JP2003344629A - 3次元周期構造体およびその製造方法 - Google Patents
3次元周期構造体およびその製造方法Info
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Abstract
率の異なる2つの物質を3次元空間内で周期性をもって
分布させた3次元周期構造体を構成する。 【解決手段】 感光性エポキシ樹脂などの光硬化性樹脂
の液面に対して、形成すべき断面パターンの光照射を層
毎に繰り返す光造形法によって、ダイヤモンド構造の空
気孔を有するユニットセル素体100′を造形する。次
に、このユニットセル素体100′の表面にCuなどの
導電体膜を無電解メッキ方法によって形成する。これに
より、誘電率の異なる2つの物質である樹脂と空気が3
次元空間内で周期性をもって分布した3次元周期構造体
で、且つその2つの物質の界面に導電体膜を有する3次
元周期構造体を得る。
Description
体およびその製造方法に関するものである。
される周期的なポテンシャル分布は、格子定数に見合う
波長の電子波に対して干渉作用を示す。すなわち、電子
波の波長が結晶のポテンシャル周期に非常に近い場合に
は、3次元的な回折作用(ブラッグ回折)により反射が
起こる。この現象により特定のエネルギ領域に含まれる
電子はその通過を禁止される。これが半導体デバイスな
どに利用される電子バンドギャップの形成である。
変化する3次元構造は、電磁波に対する干渉作用を示
し、特定周波数領域の電磁波を遮断する。この場合、禁
止帯はフォトニックバンドギャップと呼ばれ、上記3次
元構造体はフォトニック結晶と呼ばれる。
して、例えば所定周波数帯域の電磁波の透過を遮断する
カットオフフィルタとして用いたり、上記周期的な構造
中に周期を乱す不均一部分を導入して、その部分に光や
電磁波が閉じ込める導波路や共振器として用いたりする
ことが考えられている。また、光の超低閾値レーザーや
電磁波の高指向性アンテナ等への応用も考えられてい
る。
波のブラッグ回折が起こるときには、二種類の定在波が
形成される。図5はその二種類の定在波を示している。
定在波Aは、波の振動が低誘電率領域で高いエネルギを
有し、定在波Bは、波の振動が高誘電率領域で高いエネ
ルギを有する。この二つの異なるモードにスプリットし
た定在波間のエネルギを有する波は結晶中に存在できな
いので、バンドギャップが生じる。バンドギャップを広
げたいのであれば、二つの定在波のエネルギ差を広げて
やればよい。そのためには、二つの媒質で誘電率のコン
トラストを強くするか、高誘電率媒質の体積比を大きく
することが効果的である。
元、3次元の構造体があるが、完全なフォトニックバン
ドギャプを得るためには3次元構造が必要である。
層型(特表2001−518707、特開2001−7
4955)や自己クローニングによる形状保存多層膜を
用いた方法(特開2001−74954)、光造形を用
いる方法(特開2000−341031、特表2001
−502256),粒子を並べる方法(特開2001−
42144)等がある。これらの公報には、有機材料、
セラミック、Si等の絶縁体、誘電体、半導体材料を加
工しフォトニック結晶を作る技術が開示されている。
の実用的な材料は、例えば10〜30[GHz]帯域で
の比誘電率は15、屈折率は3.0が限界であり、これ
以上の誘電率や屈折率のコントラストをつけることは困
難であった。
る2つの物質を3次元空間内で周期性をもって分布さ
せ、且つ誘電率や屈折率のコントラストを高めた3次元
周期構造体およびその製造方法を提供することにある。
なる2つの物質が3次元空間内で周期性をもって分布し
た3次元周期構造体であって、その2つの物質の界面
に、表面抵抗が0.3Ω/□以上の導電体膜が形成され
ていることを特徴とする。
形成するという条件を満たすことによって、誘電率の異
なる2つの物質を3次元空間内で周期性をもって分布さ
せるとともに、金属膜の広がる方向への電流の導通を阻
止して、金属体を実質的に絶縁膜被覆しているものと等
価な作用効果を得る。
に、各々独立した導電性粒子または複数の導電性粒子同
士によるクラスタがまばらに広がる導電体膜が形成され
ていることを特徴とする。
物質を3次元空間内で周期性をもって分布させるととも
に、金属膜の広がる方向への電流の導通を阻止して、金
属体を実質的に絶縁膜被覆しているものと等価な効果を
得る。
cm以上の導電性材料から構成する。
つの物質のうち一方の表面に無電解メッキ法により形成
する。
方法は、前記構造の3次元周期構造体の2つの物質のう
ちの一方の物質を、形成すべき断面パターンの光照射を
光硬化性樹脂に対して層毎に繰り返す光造形法で造形す
ることを特徴とする。
びその製造方法を各図を参照して順次説明する。図1は
フォトニック結晶としての3次元構造体の斜視図であ
る。(A)において1は既に硬化したエポキシ系樹脂、
hはこの樹脂1によるブロック内に形成した複数の孔で
ある。100′は、孔hを形成した樹脂1によるユニッ
トセル素体を示している。図1の(B)は、(A)に示
した状態から樹脂1の表面に導電体膜2を形成した状態
を示している。このように誘電率の異なる2つの物質で
ある空気と樹脂1との界面に導電体膜2を形成すること
によってユニットセル100を構成している。
期性をもって分布している。この構造により、誘電率の
異なる2つの物質である樹脂1と空気とが3次元空間内
で周期性をもって分布した3次元周期構造体を成してい
る。
能を発揮するためには、あらゆる結晶方向に対して幅の
広いバンドギャップを形成する必要がある。理想的な結
晶構造は3次元ダイヤモンド構造である。ダイヤモンド
構造は、単位格子に8個の格子点を含み、そのうち4個
ずつがそれぞれ独立の面心立方格子を作り、一方の格子
が他方を立体対角線に沿ってその長さの1/4だけ平行
に移動した位置を占めるものである。
球状の誘電体をダイヤモンド構造の格子点に配置した結
晶や、誘電体柱の組み合わせでダイヤモンド構造の原子
結合を模した結晶である。図2は後者の単位構造を斜視
図として示している。但しここでは、図示を容易にする
ため、空気孔のみの形状を示している。
は、樹脂1中に図2に示したようなダイヤモンド型格子
構造の空気孔を周期性をもって分布させたものである。
このような構造を反転ダイヤモンド構造と称することが
できる。ここで格子の円柱部分の直径と長さの比率を
2:3(アスペクト比1.5)、格子定数を10mmと
している。
ル素体100′を製造する装置を示している。ここで、
15は紫外線で硬化するエポキシ系の光硬化性樹脂18
を満たす容器である。16は容器15の内部で上下方向
に移動するエレベータテーブル、19はエレベータテー
ブル16の上部に造形したオブジェクトである。17は
オブジェクト19の上面に光硬化性樹脂18を所定膜厚
だけ塗布するためのスキージである。
レーザーダイオード10からのレーザー光を波長変換し
て紫外光を発生させる調波発生素子(LBO)、12は
波長選択素子としての音響光学素子(AOM)、13は
走査ミラー、14はfθレンズである。これらによって
光学系を構成している。
ク結晶の製造手順は次のとおりである。まず、エレベー
タテーブル16を光硬化性樹脂18の液面から所定深さ
まで降下させ、スキージ17を液面に沿った方向に移動
させることによって、エレベータテーブル16の表面に
厚さ約100μm の光硬化性樹脂膜を形成する。その状
態で上記光学系によって波長355nmの紫外線レーザ
ーをスポット径50μmのビームとして出力110mW
でその液面に照射する。このとき走査ミラー13を制御
しつつレーザーダイオード10を変調することによっ
て、光硬化性樹脂18を硬化させるべき位置にレーザー
光を照射し、その他の領域に照射しないように制御す
る。
樹脂18の液面は、その重合反応により直径120μm
の球状硬化相が形成される。この時、レーザービームを
速度90m/sで走査すると、厚さ150μmの硬化相
が形成される。このようにレーザービームをラスタース
キャンすることによって一層目の断面パターンに相当す
るオブジェクト19を形成する。
0μm降下させ、スキージ17の移動によって、オブジ
ェクト19の表面に厚さ約200μmの光硬化性樹脂膜
を形成する。
ムの走査および変調を行うことによって二層目の断面パ
ターンを一層目の上に形成する。この時、上下の層は重
合硬化により接合される。三層目以降は二層目と同様で
ある。この処理を繰り返すことによってオブジェクト1
9を造形する。
ブジェクトの形状を透視斜視図として示している。但し
ここでは、図示を容易にするため、レーザービームが照
射されずに硬化しなかった部分すなわち孔部分のパター
ンを示している。(A)は、図2に示したダイヤモンド
構造の結晶軸〈111〉方向に略1ユニット分だけ造形
した状態を示している。また(B)は、これを約4ユニ
ット分造形した状態を示している。(C)は、更にこれ
を所定ユニット分繰り返して造形した状態を示してい
る。
液面に対して所定の断面パターンで光硬化性樹脂18を
硬化させるために、CAD/CAMプロセスを用いる。
すなわち、図4に示したようなパターンは、3次元デー
タを扱うCADで予め設計し、その3次元構造のデータ
を一旦STL(Stereolithography )データに変換し、
これをスライスソフトウェアによって、所定位置におけ
る2次元断面データの集合へ変換する。最後に、この2
次元断面データからレーザービームをラスタースキャン
させる際にレーザーダイオードを変調するためのデータ
を作成する。このようにして用意したデータを基に、レ
ーザービームの走査とともにレーザーダイオードの変調
を行う。
ターゲット19を容器15から取り出し、未硬化の光硬
化性樹脂を洗浄し、乾燥させ、さらに所定サイズに切断
することによって、図1の(A)に示したユニットセル
素体100′を構成する。なお、このユニットセル素体
100′の孔hは3次元空間内で周期性をもって分布す
るので、図3に示した装置でダイヤモンド構造のセルを
結晶の各軸方向に繰り返し形成しておき、所定方向に所
定寸法だけ切り出すことによってユニットセル素体10
0′を得るようにしても良い。
セル素体100′に対して、次に図1の(B)に示した
ように導電体膜2を成する。この導電体膜の形成方法
と、導電体膜を形成したことによる特性上の変化につい
て以降に述べる。
に対して無電解メッキ法によってCuやNi等を被膜形
成することにより設ける。図9は、ユニットセル素体1
00′に対してCuの無電解メッキを行ったときのメッ
キ時間と導電体膜(Cu膜)の表面抵抗との関係を示し
ている。
する測定装置を示している。ここで30はMバンド導波
管、31,32は導波管30内に挿入したプローブであ
る。この導波管30の内部に試料としてのユニットセル
100を挿入する。プローブ31,32にはネットワー
クアナライザ33を接続している。そして、このネット
ワークアナライザ33を用いて電磁波の透過特性を測定
する。図6においてユニットセル100は、それに設け
ている孔hによるダイヤモンド構造の結晶軸〈100
0〉が導波管30の電磁波伝搬方向を向くように配置し
ている。導波管30の内側寸法は、横20×縦10mm
であり、ユニットセル100の寸法は導波管30の長手
方向に20mm、導波管30の高さ方向に10mmであ
る。
を変えて、Cu膜の状態を変えた時の上記透過特性を示
している。ここで横軸は周波数[GHz]、縦軸は減衰
量(dB)であり、電磁波の入力に対する出力の強度比
の対数である。0(dB)は入力と出力の信号強度が等
しい状態である。
セル100を挿入しない状態での特性である。(B)は
Cu膜形成前のユニットセル素体100′を導波管30
内に挿入した状態での特性である。(C)〜(H)は、
Cu無電解メッキのメッキ時間を1分〜20分まで変化
させた時の特性である。
て、メッキ時間、表面抵抗、Cuの膜厚と、それによっ
て得られるバンドギャップとの関係を次の表に示す。
点(減衰量最大点)の周波数、「バンド幅」は減衰量が
「減衰量」で示す値であるときの帯域幅、「最下点の減
衰量」は最も減衰する点の減衰量である。
成しないユニットセル素体100′であれば、そのバン
ドギャップにより、18.0[GHz]で−19.5
(dB)減衰する特性が現れる。このときの減衰量−1
2.0(dB)で見たバンド幅は0.9[GHz]であ
る。メッキ時間1分でCuの無電解メッキを行ったユニ
ット素体100であれば、図7の(C)に示すように、
10.7[GHz]で約−28.2(dB)だけ減衰す
る。このときの減衰量−15.6(dB)で見たバンド
幅は0.9[GHz]である。無電解メッキ時間を2分
→3分→5分→10分と長くしていくと、図7の(D)
〜(G)に示すように、減衰量およびバンド幅が共に大
きなる。すなわちバンドギャップが大きくなることが分
かる。
よって、ユニットセル素体100′の場合に比べて大き
なバンドギャップが得られ、導電体膜2の密度を増す
程、大きなバンドギャップが得られることが分かる。ま
た、ユニットセル素体100′に導電体膜2を形成する
ことにより、バンドギャップが現れる周波数が低くな
る。すなわち、ユニットセルの見かけ上の誘電率が高く
なることが分かる。このことは、高誘電率材料のフォト
ニック結晶を得たことと等価である。
ャップの中心周波数、それによる見かけ上の比誘電率の
関係を図8に示す。このようにメッキ時間を長くして、
導電体膜2の表面抵抗を小さくするほど見かけ上の比誘
電率が高くなる。したがって、同一周波数帯で減衰を得
るためのユニットセルがその分小型化できる。
u無電解メッキのメッキ時間を20分以上にすると、バ
ンドギャップは消失する。これは、導電体膜2の密度が
高くなりすぎて、丁度、図1に示した構造の金属体を導
波管内に挿入したことと等価な状態になるためであると
考えられる。
を2分とした時の導電体膜2のAFM像(原子間力顕微
鏡(AFM :atomic force microscope )により観測した
像)を図10に示す。ここで複数の山型に突出している
各々がCu粒である。これらは各々独立している。また
は、複数のCu粒がクラスタ状に連続しているが、クラ
スタ同士が全体につながることはなく、まばらに分布し
ている。すなわち導電体粒が不連続な金属膜状態となっ
ている。これにより、Cu膜の広がる方向への比較的長
い経路にわたる電流の導通は阻止される。この構造によ
り、多数の金属体を実質的に絶縁膜被覆しているものと
等価な作用効果を得る。
u粒が連続して、フォトニック結晶の全表面に、膜の広
がる方向に自由に電流が導通するCu膜が形成される。
そのため、誘電率の異なる2つの物質を周期性をもって
3次元空間内に分布した構造による作用が無くなって、
バンドギャップが消失するものと考えられる。
は、表面抵抗の約0.3Ω/□に相当するので、上記3
次元周期構造体の2つの物質の界面に、表面抵抗が0.
3Ω/□以上の導電体膜を形成すればよい。これを導電
体膜の状態で表せば、2つの物質の界面に、各々独立し
た導電性粒子または複数の導電性粒子同士によるクラス
タがまばらに広がる導電体膜を形成すればよい。
Cu以外にNiやInSbでも同様の結果が得られた。
Cuの導電率は5.8×105 [S/cm]、Niの導
電率は1.5×105 [S/cm]、InSbの導電率
は1.0×103 [S/cm]であるから、導電率が1
03 S/cm以上の導電性材料であれば、他の金属など
の導電性材料を無電解メッキしても同様の作用効果が得
られるものと考えられる。
膜2を形成する方法としては、無電解メッキ法以外に、
スパッタリング法、CVD法、真空蒸着法、導電体粒と
しての金属粉を分散させた樹脂を塗布し乾燥固化させる
塗布法によって導電体膜2を形成しても良い。
の物質が3次元空間内で周期性をもって分布した3次元
周期構造体であって、その2つの物質の界面に、表面抵
抗が0.3Ω/□以上の導電体膜を形成したことによ
り、また、前記2つの物質の界面に、各々独立した導電
性粒子または複数の導電性粒子同士によるクラスタがま
ばらに広がる導電体膜を形成したことにより、誘電率の
異なる2つの物質が3次元空間内で周期性をもって分布
するとともに、金属膜の広がる方向への電流の導通が阻
止されて、金属体を実質的に絶縁膜被覆したものと同様
の効果が得られる。すなわち、誘電率や屈折率のコント
ラストの高い3次元周期構造体が得られる。
して、導電率が103 S/cm以上の導電性材料から構
成したことにより、大きなバンドギャップが得られる。
また、見かけ上の誘電率が高まり、全体に小型化でき
る。
つの物質のうち一方の表面に無電解メッキ法により形成
したことにより、誘電率の異なる2つの物質の界面に、
各々独立した導電性粒子または複数の導電性粒子同士に
よるクラスタがまばらに広がる導電体膜を容易に形成で
き、その生産性が高まる。
光照射を光硬化性樹脂に対して層毎に繰り返す光造形法
を用いたことにより、3次元周期構造体の2つの物質の
うちの一方の物質による構造を容易に形成でき、且つ、
その2つの物質の界面に導電体膜を形成した3次元構造
体が容易に得られる。
図
構造の1ユニットを示す図
状態を示す図
いる時の2つの定在波を示す図
す図
透過特性との関係を示す図
周波数、それによる見かけ上の比誘電率の関係を示す図
キ時間と導電体膜の表面抵抗との関係を示す図
電体膜表面のAFM像を示す図
Claims (5)
- 【請求項1】 誘電率の異なる2つの物質が3次元空間
内で周期性をもって分布した3次元周期構造体であっ
て、前記2つの物質の界面に、表面抵抗が0.3Ω/□
以上の導電体膜が形成されていることを特徴とする3次
元周期構造体。 - 【請求項2】 誘電率の異なる2つの物質が3次元空間
内で周期性をもって分布した3次元周期構造体であっ
て、前記2つの物質の界面に、各々独立した導電性粒子
または複数の導電性粒子同士によるクラスタがまばらに
広がる導電体膜が形成されていることを特徴とする3次
元周期構造体。 - 【請求項3】 前記導電体膜が、導電率103 S/cm
以上の導電性材料からなる請求項1または2に記載の3
次元周期構造体。 - 【請求項4】 前記導電体膜が、前記2つの物質のうち
一方の表面に無電解メッキ法により形成された請求項
1、2または3に記載の3次元周期構造体。 - 【請求項5】 形成すべき断面パターンの光照射を光硬
化性樹脂に対して層毎に繰り返す光造形法により、請求
項1〜4のいずれかに記載の3次元周期構造体の2つの
物質のうち一方の物質の分布による構造体を形成する、
3次元周期構造体の製造方法。
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DE2003192155 DE10392155T5 (de) | 2002-05-28 | 2003-05-27 | Dreidimensionale periodische Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
PCT/IB2003/002031 WO2003100484A2 (en) | 2002-05-28 | 2003-05-27 | Three dimensional periodic structure and method of producing the same |
CNB038066459A CN1327255C (zh) | 2002-05-28 | 2003-05-27 | 三维周期性结构及其制造方法 |
AU2003244887A AU2003244887A1 (en) | 2002-05-28 | 2003-05-27 | Three dimensional periodic structure and method of producing the same |
US10/509,730 US20050221100A1 (en) | 2002-05-28 | 2003-05-27 | Three dimensional periodic structure and method of producing the same |
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WO (1) | WO2003100484A2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007069406A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Institute Of Physical & Chemical Research | 3次元金属微細構造体の製造方法 |
CN100392444C (zh) * | 2003-12-05 | 2008-06-04 | 3M创新有限公司 | 制造光子晶体和其中可控制的缺陷的方法 |
JP2009539135A (ja) * | 2006-06-01 | 2009-11-12 | インダストリー−ユニバーシティ・コーペレーション・ファウンデーション・ハンヤン・ユニバーシティ | 光結晶の製造方法 |
JP2011170224A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子の製造方法 |
WO2018221722A1 (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | 国立大学法人東京大学 | 3dモデル生成装置、3dモデル生成方法、3dモデル生成プログラム、構造物及び構造物を製造する方法 |
JP2022504343A (ja) * | 2018-10-18 | 2022-01-13 | ロジャーズ・コーポレイション | 空間的に変化する誘電材料の製造のための方法、この方法によって作製される物品、およびその使用 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1919703B1 (en) | 2005-08-12 | 2013-04-24 | Modumetal, LLC | Compositionally modulated composite materials and methods for making the same |
EP3009532A1 (en) | 2009-06-08 | 2016-04-20 | Modumetal, Inc. | Electrodeposited nanolaminate coatings and claddings for corrosion protection |
CN102560679A (zh) * | 2012-03-05 | 2012-07-11 | 西安交通大学 | 一种介电梯度陶瓷基光子晶体 |
EP2971261A4 (en) * | 2013-03-15 | 2017-05-31 | Modumetal, Inc. | Electrodeposited compositions and nanolaminated alloys for articles prepared by additive manufacturing processes |
WO2014146114A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Modumetal, Inc. | Nanolaminate coatings |
EP2971266A4 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-01 | Modumetal, Inc. | A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings |
EA201500949A1 (ru) | 2013-03-15 | 2016-02-29 | Модьюметл, Инк. | Способ формирования многослойного покрытия, покрытие, сформированное вышеуказанным способом, и многослойное покрытие |
WO2016044712A1 (en) | 2014-09-18 | 2016-03-24 | Modumetal, Inc. | Methods of preparing articles by electrodeposition and additive manufacturing processes |
CA2961508C (en) | 2014-09-18 | 2024-04-09 | Modumetal, Inc. | A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings |
CN105563830B (zh) * | 2015-12-17 | 2017-12-26 | 中山大学 | 基于微投影3d打印的三维光子晶体模板的制备方法 |
WO2018049062A1 (en) | 2016-09-08 | 2018-03-15 | Modumetal, Inc. | Processes for providing laminated coatings on workpieces, and articles made therefrom |
CA3057836A1 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Modumetal, Inc. | Lift plungers with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same |
WO2018195516A1 (en) | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Modumetal, Inc. | Tubular articles with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same |
EP3784823A1 (en) | 2018-04-27 | 2021-03-03 | Modumetal, Inc. | Apparatuses, systems, and methods for producing a plurality of articles with nanolaminated coatings using rotation |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222153A (ja) * | 1984-09-29 | 1987-09-30 | Hiroshi Komiyama | 金属と誘電体とを含むガス感応性複合体とその製造方法 |
GB9621049D0 (en) * | 1996-10-09 | 1996-11-27 | Secr Defence | Dielectric composites |
DE19721586A1 (de) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | Jonathan Aerospace Materials E | Dreidimensionale Gitterstruktur sowie Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung |
US5997795A (en) * | 1997-05-29 | 1999-12-07 | Rutgers, The State University | Processes for forming photonic bandgap structures |
US6261469B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-07-17 | Honeywell International Inc. | Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales |
JP4043135B2 (ja) * | 1999-03-29 | 2008-02-06 | 株式会社東芝 | 機能素子および多成分多相系高分子成形体 |
JP4636639B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2011-02-23 | 日揮触媒化成株式会社 | フォトニック結晶の製造方法 |
JP2001074954A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 3次元フォトニック結晶構造体の作製方法 |
US6440642B1 (en) * | 1999-09-15 | 2002-08-27 | Shipley Company, L.L.C. | Dielectric composition |
JP3980801B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 三次元構造体およびその製造方法 |
JP2001330740A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Atr Adaptive Communications Res Lab | 光学素子 |
CA2363277A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-17 | Ovidiu Toader | Photonic band gap materials based on spiral posts in a lattice |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154254A patent/JP3599042B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100392444C (zh) * | 2003-12-05 | 2008-06-04 | 3M创新有限公司 | 制造光子晶体和其中可控制的缺陷的方法 |
JP2007069406A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Institute Of Physical & Chemical Research | 3次元金属微細構造体の製造方法 |
JP2009539135A (ja) * | 2006-06-01 | 2009-11-12 | インダストリー−ユニバーシティ・コーペレーション・ファウンデーション・ハンヤン・ユニバーシティ | 光結晶の製造方法 |
US8361545B2 (en) | 2006-06-01 | 2013-01-29 | Iucf-Hyu Industry-University Cooperation Foundation, Hanyang University | Manufacturing method of photonic crystal |
JP2011170224A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子の製造方法 |
WO2018221722A1 (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | 国立大学法人東京大学 | 3dモデル生成装置、3dモデル生成方法、3dモデル生成プログラム、構造物及び構造物を製造する方法 |
JP2022504343A (ja) * | 2018-10-18 | 2022-01-13 | ロジャーズ・コーポレイション | 空間的に変化する誘電材料の製造のための方法、この方法によって作製される物品、およびその使用 |
Also Published As
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