CN1327255C - 三维周期性结构及其制造方法 - Google Patents

三维周期性结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1327255C
CN1327255C CNB038066459A CN03806645A CN1327255C CN 1327255 C CN1327255 C CN 1327255C CN B038066459 A CNB038066459 A CN B038066459A CN 03806645 A CN03806645 A CN 03806645A CN 1327255 C CN1327255 C CN 1327255C
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive film
dimensional periodic
periodic structure
photonic crystal
kinds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB038066459A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1643414A (zh
Inventor
桐原聪秀
宫本钦生
中川卓二
田中克彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1643414A publication Critical patent/CN1643414A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1327255C publication Critical patent/CN1327255C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B5/00—Single-crystal growth from gels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

提供一种光子晶体的三维周期性结构，包含具有不同介电常数的两种物质，具有高对比介电常数或折射率，它们周期性地分布在三维空间内。通过立体平版印刷法形成具有气孔的单位晶胞底层，其重复把光照射在要形成的剖面图案每层内的光硬化树脂，例如光敏环氧树酯的液体表面上的步骤。然后，通过无电电镀法在单位晶胞底层表面上形成由例如铜构成的导电薄膜。因此，获得一种三维周期性结构，其包含具有不同介电常数的两种物质，即树脂和空气，它们周期性地分布在三维空间内，并且包含形成在两种物质之间的界面上的导电薄膜。

Description

三维周期性结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种三维周期性结构及其制造方法。
背景技术
由于固态晶体内的原子核，周期性电位分布表现出其波长与晶格常数相对应的电子波干涉。例如，当所述电子波的波长非常接近晶体电位周期时，通过三维衍射(布拉格衍射)出现反射。这个现象防止特定能量范围内的电子通过。因此，形成在半导体设备内使用的电子带隙。
类似地，周期性改变折射率或介电常数的三维结构表现出电磁波干涉，因此阻止特定频率范围内的电磁波。在这种情况下，被禁止的频带称为光子能带隙，三维结构称为光子晶体。
认为可以利用上述光子晶体的效果来提供切断滤波器，其防止预定频带内的电磁波穿过，或者通过将非均匀部分引入周期性结构来提供波导管或共鸣器，非均匀部分干扰频率以阻挡光或电磁波。也可以考虑这些应用，例如超低阈值激光器或电磁高度定向天线。
通常，当电磁波产生布拉格衍射时，在光子晶体内形成两种驻波。图1A和1B表示所述两种驻波。驻波A(图1A)在波振动的低介电常数区域上具有高能量，驻波B(图1B)在波振动的高介电常数区域上具有高能量。在分成两种不同模式的驻波之间，具有能量的波不能存在于晶体内，由此产生带隙。为了加宽带隙，增加这两种驻波之间的能量差。通过将两种介质介电常数之间的对比增强到很高的程度，或者通过增加具有高介电常数的介质体积比，可以实现这个。
光子晶体具有一维、二维或三维结构。对于全部光子带隙而言需要三维结构。
为了提供三维结构，存在例如使正方形材料成层的方法(公开号为2001-518707的PCT日本专利公开文本，公开号为2001-74955的日本未审专利申请公开文本)，使用通过自身繁殖的形状保留多层薄膜的方法(公开号为2001-74954的日本未审专利申请公开文本)，使用立体平版印刷的方法(公开号为2000-341031的日本未审专利申请公开文本，公开号为2001-502256的PCT日本专利公开文本)，分布颗粒的方法(公开号为2001-42144的日本未审专利申请公开文本)，等等。这些公开文本公开了分别通过处理绝缘、介电和半导体材料例如有机材料、陶瓷和硅来制造光子晶体的技术。
然而，例如在10-30GHz的能带和最大折射率为3.0内，这些应用材料的最大相对介电常数为15。难以进一步增加介电常数和折射率的对比。
发明内容
本发明的目的是提供一种三维周期性结构及其制造方法，所述结构包含具有不同介电常数的两种物质，具有高对度的比介电常数或折射率，它们周期性地分布在三维空间内。
根据本发明的一方面，本发明提供了一种光子晶体的三维周期性结构，该光子晶体的三维周期性结构包含：具有不同介电常数的两种物质，所述两种物质周期性地分布在三维空间内，其中多个孔形成在树脂块内并且周期性地分布在三维空间内。该光子晶体的三维周期性结构还包含导电薄膜，所述导电薄膜位于所述两种物质之间的界面处。独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇以间断膜的状态分布在导电薄膜内。
根据本发明的另一方面，一种制造光子晶体的三维周期性结构的方法，包含：将光照射在剖面图案内的光硬化树脂层上，形成上述光子晶体的三维周期性结构层，然后，至少一次地，使光硬化树脂层接触所述三维周期性结构层，并且重复所述照射过程。
本发明提供一种三维周期性结构，包含：具有不同介电常数的两种物质，这两种物质周期性地分布在三维空间内；位于所述两种物质之间界面上的导电薄膜，其表面电阻率约为0.3Ω/sq或更多。
如果形成表面电阻率约为0.3Ω/sq或更多的导电薄膜，具有不同介电常数的两种物质周期性地分布在三维空间内，并且防止电流在金属膜延伸方向上流动。因此获得相当于用绝缘膜涂覆金属的情形时的优点。
在本发明中，形成一种导电薄膜，其中独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇粗糙地分布在所述两种物质之间的界面上。由于这个结构，具有不同介电常数的两种物质周期性地分布在三维空间内，并且防止电流在金属膜延伸方向上流动。因此获得相当于用绝缘膜涂覆金属的情形时的优点。
所述导电薄膜包含导电率约为103S/cm或更大的导电材料。
通过无电电镀法在两种物质之一表面上形成所述导电薄膜。
根据本发明的制造三维周期性结构的方法是立体平版印刷法，该方法重复以下步骤：将光照射在要形成的剖面图案每层内的光硬化树脂层上，以形成三维周期性结构的两种物质之一。
附图说明
图1A和1B表示当周期性地分布具有不同介电常数的物质时的两种驻波。
图2A和2B是各自表示根据一个实施例的单位晶胞结构的透视图。
图3表示在单位晶胞金刚石结构内具有气孔的一个单位。
图4A表示立体平版印刷装置的结构。
图4B是表示激光束照射的光硬化树脂18的剖视图。
图5A-5C各自表示由立体平版印刷装置形成的物体。
图6是表示用于电镀单位晶胞底层的无电电镀时间和导电薄膜的表面电阻率之间关系的表格。
图7表示用于单位晶胞的电磁波性质测量设备。
图8A-8H是各自表示在单位晶胞底层上电镀导电膜的电镀时间和穿透性之间关系的曲线图。
图9是表示导电薄膜2的表面电阻率、能带间隙的中心频率、以及表面相对介电常数之间关系的曲线图。
图10是表示通过无电电镀形成的单位晶胞上导电薄膜表面的AFM图像的照片。
具体实施方式
将参考附图依次描述三维周期性结构及其制造方法。
图2A和2B是各自表示光子晶体三维结构的透视图。图2A表示硬化的环氧基树脂1和形成在一块树脂1内的多个孔h。单位晶胞底层100’由包含孔h的树脂1构成。图2B表示导电薄膜2形成在图2A中所示的树脂1表面上的情况。通过在具有不同介电常数的两种物质即树脂1和空气之间的界面上形成导电膜2，构成单位晶胞100。
如下所述，这些孔h周期性地分布在三维空间内。由于这个结构，提供三维周期性结构，其中具有不同介电常数的两种物质即树脂1和空气周期性地分布在三维空间内。
对于光子晶体而言为了开发足够的电磁波反射效果，需要在所有晶体方向上形成宽的带隙。理想的晶体结构是三维金刚石结构。在金刚石结构中，单位晶格包括八个晶格结点；它们中的四个形成独立的面心立方晶格，一个晶格位于某一位置上以便所述晶格沿着空间对角线移动另一晶格的1/4长度。
金刚石结构内的光子晶体是球状电介质位于金刚石结构晶格结点上的晶体，或是通过组合电介质柱来模拟金刚石结构原子键的晶体。图3表示后者单位结构的透视图。为了简化只图示气孔形状。
在图2A所示的单位晶胞底层100’内，图3所示的金刚石型晶格结构内的气孔周期性的分布在树脂1内。上述结构可以称为反金刚石结构。晶格内柱的直径和长度比约为2∶3(纵横比约为1.5)。晶格常数为10mm。
图4A表示制造图2A中所示的单位晶胞底层100’的装置。图示了用于填充由紫外线硬化的基于环氧的光硬化树脂18的容器15、在容器15内上下移动的升降台16、在升降台16顶部上形成的目标19、以及在目标19上按照预定薄膜厚度涂覆光硬化树脂18的涂刷器17。
同样，图示了激光二极管10、用于改变来自激光二极管10的激光波长以产生紫外线的谐波发生器(LBO)11、作为波长选择元件的声光元件(AOM)12、扫描镜13、以及fθ透镜14。由此，配置成光学系统。
在下文中描述使用立体平版印刷装置制造光子晶体的工艺步骤。
首先，升降台16从光硬化树脂18的液体表面降低到预定深度。涂刷器17沿着液体表面移动以在升降台16表面上形成厚度约为100μm的光硬化树脂膜。然后由光学系统用波长为355nm并且光点直径为50μm和输出功率为110mW的紫外线照射液体表面。控制扫描镜13来调节激光二极管10，以便激光照射到光硬化树脂18要进行硬化的区域上，而不照射到其它区域上。参见例如图4B。
通过聚合作用在激光束照射的光硬化树脂18液体表面上形成直径为120μm的球形硬化状态。当激光束以90m/s的速度扫描时，形成厚度为150μm的硬化状态。通过光栅扫描激光束形成与第一层剖面图案对应的目标19。
然后，升降台16降低约200μm。移动涂刷器17以在目标19表面上形成厚度约为200μm的光硬化树脂膜。
此后，类似于第一层，通过扫描和调节激光束在第一层上形成第二层剖面图案。通过聚合硬化粘接第一层和第二层。按照相同的方式形成第三层和后续层。通过重复所述处理构成目标19。
图5A-5C是各自表示在形成多层的每个步骤中物体的透视图。为了简化，图示了没有激光束照射而未硬化的部分，即孔图案。图5A在图3所示金刚石结构的<111>晶体轴向上实质上只图示一个单位。图5B图示四个单位。图5C图示多个单位。
CAD/CAM工艺用来在光硬化树脂18液体表面上按照预定剖面图案硬化光硬化树脂18。具体地，通过能处理三维数据的CAD系统，预先设计图5A-5C中所示的图案。三维数据转换成STL(立体平版印刷)数据。在预定位置上使用分段软件将STL数据转换成一组二维数据。最后，使用所述二维数据，在光栅扫描激光束时建立用于调节激光二极管的数据。根据这样准备的数据，扫描激光束和调节激光二极管。
从容器15移走由通过前述过程形成的光硬化树脂构成的目标19。清洗未硬化的光硬化树脂，干燥和切割到预定尺寸。因此，构成图2A中所示的单位晶胞底层100’。单位晶胞底层100’的孔h周期性地分布在三维空间内。因此，使用图4A所示的装置在晶体所有轴向方向上可以重复形成金刚石结构的晶胞。在预定方向上可以将晶胞切割为预定尺寸来提供单位晶胞底层100’。
如图2B中所示，在这样形成的单位晶胞底层100’上形成导电薄膜2。下面将描述形成导电薄膜的方法和由于导电薄膜构成而引起的性质变化。
使用无电电镀方法在单位晶胞底层100’上涂覆铜、镍或类似物形成导电薄膜2。图6是表示在单位晶胞底层100’上执行铜无电电镀的电镀时间和导电薄膜(铜膜)的表面电阻率之间关系的表格。
图7表示用于测量单位晶胞100性质的测量设备。图示了M-带波导管30和插入波导管30的探针31、32。单位晶胞100插入波导管30作为样品。网络分析器33连接到探针31、32。使用网络分析器33，测量电磁波的穿透性。在图7中，布置单位晶胞100以便带有孔h的金刚石结构的<100>晶体轴向指向波导管30的电磁波传输方向。波导管30的内部尺寸为20mm(水平)×10mm(垂直)。单位晶胞100的尺寸在波导管30的纵向上为20mm和在波导管30的高度方向上为10mm。
图8A-8H是各自表示当铜无电电镀的电镀时间和铜膜状态变化时穿透特性的曲线图。每个横坐标代表频率(GHz)，每个纵坐标代表衰减量(dB)，它是电磁波输入和输出强度比的对数。表示输入和输出信号强度相等的情况为0(dB)。
图8A表示在单位晶胞100未插入波导管30的情况下的特性。图8B表示在还未形成铜膜的单位晶胞底层100’插入波导管30的情况下的特性。图8C-8H表示当铜无电电镀的电镀时间从1分钟变化到20分钟时的特性。
对应于图8A-8H，下面的表格表示获取的电镀时间、表面电阻率、铜膜厚度和带隙之间的关系。
 图  分钟  Ω/sq  Mm  GHz  GHz  dB  dB
 电镀时间  表面电阻率 薄膜厚度  间隙中心频率  带宽  衰减量  最低点上的衰减量
 8B  0  100000  18.0  0.9  12.0  19.5
 8C  1  10000  10.7  0.9  15.6  28.2
 8D  2  0.91  0.08  10.6  1.5  24.9  35.0
 8E  3  0.63  0.12  10.4  3.9  20.5  29.1
 8F  5  0.56  0.18  10.4  3.9  24.6  33.3
 8G  10  0.33  0.36  9.0  3.5  23.0  33.5
 8H  20  0.10  0.75
“间隙中心频率”在这里的意思是最低点(最大衰减点)上的频率。“带隙宽度”在这里的意思是当衰减量具有“衰减量”列中所示值时的带宽。“最低点上的衰减量”在这里意思是具有最低衰减量的点。
如图8B中所示，在单位晶胞底层100’没有铜膜的情况下，由于带隙在18.0GHz时衰减量为-19.5dB。由于衰减量为-12.0dB，带宽为0.9GHz。如图8C中所示，在单位晶胞底层100’上进行一分钟铜无电电镀的情况下，在10.7GHz时衰减量约为-28.2dB。由于衰减量为-15.6dB，带宽为0.9GHz。当无电电镀时间延长到两分钟、三分钟、五分钟和十分钟时，分别如图8D-8G中所示，衰减量和带宽增加。换句话说，带隙增加。
因此，与单位晶胞底层100’相比，通过形成导电薄膜2获取更大的带隙。公认为导电薄膜2密度增加的越多，带隙越大。通过在单位晶胞底层100’上形成导电薄膜2，带隙出现时的频率降低。换句话说，单位晶胞的表面介电常数变高。这相当于给光子晶体提供高介电常数材料。
图9是表示导电薄膜2的表面电阻率、能带间隙的中心频率、以及表面相对介电常数之间关系的曲线图。
电镀时间越长和电薄膜2的表面电阻率越低，表面相对介电常数越高。在相同频率带下获取衰减的单位晶胞可以较小。
然而，如图8H中所示，当铜无电电镀的电镀时间为20分钟或更多时，带隙消失。认为这是因为电薄膜2的密度变得太高，达到相当于具有图2中所示结构的金属插入波导管内的情况。
图10是表示在铜无电电镀的电镀时间为2分钟时导电薄膜2的AFM图像(用原子力显微镜观察的图像)的照片。图像内单独的多个突出表示铜粒。它们中的每个都独立存在。作为选择，多个铜粒能以簇态存在。整个簇相互不连接并粗糙地分布。换句话说，导电颗粒处于间断金属膜的状态。这防止电流在铜膜延长方向上沿着相对长的路径进行传导。因此，获得相当于用绝缘膜涂覆金属的情形的优点。
当电镀时间为20分钟或更多时，铜粒顺序存在，在金属膜延长方向上形成自由传导电流的铜膜。因此，包含具有不同介电常数的两种物质的结构没有影响，所述两种物质周期性地分布在三维空间内，由此，带隙可能不出现。
如图6中所示，10分钟的电镀时间相当于约0.3Ω/sq的表面电阻率。表面电阻率约为0.3Ω/sq或更多的导电薄膜可以形成在三维周期性结构的两种物质界面上。关于导电薄膜的情形，在两种物质之间的界面上可以形成导电薄膜，独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇粗糙地分布在所述导电薄膜内。
当Ni或InSb取代Cu用作导电薄膜2的导电材料时，获得相同的结果。Cu的导电率为5.8×105S/cm，Ni的导电率为1.5×105S/cm，InSb的导电率为1.0×103S/cm。认为在无电电镀包括其它金属的导电材料时，只要导电材料的导电率约为103S/cm或更大，就能获得相同的优点。
不但可以采用无电电镀法，而且可以采用喷涂法、CVD法、真空蒸镀法以及涂覆法在单位晶胞底层100’上形成导电薄膜2，涂覆法用于涂覆、干燥和凝固树脂，金属粉作为导电颗粒分散在所述树脂内。
根据本发明，三维周期性结构包含具有不同介电常数的两种物质，它们周期性地分布在三维空间内。表面电阻率约为0.3Ω/sq或更多的导电薄膜可以形成在两种物质的界面上。作为选择，三维周期性结构包含形成在两种物质之间界面上的导电薄膜，其中独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇粗糙地分布在所述薄膜内。因此，具有不同介电常数的两种物质周期性地分布在三维空间内，并且防止电流在金属膜延长方向上进行传导。因此，获得相当于用绝缘膜涂覆金属的情形时的优点。换句话说，提供具有高对比介电常数或折射率的三维周期性结构。
同样，根据本发明，导电薄膜包含导电率约为103S/cm或更大的导电材料，由此可以获得大带隙。另外，增加表面介电常数，产生较小的结构。
通过无电电镀在两种物质任一表面上形成导电薄膜。因此，在两种物质之间界面上形成导电薄膜，独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇粗糙地分布所述导电薄膜内，这提高了生产率。
根据本发明，使用立体平版印刷法，该方法重复把光照射在剖面图案每层内的光硬化树脂上的步骤，由此可以容易制造分布两种物质之一的三维周期性结构，其中导电薄膜形成在两种物质的界面上。

Claims (8)

1、一种光子晶体的三维周期性结构，包含：
具有不同介电常数的两种物质，所述两种物质周期性地分布在三维空间内，其中多个孔形成在树脂块内并且周期性地分布在三维空间内，和
导电薄膜，所述导电薄膜位于所述两种物质之间的界面处，
其中独立的导电颗粒或多个导电颗粒簇以间断膜的状态分布在导电薄膜内。
2、根据权利要求1所述的光子晶体的三维周期性结构，其中导电薄膜的表面电阻率约为0.3Ω/sq或更多。
3、根据权利要求1或2所述的光子晶体的三维周期性结构，其中所述导电薄膜包含导电率约为103S/cm或更大的导电材料。
4、根据权利要求3所述的光子晶体的三维周期性结构，其中所述导电薄膜是无电电镀膜。
5、根据权利要求1或2所述的光子晶体的三维周期性结构，其中所述导电薄膜是无电电镀膜。
6、根据权利要求1或2所述的光子晶体的三维周期性结构，其中所述导电薄膜包含Cu、Ni或InSb。
7、根据权利要求1或2所述的光子晶体的三维周期性结构，其中所述两种物质之一是在多个孔内的空气，并且布置成具有金刚石形状。
8、一种制造光子晶体的三维周期性结构的方法，包含：
将光照射在剖面图案内的光硬化树脂层上，形成根据权利要求1所述的光子晶体的三维周期性结构层，然后，至少一次地，使光硬化树脂层接触所述三维周期性结构层，并且重复所述照射过程。
CNB038066459A 2002-05-28 2003-05-27 三维周期性结构及其制造方法 Expired - Fee Related CN1327255C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP154254/2002 2002-05-28
JP2002154254A JP3599042B2 (ja) 2002-05-28 2002-05-28 ３次元周期構造体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1643414A CN1643414A (zh) 2005-07-20
CN1327255C true CN1327255C (zh) 2007-07-18

Family

ID=29561350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038066459A Expired - Fee Related CN1327255C (zh) 2002-05-28 2003-05-27 三维周期性结构及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20050221100A1 (zh)
JP (1) JP3599042B2 (zh)
CN (1) CN1327255C (zh)
AU (1) AU2003244887A1 (zh)
DE (1) DE10392155T5 (zh)
WO (1) WO2003100484A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430622B2 (ja) * 2003-12-05 2010-03-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フォトニック結晶の製造方法
EP1919703B1 (en) 2005-08-12 2013-04-24 Modumetal, LLC Compositionally modulated composite materials and methods for making the same
JP4838556B2 (ja) * 2005-09-06 2011-12-14 独立行政法人理化学研究所 ３次元金属微細構造体の製造方法
US8361545B2 (en) 2006-06-01 2013-01-29 Iucf-Hyu Industry-University Cooperation Foundation, Hanyang University Manufacturing method of photonic crystal
EA029168B1 (ru) 2009-06-08 2018-02-28 Модьюметал, Инк. Электроосажденное наноламинатное покрытие и оболочка для защиты от коррозии
JP2011170224A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Konica Minolta Opto Inc 光学素子の製造方法
CN102560679A (zh) * 2012-03-05 2012-07-11 西安交通大学 一种介电梯度陶瓷基光子晶体
CA2905513C (en) 2013-03-15 2022-05-03 Modumetal, Inc. Nickel chromium nanolaminate coating having high hardness
CA2905575C (en) 2013-03-15 2022-07-12 Modumetal, Inc. A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings
WO2014146114A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Modumetal, Inc. Nanolaminate coatings
BR112015022192A8 (pt) 2013-03-15 2019-11-26 Modumetal Inc artigo e seu método de preparação
BR112017005534A2 (pt) 2014-09-18 2017-12-05 Modumetal Inc métodos de preparação de artigos por processos de eletrodeposição e fabricação aditiva
CN106795645B (zh) 2014-09-18 2020-03-27 莫杜美拓有限公司 用于连续施加纳米层压金属涂层的方法和装置
CN105563830B (zh) * 2015-12-17 2017-12-26 中山大学 基于微投影3d打印的三维光子晶体模板的制备方法
WO2018049062A1 (en) 2016-09-08 2018-03-15 Modumetal, Inc. Processes for providing laminated coatings on workpieces, and articles made therefrom
KR102412452B1 (ko) 2016-09-14 2022-06-23 모두메탈, 인크. 신뢰가능한 고처리량 복합 전기장 발생을 위한 시스템, 및 그로부터 코팅을 제조하는 방법
WO2018085591A1 (en) 2016-11-02 2018-05-11 Modumetal, Inc. Topology optimized high interface packing structures
US11293272B2 (en) 2017-03-24 2022-04-05 Modumetal, Inc. Lift plungers with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same
CN110770372B (zh) 2017-04-21 2022-10-11 莫杜美拓有限公司 具有电沉积涂层的管状制品及其生产系统和方法
WO2018221722A1 (ja) * 2017-06-01 2018-12-06 国立大学法人東京大学 ３ｄモデル生成装置、３ｄモデル生成方法、３ｄモデル生成プログラム、構造物及び構造物を製造する方法
WO2019210264A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Modumetal, Inc. Apparatuses, systems, and methods for producing a plurality of articles with nanolaminated coatings using rotation
TWI820237B (zh) * 2018-10-18 2023-11-01 美商羅傑斯公司 聚合物結構、其立體光刻製造方法以及包含該聚合物結構之電子裝置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998052705A1 (de) * 1997-05-23 1998-11-26 Jonathan Aerospace Materials Europe Ab Dreidimensionale gitterstruktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
US5997795A (en) * 1997-05-29 1999-12-07 Rutgers, The State University Processes for forming photonic bandgap structures
CN1240030A (zh) * 1996-10-09 1999-12-29 英国国防部 电介质复合材料
JP2001042144A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Catalysts & Chem Ind Co Ltd フォトニック結晶およびフォトニック結晶層付基材
US6261469B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-17 Honeywell International Inc. Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales
CN1315246A (zh) * 1999-09-16 2001-10-03 株式会社东芝 三维结构和其生产方法
JP2001330740A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Atr Adaptive Communications Res Lab 光学素子
US20020059897A1 (en) * 2000-11-17 2002-05-23 Sajeev John Photonic band gap materials based on spiral posts in a lattice

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62222153A (ja) * 1984-09-29 1987-09-30 Hiroshi Komiyama 金属と誘電体とを含むガス感応性複合体とその製造方法
JP4043135B2 (ja) * 1999-03-29 2008-02-06 株式会社東芝 機能素子および多成分多相系高分子成形体
JP2001074954A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ３次元フォトニック結晶構造体の作製方法
US6440642B1 (en) * 1999-09-15 2002-08-27 Shipley Company, L.L.C. Dielectric composition

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1240030A (zh) * 1996-10-09 1999-12-29 英国国防部 电介质复合材料
WO1998052705A1 (de) * 1997-05-23 1998-11-26 Jonathan Aerospace Materials Europe Ab Dreidimensionale gitterstruktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
US5997795A (en) * 1997-05-29 1999-12-07 Rutgers, The State University Processes for forming photonic bandgap structures
US6261469B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-17 Honeywell International Inc. Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales
JP2001042144A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Catalysts & Chem Ind Co Ltd フォトニック結晶およびフォトニック結晶層付基材
CN1315246A (zh) * 1999-09-16 2001-10-03 株式会社东芝 三维结构和其生产方法
JP2001330740A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Atr Adaptive Communications Res Lab 光学素子
US20020059897A1 (en) * 2000-11-17 2002-05-23 Sajeev John Photonic band gap materials based on spiral posts in a lattice

Also Published As

Publication number Publication date
DE10392155T5 (de) 2004-08-26
JP3599042B2 (ja) 2004-12-08
AU2003244887A1 (en) 2003-12-12
AU2003244887A8 (en) 2003-12-12
WO2003100484A2 (en) 2003-12-04
US20050221100A1 (en) 2005-10-06
JP2003344629A (ja) 2003-12-03
WO2003100484A3 (en) 2004-07-22
CN1643414A (zh) 2005-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1327255C (zh) 三维周期性结构及其制造方法
Zhang et al. 3D‐printed planar graded index lenses
Tomassoni et al. 3D printing of microwave and millimeter-wave filters: Additive manufacturing technologies applied in the development of high-performance filters with novel topologies
CN109075418B (zh) 用于增材制造波导的方法和根据所述方法制造的波导装置
Peverini et al. Additive manufacturing of Ku/K‐band waveguide filters: a comparative analysis among selective‐laser melting and stereo‐lithography
Sun et al. Three‐dimensional printing technologies for terahertz applications: a review
D’Auria et al. 3-D printed metal-pipe rectangular waveguides
CN107623190B (zh) 一种半球龙伯透镜天线
US6998942B2 (en) Three-dimensional periodic structure, method of producing the same, high frequency element, and high frequency apparatus
Lomakin et al. Design and analysis of 3d printed slotted waveguides for d-band using stereolithography and electroless silver plating
Guennou-Martin et al. Design and manufacturing of a 3-D conformal slotted waveguide antenna array in Ku-band based on direct metal laser sintering
Zhang et al. Dielectric and metallic jointly 3D‐printed mmWave hyperbolic lens antenna
Moradi et al. Side lobe level reduction and gain enhancement of a pyramidal horn antenna in the presence of metasurfaces
Reinert et al. On the potential of graded‐chiral Dallenbach absorbers
Skaik et al. Evaluation of 3-D printed monolithic G-band waveguide components
de Oliveira Neto et al. Designing and building radio frequency devices with tailored dielectric properties using additive manufacturing
JP4020142B2 (ja) ３次元周期構造体の製造方法
Martin‐Guennou et al. Direct metal laser sintering process investigation: application to 3D slotted waveguide antennas
US11469514B2 (en) Methods of manufacturing nanocomposite RF lens and radome
Jafferson et al. A study of additive manufacturing technologies and metallizing techniques for microwave waveguide components
Kokkonen et al. An ultralow-loss and lightweight cellulose-coated silica foam for planar fresnel zone plate lens applications in future 6G devices
Nova et al. 3-D printed waveguide filters: Manufacturing process and surface mounted assembly
Good et al. Multifunctional graded dielectrics fabricated using dry powder printing
Tokan et al. Influence of 3D printing process parameters on the radiation characteristics of dense dielectric lens antennas
CN103296441B (zh) 新型超材料及其制作工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070718

Termination date: 20210527