CN1305220A - 半导体器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
半导体器件的制造方法,目的在于除去半导体器件的表面上形成的多晶硅膜,即在其衬底膜上不产生损伤,且不产生腐蚀残渣。在硅晶片的表面上成膜多晶硅膜。把硅晶片设置在分批式的湿式腐蚀处理装置中。以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液,开始多晶硅膜湿式腐蚀(步骤100)。在湿式腐蚀中途,在使用的药液中,经过预定时间追加APM(步骤104～108)。如果经过预定处理时间,那么结束APM的湿式腐蚀(步骤112)。
Description
本发明涉及半导体器件的制造方法，特别涉及适用于通过腐蚀均匀地除去半导体器件表面上形成的多晶硅膜的半导体器件的制造方法。
以往，在半导体器件的制造工艺中，作为除去半导体器件表面上形成的多晶硅膜的方法，一般采用干式腐蚀、使用氢氟酸和硝酸的混合液的湿式腐蚀或单独使用氨水(NH4OH)的湿式腐蚀等。
但是，在使用干式腐蚀的情况下，认为腐蚀气体造成的损伤会达到多晶硅的衬底膜(硅衬底和氧化硅膜)。此外，在使用氢氟酸和硝酸的混合液的湿式腐蚀的情况下，在除去多晶硅膜后，在过腐蚀的过程中，其衬底膜(硅衬底和氧化硅膜)被大幅度地除去。
在用氨水处理单晶硅的情况下，结晶面(1,1,1)的腐蚀速度比其它结晶面的腐蚀速度低。因此，如果进行单独用氨水的湿式腐蚀，那么硅衬底被各向异性腐蚀，在其表面形成四角锥形的腐蚀残渣。即使在多晶硅被氨水湿式腐蚀的情况下也同样产生这种腐蚀残渣。因此，在通过单独使用氨水的湿式腐蚀来除去多晶硅的情况下，在半导体器件的表面上残留少量的多晶硅残渣。
本发明是解决上述课题的发明，目的在于提供半导体器件的制造方法，可以除去多晶硅膜，对其衬底膜不产生损伤，并且可以不产生腐蚀残渣。
方案1所述的发明是半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；以包含预定混合比的氨水和双氧水和纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和在所述湿式腐蚀中途，在所述药液中追加APM或氨的步骤。
方案2所述的发明是方案1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括把对所述药液追加的APM或氨调整到与所述药液相同温度的步骤。
方案3所述的发明是半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；以包含预定混合比的氨水和双氧水和纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和在所述湿式腐蚀中途，把在所述湿式腐蚀处理装置的晶片固定部件上固定的所述晶片仅旋转规定角度的步骤。
方案4所述的发明是方案3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述湿式腐蚀的步骤包括所述硅晶片旋转前进行的第一湿式腐蚀步骤和所述硅晶片旋转后进行的第二湿式腐蚀步骤；在完全除去所述多晶硅膜的露出部分的条件下进行所述第一湿式腐蚀步骤；在与所述第一湿式腐蚀步骤中使用的条件相同的条件下进行所述第二湿式腐蚀步骤。
方案5所述的发明是半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM新液作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和在所述湿式腐蚀结束后，以所述湿式腐蚀中使用的所述APM作为废液的步骤。
方案6所述的发明是半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；进行从所述多晶硅膜的表面除去自然氧化膜的湿式腐蚀的步骤；和在除去所述自然氧化膜后，以包含规定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤。
方案7所述的发明是半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；以包含规定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和在所述湿式腐蚀的执行中，向所述APM传送超声波振动的步骤。
方案8所述的发明是方案1至7中任何一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述APM中包含的氨和水的体积比(NH4OH/H2O)小于1/50。
图1是说明本发明实施例1的制造方法的流程图。
图2是说明本发明实施例2的制造方法的流程图。
图3是利用本发明实施例2的制造方法处理的硅晶片的正面图和侧面图。
图4是说明本发明实施例3的制造方法的流程图。
图5是说明本发明实施例4的制造方法的流程图。
图6是说明本发明实施例5的制造方法的流程图。
实施例1
以下，参照图1说明本发明实施例1的制造方法。
在本实施例的制造方法中，在硅晶片的表面上，成膜用于构成栅极氧化膜的氧化硅膜。在其上层，成膜用于构成栅极的多晶硅膜。多晶硅膜通过以APM(氨水、双氧水和纯水的混合液)为药液的湿式腐蚀被除去。
APM具有以足够大的腐蚀率除去多晶硅膜的特性。此外，APM在氨水为药液的情况下可以有效地抑制因腐蚀的各向异性引起产生的腐蚀残渣的发生。而且，APM可以按相对于氧化硅膜充分大的选择比除去多晶硅。因此，以APM为药液的湿式腐蚀在氧化硅膜等的衬底上不产生损伤，并且，不产生腐蚀残渣，在适当腐蚀多晶硅膜方面是很好的方法。
在本实施例中，使用分批式的湿式处理装置按以下条件来进行使用APM的多晶硅的湿式腐蚀。
·药液混合比：
氨水(氨水浓度30wt％)∶双氧水(双氧水浓度30wt％)∶纯水=5∶1∶500
·药液温度：75℃
·处理时间：720秒
本实施例的制造方法具有满足上述条件，并且一边追加药液APM一边进行多晶硅膜的湿式腐蚀的特征。以下，说明使用本实施例的方法与使用满足上述条件进行不追加APM的湿式腐蚀方法(以下，把该方法称为‘比较方法’)情况下的差别。
表1表示使用比较方法时多晶硅膜上产生的膜减少量和使用本实施例方法时产生的膜减少量。在各自方法对应的结果中，包括在一批处理中来处理1枚晶片情况的结果和处理50枚晶片情况的结果。再有，表1所示的结果都是在多晶硅膜的最初膜厚为9000埃情况下获得的结果。
【表1】
| 药液补充的有无 | 处理枚数 | 多晶硅膜的膜减少量[] |
| 无 | 1枚 | 503 |
| 50枚 | 454 | |
| 有 | 1枚 | 616 |
| 50枚 | 605 |
相对于比较方法(没有药液补充)的结果，在晶片处理枚数为50枚的情况下，与其处理枚数为1枚的情况相比，显示出膜减少量少10％左右。由该结果判明，即使药液温度和处理时间相同，如果处理中使用的药液量一定，那么晶片的处理枚数越多，多晶硅膜的膜减少量就越少。
在通过湿式腐蚀除去多晶硅膜时，生成Si(OH)X，其生成物被积蓄在药液中。可以认为上述见象是这样引起的，晶片处理枚数越多，APM中积蓄的Si(OH)x越多，使多晶硅膜的腐蚀率下降。
按照Si(OH)x的积蓄量，在多晶硅膜的腐蚀率变化的状况下，即使按一定时间管理湿式腐蚀的处理时间，通过腐蚀除去的膜厚仍按批量处理的次数而变动。这种情况下，在多晶硅膜的下层形成的氧化硅膜的残膜厚度也容易发生变动。而且，在最差的情况下，在半导体器件的表面上可产生多晶硅的腐蚀残渣的情况。
图1表示用于说明本实施例的制造方法中执行的一连串处理的内容。在本实施例的制造方法中，为了防止上述不良情况的发生，在多晶硅膜的湿式腐蚀的过程中，在湿式处理装置中追加适当APM。以下，参照图1，详细说明本实施例中执行的一连串处理。
图1所示的一连串处理在将包括多晶硅膜的晶片放置在分批式的湿式处理装置后开始。如果图1所示的一连串的处理开始，那么为了开始以APM为药液的湿式腐蚀，将硅晶片浸渍在APM中(步骤100)。
在经过规定时间(在本实施例中为300秒)前都维持上述状态(步骤102)。
如果判别经过了规定时间，那么开始对湿式处理装置供给APM(步骤104)。将供给湿式处理装置的APM的混合比和药液温度调整至与装置内包括的APM的混合比和药液温度相同的值。
如果判别为未经过规定时间(在本实施例中为120秒)，那么继续供给APM(步骤106)。在APM的供给中继续多晶硅膜的湿式腐蚀。
如果判别经过了规定时间，那么停止APM的供给(步骤108)。如上所述，如果对湿式处理装置供给APM，那么可以使装置内的Si(OH)x浓度充分下降。
然后，如果再次判别经过规定时间(300秒)(步骤110)，那么结束以APM为药液的湿式腐蚀(步骤112)，结束本次处理的循环。
在表1中，相对于本实施例的方法(有药液补充)的结果来说，无论晶片的枚数是1还是50，在追加APM的情况下，都显示出可以稳定确保大的膜减少量。于是，按照本实施例的制造方法，可以以APM为药液，并且进行与晶片处理枚数无关的稳定地湿式腐蚀多晶硅膜。因此，按照本实施例的制造方法，与批量处理的晶片处理数无关，可以不产生作为多晶硅膜衬底的氧化硅膜等的损伤，并且有效地抑制腐蚀残渣的发生，可以高效率地以适当的形状湿式腐蚀多晶硅膜。
在本实施例中，APM中含有的NH4OH的比率为充分小的值。因此，尽管在湿式腐蚀的过程中追加APM，但NH4OH的使用量仍被抑制到很少量。但是，APM中含有的NH4OH的比率不限定于实施例1中使用的比率。具体地说，如果NH4OH∶H2O的体积比1∶50小，那么就可以把NH4OH的使用量抑制到实用的量。此外，在实施例1中，尽管在湿式腐蚀的过程中追加APM，但本发明不限于此，追加氨水也可以。
实施例2
下面，参照图2来说明本发明实施例2的制造方法。
在本实施例的制造方法中，与实施例1的情况同样，在硅晶片的表面上成膜的多晶硅膜通过以APM为药液的湿式腐蚀被除去。使用分批式的湿式处理装置按以下条件进行使用APM的多晶硅的湿式腐蚀。
·药液混合比：
氨水(氨水浓度30wt％o)∶双氧水(双氧水浓度30wt％)∶纯水=5∶1∶500
·药液温度：75℃
·处理时间：900秒
如实施例1的说明所示，多晶硅膜的腐蚀率随着Si(OH)x在APM中的堆积而下降。在本实施例的制造方法中，为了避免Si(OH)x蓄积在APM中，在每次批量处理中将APM更换成新液。
图2是说明本实施例制造方法中执行的一连串处理的内容的流程图。图2所示的一连串处理在将包括多晶硅膜的晶片放置在分批式的湿式处理装置后开始。
在本实施例的制造方法中，首先，对湿式处理装置供给APM的新液(步骤120)。
接着，通过将硅晶片浸渍在该新液(APM)中，开始多晶硅膜的湿式腐蚀(步骤122)。
在判别经过规定时间(在本实施例中为900秒)前，应该继续湿式腐蚀，维持上述状态(步骤102)。
如果判别经过了规定时间，那么结束以APM为药液的湿式腐蚀(步骤126)。
接着，将湿式腐蚀处理中使用的APM从湿式处理装置中排出(步骤128)，结束本次处理循环。
把具有9000埃膜厚的多晶硅膜作为对象进行5次本实施例制造方法的批量处理，在每次批量处理中测定多晶硅膜的膜减少量。其结果，在任何情况下，膜减少量都处于在600±10埃的范围内。该结果表示：在每次批量处理中使用APM新液的情况下，在一定条件下获得的腐蚀量方面基本不发生变化。因此，按照本实施例的制造方法，在作为多晶硅膜衬底的氧化硅膜等上不产生损伤，并且，有效地抑制腐蚀残渣的产生，同时可以稳定地腐蚀多晶硅膜。
在本实施例中，与实施例1的情况同样，使APM中含有的NH4OH的比率为充分小的值。因此，虽然在每次批量处理中以APM为新液，但NH4OH的使用量被抑制到很少量。但是，APM中含有的NH4OH比率不限于实施例2中使用的比率。具体地说，如果NH4OH∶H2O的体积比小于1∶50，那么就可以将NH4OH的使用量抑制到实用的量。
实施例3
下面，参照图3和图4来说明本发明实施例3的制造方法。
图3(A)表示在分批式的湿式处理装置的内部设置的硅晶片10的正面图。此外，图3(B)表示该硅晶片10的侧面图。在湿式处理装置的内部，设有用于垂直支撑晶片10的晶片保持部12。在晶片保持部12的前端设有Y字状的晶片夹持部14。晶片10通过多个晶片夹持部14被支撑在湿式处理装置的内部。
在本实施例的制造方法中，与实施例1的情况同样，在硅晶片10的表面上成膜的多晶硅膜通过以APM为药液的湿式腐蚀被除去。在硅晶片10与晶片夹持部14接触的部分上，湿式腐蚀的药液即APM难以浸入。因此，在硅晶片10的边缘部分(更具体地说，是被晶片夹持部14夹持的部分)容易残留多晶硅的残渣。本实施例的制造方法具有这样的特征，通过在湿式处理装置的内部使硅晶片10旋转，来防止上述腐蚀残渣的产生。
图4表示用于说明本实施例的制造方法所执行的一连串处理内容的流程图。图4所示的一连串处理在将硅晶片10设置在湿式处理装置中之后开始。如果图4所示的一连串处理开始，那么由于开始以APM为药液的湿式腐蚀，所以硅晶片10被浸渍在APM中(步骤130)。
在本实施例中，上述湿式腐蚀按以下条件来进行。
·多晶硅膜的膜厚：500埃
·药液混合比：
氨水(氨水浓度30wt％)∶双氧水(双氧水浓度30wt％)∶纯水=5∶1∶500
·药液温度：75℃
·处理时间：900秒
在经过规定时间(在本实施例中为900秒)前，按上述条件继续湿式腐蚀(步骤132)。本实施例的处理时间900秒是确保约600埃的腐蚀量的条件。因此，根据上述湿式腐蚀，进行约20％的过腐蚀。
如果判别经过了规定时间，那么停止湿式腐蚀(步骤134)。由于在被晶片夹持部夹持的硅晶片10的部分APM难以浸入，所以在该时刻，与20％的过腐蚀无关，在这些部分上残存腐蚀残渣。
因此，在停止湿式腐蚀后，硅晶片10在晶片处理装置的内部或经于燥工序被取出晶片处理装置的外部的状态下，例如被旋转180度左右(步骤136)。根据上述处理，可以使硅晶片10的边缘部分残存的腐蚀残渣移动至不与晶片夹持部14接触的位置上。
再有，硅晶片10的旋转角度不限于180度。就是说，在硅晶片10的旋转前，被晶片夹持部14夹持的部分在其旋转后只要不再被晶片夹持部14夹持，硅晶片10的旋转角度就可以任意地设定。此外，在本实施例中，使一旦停止湿式腐蚀后的硅晶片10旋转，但在可以使硅晶片10就浸渍在药液中旋转的情况下，也可以一边继续湿式腐蚀一边旋转硅晶片10。
在将晶片10旋转规定角度后，按在上述步骤130中使用的相同条件再次开始湿式腐蚀(步骤138)。
在经过规定时间(在本实施例中为900秒)前，继续湿式腐蚀(步骤140)。根据上述处理，由于确保20％的过腐蚀，所以可以确实除去在硅晶片10的边缘部分残存的腐蚀残渣。
如果判别经过了规定时间，那么停止湿式腐蚀(步骤142)，结束本次的处理循环。
如上所述，根据本实施例的制造方法，以APM作为药液，可以一边旋转硅晶片10一边进行湿式腐蚀。因此，按照本实施例，在作为多晶硅膜衬底的氧化硅膜等上不产生损伤，在被晶片夹持部夹持的部分不残留腐蚀残渣，确实可以按期望的状态来腐蚀多晶硅膜。
实施例4
下面，参照图5说明本发明实施例4的制造方法。
在以APM为药液按实施例2或3的条件湿式腐蚀多晶硅膜和氧化硅膜的情况下，多晶硅膜的膜厚减少量为约600埃，另一方面，氧化硅膜的膜减少量为17埃。于是，在APM为药液按相同条件湿式腐蚀多晶硅膜和氧化硅膜的情况下，与多晶硅膜的腐蚀率相比氧化硅膜的腐蚀率为极低值。
在多晶硅膜的表面上，通常自然形成膜厚10埃以下的薄氧化硅膜(以下称为‘自然氧化膜’)。该自然氧化膜在使用APM来腐蚀多晶硅膜的情况下会妨碍处理。此外，由于自然氧化膜的膜厚不均匀，所以在多晶硅膜的表面上形成自然氧化膜的状况下，如果进行以APM为药液的湿式腐蚀，那么多晶硅膜的腐蚀量也不均匀。本实施例的制造方法具有以下特征，通过在使用APM处理之前除去自然氧化膜来防止上述不良情况的发生。
图5表示用于说明本实施例的制造方法中执行的一连串的处理内容的流程图。图5所示的一连串处理在将配有多晶硅膜的硅晶片设置在湿式处理装置中后才开始。如果图5所示的一连串的处理开始，那么在以APM为药液的湿式腐蚀之前，首先，开始以HF为药液的湿式腐蚀(步骤150)。
在本实施例中，上述湿式腐蚀按以下条件进行。
·药液混合比：HF(HF浓度30wt％)∶纯水=1∶500
·药液温度：23℃
·处理时间：680秒。
在经过规定时间(在本实施例中为680秒)前，按上述条件使湿式腐蚀继续进行(步骤152)。利用使用HF的湿式腐蚀，可以按高腐蚀率除去氧化硅膜。因此，根据上述处理，可以除去在多晶硅膜的表面上形成的自然氧化膜。
如果判别经过了预定时间，那么停止以HF作为药液的湿式腐蚀(步骤154)，接着，开始以APM作为药液的湿式腐蚀(步骤156)。
在本实施例中，使用APM的湿式腐蚀按以下条件来进行。
·药液混合比：
氨水(氨浓度30wt％)∶双氧水(双氧水浓度30wt％)∶纯水=5∶1∶500
·药液温度：75℃；
·处理时间：900秒。
直至经过预定时间(在本实施例中为900秒)，上述条件的湿式腐蚀持续进行(步骤158)。由于从多晶硅膜的表面已经除去自然氧化膜，所以通过上述湿式腐蚀，可以在其整个表面上均匀地除去多晶硅膜。
如果判别经过了预定时间，那么结束以APM作为药液的湿式腐蚀(步骤160)。通过结束上述一连串处理来结束本次处理循环。
如上所述，按照本实施例的制造方法，可以在从多晶硅膜的表面除去自然氧化膜后开始以APM作为药液的湿式腐蚀。因此，按照本实施例，可以在作为多晶硅膜衬底的氧化硅膜等上不产生损伤，可以在半导体器件的整个表面上以均匀的期望形状腐蚀多晶硅膜。
实施例5
下面，参照图6说明本发明实施例5的制造方法。
多晶硅膜的湿式腐蚀如果在其表面上异物附着的状态下进行，那么异物变为掩模，形成腐蚀残渣。因此，期望迅速地除去多晶硅表面上附着的异物。本实施例的制造方法应该满足上述要求，具有一边对硅晶片施加超声波一边进行多晶硅膜的湿式腐蚀的特征。
图6是说明在本实施例的制造方法中执行的一连串处理内容的流程图。图6所示的一连串处理在把配有多晶硅膜的晶片设置在湿式处理装置中后开始。如果开始图6所示的一连串处理，那么首先开始以APM作为药液的湿式腐蚀，同时对APM开始传送超声波(步骤170)。
在本实施例中，使用APM的湿式腐蚀按以下条件来进行。
·药液混合比：
氨水(氨浓度30wt％)∶双氧水(双氧水浓度30wt％)∶纯水=5∶1∶500
·药液温度：75℃；
·处理时间：900秒。
直至经过预定时间(在本实施例中为900秒)，上述条件的湿式腐蚀持续进行(步骤172)。由于通过APM对硅晶片传送超声波，所以多晶硅膜的表面上附着的异物被迅速地除去。因此，通过上述处理，可以在其整个表面上不产生腐蚀残渣地除去多晶硅膜。
如果判别经过了预定时间，那么结束以APM作为药液的湿式腐蚀，同时停止产生超声波(步骤174)。通过结束这些处理来结束本次处理循环。
如上所述，按照本实施例的制造方法，可以一边除去多晶硅膜的表面上附着的异物，一边进行湿式腐蚀。在不施加超声波按上述条件湿式腐蚀有500埃膜厚的多晶硅膜时，粒径0.15μm以上的腐蚀残渣残留了30000个以上。与此相对，在本实施例的方法中，可以把该残渣数减少到1620个。这样，按照本实施例，可以在氧化硅膜等衬底上不产生损伤地腐蚀多晶硅膜，并且，可以使腐蚀残渣在半导体器件的整个表面上非常少。
由于本发明具有以上说明的那样的结构，所以具有以下所示的效果。
按照方案1所述的发明，可以以APM作为药液来湿式腐蚀多晶硅膜。此外，在湿式腐蚀的中途，通过在该药液中追加APM或氨，可以防止多晶硅膜的腐蚀率下降。因此，按照本发明，可以在氧化硅膜等衬底膜上不产生损伤，稳定地腐蚀多晶硅膜。
按照方案2所述的发明，在湿式腐蚀中途，可以追加调整至与药液相同温度的APM或氨。因此，按照本发明，可以不随着湿式腐蚀的条件变动来追加APM和氨，可以维持稳定的腐蚀特性。
按照方案3所述的发明，通过在湿式腐蚀的中途旋转硅晶片，可以把与晶片保持部接触的部分暴露在APM中。因此，按照本发明，可以有效地防止在与晶片保持部接触的部分中产生腐蚀残渣。
按照方案4所述的发明，在旋转前硅晶片可以完全除去与晶片保持部不接触部分的多晶硅膜。此外，在硅晶片旋转后可以完全除去在晶片旋转前与晶片保持部接触部分的多晶硅膜。因此，按照本发明，可以有效地防止多晶硅膜腐蚀渣的产生。
按照方案5所述的发明，可以经常使用APM的新液来湿式腐蚀多晶硅膜。换句话说，在本发明中，作为湿式腐蚀的药液，不使用积存Si(OH)x的APM。因此，按照本发明，可以经常以稳定的腐蚀率除去多晶硅膜。
按照方案6所述的发明，在使用APM的湿式腐蚀之前，可以除去多晶硅膜表面上形成的自然氧化膜。因此，按照本发明，不会因自然氧化膜而妨碍使用APM的湿式腐蚀的进行，可以获得通常稳定的腐蚀特性。
按照方案7所述的发明，在湿式腐蚀的执行中，可以利用超声波除去硅晶片表面上附着的异物。因此，按照本发明，可以有效地防止使这种异物变为掩模而形成腐蚀残渣。
按照方案8所述的发明，可以使用充分控制氨浓度的APM来进行湿式腐蚀。因此，按照本发明，可以使氨的使用量相当少。
Claims (8)
1．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：
在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；
以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和
在所述湿式腐蚀中途，在所述药液中追加APM或氨的步骤。
2．如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括把对所述药液追加的APM或氨调整到与所述药液相同温度的步骤。
3．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：
在硅晶片的表面上成膜多晶硅膜的步骤；
以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和
在所述湿式腐蚀中途，把在所述湿或腐蚀处理装置的晶片固定部件上固定的所述硅晶片仅旋转规定角度的步骤。
4．如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述湿式腐蚀的步骤包括所述硅晶片旋转前进行的第一湿式腐蚀步骤和所述硅晶片旋转后进行的第二湿式腐蚀步骤；
在完全除去所述多晶硅膜的露出部分的条件下进行所述第一湿式腐蚀步骤；
在与所述第一湿式腐蚀步骤中使用的条件相同的条件下进行所述第二湿式腐蚀步骤。
5．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：
在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；
以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM新液作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和
在所述湿式腐蚀结束后，以所述湿式腐蚀中使用的所述APM作为废液的步骤。
6．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：
在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；
进行从所述多晶硅膜的表面除去自然氧化膜的湿式腐蚀的步骤；和
在除去所述自然氧化膜后，以包含规定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤。
7．一种半导体器件的制造方法，包括使用分批式的湿式腐蚀处理装置来腐蚀多晶硅膜的工序，其特征在于，该方法包括：
在硅晶片的表面上使多晶硅膜成膜的步骤；
以包含规定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式腐蚀所述多晶硅膜的步骤；和
在所述湿式腐蚀的实施中，向所述APM传送超声波振动的步骤。
8．如权利要求1至7中任何一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述APM中包含的氨和水的体积比(NH4OH/H2O)小于1/50。
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