CN1334637A - Dc/dc变换器电路 - Google Patents
Dc/dc变换器电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1334637A CN1334637A CN01124327A CN01124327A CN1334637A CN 1334637 A CN1334637 A CN 1334637A CN 01124327 A CN01124327 A CN 01124327A CN 01124327 A CN01124327 A CN 01124327A CN 1334637 A CN1334637 A CN 1334637A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- comparator
- output
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0032—Control circuits allowing low power mode operation, e.g. in standby mode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本发明涉及一种DC/DC转换器电路,其包括一电压转换电路和一调整电路,所述调整电路包括一基准电压生成电路和一比较器,所述比较器输出一控制信号,作为转换器电路的输出负载的函数,用于启动/停用所述电压转换电路。转换器电路还包括一用于通知所述调整电路打开/关闭的电路和一控制电路,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路包括一比较器,在比较器的第一输入端,可以获得具有上述输出电压特性的电压,在其第二输入端,可以获得一个电容器被充电所达到的电压;所述控制电路包括开关,在所述调整电路打开期间,所述开关控制电容器,所以所述电容器被充电到一个电压,该电压与所述具有输出电压特性的电压有一预定数量的差别,当它达到设计值时,它通知所述调整电路关闭并将所述电容器与充电电压分离,当具有输出电压特性的电压和所述电容器电压相同时,比较器向控制电路输出信号,导致所述调整电路返回打开状态。
Description
本发明涉及一种DC/DC变换器电路,它包含一电压转换电路,在操作中能够将DC/DC变换器电路的输入电压转换为与输入电压不同值的DC/DC变换器电路的输出电压;它还包含一个用于将输出电压调整到预定值的调整电路,该调整电路包括一基准电压生成器电路和一比较器,在比较器的第一输入端,可以获得一个具有输出电压特性的电压,在比较器的第二输入端,可以获得基准电压生成器电路所生成的基准电压,并输出用于激励/停用电压转换电路的控制信号,该信号是输出电压所造成设计值的下/上限的函数。
通过阅读美国专利US5,680,300(“经调整的电荷泵DC/DC变换器”)背景技术部分的描述,可以了解现有技术中众所周知的DC/DC变换器电路。所介绍的DC/DC变换器电路的电压转换电路包括一电荷泵电路。
文章开头部分所介绍电路的缺点是,在电路输出处,当电流需求相对较少或为0时,也就是在待命操作时,相对大的电流耗费成为事实。这是由于这样的事实,调整电路自身也就是基准电压生成器电路和比较器连续地耗用电流。当带隙标准被用作基准电压生成器电路,可以提供一分压器,它将输出电压与一个电压分开,作为具有输出电压特性的电压,所述电压适用于基准电压并被施加在比较器的第一输入端。当DC/DC变换器电路处于待命状态时,分压器也耗用电流。
为了减少这种电路的待命耗电,也就是当电路的输出不耗电或耗电很少时,建议使用一种DC/DC变换器电路,即利用它的DC/DC转换器LTC1516内的线性技术,其中通过将一个信号施加到电路上,从待命状态变换到正常操作状态。在线性技术的主页上介绍了这种电路,2000年6月10日,可以在地址“www.linear-tech.com”获得所述主页。用于实现从待命状态变换到正常操作状态的信号被一个微处理器输送给DC/DC转换器电路。在这种配置中,在待命期间,电路的打开引线接收一个被调整到最大的高工作循环(也就是95~98%)信号,待命电流被调到最大程度,也就是100μA。为这个待命电流所允许的关闭时间达到最小。打开时间确定工作循环。当打开时间是0.2ms,所允许的最大的关闭时间是10ms时,与正常操作相比,待命期间,电路耗费电流仅仅是电路打开期间的2%。
上述电路的缺点是不能自动地在待命状态和正常操作状态之间转换。另一个缺点是在待命期间,开/关比率是固定的,不适应于在任何时刻DC/DC变换器电路的输出端所要求的实际电流,导致DC/DC变换器电路较高的待命电流耗费。
图1显示了一种现有技术的DC/DC变换器电路,其中,通常被组成集成电路的模块1、2、3、4和5是盒形的。
众所周知的DC/DC变换器电路包括一电压转换电路,所述电压转换电路包括一个电荷泵电路,电荷泵电路包括一个电荷泵电器Cpump、输出级1、控制电路2,输出级1包括电荷泵的可控制的开关,并被连接到电路的输入电压Vcc上,控制电路2包括一个振荡器和一个驱动器,用于通知可控制的开关,所述可控制的开关可以是金属氧化物半导体场效应晶体管。控制电路2从输入电压缘Vcc接收它的电流。在实际操作中,控制电路2周期性地控制电荷泵的开关,所以电荷泵电容器在第一阶段首先被转换,所以它被充电,达到DC/DC变换器电路的输入电压Vcc,在第二阶段电容器被转换,所以它与DC/DC变换器电路的输入电压Vcc串联,所以电路的输出端的电压大于输入电压Vcc,大约是输入电压Vcc的两倍。这种电荷泵电路能够在输出端将输入电压转换成一个更高、更低或反向的电压,是众所周知的,可以从作者为Paul Horowitz和Winfried Hill,剑桥大学出版社所出版的教科书“电子技术”第二版第377页和后续页次上获得这种现有技术。
此外,众所周知的DC/DC变换器电路在输出端还包括一存储电容器Cout,在其上储存电路的输出电压Vout。图1所示的电阻与电容器平行地被连接,表示施加在DC/DC变换器电路的输出端的负载。
此外,众所周知的DC/DC变换器电路包括一调整电路,所述调整电路包括一比较器3、一基准电压生成器电路4和一分压器5。
在这种配置中,比较器3在它的第一输入端6接收被分压器5所分压的DC/DC变换器电路的输出电压Vout的一部分,该部分适应于被施加到比较器第二输入端7的由基准电压生成器电路4所生成的基准电压Vref。
利用跳跃原理,通过输出一控制信号激活电压转换电路或输出一控制信号停用电压转换电路(1,2,Cpump),输出端与控制电路2相连的比较器将DC/DC变换器电路的输出电压调整到一预定设计值,所述控制信号作为由DC/DC变换器电路的输出电压Vout所引起的设计值的上/下限的函数,所以,仅在输出电压Vout所引起的设计值的下限时,电荷泵被打开。
如上所述,图1所示电路具有缺陷,即当电路处于待命状态时,由于调整电路也被打开,它具有较大的电流耗费,比较器在使用中也耗费过多的电流(也就是Icc=20μA),其次是基准电压生成器电路4(Icc=10μA)和分压器(Icc=6μA)。
本发明一方面是提供一种克服了上述缺陷的DC/DC变换器电路,与现有技术中的这种类型的电路相比,待命状态下所耗费的电流小。
利用这样一种DC/DC变换器电路可以实现这个方面,DC/DC变换器电路还包括一个用于通知所述调整电路打开/关闭的电路和一控制电路,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路包括一比较器,在比较器的第一输入端,施加具有上述输出电压特性的电压,在其第二输入端,施加一电容器的电压;所述控制电路包括一个或多个可控制的开关,所述控制电路接收所述调整电路的比较器所发出的控制信号和用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器的输出信号,在所述调整电路打开期间,所述控制电路输出一个用于控制开关的信号,所以所述电容器被连接到所述调整电路所确定的电压,所以它被充电到一个电压,该电压与所述具有输出电压特性的电压有一预定数量的差别,当被所述调整电路的比较器通知电压已经达到设计值时,它输出信号,用于通知所述调整电路关闭并控制所述开关,所以所述电容器与充电电压分离,所以电容器逐渐放电,当具有输出电压特性的电压和所述电容器电压相同时,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器向控制电路输出信号,导致所述控制电路立刻输出信号,通知所述调整电路打开。
在本发明中,在待命状态下,电流耗费被有效地减少,只要在DC/DC变换器电路的输出端,达到设计值,首先通知调整电路的所有电流消耗者关闭。一旦调整电路被通知关闭,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路监视输出电压,与调整电路的比较器不同,它的比较器接收不绝对准确的基准电压,但是在输出端,由调整电路精确地确定一个电压并将该电压简单地施加在电容器上,该电压与施加在另一个输入端并具有瞬间输出电压特性的电压有一预定数量的差别。在这种布置中,无论何时,只要用于通知所述调整电路打开/关闭的电路输出打开信号,电容器上的电压总是被再生。在待命时,符合本发明的电路动态地使待命电流耗费适应于DC/DC变换器电路输出端所要求的输出电流。这确保符合本发明的DC/DC变换器电路与现有技术的这种类型电路不同,显著地、简单地和高效地减少了待命电流耗费。
下文通过结合附图对示例进行详尽的描述而介绍本发明。
图1显示了现有技术的DC/DC变换器电路;
图2显示了符合本发明的DC/DC变换器电路的第一示例;
图3是一电路的电路图,用于说明图2所示的DC/DC变换器电路的调整电路的开/关;
图4是图3所示电路的单线连接图,帮助解释电路的工作原理;
图5是DC/DC变换器电路的输出电压的曲线和施加在电路比较器的两个输入端的电压的曲线,用于说明调整电路的开/关与时间的关系并帮助说明工作原理。
图2显示了符合本发明的DC/DC变换器电路的一个示例。由于在这个示例中,符合本发明的DC/DC变换器电路的大多数元件与图1所示的相同。仅仅介绍与图1所示电路不同的元件和连接。
图2所示的DC/DC变换器电路包括一电路13,用于通知调整电路的开/关,在这种布置中,用于通知调整电路的开/关的电路13的输出端15被连接到调整电路的个别元件3、4和5和控制电路2。用于通知调整电路的开/关的电路13向调整电路发出信号,也就是当DC/DC变换器电路处于待命状态时,即当输出电压Vout是设计值的上限时,比较器2、带隙标准电压生成器电路4和分压器5关闭。随机地,电压转换电路(控制电路2)也可以被通知关闭,意味着在此情况下与电源电压Vcc断开(或与分压器5的输出电压Vout断开),在发信号打开时,意味着重新与电源电压Vcc相连结(或与分压器5的输出电压Vout重新相连)。
在待命期间,当要求低输出电流时,用于通知调整电路的开/关的电路13监视DC/DC变换器电路的输出电压Vout,为此目的,它在输入端14接收DC/DC变换器电路的输出电压Vout。它还在另一个输入端16接收来自调整电路的比较器3的控制信号,所述控制信号表示输出电压Vout是设计值的上限或下限。当这个信号表示输出电压Vout是设计值的上限时,仅仅通知调整电路关闭。用于通知调整电路的开/关的电路13随机地包括另一个输入端,通过该输入端,微处理器(μp)可以输入一控制信号,其功能将在下文被介绍。
图3显示了图2所示的用于通知调整电路的开/关的电路13的一种可能的结构。根据图4所示的电路图,图3所示的单个MOS-FETS(金属氧化物半导体场效应晶体管)的功能是很明显的,在图4中,可以用满足它们功能的元件替代MOS-FETS。
结合图3和图4,将介绍用于通知调整电路的开/关的电路13的结构。
电路13包括由两个P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2、MP3构成的比较器20,将要被比较的电压施加在栅极;一电流反射镜,其包含N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN2、MN3;和一由决定了比较器20所耗用的电流的P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP4组成的电流源。由于图3所示的比较器20的功能可以从现有技术中得知,在下文中不再对此进行介绍。
形成比较器20的电流源的P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP4的源极与DC/DC变换器电路的输出电压Vout相连,它的漏极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2和MP3的源极相连,它的栅极接地,它的衬底与输出电压Vout相连。
P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的漏极与N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN2的漏极相连,它的衬底与输出电压Vout相连。P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP3的漏极与N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN3的漏极相连,它的衬底与输出电压Vout相连。
形成电流反射镜的两个N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN2和MN3的源极和衬底接地,同时它们的栅极彼此相连。N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN3的栅极和源极彼此相连。
由P型金属氧化物半导体场效应晶体管构成的二极管MP6和MP8被提供,用于设置比较器20的工作点。在这种布置中,二极管MP6和MP8的衬底和源极与输出电压Vout相连,同时它们的栅极与相应的漏极相连。由P型金属氧化物半导体场效应晶体管构成的二极管MP6和MP8在图4中分别用D1和D2来表示。
P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2和MP3的栅极形成比较器的不同的输入端,每个输入端与一被当作电容器使用的金属氧化物半导体场效应晶体管(图3中的MN1或MP1;图4中的C2和C1)相连。
在这种布置中,形成电容器C2的N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的漏极和衬底被接地同时它的栅极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极相连,也就是与比较器20的不同的输入端中的一个相连。
形成电容器C1的P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP1的源极、漏极和衬底与输出电压Vout相连,同时它的栅极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP3的栅极相连,也就是与比较器20的不同的输入端中的另一个相连。
金属氧化物半导体场效应晶体管MN5、MP9(图4中的S2、S1)和MN4、MP7(图4中的S4、S3)形成了开关,利用所述开关,节点kvdiff(当作C2使用的N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的栅极和P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极(比较器20的第一输入端))和kvout(当作C1使用的P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP1的栅极和P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP3的栅极(比较器20的第二输入端))可以被隔绝。所有四个开关MN5、MP9、MN4和MP7被一控制电路17所控制,在图3所示示例中,所述控制电路17包括一触发器电路(也就是RS触发器)。
四个开关是这样构成电路的:P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP7的源极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP6的漏极相连,它的漏极通过电阻R与作为电容器C2的N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的栅极相连,它的衬底与输出电压Vout相连,它的栅极与控制电路17的输出端32相连。
N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN4的源极通过电流源I1接地,它的漏极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极相连,它的衬底与它的源极相连,它的栅极与控制电路17的输出端31相连。
P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP9的源极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP8的漏极相连,它的漏极与P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP3的栅极相连,它的衬底与输出电压Vout相连,它的栅极与控制电路17的输出端32相连。
N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN5的源极通过电流源I2接地,它的衬底与它的源极相连,它的栅极与控制电路17的输出端31相连。
P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP5,它的源极和衬底与输出电压Vout相连,它的栅极与漏极相连,又被连接到电路点kvdiff,用于在Vout和kvdiff(当作电容器C2使用的N型金属氧化物半导体场效应晶体管MN1的栅极和P型金属氧化物半导体场效应晶体管MP2的栅极(比较器20的第一输入端))之间设置一精确的确定的漏电。
比较器20的输出端21被连接到一反相放大器19,输出电压Vout向反相放大器19供电,在它的输出端,生成一信号,用于通知调整电路打开,这将在下文被介绍。
反相放大器19的输出端与形成控制电路17的触发器(RS触发器)的输入端33相连。在控制电路17的触发器的另一个输入端34(图2中的16),调整电路的比较器3施加一控制信号,表示DC/DC转换器电路输出电压Vout设计值的上限/下限。
图3和图4所示电路13的功能和图2所示DC/DC转换器电路的功能将被介绍。
首先假定,控制电路17已经输出一开启信号18,通知调整电路开启(将在下文介绍开启信号被输出的条件和如何被生成)。
当用于通知调整电路的开/关的电路的比较器向控制电路17的输入端(S)施加一信号时,这将在下文介绍,开启信号18被输出。
这导致在触发器17的两个输出端(Q和Qquer)的信号变化,用于控制上述的开关,也就是通知MN4(S4)、MP7(S3)、MP9(S1)和MN5(S2)打开,因此,两个电容器C1(MP1)和C2(MN1)被充电。
在这种布置中,当转换器的输出电压达到它的设计值时,电容器C2(MN1)被充电到一个电压值
VC2=Vout(des)-Vgs-Vout(1)
这里Vout(des)是调整电路所设置的电压,达到它的设计值Vout(des),Vgs是二极管D2(MP6)上的电压降,Vout(=R*I)是预设电阻R上的电压降。电压VC2被施加在用于通知调整电路的开/关的电路13的比较器20的第一输入端(kvdiff)。
电容器C1(MP1)被同时充电到一个电压值
VC1=Vout-Vgs (2)
假设,金属氧化物半导体二极管D1和D2(分别是MP8和MP6)是相同的,所以,其上的电压降是相同的。电压VC1被施加到比较器20的第二输入端(KVout)上。
在充电阶段末期,比较器20的输入端之间的电压差别是VC2-VC1=Voff,通过将电阻R设定为一期望值,而设置所述Voff。
当通知调整电路打开时,可能出现两种情况。
在第一种情况,当调整电路被通知打开时,DC/DC转换器电路的输出电压V是设计值的上限,所以没有必要激活电荷泵。被连接在调整电路的比较器上的第一延迟电路(图中未示)(也就是RC衰减器)确保,比较器不能将控制信号(被输送到触发器17的输入端电阻R)输出到输出端,直到第一延迟时间结束为止(大约30微秒)。第一延迟时间用于证实,用于调整的重要的元件已经被设置,允许调整电路的比较器进行电压比较,另一方面,确保在第一阶段有足够的时间将电容器充电到期望的电压值。
调整电路的比较器3输出它的控制信号,所述信号到达控制电路的触发器17的输入端电阻R,因此,信号改变了触发器输出端(Q和Qquer)的状态,金属氧化物半导体场效应晶体管开关MN4(S4)、MP7(S3)、MP9(S1)和MN5(S2)被通知关闭,所以,比较器20的两个输入端(KVdiff,KVout)被隔绝。同时,关闭信号18从触发器的输出端Q被输送到调整电路。这个关闭信号被输送到比较器3、基准电压生成电路4、分压器5和控制电路2,通知它们关闭(也就是通过激活开关,图中未示)。
在第二种情况,当DC/DC装换电路被通知打开时,输出电压是设计值的下限,所以,当第一延迟时间结束时,调整电路的比较器“发现”Vout<Vdes,它向电荷泵的控制电路2输出一控制信号,激活电荷泵。一旦通过泵操作重新获得输出电压的设计值,当第二延迟时间(大约3~5微秒)结束时,与比较器相连的第二延迟电路(图中未示)确保电荷泵连续输出,确保电容器被重新充电到上述所期望的值。当第二延迟时间结束时,调整电路的比较器3再次输出它的控制信号,该信号被输送到控制电路的触发器17的输入端电阻R,因此,信号改变了触发器输出端(Q和Qquer)的状态,金属氧化物半导体场效应晶体管开关MN4(S4)、MP7(S3)、MP9(S1)和MN5(S2)被通知关闭,所以,比较器20的两个输入端(KVdiff,KVout)被隔绝。同时,关闭信号18从触发器的输出端Q被输送到调整电路。这个关闭信号被输送到比较器3、基准电压生成电路4、分压器5和控制电路2,通知它们关闭(也就是通过激活开关,图中未示)。
由于电容器C1和C2被充电,施加在比较器20的输入端上的电压不同。
暂时忽略流过金属氧化物半导体场效应晶体管MP5的漏电电流,在调整电路关闭期间,施加在比较器20的第一输入端(Kvdiff)的电压保持为Vout(des)-Vgs-Vout,同时施加在比较器20的第二输入端(KVout)的电压保持为Vout-Vgs。由于第一输入端(Kvdiff)的电压与地电容性耦合,第二输入端(KVout)的电压与实际输出电压Vout耦合,由电压差Voff引起的实际输出电压Vout的减少将改变比较器20输出信号的电平,所以,在输出端将输出一个信号,通过反相放大器19,该信号到达控制电路17的触发器的输入端S,利用此信号,在输出端Q和Qquer,输出端电平最终改变,因此,触发器的输出端Q输出一打开信号,用于再次激活调整电路(比较器3、带隙标准电压生成器电路4),也就是将分压器5与电源Vout重新连接。在图2所示示例中,包含震荡器和驱动器的控制电路2将返回打开,也就是重新与电源Vcc相连。
由于在生成用于通知调整电路开/关的电路的比较器输出信号过程中,所述输出信号被施加到控制电路17的触发器的S输入端,同时在调整电路被通知打开的同时,触发器的两个输出端Q和Qquer改变状态,采用上述方式,通过控制信号所引起开关S1~S4的关闭导致电容器C1和C2再次具有电压。再次进行整个循环。
目前为止尚未考虑的、流过金属氧化物半导体场效应晶体管开关MP5的漏电电流IL用来迫使漏电电流在正确的方向上自动地发生在用于通知调整电路的开/关的电路13的比较器20的两个电容性连接的输入端KVdiff和KVout上。在这种布置中,流过MP5的漏电电流被设置,所以它控制所有自动发生在比较器20的输入端的漏电电流(“结型漏电”),因此阻止电容器C1和C2之间的分压器失去控制,在最恶劣的情况下,它可能导致调整电路不能返回打开。如图5所示,被确定的漏电电流因此确保了调整电路的周期性地返回打开状态。
图5显示了DC/DC转换器电路的输出电压轮廓的上半部分,适用于DC/DC转换器电路的输出端的两个不同的待命电流(100μA和250μA)。图5下半部分的的曲线代表作用在用于通知调整电路开/关的电路13的比较器20的两个输入端上的电容器电压Vc1和Vc2的轮廓。Vc1是电容器C1上的电压,电压Vc1与输出电压Vout平行。电容器C2上的电压Vc2的轮廓由流过金属氧化物半导体场效应晶体管MP5的漏电电流IL确定,漏电电流IL迫使电压Vc2逐渐接近具有输出电压Vout特点的电压Vc1,及时阻止电压Vc1和Vc2失控和电路的不确定状态。
在到达图5所示的时间t1之前,两个电容器C1和C2的电压Vc1和Vc2一致,所以比较器20输出一个信号,采用前述方式,使该信号通过控制电路17,调整电路(或电压转换电路)被打开。如果输出电压是设计值的下限,采用上述方式,电荷泵被比较器3和控制电路2所“接合”,向电容器的输出端Cout输送电荷,直到达到设计值为止。在此布置中,开关S1~S4保持打开,直到延迟时间结束为止,所以,电容器C1和C2被充电。如图5所示,在时间t1时,电容器C1和C2重新返回它们的初始状态(参考公式(1)和(2)),调整电路的比较器20的输入端上出现电压差Voff。在调整电路的比较器3和控制电路17的作用下,调整电路被关闭,重新开始新的循环。
如上所述,一旦电路13通知调整电路打开,不必要通知电荷泵打开,由于输出电压Vout仍然为它的设计值的上限。在此情况下,如上所述,仅仅电容器C1和C2被分别充电,到达它们的设定值Vc1和Vc2,不用激活电荷泵。
从图5的右面部分可以清楚地看出,符合本发明的DC/DC转换器电路能够在任何时刻动态地使待命电流耗费适合DC/DC转换器电路的输出端所要求的待命负载电流。如果待命负载电流增加(图5中从100μA增加到250μA),电容器C1快速地放电,所以,调整电路的打开频率(图5中时间t2~t6)增加。符合本发明的DC/DC转换器电路能够为每一个待命电流自动地设置一个优异的打开频率,而到目前为止,现有技术中这种类型的DC/DC转换器电路不能作到这一点。在这种布置中,打开频率最好与待命电流成比率。通知调整电路打开不仅确保输出电压Vout上出现线性下降,而且使输出电压Vout突然下降。
用于通知调整电路的开/关的电路13的比较器20最好被如此构造,所以它的电流耗费基本上小于调整电路的比较器3的电流耗费,也就是电流为20μA~100μA。在实际设计比较器20时,需要在比较器的转换速度和电流耗费之间取得平衡,也就是比较器转换速度越快,它的电流耗费就越大。
符合本发明的DC/DC转换器电路最好被构造成集成电路。
此外,作为规则,它包括一个上文没有描述的启动电流,当DC/DC转换器电路被通知打开时,该电流确保用于通知调整电路的开/关的电路13的电容器在第一时间被充电。
上文所述的用于通知调整电路的开/关的电路13的激活和停止也可以被独立于DC/DC转换器电路的实际输出电压Vout(图2所示的微处理器输入μp)的微处理器控制,所述微处理器被击键所激活,也就是当用户使用移动电话时,当用户敲击键时,微处理器从待命模式被转换,用于监视用于通知调整电路的开/关的电路13的输出电压,当调整电路从关闭转换到激活模式,调整电路自己监视输出电压Vout。
符合本发明的DC/DC转换器电路也可以与DC/DC转换器制成一体,也可以被装在电池里。
以上已对本发明作了十分详细的描述,所以阅读和理解了本说明书后,对本领域技术人员来说,本发明的各种改变和修改将变得明显。所以一切如此改动和修正也包括在此发明中,因此它们在权利要求书的保护范围内。
因此电压转换电路不必必须包含电荷泵电路,它可以包含任何作为DC/DC转换器电路的输出电压Vout的函数并能够交替地通知开/关的电压转换电路,也就是说它可以是感应转换器电路。
此外很明显的是,用于通知调整电路的开/关的电路13的电容器被充电所达到的电压不一定是调整电路所确定的DC/DC转换器电路的输出电压,该电压的大小与输出电压的大小有一些区别。例如它可以是基准电压生成电路所产生的基准电压或由那里生成的电压。唯一重要的是,调整电路被用于确定用于通知调整电路的开/关的电路13的电容器之一上的电压,此后它被通知关闭,在调整电路关闭期间,携带该电压的电容器取代了用于通知调整电路的开/关的电路13内的基准电压源的功能。
Claims (12)
1一种DC/DC转换器电路,包括一电压转换电路,在操作时,所述电压转换电路能够将DC/DC转换器电路的输入电压转换成不同于输入电压的DC/DC转换器电路的输出电压;一用于将输出电压调整到一预设值的调整电路,所述调整电路包括一基准电压生成电路和一比较器,在所述比较器的第一输入端,可以获得具有上述输出电压特性的电压,在所述比较器的第二输入端,可以获得基准电压生成电路所生成的基准电压,比较器输出一控制信号,作为由所述输出电压而引起的设计值的上/下限的函数,用于启动/停用所述电压转换电路,其特征在于:DC/DC转换器电路还包括一用于通知所述调整电路打开/关闭的电路和一控制电路,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路包括一比较器,在比较器的第一输入端,施加具有上述输出电压特性的电压,在其第二输入端,施加一电容器的电压;所述控制电路包括一个或多个可控制的开关,所述控制电路接收所述调整电路的比较器所发出的控制信号和用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器的输出信号,在所述调整电路打开期间,所述控制电路输出一个用于控制开关的信号用于控制开关,所以所述电容器被连接到所述调整电路所确定的电压,以至于被充电到一个电压,该电压与所述具有输出电压特性的电压有一预定数量的差别,当被所述调整电路的比较器通知电压已经达到设计值时,它输出信号,用于通知所述调整电路关闭并控制所述开关,所以所述电容器与充电电压分离,所以电容器逐渐放电,当具有输出电压特性的电压和所述电容器电压相同时,用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器向控制电路输出信号,导致所述控制电路立刻输出信号,通知所述调整电路打开。
2一种根据权利要求1所述的电路,其特征在于:所述电容器与一个电流路径相连,通过该路径,来自所述电容器的一个预定的漏电电流可以流过,所以在所述电容器放电期间,其上的电压及时地接近具有输出电压特性的电压。
3一种根据权利要求2所述的电路,其特征在于:所述漏电电流被选择,所以它控制结型漏电,所述结型漏电自动发生在用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器的输入端。
4一种根据权利要求1~3之一所述的电路,其特征在于:所述电压转换电路包括一个电荷泵电路。
5一种根据权利要求1~3所述的电路,其特征在于:所述电压转换电路包括一个感应变换器电路。
6一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:设置分压器,用于将施加在所述调整电路的比较器的第一输入端上的具有输出电压特性的电压与所述输出电压分开,所以所述输出电压适应于所述基准电压生成电路所生成的基准电压,用于通知所述调整电路关闭的信号也用于将所述分压器与所述输出电压分开,利用所述打开信号,所述分压器与所述输出电压重新连接。
7一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:所述基准电压生成电路是一个带隙标准。
8一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:用于通知所述调整电路打开/关闭的所述电路的比较器与所述调整电路的比较器相比,电流耗费小,其中用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器包括一个由金属氧化物半导体场效应晶体管构成的反向放大器。
9一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:被所述调整电路确定的电压即所述电容器被充电所达到的电压来源于所述输出电压,与所述输出电压和所述电容器串联的电阻确定了所述预设的电压值,在对所述电容器进行充电期间,在所述电阻上的所述预设电压值下降,因此,被所述调整电路确定的电压即所述电容器被充电所达到的电压来源于所述基准电压生成电路所生成的基准电压。
10一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:所述控制电路包括触发器,所述电容器包括金属氧化物半导体场效应晶体管,另一个包含金属氧化物半导体场效应晶体管的电容器被设置,其携带所述具有输出电压特性的电压,并与用于通知所述调整电路打开/关闭的电路的比较器的第一输入端连接。
11一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:用于通知所述调整电路关闭的信号也被用于通知所述电压转换电路关闭,用于通知所述调整电路打开的信号也被用于通知所述电压转换电路打开。
12一种根据上述任一项权利要求所述的电路,其特征在于:提供一种与所述调整电路的比较器相连的延迟电路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10030795A DE10030795B4 (de) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | Gleichspannungswandlerschaltung |
DE10030795.7 | 2000-06-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1334637A true CN1334637A (zh) | 2002-02-06 |
Family
ID=7646658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN01124327A Pending CN1334637A (zh) | 2000-06-29 | 2001-06-28 | Dc/dc变换器电路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6534963B2 (zh) |
EP (1) | EP1168587B1 (zh) |
JP (1) | JP2002051537A (zh) |
CN (1) | CN1334637A (zh) |
DE (2) | DE10030795B4 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100373754C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-03-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 低输入电压开关变换器 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10149827A1 (de) * | 2001-10-09 | 2003-04-30 | Siemens Ag | Stabilisierungsschaltung |
US6677739B1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-01-13 | Muriel Bartol | High-reliability, low-cost, pulse-width-modulated vehicular alternator voltage regulator with short-circuit protection and low inserted electrical noise |
KR100526344B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2005-11-08 | 삼성전자주식회사 | 승압 전압 제어장치 및 방법 |
DE102004041920B4 (de) * | 2004-08-30 | 2012-12-06 | Infineon Technologies Ag | Spannungsversorgungsschaltung und Verfahren zur Inbetriebnahme einer Schaltungsanordnung |
US7365525B2 (en) * | 2005-02-08 | 2008-04-29 | Linear Technology Corporation | Protection for switched step up/step down regulators |
US20070008754A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Charge pump for bus-powered device |
JP4783223B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2011-09-28 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 電圧レギュレータ |
US7368979B2 (en) * | 2006-09-19 | 2008-05-06 | Sandisk Corporation | Implementation of output floating scheme for hv charge pumps |
DE102006047065B4 (de) | 2006-10-05 | 2018-07-26 | Stephan Hoffmann | Schaltung und Verfahren zur Spannungsteilung |
IT1397283B1 (it) * | 2009-11-30 | 2013-01-04 | St Microelectronics Rousset | Stadio a pompa di carica, metodo di controllo di uno stadio a pompa di carica e memoria comprendente uno stadio a pompa di carica. |
US8493040B2 (en) * | 2011-08-04 | 2013-07-23 | Nxp B.V. | Voltage regulator with charge pump |
US10795395B2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-10-06 | Ememory Technology Inc. | Bandgap voltage reference circuit capable of correcting voltage distortion |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5526253A (en) | 1993-09-22 | 1996-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low power voltage boost circuit with regulated output |
JP2730530B2 (ja) | 1995-10-31 | 1998-03-25 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路及びその駆動方法 |
US5680300A (en) * | 1995-12-22 | 1997-10-21 | Analog Devices, Inc. | Regulated charge pump DC/DC converter |
KR100262750B1 (ko) * | 1996-10-22 | 2000-09-01 | 김영환 | 반도체 메모리 소자의 전압 발생 장치 |
US6207375B1 (en) * | 1996-12-11 | 2001-03-27 | Mayo Foundation For Medical Educational & Research | TGF-β inducible early factor-1 (TIEF-1) and a method to detect breast cancer |
EP0864956A3 (en) * | 1997-03-12 | 1999-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Low dropout regulators |
EP0899643B1 (en) * | 1997-08-29 | 2005-03-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Low consumption linear voltage regulator with high supply line rejection |
-
2000
- 2000-06-29 DE DE10030795A patent/DE10030795B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-06 US US09/875,489 patent/US6534963B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-28 CN CN01124327A patent/CN1334637A/zh active Pending
- 2001-06-28 EP EP01114845A patent/EP1168587B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-28 DE DE60107767T patent/DE60107767T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-29 JP JP2001198000A patent/JP2002051537A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100373754C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-03-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 低输入电压开关变换器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1168587A3 (en) | 2002-09-18 |
DE60107767T2 (de) | 2006-04-27 |
DE10030795B4 (de) | 2009-08-13 |
JP2002051537A (ja) | 2002-02-15 |
EP1168587A2 (en) | 2002-01-02 |
US6534963B2 (en) | 2003-03-18 |
US20020017898A1 (en) | 2002-02-14 |
DE60107767D1 (de) | 2005-01-20 |
EP1168587B1 (en) | 2004-12-15 |
DE10030795A1 (de) | 2002-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105391298B (zh) | 开关转换器控制 | |
US9559586B2 (en) | Switch mode power supply, control circuit and associated control method | |
US8508963B2 (en) | Step-down switching regulator capable of providing high-speed response with compact structure | |
US6654263B2 (en) | Linear regulator with switched capacitance output | |
US7362078B2 (en) | Power supply circuit | |
US11621636B2 (en) | Switching converter with low quiescent current and control circuit thereof | |
WO2009016898A1 (en) | Switching regulator and method for controlling operation thereof | |
JP5381195B2 (ja) | 半導体装置及びその動作制御方法 | |
CN1781237A (zh) | 升压/降压直流-直流变流器 | |
TWI774085B (zh) | 脈衝寬度調變控制晶片和電源轉換系統 | |
CN1334637A (zh) | Dc/dc变换器电路 | |
CN110198123B (zh) | 稳压系统、稳压芯片以及稳压控制方法 | |
KR102068843B1 (ko) | Dc-dc 컨버터 | |
US8093941B2 (en) | Systems and devices for dynamically scaled charge pumping | |
US9735678B2 (en) | Voltage converters with asymmetric gate voltages | |
KR101677705B1 (ko) | 다중 출력 스위치드 캐패시터 dc-dc 변환기 | |
CN100438287C (zh) | 直流对直流升压转换装置及方法 | |
US8339052B2 (en) | Power supply apparatus and method for AMOLED | |
EP1691472B1 (en) | Self regulating charge pump | |
CN117543977A (zh) | 一种自适应过零检测电路和buck型的开关电源 | |
Qu et al. | A 2.8-MHz 96.1%-peak-efficiency 1.4-μs-settling-time fully soft-switched LED driver with 0.08–1 dimming range | |
Hussein | Design and Simulation of a High Performance CMOS Voltage Doublers using Charge Reuse Technique | |
Ozaki et al. | A 0.21-V minimum input, 73.6% maximum efficiency, fully integrated 3-terminal voltage converter with MPPT for low-voltage energy harvesters | |
Singh et al. | Transient response and dynamic power dissipation comparison of various Dickson charge pump configurations based on charge transfer switches | |
Liu et al. | A dynamic buck converter with ultra fast response and low voltage ripples designed for DVS systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |