CN1284513A - 一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状结构材料,特别涉及到一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物及其制备方法。它的制备可以通过两种方式进行:原位包埋和置换包埋,根据管状高分子的尺寸和化学亲和性的不同可以选择性地包埋与之相匹配的客体分子,从而形成多种超分子复合物并在分子器件,分子识别性的催化,分离以及新型光学材料和新型电学材料等领域有广泛的应用前景。
Description
物及其制备方法
本发明涉及一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状结构材料，特别涉及到一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物及其制备方法。
(Nature，1993，
364，516)首次报道了以管状聚环糊精为主体的超分子复合物，可是由于其孔径及内腔的化学亲和性无法自由调控，使其所能包埋的客体分子受到限制。(Chem.Commun.，1995，1335)报道了制备包埋金属原子或金属氧化物于碳纳米管中的超分子复合物。可是其制备方法非常复杂，条件极其苛刻，而且包埋的选择性很低。(J.Amer.Chem.SoC.，1989，111，4139)报道了制备包埋聚苯胺于V2O5干凝胶中管状结构空腔的超分子复合物，该复合物具有导电性，可是由于该超分子复合物为一交联体系，不溶不熔，不便于再加工，而且包埋的选择性也非常低。
本发明涉及一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子，其分子尺寸、化学亲和性及分子形态可以根据需要自由调控。其可溶性给体系的再加工成形也提供了方便，被包埋的客体分子范围非常广泛，从而得以构筑多种功能材料。
与本发明相关的先期工作是关于含有机桥基的梯形聚硅氧烷的制备(CN 99109826.9)以及一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子(正在申请专利)，该有机硅管状高分子结构通式如下：其中
为连接两条梯形主链的桥基，其结构为以下18种：
为梯形主链本身所含有的有机桥基，其结构为以下13种：
本发明以由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子为主体分子，在其管腔内包埋具有声、光、电、磁或其它性能的小分子或高分子形成功能性超分子复合物。
本发明的管状高分子复合物分为两种类型，其中一种是包埋小分子或金属离子，其结构通式表示如下： 
代表管内腔包埋的客体小分子或金属离子另一种是包埋高分子，其结构通式表示如下： 
代表管内腔包埋的高分子
本发明的由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法是将客体分子包埋进管状高分子中形成超分子复合物。上述的包埋方式分为两种：原位包埋或置换包埋。客体分子为具有功能性的小分子或金属离子如：环己酮，四氢呋喃，N-(4-硝基苯基)-(1)-脯氨酸(NPP)，偶氮苯及其衍生物，富勒烯分子，西夫碱类液晶分子，对二甲胺基苯甲腈，反式茋分子，C60分子及其衍生物；碱金属离子，碱土金属离子，过渡金属离子如Pt(Ⅰ-Ⅳ)离子，稀土金属离子如Eu(Ⅲ)离子；或高分子如：聚乙二醇，聚乙烯醇，聚甲基氢硅氧烷，聚苯胺，聚吡咯，聚噻吩，聚酰亚胺及其衍生物，聚丙烯酸及其衍生物，含端羟基侧基的聚倍半硅氧烷等。
上述的原位包埋是按下列方式进行：将由一种含有机桥基的梯形聚硅氧烷，偶联剂分子及客体分子组成的三组分原料或由两种含有机桥基的梯形聚硅氧烷及偶联剂分子组成的三组分原料溶解于有机溶剂中，梯形聚硅氧烷与偶联剂分子的摩尔用量比及两种梯形聚硅氧烷之间的摩尔用量比为0.5～5，客体分子的用量为管状分子重量的1％～30％。再加入催化剂进行偶联反应，催化剂的用量为0.5～500ppm。在惰性气体保护下于20～140℃反应2～100小时形成管状聚合物，同时与此管状聚合物有良好分子识别性(即尺寸大小和化学亲和性)的客体分子被包埋进该管状聚合物内腔中形成了超分子复合物。
上述含有机桥基的梯形聚硅氧烷结构通式为：式中：n为10-105的整数，R为氢原子；酯基；烷基；取代烷基；烯基；取代烯基；炔基；取代炔基；芳基或取代芳基。式中
代表有机桥基，其结构为以下13种：
上述偶联剂分子包括以下14种：
上述有机溶剂包括：甲苯，二甲苯，乙二醇二甲醚，烯丙基聚醚，邻苯二甲酸二甲酯，四氢呋喃，1，4-二氧六环，环己酮，丙酮，醇类等溶剂或其混合溶剂等。
上述催化剂包括：铂的催化剂：H2PtCl6·6H2O，Cp2PtCl2，Pt与Vi-SiMe2OSiMe2-Vi(Karstedt′s催化剂)，以及Pt0-Ⅳ与烯类化合物的络合物，Pt2+的乙酰乙酸乙酯的丙酮混合物；钯的催化剂：(Ph3P)4pd，(Ph3P)2PdCl2，(PHCN)2PdCl2，铑的络合物：[RhCl(CO)2]，(Ph3P)2(CO)RhCl，(PhOP)3RhCl，(Et3P)2(CO)RhCl，以及这些金属的螯合物和金属胶体催化剂等。碱金属的氧化物、氢氧化物，醇钠，酚钠，有机碱金属(Zn，Al，B，等)，无机酸，强的有机酸，卤化物及其它金属(Ni，Fe，Sn，Cu，Cr，Co，Pt，Pd)，铝，碘，或胶体镍等。
上述置换包埋按下列方式进行：将由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子和客体分子溶解于有机溶剂中，客体分子用量为管状高分子重量的1％～200％，溶剂用量为1～50毫升每克管状分子。通过超声(超声频率为1kHz～200kHz)，加热(温度范围为20～200℃)或改变溶剂极性等方法将客体分子包埋进与其有更强分子识别性(即尺寸大小和化学亲和性)的管状高分子的内腔中。
上述有机溶剂包括：甲苯，二甲苯，乙二醇二甲醚，烯丙基聚醚，邻苯二甲酸二甲酯，四氢呋喃，1，4-二氧六环，环己酮，丙酮，醇类等溶剂或其混合溶剂等。
本发明得到多种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物。这些新型管状高分子复合物具有广阔的应用前景。根据其特殊结构及结构可调节性，可以构筑先进的功能性材料，如：生物传感器，超分子催化剂，超分子分离膜，新型纳米级光学材料和电子材料等。
本发明所得由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物可在多种有机溶剂中溶解，有利于进一步的加工处理。这些溶剂包括：甲苯，二甲苯，乙二醇二甲醚，烯丙基聚醚，邻苯二甲酸二甲酯，四氢呋喃，1，4-二氧六环，环己酮，丙酮，异丙醇，异丁醇等溶剂或其混合溶剂。
实施例实施例1：原位包埋聚乙烯醇
6毫克聚乙烯醇(MW～5000)置于schlenk瓶中，放入搅拌子，系统抽真空，充氩气，反复三次以上。在惰气保护下用注射器移取10毫升异丙醇注入反应瓶中，待聚乙烯醇充分溶解后，再依次加入1毫升-CH2=CHC6H4CH=CH2-桥基梯形聚乙烯基硅氧烷的甲苯溶液(浓度为68mg/mL)，0.1毫克Cp2PtCl2，1.2毫升HMM的THF溶液(浓度为0.04mL/mL)。控制温度在60～80℃反应24小时。产物用水和甲醇洗涤，红外光谱检测表明反应进行完全，DSC上聚乙烯醇的Tg峰消失且在H1-NMR谱上新增了聚乙烯醇的峰。这些结果表明聚乙烯醇已被包埋进管状高分子中。实施例2：原位包埋偶氮苯
在500毫升的三颈瓶中，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在惰气保护下，用注射器移取异丁醇溶剂300毫升，加-CH2OC6H4OCH2-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷的THF溶液(浓度为50毫克/毫升)50毫升，(Ph3P)4Pd催化剂4毫克，加入偶氮二苯0.1克，最后加入HMM的THF溶液11毫升(含量为1mL/10mL)。在60～70℃反应36～48小时。大部分溶剂挥发后用甲醇沉淀数次，沉淀物复溶与THF得到一透明均一的膜，红外光谱检测表明反应进行完全，DSC上二苯偶氮的熔点峰消失且在IR谱上新增了苯环的峰。这些结果表明二苯偶氮已被包埋进管状高分子中。实施例3：原位包埋聚乙二醇
10毫克聚乙二醇(MW～800)置于schlenk瓶中，放入搅拌子，系统抽真空，充氩气，反复三次以上。在惰气保护下用注射器移取10毫升THF注入反应瓶中，待聚乙二醇充分溶解后，再依次加入1毫升-C6H4OC6H4-桥基梯形聚乙烯基硅氧烷的甲苯溶液(浓度为78mg/mL)，0.1毫克Cp2PtCl2，1.2毫升HMM的THF溶液(浓度为0.04mL/mL)。控制温度在30～40℃反应36小时。产物用水和甲醇洗涤，红外光谱检测表明反应进行完全，在H1-NMR谱上新增了聚乙二醇的峰。并且峰被展宽且向高场偏移，表明聚乙二醇已被包埋进管状高分子中。实施例4：原位包埋N-(4-硝基苯基)-(1)脯氨酸(NPP)
在100毫升的三颈瓶中，首先加入50毫克NPP，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在惰气保护下，用注射器移取THF溶剂60毫升，加入-CH2C6H4OC6H4CH2-桥基梯形聚乙烯基硅氧烷的THF溶液(浓度为59毫克/毫升)10毫升，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入HMM的THF溶液2毫升(含量为1mL/10mL)。在40～50℃反应36～48小时。大部分溶剂挥发后，用甲醇沉淀并用甲醇洗涤数次，红外光谱检测表明反应进行完全，DSC上NPP的熔点峰消失且在IR谱上新增了苯环的峰。这些结果表明NPP已被包埋进管状高分子中。实施例5：原位包埋反式茋
在500毫升的三颈瓶中，首先加入50毫克反式茋，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在惰气保护下，用注射器移取THF溶剂60毫升，加入-CH2C6H4C(CH3)2C6H4CH2-桥基梯形聚乙烯基硅氧烷的THF溶液1毫升(浓度为80毫克/毫升)，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入-(CH2)5OCOC6H4OC6H4COO(CH2)5-桥基梯形聚氢基硅氧烷的THF溶液1毫升(浓度为107毫克/毫升)。在40～50℃反应36～48小时。产物除去溶剂后，用甲醇洗数次，干燥得到最终产物。在红外和氢核磁谱图上可以看到，出现了苯和双键的峰，用紫外光照射后再进行荧光测定，发现荧光并未消失。说明反式茋已被包埋于所形成的管状高分子中形成了超分子复合物。实施例6：原位包埋C60分子
在500毫升的三颈瓶中，加入2毫克C60分子，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在氩气保护下，用注射器移取THF溶剂100毫升，加入-CH=CH(CH2)2OC6H4O(CH2)2CH=CH-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷的THF溶液1毫升(浓度为100毫克/毫升)，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入-CH2(C6H4)3CH2-桥基梯形聚氢基硅氧烷的THF溶液1毫升(浓度为90毫克/毫升)。在40～50℃反应36～48小时。产物除去溶剂后，用甲醇洗数次，干燥得到最终产物。在13C核磁谱图中可以看到C60的特征峰，而且复合物的荧光光谱和纯C60的荧光光谱相比，峰变宽且变强。说明C60已被包埋进管状高分子中。实施例7：原位包埋希夫碱液晶分子对丁氧基苯甲烯-对十二氧基苯胺
(BBDA)
在100毫升的三颈瓶中，首先加入50毫克BBDA，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在惰气保护下，用注射器移取THF溶剂60毫升，加入-CH=CHCH2OCOC6H4OC6H4COOCH2CH=CH-桥基梯形聚乙烯基硅氧烷的THF溶液(浓度为100毫克/毫升)10毫升，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入HSi(CH3)2C6H4OC6H4(CH3)2SiH 0.6克。在40～50℃反应36～48小时。大部分溶剂挥发后，用甲醇沉淀并用甲醇洗涤数次，红外光谱检测表明反应进行完全，在DSC上BBDA液晶分子的熔点峰消失，在H1-NMR谱上出现了苯环的峰并被展宽，说明西夫碱型液晶分子被包埋进管状高分子中。实施例8：原位包埋希夫碱液晶分子对丁氧基苯甲烯-对辛氧基苯胺
(BBOA)
在100毫升的三颈瓶中，首先加入50毫克BBDA，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在惰气保护下，用注射器移取THF溶剂60毫升，加入-(CH2)2Si(CH3)2CH2C6H4CH2(CH3)2Si(CH2)2-桥基梯形聚氢基硅氧烷的THF溶液(浓度为100毫克/毫升)10毫升，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入CH2=CHSi(CH3)2O(CH3)2SiCH=CH2 0.5克。在40～50℃反应36～48小时。大部分溶剂挥发后，用甲醇沉淀并用甲醇洗涤数次，红外光带检测表明反应进行完全，在DSC上BBOA液晶分子的熔点峰消失，在H1-NMR谱上出现了苯环的峰并被展宽，说明西夫碱型液晶分子被包埋进管状高分子中。实施例9：原位包埋C60(OH)15-16分子
在500毫升的三颈瓶中，加入2毫克C60(OH)15-16分子，放入磁力搅拌子，抽真空，然后充氩气。反复操作三次。在氩气保护下，用注射器移取THF溶剂100毫升，加入-(CH2)3OCOC6H4COO(CH2)3-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷的THF溶液1毫升(浓度为100毫克/毫升)，Cp2PtCl2催化剂1毫克，最后加入-(CH2)3Si(CH3)2C6H4C(OH)2C6H4(CH3)2Si(CH2)3-桥基梯形聚氢基硅氧烷的THF溶液2毫升(浓度为58毫克/毫升)。在40～50℃反应36～48小时。产物除去溶剂后，用甲醇洗数次，干燥得到最终产物。在13C核磁谱图中可以看到C60(OH)15-16的特征峰，而且复合物的荧光光谱和纯C60(OH)15-16的荧光光谱相比，峰变宽且变强。说明C60(OH)15-16已被包埋进管状高分子中。实施例10：置换包埋环己酮
将干燥过的由-(CH2)3Si(CH3)2C6H4(CH3)2Si(CH2)3-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷和-(CH2)3Si(CH3)2C6H4OC6H4(CH3)2Si(CH2)3-桥基梯形聚氢基硅氧烷合成的固体有机硅管状高分子1克溶解在20毫升环己酮中，于室温超声2小、时，放置过夜。将环己酮挥发至近干，然后真空抽干。在H1-NMR谱上出现了环己酮的峰，和纯环己酮的峰相比，峰加宽了且向高场移动了约0.1ppm。此外，原本存在的溶剂THF峰变小了。这些结果表明，环己酮被包埋进管状高分子中。实施例11：置换包埋聚甲基氢硅氧烷
将干燥过的由-(CH2)2Si(CH3)2C6H4(CH3)2Si(CH2)2-桥基梯形聚-C6H4NH2侧基硅氧烷和-(CH2)2Si(CH3)2C6H4OC6H(CH3)2Si(CH2)2-桥基梯形聚-C6H4N2 +Cl-侧基硅氧烷合成的固体有机硅管状高分子1克溶解于20毫升氯仿中，加入约1毫升聚甲基氢硅氧烷，于室温超声2小时，放置过夜，加入甲醇沉淀出管状复合物。离心，倾去上层清液，固体沉淀物用甲醇洗涤三次，将溶剂挥发至干。所得固体复合物经测定，在红外吸收光谱上出现了Si-H的吸收峰，并有两个波数的红移，29Si-NMR上Si-H峰向低场方向移动约3～4ppm，GPC谱图中客体分子的峰消失。这些结果表明聚甲基氢硅氧烷已被包埋进有机硅管状高分子中形成了超分子复合物。实施例12：置换包埋聚苯胺
将干燥过的由-(CH2)2OCOC6H4COO(CH2)2-桥基梯形聚-C6H4OH侧基硅氧烷和-C6H4C6H4C6H4-桥基梯形聚-C6H4N=NC6H4N2 +Cl-侧基硅氧烷合成的固体有机硅管状高分子1克溶解在20毫升环己醇中，加入约100毫克聚苯胺，于室温超声2小时，放置过夜。将环己醇挥发至近干，然后真空抽干溶剂。用甲醇洗涤数次，在红外和H1-NMR谱上出现了聚苯胺的峰，紫外吸收光谱中聚苯胺的吸收峰有蓝移发生，说明聚苯胺被包埋进管状高分子中。实施例13：置换包埋Eu3+离子
将干燥过的由-C6H4OC6H4-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷和-(CH2)3C6H4C(CH3)2C6H4(CH2)3-桥基梯形聚氢基硅氧烷合成的固体有机硅管状高分子1克溶解于20毫升乙腈中，加入约4毫克Eu(NO3)3·6H2O，于50～60度加热24小时。冷却，取出2毫升溶液进行荧光测定，发现Eu3+离子的荧光基本消失，说明Eu3+离子被包埋进有机硅管状高分子中形成了超分子复合物。实施例14：置换包埋希夫碱液晶分子对丁氧基苯甲烯-对十二氧基苯胺
(BBDA)
将干燥过的由-CH2=CH(C6H4)2CH=CH2-桥基梯形聚丙烯基硅氧烷和HSi(CH3)2C6H4(CH3)2SiH偶联剂合成的固体有机硅管状高分子1克溶解在20毫升THF中，加入约50毫克BBDA，于室温超声2小时，接着加热10～20小时，冷却。用甲醇沉淀，沉淀物用甲醇洗涤数次，真空干燥。在DSC上西夫碱型液晶分子的熔点峰消失，在H1-NMR谱上出现了苯环的峰并被展宽，说明西夫碱型液晶分子被包埋进管状高分子中。实施例15：置换包埋聚丙烯酸
将干燥过的由-CH2(C6H4)3CH2-桥基梯形聚氢基硅氧烷和CH2=CHSiC6H4SiCH=CH2偶联剂合成的固体有机硅管状高分子1克溶解于20毫升THF中，加入约100毫克聚丙烯酸，于室温超声2小时，放置过夜，加入甲醇沉淀出管状复合物。离心，倾去上层清液，固体沉淀物用甲醇洗涤三次，再用水洗数次，真空干燥。所得固体复合物经测定，在红外吸收光谱上出现了羰基的强吸收峰，并有五个波数的红移，13C-NMR上-COOH峰向低场方向移动约2～3ppm，说明聚丙烯酸已被包埋进有机硅管状高分子中形成了超分子复合物。
Claims (12)
1、一种由含有机桥基的梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物及其制备方法，其特征在于所述的管状高分子复合物的主体分子是由含有机桥基的梯形聚硅氧烷构成的管状高分子，管腔内包埋的客体分子为小分子、金属离子或高分子，其复合物结构式分别为： 
代表管内腔包埋的客体小分子或金属离子 代表管内腔包埋的高分子
2、根据权利要求1所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物，其特征在于所述的小分子为：环己酮，四氢呋喃，N-(4-硝基苯基)-(1)-脯氨酸(NPP)，偶氮苯及其衍生物，富勒烯分子，西夫碱类液晶分子，对二甲胺基苯甲腈，反式茋分子，C60分子及其衍生物等。
3、根据权利要求1所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物，其特征在于所述的金属离子为：碱金属离子，碱土金属离子，过渡金属离子如Pt(Ⅰ-Ⅳ)离子，稀土金属离子如Eu(Ⅲ)离子等。
4、根据权利要求1所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物，其特征在于所述的高分子为：聚乙二醇，聚乙烯醇，聚甲基氢硅氧烷，聚苯胺，聚吡咯，聚噻吩，聚酰亚胺及其衍生物，聚丙烯酸及其衍生物，含端羟基侧基的聚倍半硅氧烷等。
5、根据权利要求1所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于是将客体分子以原位包埋或置换包埋的方式埋入有机硅管状高分子中。
6、根据权利要求5所述的原位包埋方式，其特征在于是按下列顺序步骤进行：将由一种含有机桥基的梯形聚硅氧烷，偶联剂分子及客体分子组成的三组分原料或由两种含有机桥基的梯形聚硅氧烷及偶联剂分子组成的三组分原料溶解于有机溶剂中，梯形聚硅氧烷与偶联剂分子的摩尔用量比及两种梯形聚硅氧烷之间的摩尔用量比为0.5～5，客体分子的用量为管状分子重量的1％～30％。再加入催化剂进行偶联反应，催化剂的用量为0.5～500ppm。在惰性气体保护下于20～140℃反应2～100小时形成管状聚合物，同时与此管状聚合物有良好分子识别性(即尺寸大小和化学亲和性)的客体分子被包埋进该管状聚合物内腔中形成了超分子复合物。
7、根据权利要求6所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于所述的含有机桥基的梯形聚硅氧烷结构通式为：
式中：n为10-105的整数，R为氢原子；酯基；烷基；取代烷基；烯基；取代烯基；炔基；取代炔基；芳基或取代芳基。式中
代表有机桥基，其结构为以下13种：
8、根据权利要求6所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于所述的偶联剂分子包括以下14种：
9、根据权利要求6所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于所述的有机溶剂包括：甲苯，二甲苯，乙二醇二甲醚，烯丙基聚醚，邻苯二甲酸二甲酯，四氢呋喃，1，4-二氧六环，环己酮，丙酮，醇类等溶剂或其混合溶剂等。
10、根据权利要求6所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于所述的催化剂包括：铂的催化剂：H2PtCl6·6H2O，Cp2PtCl2，Pt与Vi-SiMe2O SiMe2-Vi(Karstedt＇s催化剂)，以及pt0-Ⅳ与烯类化合物的络合物，Pt2+的乙酰乙酸乙酯的丙酮混合物；钯的催化剂：(Ph3P)4Pd，(Ph3P)2PdCl2，(PHCN)2PdCl2；铑的络合物：[RhCl(CO)2]，(Ph3P)2(CO)RhCl，(PhOP)3RhCl，(Et3P)2(CO)RhCl，以及这些金属的螯合物和金属胶体催化剂等。碱金属的氧化物、氢氧化物，醇钠，酚钠，有机碱金属(Zn，Al，B，等)，无机酸，强的有机酸，卤化物及其它金属(Ni，Fe，Sn，Cu，Cr，Co，Pt，Pd)，铝，碘，或胶体镍等。
11、根据权利要求5所述的置换包埋方式，其特征在于是按下列顺序步骤进行：将由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子和客体分子溶解于有机溶剂中，客体分子用量为管状高分子重量的1％～200％，溶剂用量为1～50毫升每克管状分子。通过超声(超声频率为1kHz～200kHz)，加热(温度范围为20～200℃)或改变溶剂极性等方法将客体分子包埋进与其有更强分子识别性(即尺寸大小和化学亲和性)的管状高分子的内腔中。
12、根据权利要求11所述的一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物的制备方法，其特征在于所述的有机溶剂包括：甲苯，二甲苯，乙二醇二甲醚，烯丙基聚醚，邻苯二甲酸二甲酯，四氢呋喃，1，4-二氧六环，环己酮，丙酮，醇类等溶剂或其混合溶剂等。
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| CN 99111453 Pending CN1284513A (zh) | 1999-07-16 | 1999-08-16 | 一种由有机桥基梯形聚硅氧烷构成的管状高分子复合物及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1284513A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103044481A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-17 | 河北工业大学 | 一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料 |
| CN108129664A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 无锡创彩光学材料有限公司 | 含氨基梯形结构有机硅氧烷改性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| CN109306242A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 财团法人工业技术研究院 | 隔热涂料与隔热多孔膜及其形成方法 |
-
1999
- 1999-08-16 CN CN 99111453 patent/CN1284513A/zh active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103044481A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-17 | 河北工业大学 | 一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料 |
| CN103044481B (zh) * | 2013-01-11 | 2016-03-02 | 河北工业大学 | 一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料 |
| CN109306242A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 财团法人工业技术研究院 | 隔热涂料与隔热多孔膜及其形成方法 |
| CN109306242B (zh) * | 2017-07-28 | 2020-10-30 | 财团法人工业技术研究院 | 隔热涂料与隔热多孔膜及其形成方法 |
| CN108129664A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 无锡创彩光学材料有限公司 | 含氨基梯形结构有机硅氧烷改性聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
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