CN1388724A - 高频功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及利用开关驱动晶体管的高频功率放大器。高频功率放大器设置有多个并联连接的放大器,该放大器包含开关驱动FET。在一个放大器上施加固定漏电压和在另一个放大器通过包含根据控制信号的控制值变换电压的DC－DC变换器等的一个部分施加可变漏电压。各功率放大器的接通和关断的工作是由控制信号进行控制的。另外,匹配电路的电路常数是可变的。在高输出功率范围功率放大器被接通,和在低输出功率范围被关断。因此,由于DC－DC变换器使功率放大器效率的降低可以被减到最小。当放大器被接通或关断时调整放大器的匹配,以便改善效率。因此,可能连续控制放大器的输出。

Description

高频功率放大器
相关申请的交叉参考
本申请要求2001年5月30日提交的日本专利申请JP 2001-161918的优先权，该申请所公开的内容在此引述，以在法律所允许的程度上作为参考。
技术领域
本发明涉及利用开关驱动晶体管的高频功率放大器，更具体地讲，涉及允许连续地控制功率输出并且使放大效率得到改善的高频功率放大器。
背景技术
高频功率放大器通常用作通信装置等类似装置的天线输出级的放大器。存在着许多具有各种特性的放大器，并且在这些放大器中，具有高效率的放大器特别适合用在使用数字蜂窝电话或类似系统的数字移动通信的通信装置终端的发射部分。低功耗的特点，即延长便携装置电池的使用时间、减小电池的尺寸、降低产生热量等是对便携装置非常有意义的特点。
作为具有高效率的高频功率放大器，工作在饱和模式下的诸如场效应晶体管(FET)之类的饱和型放大器是公知的。饱和型放大器分为几类，其中B类放大器具有高于A类放大器的效率，并且具有理论效率接近100％的C类放大器具有比B类放大器还高的效率。
但是，由于饱和型放大器工作在FET的饱和状态，不可能像线性放大器那样通过改变其输入控制放大器的输出。
因此，采用通过FET的漏电压改变饱和型放大器输出的方法。在这种漏电压控制方法中，通过漏极施加的电压控制放大器的输出，该漏极施加的电压是根据DC-DC交换器的控制量通过变换电压获得的。结果，当采用漏电压控制方法，整个放大器的效率直接受DC-DC变换器效率的影响。换言之，放大器的FET是工作在其饱和状态或模式的。这是由于DC-DC变换器的效率至多约80％，所以即使FET是工作在其饱和状态的接近100％的效率，而由于DC-DC变换器的效率使整个放大器的效率降低到80％。
发明内容
本发明是考虑到现有技术中的上述问题而设计出来的。最好是按照本发明提供一种较常规放大器具有进一步改善的效率并且具有使其输出可以通过开关驱动晶体管的漏电压的变化来连续控制的结构的高频功率放大器。
本发明的第一优选实施例提供一种高频功率放大器，该放大器利用多个开关驱动晶体管，该放大器包括：多个彼此并联连接的开关驱动晶体管；用于施加固定漏电压到多个晶体管的一部分的装置或单元；用于根据控制值施加可变漏电压到多个晶体管的另外一部分的装置或单元；用于接通或关断具有施加在其上的固定漏电压的多个晶体管的一部分的工作的装置或单元；和控制放大器的输出的装置或单元，通过控制多个晶体管的另外一部分的漏电压使放大器的输出可变，以及在高输出功率范围接通多个晶体管的一部分的工作，和在低输出功率范围关断已被接通的多个晶体管的一部分的工作。
按照本发明的第一优选实施例，高频功率放大器提供有用于控制放大器的输出的装置或单元。该装置控制用于接通或关断多个晶体管的一部分的工作的装置，这些晶体管是并联连接的并且是开关驱动的，在高输出功率范围接通多个晶体管的一部分的工作和在低输出功率范围关断多个晶体管的一部分的工作。因此，根据控制值具有可变漏电压的多个晶体管的该另外一部分一侧效率的降低可以被抑制到最小。从而，使得在保持相对高效率的情况下有可能控制放大器的输出功率。
本发明的第二优选实施例还包括配置在多个晶体管的输出一侧的具有可变电路常数的匹配电路，和用于根据放大器的输出优化匹配电路的电路常数的装置或单元。
本发明的第三优选实施例还包括优化电路常数的装置，该装置包括根据所述多个晶体管的每个部分的接通或关断工作，转换电路常数的装置或单元。
按照本发明的第二和第三优选实施例，由于放大器提供有根据放大器的输出优化匹配电路的电路常数的设置的装置，因此除了第一实施例的优点以外，还可能获得放大器稳定性的改善以及效率的改善。另外，按照第三优选实施例的放大器根据多个放大器的一部分的接通或关断工作，转换电路常数，并且因此利用公共控制器可以容易实现放大器的工作。
本发明的第四优选实施例提供按照第一优选实施例的高频功率放大器，具有用于施加可变漏电压到所述多个晶体管的另外一部分的装置，包括用于能够连续控制所施加的漏电压的装置。
本发明的第五优选实施例具有按照第四优选实施例的高频功率放大器，包括用于能够连续控制漏电压的装置，该装置包括DC-DC变换器。
按照本发明的第四和第五优选实施例，由于放大器提供有用于能够连续控制施加到晶体管的漏电压的装置或单元(例如，DC-DC变换器)，因此除了上述第一到第三优选实施例的优点外，还可能以最适合防止电功率浪费以及执行更适当的工作的方式调节放大器的输出功率。
附图说明
对于本专业的技术人员而言从下面结合附图的本发明的优选实施例的描述中，本发明的上述和其它目的、特点和优点将变得更清楚，其中：
图1是表示根据本发明的优选实施例用于在天线输出级中连续控制高频功率放大器输出功率的系统的示意图；
图2(A)、2(B)和2(C)是表示按照本发明的优选实施例的高频功率放大器的电路图；
图3是表示使用在根据本发明的优选实施例的图2所示的高频功率放大器的功率放大器PA(1)和PA(2)的内部配置的电路图；
图4是表示作为根据本发明的优选实施例的图2所示的高频功率放大器的特性的输出功率相对于漏极偏置控制电压的关系的图。
具体实施方式
结合附图对根据本发明的高频功率放大器的描述如下。
本发明有关高频功率放大器，通过开关驱动晶体管的漏电压的变化可以连续地控制该高频功率放大器的输出功率。针对与使用相似方法的常规放大器比较，更好地改善放大器效率的本发明业已被设计出来。
可以考虑到高频功率放大器输出需要连续控制的各种情况。下面，连续控制被应用到数字移动通信的通信装置(诸如蜂窝电话或类似装置)的天线输出级的高频功率放大器上的情况作为一个适合的例子被显示。这里，举出的示例以及其细节描述如下。在这种情况中，在天线输出级的高频功率放大器的输出功率被连续地控制，以便实现以无多余功率的适合功率的方式，输出到诸如基站等之类的传输目的地。
这样的连续控制是通过在图1的框图所举例说明的系统来执行的。
当参照图1时，RF功率放大器1的输出功率控制是通过PA_CONT信号(直流(DC)信号)的预定步骤控制功率放大器来执行的。PA_CONT信号从作为微处理器的控制器(未示出)输出到RF功率放大器1，使得由输出功率检测器3(在这种情况下检测器3通过匹配电路2检测来自RF功率放大器1的功率输出)检测的值是作为目标值，从基站(未示出)发送的指令值。然后，该指令功率从匹配电路2输出。
在本发明的优选实施例中，多个开关驱动晶体管被并联连接，以便改善高频功率放大器的效率，如图1所示，其输出功率可以进行连续地控制。一个固定的漏电压被施加到并联连接的多个晶体管的一部分，并且根据控制值可变漏电压被施加到多个晶体管的其它部分。另外，具有固定漏电压的各晶体管的接通和关断是可控的。
这种配置能够执行如下工作。即，在高输出功率范围，具有固定漏电压的多个晶体管的工作被接通。并且，在低功率范围，在高输出功率范围已经被接通的具有固定漏电压的多个晶体管的工作被关断。因此，在具有固定漏电压的晶体管的工作被接通时，可以改善在高输出功率范围的效率。另外，可以实现在整个范围内的输出功率连续控制。
图2(A)、2(B)和2(C)是使用改善本发明的高频功率放大器效率的上述配置及其漏电压控制装置的一个实施例的电路图。另外，图2(A)表示该电路的示意图，和图2(B)与图2(C)分别表示作为该放大器的电路单元的漏电压控制装置的具体例子。
如图2(A)-2(C)所示，根据代表本发明实施例的高频功率放大器提供有由多个彼此并联连接的开关驱动晶体管组成的各功率放大器(在本实施例中实际上该各功率放大器被表示为具有场效应晶体管的功率放大器PA(1)11和PA(2)12，作为构成元件)和作为基本电路元件的能获得最大放大器输出的匹配电路2。顺便提及，负载被表示为图2(A)的输出端的电阻负载Ro。
如图2(A)所示功率放大器PA(1)11和PA(2)12分别包含开关驱动晶体管(FET)Tr11和Tr12，作为电路的内部配置，这些晶体管如图3所示是按2级连接的。功率放大器PA(1)11和PA(2)12一般被用作利用开关驱动FET的功率放大器。另外，如图2(A)所示，漏电压被施加到功率放大器PA(1)11和PA(2)12的每个FET上。高频功率放大器电路施加固定的DC电压+B到功率放大器PA(2)12并且提供有漏电压控制装置11，漏极电压控制装置11根据控制值变换DC电压+B，以便施加可变电压到另一个功率放大器PA(1)11。最好是，漏电压控制装置11包括类似如图2(B)所示的DC-DC变换器4的根据控制值连续控制漏电压的电路。再有，可以使用如图2(C)所示的具有类似功能的利用FET5的控制电路。
如图2(A)所示的匹配电路2按照如下配置。即，电容C12和C13以及电感L11和L12被串联连接在功率放大器PA(1)11的输出端和负载电阻Ro之间。另外，电容C22和C23以及L21被串联连接在功率放大器PA(2)12的输出端和负载电阻Ro之间。再有，电容C11被连接在功率放大器11的输出端，与负载电阻Ro并联。另外，电容C21被连接在功率放大器12的输出端，与负载电阻Ro并联。此外，电容C14和C15以与负载电阻Ro并联的方式与负载电阻Ro连接。在匹配电路2中的各个电路元件中，包括电容C13和电感L11的一个分支，包括电容C14的一个分支，和包括电容C22和C23和电感L21的一个分支被连接上或者被断开，改变匹配电路2的电路常数以便匹配。
此外，如图2所示的匹配电路2的常数的具体例子是：C11＝7pF；C12、C13＝34pF；L11＝1.7nH；L12＝2.9nH；C14＝5pF；C15＝24pF；C21＝7pF；C22＝17pF；L21＝4.5nH。可以利用这些电路常数实现匹配电路2。
再有，如图2(A)所示的开关SW20和SW21是用于根据输出功率范围接通或关断功率放大器的工作的切换开关。同样，开关SW11和SW12是用于执行组成匹配电路2的上述各个电路元件的各个分支的连接和分路的开关，该连接和分路的工作是按照输出功率范围，根据功率放大器PA(2)12工作的接通或断开改变匹配条件，来改变电路常数。
接下来，下面描述如图2(A)所示的高频功率放大器的工作。
根据本发明的优选实施例的放大器利用两个功率放大器PA(1)11和PA(2)12。存在着两个功率放大器PA(1)11和PA(2)12都工作的情况(在高输出功率范围的工作)和仅功率放大器PA(1)11在工作的情况(在低输出功率范围的工作)。在两种情况下，高频功率放大器的输出的连续控制是通过功率放大器PA(1)11的漏电压的控制来执行的。
当指定高输出功率范围的目标值时，从控制器发送用于工作在两个功率放大器PA(1)11和PA(2)12的控制信号CONT(2)。利用控制信号CONT(2)，开关SW20被关断和开关SW21被接通，改变功率放大器PA(2)12为其工作模式。然后，控制信号CONT(2)关断开关SW11，使得电容C13和电感L11的分支转变为连接模式。另外，控制信号CONT(2)关断开关SW12，断开电容C14的分支。因此，匹配电路2的电路常数被设置为满足两个功率放大器PA(1)11和PA(2)12都工作的条件。因此，高频功率放大器的工作条件被设置并且图中的电压+B被漏电压控制装置(单元)11根据控制信号CONT(1)来改变，该控制信号CONT(1)用于控制放大器的输出为目标值。然后，经改变的电压被施加到功率放大器PA(1)11作为它的漏电压。如果DC-DC变换器4(在图2(B)中表示为DC-DC-CONV)被用作漏电压控制装置11，则施加到功率放大器PA(1)11的漏电压通过根据控制信号CONT(1)改变DC-DC变换器4对电压+B的变换系数进行控制。再有，如果使用利用FET5(如图2(C)所示)的控制电路，则利用控制信号CONT(1)通过FET5的栅极控制改变电压+B，以便控制施加到功率放大器PA(1)11的漏电压。
图4表示本实施例的放大器的特性。如图4所示的图中的横座标轴表示施加到功率放大器PA(1)11的FET的漏电压Vcont。图中的纵座标轴表示放大器的输出功率(dBm)。当漏电压控制装置11被控制信号CONT(1)控制为处于高输出功率范围的工作模式时，放大器特性在图4中被表示为“特性曲线(H)”指示的曲线。正如从图中清楚地看出那样，当漏电压Vcont在2.5V到1.5V的范围内变化时，放大器的输出功率可以在从满足由标准所要求的值(例如，33dBm、2W)的最大功率到A点(例如，31dBm)的范围内进行连续地变化。
当在低输出功率范围有目标值指示时，为了降低输出功率到低于A点，尽管功率放大器PA(1)11保持原样，但功率放大器PA(2)12的工作被关断。为此，从控制器发送控制信号CONT(2)，开关SW20被接通和开关SW21被关断。然后，功率放大器PA(2)12的工作被关断。因此，功率放大器12被从主功率放大器PA(1)11切断。控制信号CONT(2)还接通开关SW11，切断电容C13和电感L11的分支。控制信号CONT(2)接通开关SW12，连接由电容C14组成的分支。因此，匹配电路2的电路常数被设置得满足在低功率工作的匹配条件，即，在本实施例中仅功率放大器PA(1)11的工作模式。在按这种方式设置工作条件以后，重新再设置用于控制放大器的输出为目标值的控制信号CONT(1)。然后，根据新设置的控制信号CONT(1)，利用漏电压控制装置变换电压+B。因此，经变换的电压被施加到功率放大器PA(1)11，作为漏电压。
换言之，作为漏电压控制装置11由控制信号CONT(1)控制的情况下的放大器的特征，在低输出功率范围的工作模式中，放大器的输出功率可以按照图4中的标号“特性曲线(L)”所指示的曲线，根据设置值连续地改变。各个设置值当输出功率从高功率改变到低功率时在从对应于特性曲线(H)的A点的特性曲线(L)的A1点到放大器输出最低功率(例如，22.5dBm)A2点，在漏电压从2.5V到1.5V范围内进行重新设置。
如上所述，根据本实施例的放大器，通过关断(接通)具有固定漏电压的功率放大器PA(2)12的工作，放大器可以连续受到控制，从在A(A1)点输出满足由标准要求的值的最大功率(例如，33dBm、2W)到在A2点输出最小功率(例如，22.5dBm)的整个输出功率范围。另外，与整个输出功率范围是连续仅借助于利用漏电压控制装置11的功率放大器11而不利用漏电压是固定的功率放大器12的情况比较，在高输出功率范围具有固定漏电压的功率放大器PA(2)12的工作被接通(通过不利用漏电压控制装置11的优点)，本实施例的放大器可以在高输出功率范围具有改善的效率。再有，当具有固定漏电压的功率放大器PA(2)12的工作被接通或者关断时，利用改变匹配电路4的电路常数，通过获得最大输出功率的匹配调节，效率可以进一步改善。将来匹配电路可以作成包括开关电路的集成电路。这种趋势可以被认为是对改善效率的很大贡献。
另外，如图2(A)所示的本实施例的电路使用了两种类型的功率放大器PA(1)11和PA(2)12，但是每种类型的功率放大器并不限于这个具体实施例所提供的数量。因此，可以提供任意数量的功率放大器。简言之，只要是两种类型的功率放大器工作在如上所述的方式就可以实现本发明的目的。
此外，虽然如上所述的实施例预示蜂窝电话作为本发明的高频功率放大器可能适合实施的一个目标，并且本发明被实施为在蜂窝电话的天线输出级中的高频功率放大器，但是应当理解为，本发明的领域和输出功率并不仅限于上述优选实施例。本发明可以作为在各种其它领域的放大器予以实施，这些领域包括诸如利用开关驱动晶体管的高频功率放大器的无线电、电视、影音(AV)设备等。
虽然本发明在其优选形式中以某些具体特征进行了描述，但是显然可能作出许多改变、变化、组合和分组合。因此，应当理解为在不脱离本发明的范围的情况下，可以按不同于在本说明书中具体描述的方式实现。

Claims (6)

1.一种利用多个开关驱动晶体管的高频功率放大器，所述放大器包括：
多个开关驱动晶体管，所述晶体管彼此并联连接；
用于施加固定漏电压到所述多个晶体管的一部分的装置；
用于根据控制值施加可变漏电压到所述多个晶体管的另外一部分的装置；
用于接通或关断具有固定漏电压的所述多个晶体管的一部分的工作的装置；和
用于控制所述放大器的输出的装置，通过控制所述多个晶体管的所述另外一部分的漏电压使所述放大器的输出可变，以及在高输出功率范围接通所述多个晶体管的一部分的工作，和在低输出功率范围关断已经被接通的所述多个晶体管的一部分的工作。
2.根据权利要求1的高频功率放大器，还包括：
配置在所述多个晶体管的输出一侧的具有可变电路常数的匹配电路；
用于根据所述放大器的输出，优化所述匹配电路的所述电路常数的装置。
3.根据权利要求2的高频功率放大器，其特征在于，所述用于优化所述电路常数的装置包括根据所述多个晶体管的所述一部分的接通或关断工作来转换电路常数的装置。
4.根据权利要求1的高频功率放大器，其特征在于，所述用于施加可变漏电压到所述多个晶体管的所述其它一部分的装置包括能够连续控制所施加的漏电压的装置。
5.根据权利要求4的高频功率放大器，其特征在于，所述用于能够连续控制漏电压的装置包括DC-DC变换器。
6.一种利用多个开关驱动晶体管的高频功率放大器，所述放大器包括：
多个开关驱动晶体管，所述晶体管彼此并联连接；
用于施加固定漏电压到所述多个晶体管的一部分的第一单元；
用于根据控制值施加可变漏电压到所述多个晶体管的另外一部分的第二单元；
用于接通或关断具有固定漏电压的所述多个晶体管的一部分的工作的转换单元；和
用于控制所述放大器的输出的控制器，通过控制所述多个晶体管的所述另外一部分的漏电压使所述放大器的输出可变，以及在高输出功率范围接通所述多个晶体管的一部分的工作，和在低输出功率范围关断已被接通的所述多个晶体管的一部分的工作。
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CN (1) CN1388724A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422543A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 高通股份有限公司 多模式多频带功率放大器模块
CN104617887A (zh) * 2014-11-25 2015-05-13 西安爱生技术集团公司 一种功率放大器输出控制装置
CN110168434A (zh) * 2016-10-18 2019-08-23 通快瑞士股份公司 用于声光构件的高频驱动电路和用于运行高频驱动电路的方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003223389A1 (en) * 2003-03-27 2004-11-23 Ess Technology, Inc. High speed high gain amplifier
US7468543B2 (en) * 2003-09-19 2008-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method
US8010073B2 (en) * 2004-01-22 2011-08-30 Broadcom Corporation System and method for adjusting power amplifier output power in linear dB steps
CN100536324C (zh) * 2004-07-14 2009-09-02 三菱电机株式会社 高输出放大器
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
EP1708358A3 (en) * 2005-03-11 2006-12-06 LG Electronics Inc. Mobile communications terminal having driving voltage control apparatus and method thereof
EP1916759A4 (en) * 2005-06-30 2010-03-03 Fujitsu Ltd CONTINUOUS-CONTINUOUS CONVERTER AND POWER AMPLIFIER ON WHICH IT HAS BEEN APPLIED
KR100821197B1 (ko) * 2005-10-17 2008-04-11 한국전자통신연구원 고효율 혼합모드 전력 증폭기
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
US7937106B2 (en) 2006-04-24 2011-05-03 ParkerVision, Inc, Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same
US8031804B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
US20070270111A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-22 Broadcom Corporation Dual power mode transmitter
US7860467B2 (en) 2006-08-29 2010-12-28 Broadcom Corporation Power control for a dual mode transmitter
US7907009B2 (en) 2006-11-30 2011-03-15 Mitsubishi Electric Corporation High frequency amplifier
WO2008144017A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
WO2008156800A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (miso) amplification with blended control
WO2009005768A1 (en) 2007-06-28 2009-01-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
KR100880448B1 (ko) * 2007-08-10 2009-01-29 한국전자통신연구원 저소비전력 혼합모드 전력증폭장치
WO2009145887A1 (en) 2008-05-27 2009-12-03 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
CN101489299B (zh) * 2009-02-26 2012-05-02 华为技术有限公司 一种基站载频功放的控制方法、装置及系统
JP5331732B2 (ja) * 2010-03-05 2013-10-30 株式会社東芝 エンベロープトラッキング電力増幅器およびエンベロープトラッキング増幅方法
KR20140026458A (ko) 2011-04-08 2014-03-05 파커비전, 인크. Ｒｆ 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
EP2715867A4 (en) 2011-06-02 2014-12-17 Parkervision Inc ANTENNA CONTROL
US8970297B2 (en) 2012-03-19 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network
JP5974921B2 (ja) * 2013-02-13 2016-08-23 株式会社ソシオネクスト 増幅器及び無線通信装置
CN106415435B (zh) 2013-09-17 2020-08-11 帕克维辛股份有限公司 用于呈现信息承载时间函数的方法、装置和系统

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103809B2 (ja) * 1988-06-10 1994-12-14 三菱電機株式会社 増幅回路
US5973557A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High efficiency linear power amplifier of plural frequency bands and high efficiency power amplifier
US6285251B1 (en) * 1998-04-02 2001-09-04 Ericsson Inc. Amplification systems and methods using fixed and modulated power supply voltages and buck-boost control

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422543A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 高通股份有限公司 多模式多频带功率放大器模块
CN102422543B (zh) * 2009-05-12 2014-09-10 高通股份有限公司 多模式多频带功率放大器模块
US8971830B2 (en) 2009-05-12 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Multi-mode multi-band power amplifier module
CN104617887A (zh) * 2014-11-25 2015-05-13 西安爱生技术集团公司 一种功率放大器输出控制装置
CN110168434A (zh) * 2016-10-18 2019-08-23 通快瑞士股份公司 用于声光构件的高频驱动电路和用于运行高频驱动电路的方法
US11550174B2 (en) 2016-10-18 2023-01-10 Trumpf Schweiz Ag Operating a high-frequency driver circuit
CN110168434B (zh) * 2016-10-18 2023-04-18 通快瑞士股份公司 用于声光构件的高频驱动电路和用于运行高频驱动电路的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020186076A1 (en) 2002-12-12
US6700440B2 (en) 2004-03-02
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JP2002353751A (ja) 2002-12-06

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