CN1306308A - 钛酸锶晶体管 - Google Patents
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- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明涉及电子学晶体管技术领域。本发明将掺杂的n型和p型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起,形成p－n结,p－n－p结,n－p－n结和多结结构,构成钛酸锶晶体二极管,三极管,多基极三极管和多发射极三极管。本发明提供的钛酸锶晶体管工艺简单,结面更锐,稳定性好,故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件,亦可发展成为钛酸锶集成电路。
Description
本发明涉及电子学领域，特别是涉及电子学晶体管技术领域。
锗硅p-n结的发现，使人类的生产、工作和生活发生了革命性的巨大变化。随着科学技术的进步和发展，近些年来，硅半导体集成电路的集成度几乎是逐年成量级地增加。但由于作为硅集成电路绝缘隔离层的SiO2的介电常数ε仅为3.8，使硅集成电路的集成度已接近极限。因此近年来，人们做了很大的努力，利用各种设备和手段，试图在硅上外延生长SrTiO3等氧化物材料来取代SiO2。主要由于工艺上的问题及晶格失配等原因，到目前为止，此问题尚难以解决。(如文献1：R.A.McKee,et al.Phys.Rev.Lett.,81,(1998)3041)。另外，对于器件的稳定性、功耗等都提出了更高的要求。由于锗硅的熔点不太高，锗硅器件的性能对温度也比较敏感，所以对于高温等极端条件，锗硅器件也是难以胜任的。
自从高温超导出现以来，对于氧化物材料和薄膜的研究取得了很大的进展，特别是激光分子束外延等新型高精密制膜技术和设备的出现，使层状外延生长多元素、高熔点的氧化物薄膜材料成为现实(如文献2：杨国桢、吕惠宾、陈正豪等，中国科学A,28(1998)260)。氧化物电子学也引起了人们的兴趣与关注(如文献3：H.Koiuma,N.Kanda,et al.Appl.Surf.Sci 109/110,(1997)514)，利用掺杂等方法探索各种性能的材料。由于钛酸锶(SrTiO3)熔点高(2000多度)，结构稳定，其晶格常数与很多氧化物材料相配，因而是大家重点研究的氧化物材料之一。如用Nb,Ta部分替代SrTiO3中的Ti，用La部分替代SrTiO3中的Sr等，然而得到的都是n型SrTiO3，一直未能得到p型掺杂的SrTiO3材料。(如文献4：A.Leitner,C.T.Rogerset al,Appl.Phys.Lett.72,(1998)3065)。我们用Sb部分替代Ti得到n型SrSbxTi1-xO3(如文献5：中国专利，专利申请号：99108056。4)，用In部分替代Ti得到p型SrInxTi1-xO3(如文献6：中国专利，专利申请号：99123795.1)，这就为研究和制备钛酸锶p-n结打下了很好的基础。
本发明的目的是提供一种工艺简单，稳定性好的钛酸锶晶体管。通过掺杂提供p型和n型钛酸钡薄膜材料，再相互叠层而成晶体二极管、晶体三极管、多基极晶体三极管和多发射极晶体三极管，可广泛地应用于各类电子学电路。
本发明的目的是这样实现的：
采用替位掺杂法，使用激光分子束外延，脉冲激光沉积，磁控溅射，电子束蒸发或分子束外延等制膜方法，在单晶基片(如SrTiO3,YSZ,LaAlO3,Nb:SrTiO3等)上制备出n型钛酸锶SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3薄膜材料，其中A是Nb或Sb；制备出p型钛酸锶SrBxTi1-xO3薄膜材料，其中B是In或Mn。所有x的取值范围为0.005-0.5。把一层p型钛酸锶和一层n型钛酸锶外延在一起，这两层导电类型不同的钛酸锶薄膜在界面处就形成一个p-n结，这个p-n结就构成了钛酸锶晶体二极管；把一层p型钛酸锶和一层n型钛酸锶和另一层p型钛酸锶外延在一起，这三层钛酸锶薄膜就形成一个p-n-p结，这个p-n-p结就构成了p-n-p钛酸锶三极管；把一层n型钛酸锶，一层p型钛酸锶和另一层n型钛酸锶外延在一起，这三层钛酸锶薄膜就形成了一个n-p-n结，这个n-p-n结就构成了n-p-n钛酸锶三极管。
另外，也可以直接在p型钛酸锶基底上外延一层n型钛酸锶或在n型钛酸锶基底上外延一层p型钛酸锶，形成钛酸锶p-n结，用来制备钛酸锶二极管；或直接在p型钛酸锶基底上外延一层n型钛酸锶和另一层p型钛酸锶，形成钛酸锶p-n-p结，用来制备钛酸钡p-n-p三极管；或在n型钛酸锶基底上外延一层p型钛酸锶和另一层n型钛酸锶，形成钛酸锶n-p-n结，用来制备钛酸锶n-p-n三极管。
锗硅晶体管主要是用扩散的方法制备p-n结，钛酸锶晶体管完全是用外延的方法制备p-n结。它们都是靠掺杂浓度来控制载流子浓度。钛酸锶晶体管的结构完全与锗硅晶体管类似，可以按照要求和需要设计。钛酸锶晶体管电极的引出与封装，完全可以借用锗硅晶体管的已有设备与工艺，采用光刻，腐蚀或刻蚀，蒸镀电极。如需要，与硅晶体管在刻蚀引线前先淀积SiO2一样，在钛酸锶p-n结或p-n-p或n-p-n结薄膜的上表面外延绝缘隔离层，即在刻蚀出集电极，基极和发射极的电极槽后，在其外表面外延一层SrTiO3或ZrO2或BaTiO3或LaAlO3或Al2O3或SiO2，然后再刻蚀出引电极孔，其后就与锗硅晶体管电极引线完全一样，蒸镀金属层，光刻，刻蚀引线，封装也可采用锗硅晶体管已有的管壳。
本发明提供的钛酸锶晶体管，采用全外延工艺，因此每层的层厚和载流子浓度都较锗硅晶体管更易控制，且结面更锐，而钛酸锶熔点高，稳定性好，故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件，亦可发展成为钛酸锶集成电路。
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明：
图1：SrNb0.01Ti0.99O3/SrIn0.1Ti0.9O3二极管的伏安特性曲线
实施例1，
用激光分子束外延，在5mm×10mm×0.5mm的双面抛光的SrNb0.01Ti0.99O3的基底上，外延生长厚度为300nm的SrIn0.1Ti0.9O3薄膜，再将外延片切割成0.5mm×0.5mm的芯管，分别在每个管芯的上下表面用铟焊上φ80μ的铜丝做电极，制备钛酸锶晶体二极管。图1是用上述二极管测得的伏安特性曲线。从图1可以看出，其正反向特性都是非常好的。
实施例2，
按实施例1制作，用脉冲激光沉积方法制备。
实施例3，
用激光分子束外延，在3mm×10mm×0.5mm双面抛光的SrNb0.01Ti0.99O3基底上，先外延100nm厚的SrIn0.05Ti0.95O3薄膜，用一个硅片做的挡板，在外延片上方0.5mm的高度遮挡二分之一外延片表面，被遮挡部分为引电极之用。再在没被遮挡的二分之一SrIn0.05Ti0.95O3薄膜表面外延200nm厚的SrNb0.1Ti0.9O3薄膜。将外延片沿垂直挡板线的方向切成宽0.5mm的长条。掺铌n型基底做集电极C，掺铟p型薄膜层做基极b，最上面掺铌n型薄膜做发射极e，用铟焊上φ50μ的铜丝做三个电极，制备钛酸锶n-p-n晶体三极管。我们已观测到三极管的伏安特性。
实施例4，
用激光分子束外延，在φ30mm×0.5mm的SrTiO3基底上，先外延200nm厚的SrIn0.05Ti0.95O3薄膜做集电极，在SrIn0.05Ti0.95O3的薄膜上外延150nm的SrNb0.05Ti0.95O3薄膜做基极，再在SrNb0.05Ti0.95O3薄膜上外延200nm的SrIn0.2Ti0.8O3薄膜做发射极e。用光刻和离子束刻蚀的方法分别刻蚀出φ20μ-φ30μ和φ40-φ50μ的半圆形基极b和集电极c的电极孔。在刻蚀好电极孔的外延片表面再外延400nm的SrTiO3做绝缘隔离层。在隔离层SrTiO3上光刻和刻蚀出三个电极引线孔后，在表面蒸镀200nm的铝，光刻和刻蚀出电极引线，压焊引线，封装管壳制备成钛酸锶p-n-p晶体三极管。
实施例5，
按实施例4做，用磁控溅射法制备薄膜。
实施例6，
按实施例4做，用电子束蒸发制备薄膜。
实施例7，
按实施例4做，用SrMn0.05Ti0.95O3薄膜做集电极c，用SrMn0.5Ti0.5O3薄膜做发射极e。
实施例8，
按实施例4做，用光刻和离子束刻蚀的方法，在φ20μ-φ30μ的园环上刻蚀三个基极b的电极孔，在φ40μ-φ50μ与上同心半园上刻蚀一个集极c的电极孔，制备三个基极b的钛酸钡p-n-p晶体三极管。
实施例9，
按实施例4做，用光刻和离子束刻蚀的方法，在φ30μ-φ40μ的半园环上刻蚀一个基极b的电极孔，在φ20μ与上同心园内刻蚀三个发射极e的电极孔，在φ50μ-φ60μ与上同心半园上刻蚀一个集极c的电极孔，制备三个发射极e的钛酸钡p-n-p晶体三极管。
实施例10，
按实施例4做，用分子束外延设备制备薄膜。
实施例11，
按实施例4做，用SrSb0.02Ti0.98O3薄膜做集电极c，用SrIn0.1Ii0.9O3薄膜做基极b，用SrSb0.3Ti0.7O3薄膜做发射极e。制备n-p-n钛酸锶晶体三极管。
实施例12，
按实施例9做，用Sr0.98La0.02TiO3薄膜做集电极c，用Sr0.7La0.3TiO3薄膜做发射极e。
Claims (3)
1、一种钛酸锶晶体管，其特征在于：在SrTiO3或YSZ或LaAlO3或Nb:SrTiO3单晶基片上将掺杂而成的p型和n型钛酸锶薄膜材料叠层外延在一起，形成p-n结，p-n-p结，n-p-n结及多结结构，即成钛酸锶晶体二极管，晶体三极管，多基极晶体三极管，多发射极晶体三极管；其中n型钛酸锶为SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3，A是Nb或Sb；p型钛酸锶为SrBxTi1-xO3，B是In或Mn；x取值范围为0.005-0.5。
2、按权利要求1所述的钛酸锶晶体管，其特征在于：还可以不用单晶基片而直接用n型或p型钛酸锶为基底，在n型钛酸锶基底上外延一层p型钛酸锶或在p型钛酸锶基底上外延一层n型钛酸锶薄膜，形成p-n结，制备钛酸锶晶体二极管；在n型钛酸锶基底上外延一层p型和一层n型钛酸锶薄膜，形成n-p-n结，制备钛酸锶n-p-n晶体三极管；在p型钛酸锶基底上外延一层n型和一层p型钛酸锶薄膜，形成p-n-p结，制备钛酸锶p-n-p晶体三极管。
3、按权利要求1所述的钛酸锶晶体管，其特征在于：还可以用氧化物材料SrTiO3或BaTiO3或ZrO2或LaAlO3或Al2O3或SiO2做隔离绝缘层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 00100366 CN1129965C (zh) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 钛酸锶晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 00100366 CN1129965C (zh) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 钛酸锶晶体管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1306308A true CN1306308A (zh) | 2001-08-01 |
| CN1129965C CN1129965C (zh) | 2003-12-03 |
Family
ID=4575412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 00100366 Expired - Fee Related CN1129965C (zh) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 钛酸锶晶体管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1129965C (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044608B (zh) * | 2004-10-21 | 2010-09-08 | Nxp股份有限公司 | 具有掺杂钛酸盐主体的金属-氧化物-半导体 |
| CN105976892A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-09-28 | 红河学院 | 一种镧铟共掺杂钛酸锶导体材料及其制备方法 |
-
2000
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044608B (zh) * | 2004-10-21 | 2010-09-08 | Nxp股份有限公司 | 具有掺杂钛酸盐主体的金属-氧化物-半导体 |
| CN105976892A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-09-28 | 红河学院 | 一种镧铟共掺杂钛酸锶导体材料及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1129965C (zh) | 2003-12-03 |
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