CN1332478A - 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法,其特征在于材料或为SiGe层/SiO2埋层/Si衬底或为SiGe层/SiO2埋层/缓冲层/Si衬底多层结构;前一材料结构中SiGe层的Ge组分小于30%,厚度在自纳米量级或更小;后一结构中表层SiGe层Ge组分固定为0－100%间任一值。制备方法是采用外延在单晶硅衬底或生长有缓冲层的单晶硅衬底上外延SiGe单晶薄膜,形成异质结构,然后经氧离子注入和各高温退火热处理在外延SiGe层下形成一个SiO2埋层,实现表层SiGe薄膜与衬底材料的电字隔离。

Description

一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
技术领域
本发明是一种以外延和离子注入工艺来形成绝缘层上镓化硅(SiGe-On-Insulator)多层结构新型微电子材料及制备方法。即通过单晶硅上外延SiGe薄膜、氧离子注入与高温退火工艺形成性能优异的SiGe-On-Insulator多层结构材料，属于微电子领域。
背景技术
SiGe、SOI(silicon-on-insulator)是当前微电子领域的先进材料。SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照等优点，在便携式通讯系统、抗辐照器件等方面具有重要应用。由于SOI材料中二氧化硅埋层的存在，所以利用表层硅制造的器件与衬底实现了介质隔离，寄生效应小，器件性能尤其是速度性能明显改善。但是传统SOI材料表层薄膜还是Si材料，利用这种材料制造的器件还是硅器件，其性能如速度仍然受到硅材料本身的特性限制。
SiGe材料与器件的出现，使得硅基材料有了应用于高频领域的可能，SiGe器件正在打介入原本仅GaAs类器件才适合用的应用领域。IBM、Motorola等公司已成功开发出应用于便携式通讯系统的SiGe RF电路。在硅衬底上的SiGe材料可以通过控制Ge的组分、生长厚度来控制SiGe的应变、能带结构、晶体质量等等。利用无应变SiGe层来得到张应变Si薄层是SiGe材料具有非常诱人应用前景的发展方向之一。为得到无应变的高质量SiGe材料，传统的方法是先在硅衬底上生长几微米的Ge组分递变缓冲层，再生长Ge组分固定的SiGe层。这种方法不仅外延成本高，更重要的是缺陷密度较高的SiGe缓冲层必将影响器件性能。
发明内容
本发明提出将SiGe和SOI技术结合在一起形成SiGe-On-Insulator新材料及制备方法。即首先在单晶硅衬底或含有高质量缓冲层的硅衬底上外延SiGe材料，以得到满足器件制造需要的高质量的SiGe材料，再通过氧离子注入与高温退火工艺，在SiGe层下面形成氧化埋层，将用于制造器件的SiGe层与衬底和缓冲层材料隔开，不仅消除了高缺陷密度的缓冲层对器件的影响，还可实现器件与衬底的电学隔离，兼有SiGe与SOI两种先进材料的优点。此外，本发明中还提出直接在硅衬底上生长Ge成分固定的厚度小于应变临界值的SiGe，然后利用在注氧隔离的方法形成SiGe-On-Insulator材料，可大大降低SiGe外延成本。
本发明的特征在于利用发展较为成熟的外延工艺和离子注入工艺来得到具有隔离结构的SiGe衬底材料，兼有SiGe与SOI的优点，实现器件有源区与衬底材料的电学隔离，减小寄生效应，改善器件的高频性能，降低功耗，从而满足光电子领域、无线通讯领域的市场需求。器件工艺与成熟的硅集成电路工艺兼容。以SiGe-on-insulator材料为衬底，将可制备具有双轴张应变Si层的各种器件。另一方面，SiGe/SiO2的界面的高反射率和SiGe材料本身优异的光学性质为这种材料在光电子方面的广泛应用奠定了基础。
一种利用外延和氧离子注入工艺形成SiGe-On-Insulator多层结构材料的具体制备方法是：
1.首先选取单晶p-或n-Si(100)片作为衬底，经严格的常规集成电路工艺清洗后，去除表面自然氧化层后，利用分子束外延(MBE)或者超高真空化学气相淀积(UHVCVD)等薄膜生长方法在硅片上外延SiGe层，形成SiGe/Si异质结，也可以先生长一层薄Si层，薄单晶硅层的厚度为5—20纳米，然后再生长SiGe层，厚度在百纳米量级或更薄，具体视Ge组分等参数而定。生长SiGe层时，可以在硅上直接生长组分恒定、小于临界厚度的SiGe薄膜，Ge组分小于30％；也可以先生长Ge组分逐渐增加的SiGe缓冲层，厚度在0.5—5微米，最后再生长组分固定的SiGe层，Ge组分可以是0—100％之间的任意值，具体视SiGe缓冲层厚度及器件应用需要而定。生长时可以进行一定的掺杂。生长温度为450℃～800℃。缓冲层厚度1.5—3微米。
2.利用束式或等离子体注入机进行氧离子注入，注入能量为50～200keV，具体由需要的注入深度来决定。注入剂量为1017/cm2～1018/cm2，衬底温度略低于SiGe生长时的温度，如400℃-750℃。
3.高温退火前，可选择先在SiGe上生长一层Si、SiO2、Si3N4或者其他多层结构薄膜，作为退火保护层。然后在1200℃-1350℃，N2、Ar或其他具有退火保护性能的气氛下进行热处理，退火气氛中可以选择加入少量O2如0.5％-5％(体积比)。退火时间为30分钟至8小时不等。退火的目的是恢复离子注入对表层SiGe的损伤，同时调节SiGe的应变状态，并使注入的氧离子聚集形成二氧化硅埋层。
4.最后去除表面的退火保护层。需要时可在对表面进行处理，提高表面平整度等，以满足器件级应用的需要。
5.只需重复上述工艺过程，直至得到需要的多层(SiGe层/SiO2层)/Si衬底或者多层(SiGe层/SiO2层)/缓冲层/Si衬底结构。
工艺流程图如附图1所示：
左侧(1-1)表示的是：在硅上直接外延的组分固定的SiGe层，厚度SiGe的临界厚度约100纳米(具体数值由Ge组分和生长工艺决定)，氧离子可以注入到SiGe层下部或硅衬底的顶部。形成的是SiGe/SiO2/Si结构。
右侧(1-2)表示的是：先在硅衬底上外延递变Ge组分的SiGe缓冲层，然后再生长Ge组分固定的SiGe层，厚度可以较厚(如1微米)，氧离子可以注入到组分固定的SiGe层内或缓冲层的顶部。形成的是SiGe/SiO2/缓冲层/Si结构。
利用本发明提供的一种多层结构绝缘层上SiGe材料制备的各种应变异质结构的微电子器件如SiGe异质结构、MOSFET、MODFET等，具有很好的器件性能，尤其是在亚百纳米级器件、低功耗互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件、高频器件、光电集成领域有广阔的应用前景。
附图说明
图1是本发明提供的制备多层结构绝缘层上SiGe材料的工艺流程示意图。
左侧(图1-1)是在硅衬底上直接外延组分固定的SiGe层，形成结构为SiGe/SiO2/Si的新型SOI材料工艺流程；右侧(图1-2)是先在硅衬底上外延递变Ge组分的SiGe缓冲层，然后生长Ge组分固定SiGe层，形成结构为SiGe/SiO2/缓冲层/Si的工艺流程。
图中：
1—硅衬底    2—外延SiGe层
3—外延递变Ge组分的SiGe缓冲层      4—退火保护层
5—SiO2埋层。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明的可行性进行说明，但不限制本发明的内容。
实施例1
n-(100)单晶硅上采用分子束外延(MBE)外延一厚度为10纳米的单晶硅薄膜，然后外延厚度小于100纳米、Ge组分恒定为15％的SiGe层，生长温度为650℃，以60KeV的能量向硅衬底中注入剂量为4E17/cm2的氧离子，使注入的氧分布在SiGe/Si下界面以及硅衬底顶部，注入时衬底温度保持为550℃。利用LPCVD在SiGe/Si圆片上沉积一层厚度为100纳米的SiO2保护层。在1280℃，在Ar＋1％O2气氛中退火3小时。最后，用稀HF将表层SiO2层除去，得到结构为SiGe/SiO2/Si的SOI材料。可用于制作、抗辐照、高速、低功耗CMOS电路。
实施例2
采用UHVCVD首先在p-(100)单晶硅衬底上生长Ge成分从0到20渐变的SiGe缓冲层，厚度为2微米，然后生长Ge组分为20％、厚度为500纳米的SiGe层，整个SiGe生长温度为600℃。以160KeV的能量SiGe中注入剂量为7E17/cm2的氧离子，注入的氧分布在SiGe层内，注入时衬底温度保持为550℃。在1350℃，Ar＋0.5％O2(体积比)气氛中退火5小时。得到具体结构为SiGe/SiO2/SiGe/Si的新型SOI材料。可用做光波导与光探测器的先进衬底材料。
实施例3
n-(100)单晶硅上采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)外延厚度小于50纳米、Ge组分恒定为25％的SiGe层，生长温度为550℃，以30KeV的能量向硅衬底中注入剂量为2.5E17/cm2的氧离子，使注入的氧分布在SiGe/Si下界面以及硅衬底顶部，注入时衬底温度保持为500℃。利用LPCVD在SiGe/Si圆片上沉积一层厚度为10纳米的SiO2保护层，再淀积200纳米的Si3N4形成复合结构的退火保护层。在1300℃，在Ar气氛中退火6小时。最后，用除去表层Si3N4和SiO2除去，得到结构为SiGe/SiO2/Si的SOI材料。
实施例4
p-(100)单晶硅上采用分子束外延(MBE)外延外延厚度100纳米、Ge组分恒定为10％的SiGe层，生长温度为600℃，以50KeV的能量向硅衬底中注入剂量为3.5E17/cm2的氧离子，使注入的氧分布在SiGe/Si下界面以及硅衬底顶部，注入时衬底温度保持为450℃。在1180℃，在Ar＋0.5％O2气氛中退火2小时。最后，用稀HF将表层少量SiO2层除去，得到结构为SiGe/SiO2/Si的SOI材料。
实施例5
n-(100)单晶硅上采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)外延一厚度为2.5微米的Ge组分逐渐增加(从0到40％)的薄膜，然后外延厚度200纳米、Ge组分恒定为45％的SiGe层，生长温度为450℃，以100KeV的能量向SiGe层中注入剂量为1E18/cm2的氧离子，注入时衬底温度保持为400℃。在1250℃，在Ar＋1％O2气氛中退火3小时。最后，用稀HF将表层SiO2层除去，并采用化学机械抛光(CMP)技术处理表面，得到结构为SiGe/SiO2/Si结构。然后重复外延、氧离子注入和热处理过程，得到SiGe/SiO2/SiGe/SiO2/Si结构，继续重复直至得到需要的层数，即形成SiGe/SiO2/…/SiGe/SiO2/Si的新型多层SOI材料。可用利用多层界面提高光学反射性能，从而制造探测器等光学器件。

Claims (9)

1、一种多层结构绝缘层绝缘层上SiGe材料，包括硅衬底材料，其特征在于材料或为SiGe层/SiO2埋层/Si衬底或为SiGe层/SiO2埋层/缓冲层/Si衬底的结构；或为多层(SiGe层/SiO2层)/Si衬底或多层(SiGe层/SiO2层)/缓冲层/Si衬底结构。
2、按权利要求1所述的多层结构绝缘层上SiGe材料，其特征在于SiGe层/SiO2埋层/Si衬底结构中SiGe层的Ge组分小于30％，厚度在百纳米量级或更小。
3、按权利要求1所述的多层结构绝缘层上SiGe材料，其特征在于SiGe层/SiO2埋层/缓冲层/Si衬底结构中表层SiGe层Ge组分固定，为0—100％间的任一值，具体视缓冲层而定。
4、按权利要求1所述的多层结构的绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于采用外延在单晶硅衬底或生长有缓冲层的单晶硅衬底上外延生长SiGe单晶薄膜，形成异质结构，然后经氧离子注入和高温退火热处理在外延SiGe层下形成一个二氧化硅埋层，实现表层SiGe薄膜与衬底材料的电学隔离。
5、按权利要求4所述的多层结构绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于硅衬底上外延生长SiGe前，可以先生长一层薄的单晶硅膜，厚度为5—20纳米。
6、按权利要求4所述的多层结构绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于所述单晶硅上外延SiGe层，或直接生长组分固定的SiGe薄层，或生长Ge组分逐渐增加的SiGe缓冲层，最后生长组分固定的SiGe层；缓冲层厚度1.5—3微米之间，生成的组分固定的SiGe厚度为百纳米数量级；生长温度450℃—800℃。
7、按权利要求4所述多层结构绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于氧离子的能量为50—200keV，剂量为1017/cm2-1018/cm2，注入时衬底温度低于SiGe生长时的温度，为400℃—750℃。
8、按权利要求4所述多层结构绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于高温退火热处理是在1200—1350℃，氮气、氩气或其它保护气氛下，并可以加入少量氧气，退火时间为0.5—8小时。
9、按权利要求4所述多层结构绝缘层上SiGe材料的制备方法，其特征在于在退火热处理之前可以在氧离子注入后的SiGe表层生长一层硅、二氧化硅、氮化硅等单层薄膜作为退火保护层，也可以多层结构的薄膜作为退火保护层。
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