行向布线和N个列向布线被连接象一简单矩阵。这样构成的部分称为一多电子束源。

另外，符号D0x1-D0xm，D0y1-D0yn和Hv分别表示电接线端，其具有一种密封结构，用于电连接具有未图示电路的显示屏板。选择一行接线端10的D0x1-D0xm与多电子束源的行向布线电连接，输入端11的D0y1-D0yn与多电子束源的列向布线电连接，高压端Hv与阳电极电连接，阳电极用作面板4的金属背8。

然后，在下文中描述用于显示屏板的多电子束源。

在多电子束源用于本发明的图像显示单元的情况下，冷阴极的材料、形状或制造方法不受限定，只要多电子束源是一电子源，其中冷阴极布置为一简单矩阵或梯形。因此，使用表面传导型发射元件或FE或MIM类型的冷阴极作为多电子束源是可能的。

然而，当需要具有大显示屏幕的便宜显示单元时，在这些冷阴极之中，表面传导型发射元件是特别优选的。也就是说，FE类型需要非常精确制造技术，因为射极锥体和栅电极的相对位置或它们的形状极大地影响电子发射特性。然而，这作为增加面积或减少制造成本的不利因素。而且，在MIM类型的情况下，需要使绝缘层与上电极的薄膜厚度减少和均匀。然而，这也作为增加面积或减少制造成本的不利因素。然而，在表面传导型发射元件的情况下，容易增加面积或减少制造成本，因为可以相对容易地制造元件。

如上所述，根据本发明，气密容器这样形成，通过使用第一连接材料把构架件连接到第一衬底，然后布置隔板到第一衬底，并使用第二连接材料连接所述构架与第二衬底，第二连接材料具有低于第一连接材料的熔点。因此，在阻止由于热对隔板的不良影响的同时，使用一种具有气密封性和缓冲功能的连接材料例如玻璃料用于第一连接材料，和增加容器尺寸是可能的。在这种情况下，在布置间距限定件到第一衬底的同时，通过给构架件上面加压，使用低熔点金属作为连接第二衬底与具有尺寸误差的构架件的材料是可能的，因为布置构架件后，构架整个上面高度均匀，充分减少由于热对隔板的不良影响，形成具有高气密封性的真空容器。而且，通过在外面(在第一衬底主表面上无气密容器形成的部分)布置间距限定件，防止破坏布置构架件的区域内部的衬底表面和产生灰尘，并制造更好的图像形成装置是可能的。

而且，当加压件包含升降单元时，可以均匀地给构架件加压，因为可以控制压力。因此，装配构架件时，构架件整个上面没有对角连接，由此可以制造更好的图像形成装置。

而且，因为第二衬底与构架件通过低熔点连接材料连接，能避免粘接条件下吸气剂材料由于加热产生不必要激活，即使吸气剂材料布置在第二衬底(面板)上，并制造更优选的图像形成装置。而且，虽然因为隔板设定在真空容器中，可能出现不充分电导问题，所述问题通过布置吸气剂到第二衬底得到解决，由此，充分展示吸气剂的功能是可能的。在这种情况下，通过使用上述间距限定件来连接第一衬底和构架件，能够以足够高的位置精确度进行连接，即使使用具有位置误差的元件(面板、后板或构架件)。因此，它是可能的，就是使用低熔点金属来连接第二衬底和构架件，完全避免了吸气剂的不必要激活，对于构架件或类似物来说允许尺寸误差，便宜地增加图像形成装置的尺寸。

Claims (19)

1、一种制造真空容器的方法，包含下列步骤：

通过第一连接材料在第一衬底主表面上布置构架件；

加热和由此软化所述第一连接材料，然后冷却和由此固化所述第一连接材料，由所述第一连接材料连接所述第一衬底和所述构架件；

在与所述构架件连接的第一衬底主表面上布置隔板；和

布置第二衬底使得其面向所述第一衬底主表面，所述隔板布置在所述第一衬底上，通过第二连接材料连接所述第二衬底和所述构架件，所述第二连接材料比所述第一连接材料的熔点低。

2、根据权利要求1所述的制造真空容器的方法，其特征在于通过布置间距限定件来执行连接所述第一衬底和所述构架件的步骤，间距限定件的高度大于所述构架件但小于通过第一连接材料布置在所述第一衬底主表面上的构架件的高度，给所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙加压，所述构架件和间距限定件布置在所述第一衬底上，由此保持通过所述第一连接材料布置的所述构架件的高度和所述间距限定件的高度几乎相同。

3、根据权利要求2所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述间距限定件布置在第一衬底主表面上所述构架件布置位置的外面。

4、根据权利要求2所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过升降单元加压。

5、根据权利要求4所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述升降单元包含加热部件。

6、根据权利要求1所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一连接材料是玻璃料。

7、根据权利要求1所述的制造真空容器的方法，其特征在于还包含给所述第二衬底提供吸气剂材料的步骤。

8、根据权利要求1所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第二连接材料是低熔点金属。

9、根据权利要求2所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过夹子加压。

10、一种制造真空容器的方法，包含下列步骤：

通过第一连接材料在第一衬底主表面上布置构架件；

加热和由此软化所述第一连接材料，然后冷却和由此固化所述第一连接材料，由所述第一连接材料连接所述第一衬底和所述构架件；

给第二衬底布置隔板；

布置在其上布置隔板的第二衬底使其面向与一构架件连接的所述第一衬底主表面，通过第二连接材料连接所述第二衬底和所述构架件，所述第二连接材料比所述第一连接材料的熔点低。

11、根据权利要求10所述的制造真空容器的方法，其特征在于通过布置间距限定件来执行连接所述第一衬底和所述构架件的步骤，该间距限定件的高度大于所述构架件但小于通过第一连接材料布置在所述第一衬底主表面上的构架件的高度，给所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙加压，所述构架件和间距限定件布置在所述第一衬底上，由此保持通过所述第一连接材料布置的所述构架件的高度和所述间距限定件的高度几乎相同。

12、根据权利要求11所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述间距限定件布置在第一衬底主表面上所述构架件布置位置的外面。

13、根据权利要求11所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过升降单元加压。

14、根据权利要求13所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述升降单元包含加热部件。

15、根据权利要求10所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一连接材料是玻璃料。

16、根据权利要求10所述的制造真空容器的方法，其特征在于还包含给所述第二衬底提供吸气剂材料的步骤。

17、根据权利要求10所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第二连接材料是低熔点金属。

18、根据权利要求11所述的制造真空容器的方法，其特征在于所述第一衬底、构架件和间距限定件之间的间隙通过夹子加压。

19、一种制造使用真空容器的图像形成装置的方法，其中所述真空容器根据权利要求1-18中任何一个所述方法制造。

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