CN1272776C - 光学记录方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录。该写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有至少一种类型的向上脉冲。如果所述向上脉冲的宽度太窄,以至于无法获得该向上脉冲的峰值强度对应的激光束强度,就增大该向上脉冲的峰值强度,使得在所述激光束中,获得它应当具有的光束强度或者接近于该强度的一个数值。因而,即使以高传送速率记录时,也能获得良好的记录和回放特征。
Description
技术领域
本发明涉及一种方法,以高传送速率在光学记录介质上记录信息。
背景技术
近年来,能够以高密度记录、同时也能够擦除已记录信息并重写的光学记录介质,正在引起注意。在可重写的光学存储介质中,相变技术包括在记录时以激光束照射该介质,以改变记录层的晶体状态,在回放时,探测与这种状态改变相伴的记录层的结晶状态改变。相变型光学记录介质引起注意,是因为这种驱动器的光学系统比磁光盘记录介质的系统更简单。
在相变型光学记录介质上记录信息时,以一束高功率(写入功率)的激光照射记录层,直到它高于其熔点。在施加写入功率的部位,一旦记录层熔化,它迅速冷却以形成一个非晶体写入标记。相反,擦除写入标记时,以一束相对低功率(擦除功率)的激光照射记录层,使它加热到高于其结晶温度但是低于熔化温度。施加擦除功率时,记录标记加热到高于它们的结晶温度,然后逐渐冷却,所以它们返回结晶状态。因此,利用相变型光学记录介质,通过调制同一激光束的强度,可能实现重写。
在相变型光学记录介质上记录时,不是对应于记录标记的长度,以激光束进行CD照射,如同未经审查的JP-A-9-7176号(公开号)日本专利申请的资料中的叙述,典型情况下是以一个脉冲序列进行照射,以便控制记录标记的形状。这个脉冲序列的特定结构称为写入波形。
近年来,由于视频记录等方面的需要,对于以高传送速率在光学记录介质上记录信息的需求在增长。传送速率越高,记录信号的频率就变得越高。而且,将激光束调制成脉冲序列并照射时,组成脉冲序列的各个脉冲的时间宽度变得极为短暂。
另一方面,从施加驱动电流开始直到激光二极管的光束强度达到该电流值对应的强度,激光二极管要花费一定量的时间,而且向激光二极管提供驱动电流的激光驱动电路,也要花费一定量的时间才能使驱动电流上升到规定的数值。所以,即使为了提高传送速率而试图使用一个极为短暂的激光束脉冲波形,每个脉冲对应的激光束强度也会在达到记录功率之前衰减。换句话说,无法获得与写入波形严格一致的激光束发射。结果,记录层的加热不足,使得记录标记的形状可能会扭曲或者太小,结果可能会使回放信号中的抖动变大或者回放振幅变低。
发明内容
所以本发明的一个目标是解决以高传送速率在光学记录介质上记录时出现的问题。
本发明的另一个目标是提供一种光学记录方法,它能够准确地实现所需的写入波形。
通过本发明以下的方面(1)-(6),实现了上述目标。
(1)一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于:
所述写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有至少一种类型的向上脉冲,以及
如果所述向上脉冲的宽度太窄,以至于无法获得该向上脉冲的峰值强度对应的激光束强度,就增大该向上脉冲的峰值强度,使得在所述激光束中,获得它应当具有的光束强度或者接近于该强度的一个数值。
(2)一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于:
所述写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有至少一种类型的向上脉冲,
所述激光束的一段上升时间定义为TR,而且所述向上脉冲的一段时间宽度定义为TUP,以及
如果在所述写入波形中,存在着两种脉冲——TUP≤kTR(其中k=1.5)的一种向上脉冲和TUP>kTR的一种向上脉冲——中至少一种类型,那么TUP≤kTR的向上脉冲的峰值强度就增大到高于TUP>kTR的向上脉冲的峰值强度。
(3)按照以上(2)的一种光学记录方法,其特征在于,如果在所述写入波形中存在至少两种类型的向上脉冲,其中TUP≤kTR并具有不同的TUP,这些向上脉冲就按照其TUP的长度划分为至少两组,使得每一组都包含至少一种类型的向上脉冲,使每一组中向上脉冲的峰值强度相同,使包含相对较短TUP向上脉冲的组中的峰值强度,大于包含相对较长TUP向上脉冲的组中的峰值强度。
(4)按照以上(2)的一种光学记录方法,其特征在于,如果在所述写入波形中存在至少两种类型的向上脉冲,其中TUP≤kTR并具有不同的TUP,就在所有这些向上脉冲中使峰值强度相同。
(5)一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于:
所述写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有至少一种类型的向上脉冲,
所述激光束的一段上升时间定义为TR,而且所述向上脉冲的一段时间宽度定义为TUP,以及
如果在所述写入波形中,存在着TUP≤kTR(其中k=1.5)的向上脉冲,那么就增大这些向上脉冲的峰值强度,使得在所述激光束中,获得它应当具有的光束强度或者接近于该强度的一个数值。
(6)一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于:
所述写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有至少一种类型的向上脉冲,
所述激光束的一段上升时间定义为TR,而且所述向上脉冲的一段时间宽度定义为TUP,以及
如果所述写入波形中包含的所有向上脉冲都是TUP≤kTR(其中k=1.5),这些向上脉冲就按照其TUP的长度划分为至少两组,使得每一组都包含至少一种类型的向上脉冲,使每一组中向上脉冲的峰值强度相同,使包含相对较短TUP向上脉冲的组中的峰值强度,大于包含相对较长TUP向上脉冲的组中的峰值强度。
通过一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于,根据各自的脉冲宽度,设置所述写入波形中包含之向上脉冲的峰值,这样也实现了本发明的上述目标。
通过一种光学记录方法,它用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于,如果所述写入波形中包含之第一向上脉冲的脉冲宽度短于所述写入波形中包含之第二向上脉冲的脉冲宽度,就将所述第一向上脉冲的峰值设置得高于所述第二向上脉冲的峰值,这样也实现了本发明的上述目标。
通过一种光学记录方法,它根据包括一个最高脉冲、最后脉冲和多个脉冲的写入波形,调制激光束的强度,用该激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于,所述多个脉冲的峰值设置得高于所述最高脉冲的峰值,这样也实现了本发明的上述目标。
在本发明的一个优选实施例中,所述多个脉冲的脉冲宽度短于所述最高脉冲的脉冲宽度。
在本发明的一个更加优选的实施例中,所述最高脉冲的峰值等于所述最后脉冲的峰值。
附图简要说明
图1是一幅示意性框图,显示了照射光学记录介质之激光束的产生路径。
图2是光学记录介质10的一种实例结构的剖面图。
图3是一幅波形图,显示了采用EFM加(8-16)调制码的情况下,一个5T信号及其写入波形。
图4是使用(1,7)RLL调制码记录数据情况下的写入波形图,其中(a)为形成一个2T信号情况下的写入波形,(b)为形成一个3T信号情况下的写入波形,(c)为形成一个4T信号情况下的写入波形,(d)为形成一个5T至8T信号情况下的写入波形。
图5用于说明不进行按照本发明之补偿情况下出现的问题,其中(a)和(b)分别为通过(1,7)RLL调制码形成一个5T信号的情况下,写入波形和发光波形的示意性波形图。
图6是一幅波形图,示意性地显示了发光波形。
图7用于说明按照本发明补偿的效果,其中(a)和(b)分别为通过(1,7)RLL调制码形成一个5T信号的情况下,写入波形和发光波形的示意性波形图。
图8是一幅波形图,显示了表1的第一种情况下激光束强度的时域变化。
图9是一幅波形图,显示了表1的第三种情况下激光束强度的时域变化。
图10是一幅波形图,显示了表1的第四种情况下激光束强度的时域变化。
具体实施方式
现在将参考附图,讲解本发明的优选实施例。
图1是一幅示意性框图,显示了照射光学记录介质之激光束的产生路径。
如图1所示,使用一个控制器21、激光驱动电路22和激光二极管23,产生激光束20,并且通过一个光学系统24,以产生的激光束20照射光学记录介质10。控制器24是一个电路,它产生激光束20波形的原始信号21a,这个原始信号21a提供给激光驱动电路22。在本说明书中,激光束20的波形称为“发光波形”,而原始信号21a的电流波形称为“写入波形”。激光驱动电路22是一个电路,它接收原始信号21a,并且根据该信号产生一个驱动信号22a。驱动信号22a的电流波形对应于控制器21提供的原始信号21a的写入波形,但是在激光驱动电路22的驱动操作中存在着一个规定的延迟量,所以相对于写入波形出现了一个微小的延迟量。在本说明书中,驱动信号22a的电流波形称为“驱动电流波形”。激光二极管23是一个二极管,它接收这个驱动信号22a,并且根据该信号产生激光束20。虽然没有特别的限制,优选情况下是使用一种半导体激光。
图2是光学记录介质10的一种实例结构的剖面图。
图2所示实例中的光学记录介质10包括一层基底11、基底11上配备的一个反射层12、第二绝缘层13上配备的记录层14、记录层14上配备的第一绝缘层15、第一绝缘层15上配备的透明覆盖层16以及光学记录介质中心部位配备的孔17。光学记录介质10具有这样一种结构之后,从透明覆盖层16一侧以激光束照射,即可进行数据的记录/回放。
基底11的作用是作为一种基底,它保持了光学记录介质10所需的机械强度,而且优选情况下它的厚度设置为大约1.2mm。此外,对基底11的材料没有特别的限制,但是能够使用聚碳酸脂。
反射层12的作用是反射从透明覆盖层16一侧入射的激光束20,而且优选情况下它的厚度设置在10-300nm的范围内。对反射层12的材料没有特别的限制,但是优选情况下使用以银为主要成分的一种合金。
第二绝缘层13的作用主要是保护其上形成的记录层14,而且优选情况下它的厚度设置在2-50nm的范围内。对第二绝缘层13的材料没有特别的限制,能够使用如Al2O3、ZnS+SiO2、CeO2、Y2O3、AlN等材料。
记录层14包括相变材料,在其中通过采用它在结晶状态下的反射系数和它在非晶体状态下的反射系数之间的差异,进行数据记录。
为了使记录层14从结晶状态改变到非晶体状态,从透明覆盖层16入射的激光束20给予一个脉冲波形,其振幅从写入功率(Pw)至最低功率(Pbo),因此使记录层14加热到高于其熔点,然后激光束20的强度设置为最低功率(Pbo)以便快速冷却。因而,由写入功率(Pw)熔化的区域就改变为非晶体状态,这就变成一个写入标记。相反,为了使记录层14从非晶体状态改变到结晶状态,从透明覆盖层16入射的激光束20设置为擦除功率(Pbi),因此使记录层14加热到高于其结晶温度。因而,由擦除功率(Pbi)加热到高于其结晶温度的区域,由于激光束20随后离开而逐渐冷却,这个区域就变为结晶状态。
这里写入功率Pw、擦除功率Pbi和最低功率Pbo之间的关系设定如下:
Pw>Pbi≥Pbo
所以,以这种方式调制激光束20的功率时,不仅有可能在记录层14的未记录区域中形成写入标记,而且可能在已经形成了写入标记的区域,利用不同的写入标记直接重写。下面要详细介绍这一点,但是为了以这种方式调制激光束20的功率,只须将控制器21产生的原始信号21a的电流波形(写入波形),调制到一种相应的强度。
虽然对于记录层14所用的特定材料没有特别的限制,优选情况下是使用AgInSbTeGe或者其它SbTe共晶材料。此外,优选情况下记录层14的厚度设置为5-30nm。
如同第二绝缘层13,第一绝缘层15的作用主要是作为记录层14的保护层,而且优选情况下它的厚度设置在10-300nm的范围内。对第一绝缘层15的材料没有特别的限制,能够使用如ZnS+SiO2等材料。
透明覆盖层16构成激光束20的入射表面,优选情况下它的厚度设置为10-300μm,在特别优选情况下设置为50-150μm。对透明覆盖层16的材料没有特别的限制,但是优选情况下是使用紫外线固化的树脂。
如上所述,利用本发明进行的数据记录,是根据写入波形调制激光束20的强度,并且照射具有这样一种结构的光学记录介质10。
将数据记录在光学记录介质10上,是通过激光束20的照射形成许多写入标记,从它们的起点至它们的终点的长度,连同从终点至下一个写入标记的起点的距离,就形成了数据。如果采用EFM加(8-16)调制码(也称为“8-16调制”),每个写入标记的长度和写入标记之间的距离(边缘至边缘),设置为对应于3T-11T和14T的长度之一(其中T为时钟周期)。如果采用(1,7)RLL调制码(也称为“1-7调制”),它们设置为对应于2T-8T的长度之一。
图3显示了写入波形的一个实例。注意,在本说明书中,写入波形表示调制激光束20的强度之原始信号21a的电流波形。图3显示了采用EFM加(8-16)调制码的情况下,NRZI信号的一个5T信号以及这个5T信号对应的写入波形。
图3所示的写入波形具有一个写入脉冲块和一个DC块,前者形成这个5T信号对应的一个写入标记,后者连接相邻的写入脉冲块。DC块用于在可重写的记录系统中擦除写入标记。在图3中,Iw是原始信号21a的写入电流,Ibi是原始信号21a的偏置电流,Ibo是原始信号21a的最低电流。写入脉冲块具有一种结构,其中重复着向上脉冲(强度Iw)和随后向下脉冲(强度Ibo)的组合,总体上它包括从Ibi的上升和返回Ibi。在图3的写入波形中,所有向下脉冲的电平(最低电流Ibo)都设置得低于偏置电流Ibi。注意,如果原始信号21a的电平为写入电流Iw,激光二极管23产生的激光束20的功率就变为写入功率Pbi,而如果原始信号21a的电平为最低电流Ibo,激光二极管23产生的激光束20的功率就变为写入功率Pbo。不过,虽然要在下面介绍这一点,但是在激光束20的产生路径上,存在着具有规定延迟量的激光驱动电路22和激光二极管23,所以原始信号21a的写入波形不会严格地符合激光束20的发光波形。
在图3中,Ttop为第一向上脉冲(也称为最高脉冲)的时间宽度,Tmp为夹在第一向上脉冲和最后向上脉冲之间的向上脉冲(也称为多个脉冲)的时间宽度,Tlp为最终向上脉冲(也称为最后脉冲)的时间宽度。表示这些脉冲宽度的数值,是根据参考时钟宽度(1T)归一化的数值,确定特定的数值时考虑了多种条件,比如记录的线速度,但是Ttop、Tmp和Tlp难得都满足,典型情况下,Ttop、Tmp和Tlp之一的宽度设置为短于剩余的脉冲宽度。换句话说,典型情况下存在着长短混合的向上脉冲宽度。
此外,记录的线速度越高,使用简单写入波形来形成写入标记就变得越困难,考虑到这一点,有些情况下需要在长脉冲宽度的向上脉冲和短脉冲宽度的向上脉冲之间,设置一个大的脉冲宽度差异。
图3所示的写入脉冲块包括三种类型的向上脉冲,其脉冲宽度不同。注意,在长度短的信号对应的写入脉冲块中,向上脉冲的数目可以为1或2。
图4是使用(1,7)RLL调制码在光学记录介质10上记录数据情况下的写入波形图,其中(a)为形成一个2T信号情况下的写入波形,(b)为形成一个3T信号情况下的写入波形,(c)为形成一个4T信号情况下的写入波形,(d)为形成一个5T至8T信号情况下的写入波形。
如图4(a)-图4(d)所示,在这个优选实施例中,也是在使用(1,7)RLL调制码记录数据的情况下,原始信号21a的电流波形(写入波形)调制为三种强度(三个数值),包括写入电流(Iw)、偏置电流(Ibi)和最低电流(Ibo)。写入电流(Iw)的强度设置为一个高级别,使得根据它产生的激光束20(Pw)的照射,会使记录层中包含的相变材料熔化。此外,偏置电流(Ibi)的强度设置为一个级别,使得根据它产生的激光束20(Pbi)的照射,会使记录层中包含的相变材料达到的温度高于结晶温度。另外,最低电流(Ibo)的强度设置为一个低级别,使得根据它产生的激光束20(Pbo)的照射,会使熔化的相变材料冷却。
首先,如图4(a)所示,如果要在光学记录介质10上形成一个2T信号,写入波形中的向上脉冲的数目就设置为“1”,然后插入一个冷却脉冲。“向上脉冲的数目”定义为原始信号21a的电流上升到写入电流(Iw)的次数。在本说明书中,在写入波形中的向上脉冲中,第一脉冲称为最高脉冲,最终脉冲称为最后脉冲,在最高脉冲和最后脉冲之间的脉冲称为多个脉冲,但是如图4(a)所示,如果向上脉冲的数目为“1”,那么所说的脉冲就是第一脉冲。
所以,形成一个2T信号时,原始信号21a的电流为:在计时t11之前设置为偏置电流(Ibi),从计时t11至计时t12的阶段(Ttop)中设置为写入电流(Iw),从计时t12至计时t13的阶段(Tcl)中设置为最低电流(Ibo),在计时t13之后设置为偏置电流(Ibi)。
此外,如图4(b)所示,如果要在光学记录介质10上形成一个3T信号,写入波形中的向上脉冲的数目就设置为“2”,然后插入一个冷却脉冲。如图4(b)所示,如果向上脉冲的数目为“2”,那么这些脉冲是最高脉冲和最后脉冲。
所以,形成一个3T信号时,原始信号21a的电流为:在计时t21之前设置为偏置电流(Ibi),从计时t21至计时t22的阶段(Ttop)中和从计时t23至计时t24的阶段(Tlp)中设置为写入电流(Iw),从计时t22至计时t23的阶段(Toff)中和从计时t24至计时t25的阶段(Tcl)中设置为最低电流(Ibo),在计时t25之后设置为偏置电流(Ibi)。
此外,如图4(c)所示,如果要在光学记录介质10上形成一个4T信号,写入波形中的向上脉冲的数目就设置为“3”,然后插入一个冷却脉冲。所以,形成一个4T信号时,原始信号21a的电流为:在计时t31之前设置为偏置电流(Ibi),从计时t31至计时t32的阶段(Ttop)中、从计时t33至计时t34的阶段(Tmp)中和从计时t35至计时t36的阶段(Tlp)中设置为写入电流(Iw),从计时t32至计时t33的阶段(Toff)中、从计时t34至计时t35的阶段(Toff)中和从计时t36至计时t37的阶段(Tcl)中设置为最低电流(Ibo),在计时t37之后设置为偏置电流(Ibi)。
此外,如图4(d)所示,如果要在光学记录介质10上形成一个5T信号至8T信号,写入波形中的向上脉冲的数目就设置为“4”至“7”,然后插入一个冷却脉冲。所以,形成一个5T信号至8T信号时,多个脉冲的数目分别设置为“2”至“5”。也是在这种情况下,原始信号21a的电流为:在Ttop阶段(从计时t41至计时t42的阶段)中、在Tmp阶段(从计时t43至计时t44的阶段、从计时t45至计时t46的阶段等)中和在Tlp阶段(从计时t47至计时t48的阶段)中设置为写入电流(Iw),在关断阶段Toff(从计时t42至计时t43的阶段、从计时t46至计时t47的阶段等)中和在冷却阶段Tcl(从计时t48至计时t49的阶段)中设置为最低电流(Ibo),在其它阶段期间设置为偏置电流(Ibi)。
注意,确定Ttop、Tmp和Tlp的特定数值时考虑了多种条件,比如记录的线速度,但是如上所述,典型情况下,Ttop、Tmp和Tlp之一的脉冲宽度设置为短于剩余的脉冲宽度。此外,记录的线速度变得越高,有些情况下需要在长脉冲宽度的向上脉冲和短脉冲宽度的向上脉冲之间,设置一个大的脉冲宽度差异。例如,在图4所示的写入波形中,如果记录的线速度是6.5m/s,那么设置如下:
Ttop=0.5Tw
Tmp=0.4Tw
Tlp=0.5Tw
如果记录的线速度是14.6m/s,那么设置如下:
Ttop=0.5Tw
Tmp=0.35Tw
Tlp=0.5Tw
具有如上所述写入波形的一个原始信号21a,提供给如上所述的激光驱动电路22,激光驱动电路22根据它产生驱动信号22a。此外,激光二极管23根据驱动信号22a,产生激光束20,并且通过光学系统24,照射光学记录介质10。
利用以上方式,在要形成写入信号(2T信号-8T信号)的区域中,根据写入电流(Iw)确定强度(Pw)之激光束20的照射而熔化的相变材料,由冷却脉冲冷却,并且呈现为非晶体状态。相反,在其它区域中,根据偏置电流(Ibi)确定强度(Pbi)之激光束20照射的相变材料,加热至高于结晶温度并且由激光束20随后离开而逐渐冷却,呈现为结晶状态。
如上所述,激光驱动电路22产生的驱动信号22a,其驱动电流波形基本上对应于原始信号21a的写入波形,但是在激光驱动电路22的驱动操作中,存在着规定的延迟,所以对于写入波形出现了一定的延迟量。此外,在激光二极管23的发光操作中,也存在着小的延迟量,所以实际的发光波形对于驱动电流波形也有一个小的延迟量。由于这个原因,如果为了提高传送速率而把写入波形的向上脉冲宽度设置为极为短暂,那么短宽度向上脉冲对应的激光束20在达到记录功率之前就衰减了。由于这个原因,无法获得严格符合写入波形的激光束20。图5显示了这种现象。
图5(a)和图5(b)分别为由(1,7)RLL调制码形成一个5T信号的情况下,写入波形和发光波形的示意性波形图。
如图5(a)和图5(b)所示,发光波形基本上对应于写入波形,但是因为激光驱动电路22和激光二极管23延迟的效应(主要是激光驱动电路22的延迟),发光波形变为带有一种规定斜坡的波形。由于这个原因,如图5(a)所示,如果在写入波形中Tmp比Ttop和Tlp短,取决于记录的线速度,如图5(b)所示,发光波形之内的多个脉冲对应的部分在达到峰值功率(Pw)之前就衰减了。如果发光波形内的峰值强度以这种方式降低,记录层的加热就变得不足。
为了补偿发光波形中达到峰值之前的这种衰减,在本发明中,写入波形中规定向上脉冲的强度增大了。如果写入波形中向上脉冲的强度增大,激光束20上升的角度变得更陡,所以上升能够达到所需的峰值强度。因而,有可能补偿发光波形中峰值强度的下降。因而,能够使发光波形中多种脉冲的强度达到其给定值(它们应当具有的峰值)或者与其接近的数值,所以记录和回放特征能够达到与低传送速率的情况相同。
在本发明中,优选情况下,按以下方式控制写入波形中向上脉冲的强度。
令TR为记录所用的激光驱动电路22和激光二极管23的总体上升时间。令TUP为向上脉冲(如图3-5中的Ttop、Tmp和Tlp)的时间宽度。如果在写入脉冲块中存在着TUP≤kTR的向上脉冲,那么就依据本发明控制向上脉冲的强度。常数k绝不大于1.5,优选情况下是1.2,更优选情况下是1.0。
下面说明激光驱动电路22和激光二极管23的总体上升时间和下降时间。图6是一幅波形图,示意性地显示了一个激光二极管23的发光波形,它的驱动是根据一个具有单一矩形向上脉冲的写入波形。本说明书中的“上升时间”定义为,当激光驱动电路22向激光二极管23施加电流时,从光束强度变为峰值(图6中的P)的10%之时,直到光束强度变为峰值的90%之时的时间。相反,“下降时间”定义为,当激光驱动电路22向激光二极管23提供电流停止(降低)时,从光束强度变为峰值的90%之时,直到光束强度变为峰值的10%之时的时间。典型情况下,上升时间变得长于下降时间。此外,上述的上升时间和下降时间主要是由于激光驱动电路22的延迟,所以激光驱动电路22的驱动电流波形粗略地符合图6所示的发光波形。
依据本发明控制峰值强度,是在激光二极管23发射TUP≤kTR的向上脉冲对应的光束时,通过把TUP≤kTR的向上脉冲的强度(写入电流Iw)增大到高于TUP>kTR的向上脉冲的强度而进行的。换句话说,通过使TUP≤kTR的写入波形向上脉冲的强度更高,补偿了发光波形峰值强度的降低。以下参考附图,说明依据本发明补偿的效果。
图7用于说明按照本发明补偿的效果,其中(a)和(b)分别为通过(1,7)RLL调制码形成一个5T信号的情况下,写入波形和发光波形的示意性波形图。注意,这幅图可以与以上图5中的图相比。
如图7(a)所示,在这个实例中,写入波形中Tmp的短于Ttop和Tlp,所以Tmp对应之脉冲的强度设置得高于Ttop和Tlp对应之脉冲的强度。换句话说,Tmp对应的写入电流Iw’与Ttop和Tlp对应的写入电流Iw之间的关系设置为:
Iw’>Iw
因而,如图7(b)所示,发光波形之内的多个脉冲对应的部分也达到了峰值(Pw),所以记录层能够得到充分的加热。
在本发明中,如果写入波形中存在着至少两种向上脉冲,其中TUP≤kTR并具有一种不同的TUP,优选情况下这些向上脉冲就按照其各自TUP的长度,划分为至少两组。在这种情况下,如果向上脉冲中每个属于一组,就能够按照每个脉冲的宽度,分别控制每个脉冲的峰值强度。确切地说,TUP越短,发光波形中的峰值就变得越低,所以一个向上脉冲的TUP越短,峰值强度就变得越大。因而,能够使发光波形中多种脉冲的强度达到其给定值(它们应当具有的峰值)或者与其接近的数值。
不过,在不同脉冲宽度的种类相对较多的情况下,为了分别控制每种脉冲宽度的脉冲强度,就需要复杂的控制,所以控制器21的负担变大。相反,如果时间宽度之间差异不大的多个向上脉冲属于上述组中的至少一组,就减少了受控组的数目,从而简化了控制。在这种情况下,给予每一组中的向上脉冲相同的峰值强度,使包含相对较短TUP向上脉冲之组的峰值强度大于包含相对较长TUP向上脉冲之组的峰值强度。因而,能够使发光波形中多种脉冲的强度达到其给定值(它们应当具有的峰值强度)或者与其接近的数值。
注意,在发光波形中,即使所有脉冲并不呈现它们应有的峰值强度,只要它们比应有的峰值强度略微小一点或者略微大一点,还是能够实现改善记录和回放特征的效果。
此外,为了进一步简化控制,只须对于所有TUP≤kTR的向上脉冲使用相同的峰值强度。在这种情况下,使峰值强度大于TUP>kTR的向上脉冲的峰值强度。
另外,本发明不仅应用于TUP≤kTR的向上脉冲和TUP>kTR的向上脉冲都存在的情况,也应用于所有向上脉冲都具有TUP≤kTR的情况。
利用本发明,不需要发光波形中的所有向上脉冲都具有相同的峰值强度。在优化写入波形时,可以为每个脉冲设定不同的峰值强度。如果本发明应用于使用这样一种写入波形的情况下,只须控制写入波形,使得发光波形之内的每个脉冲的峰值强度变为给定值。换句话说,只须按照写入波形规定脉冲中的脉冲宽度TUP,增大峰值强度,使得发光波形中多种脉冲的强度能够达到其给定值(它们应当具有的峰值强度)或者与其接近的数值。
注意,如果TUP变得极为短暂,即使增大写入电流Iw,也难以完全补偿峰值的降低。因此,为了获得本发明的显著效果,优选情况下应当在以下关系成立时应用本发明:
0.1≤TUP/TR,或者更优选情况下,
0.2≤TUP/TR,或者进一步更优选情况下,
0.3≤TUP/TR。
本发明可以没有特别限制地应用于光学记录介质,如相变型光学记录介质和磁光记录介质等,其中利用激光束照射进行记录,而且激光束照射强度的变化影响其记录和回放特征。
实例
一种实例光学记录盘的制作,是通过准备一片盘状的聚碳酸脂基底,直径为120mm,厚度为1.2mm,带有注入成型时同时形成的沟槽,由以下给出的过程在它的表面形成反射层、第二绝缘层、记录层、第一绝缘层和透明覆盖层。
反射层的厚度为100nm,是在氩(Ar)气环境中作为靶使用Ag98Pd1Cu1喷镀而形成的。第二绝缘层的厚度为20nm,是在Ar气环境中作为靶使用Al2O3喷镀而形成的。记录层的厚度为12nm,是在Ar气环境中喷镀而形成的。以原子比例,记录层的成分为:
Ag0.5In0.5Sb76Te17Ge6
第一绝缘层的厚度为130nm,是在Ar气环境中作为靶使用ZnS(85mol%)-SiO2喷镀而形成的。透明覆盖层的厚度为100μm,是通过旋涂紫外线固化树脂和紫外线光束照射而固化形成的。
由此制作的实例盘,由一种大块擦除器进行初始化,然后安置在一种光学记录介质评价装备上(波长:405nm,孔径比NA=0.85),然后使用一个(1,7)RLL调制信号进行记录。表1显示了这种评价装备中发现的上升时间TR和下降时间TF。注意,由以下过程测量TR和TF。激光二极管的光输出由一个O/E转换器转换为一个电压,并且显示在一台示波器上。该输出从10%上升到90%所用的时间视为上升时间TR,而该输出从90%下降到10%所用的时间视为下降时间TF。注意,为了参考,表1也列出了功率从0%上升到100%所用的时间TR100和功率从100%下降到0%所用的时间TF100。
在写入波形中,取Tw为探测窗口宽度,如果记录的线速度是14.6m/s,那么:
Ttop=0.5Tw
Tmp=0.35Tw
Tlp=0.5Tw
在其它的记录线速度时,应用以下参数:
Ttop=0.5Tw
Tmp=0.4Tw
Tlp=0.5Tw
为了在所有线速度下都能使位长度为0.13μm,按照线速度改变Tw。表1表示了记录期间的线速度和在每种线速度下的Ttop、Tmp和Tlp,以及每种时间宽度对应的原始信号电流Itop、Imp和Ilp。注意,Itop、Imp和Ilp表示为相对数值。
记录之后,进行信号回放并且测量回放振幅(电压水平)RFPP。此外,利用一种时间间隔分析器测量抖动。这种抖动是时钟抖动,计算如下:σ/Tw(单位:%)这些结果显示在表1中。
表1
情况编号 | 线速度 | TR | TR100 | TF | TF100 | Ttop | Tmp | Tlp | Itop∶Imp∶Ilp | RFpp | Jitter |
(m/s) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (mv) | (%) | ||
1(对比) | 6.5 | 2.1 | 3.2 | 1.8 | 2.7 | 6.7 | 5.3 | 6.7 | 1.00∶1.00∶1.00 | 133 | 7.3 |
2(对比) | 9.8 | 2.1 | 3.2 | 1.8 | 2.7 | 4.4 | 3,8 | 4.4 | 1.00∶1.00∶1.00 | 135 | 7.5 |
3(对比) | 14.6 | 2.1 | 3.2 | 1.8 | 2.7 | 3.0 | 2.1 | 3.0 | 1.00∶1.00∶1.00 | 110 | 10.2 |
4 | 14.6 | 2.1 | 3.2 | 1.8 | 2.7 | 3.0 | 2.1 | 3.0 | 1.15∶1.52∶1.15 | 125 | 8.6 |
5 | 14.6 | 2.1 | 3.2 | 1.8 | 2.7 | 3.0 | 2.1 | 3.0 | 1.15∶1.52∶1.28 | 133 | 7.9 |
在表1中,在第一种和第二种情况下,比例Itop∶Imp∶Ilp为1∶1∶1,这时没有进行依据本发明的补偿。不过,在这些情况下,线速度(传送速率)不高,而且Ttop、Tmp和Tlp中的每一个都大于1.5TR(=3.15ns)。由于这个原因,RFPP足够大而且抖动不大。相反,在第三种情况下,进行高线速度记录,使得Ttop、Tmp和Tlp都短于1.5TR(=3.15ns),此外没有进行依据本发明的补偿,所以RFPP变得非常低而且抖动变大。
相反,在第四种和第五种情况下,其中线速度设定为与第三种情况相同,增大了每个脉冲的时间宽度对应的原始信号电流值,改善了RFPP和抖动。
此外,在第五种情况下,与第四种情况相比增大了Ilp。换句话说,增大了最后脉冲对应的原始信号电流值。由于这个原因,与第四种情况相比,第五种情况又改善了RFPP和抖动。
注意,图8、图9和图10为波形图,显示了表1中第一种、第三种和第四种情况下激光发光的波形。
正如以上的讲解,由于本发明根据写入波形中向上脉冲的脉冲宽度和激光二极管的特征,设置原始信号的写入电流Iw的强度,即使以高传送速率记录时,也能获得良好的记录和回放特征。
Claims (1)
1.一种光学记录方法,用根据写入波形来调制其强度的激光束照射光学记录介质,进行记录,其特征在于:
所述写入波形具有形成写入标记所用的多个写入脉冲块,并且每个写入脉冲块都具有一种或多种类型的向上脉冲,以及
所述激光束的上升时间段定义为TR,所述向上脉冲的时间宽度被定义为TUP;并且在所述写入波形中存在其时间宽度TUP彼此不同的两种或两种以上类型的向上脉冲;
如果所述两种或两种以上类型的向上脉冲中的至少一个的时间宽度TUP太窄,以至于无法获得该向上脉冲的峰值强度对应的激光束强度,就增大该向上脉冲的峰值强度,使得在所述激光束中,获得它应当具有的光束强度或者接近于该强度的一个数值,
具有小的时间宽度TUP的向上脉冲的峰值强度被设置为大于具有大的时间宽度TUP的向上脉冲的峰值强度,
如果在所述写入波形中存在两种或两种以上类型的向上脉冲,其中TUP≤1.5TR,这些向上脉冲就按照其时间宽度TUP的长度划分为至少两组,使得每一组都包含至少一种类型的向上脉冲,使每一组中向上脉冲的峰值强度相同,使包含相对较短时间宽度TUP的向上脉冲的组中的峰值强度,大于包含相对较长时间宽度TUP向上脉冲的组中的峰值强度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001093743A JP4491985B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光記録方法 |
JP93743/2001 | 2001-03-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1535464A CN1535464A (zh) | 2004-10-06 |
CN1272776C true CN1272776C (zh) | 2006-08-30 |
Family
ID=18948041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB028073843A Expired - Fee Related CN1272776C (zh) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | 光学记录方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7177254B2 (zh) |
EP (1) | EP1383116A4 (zh) |
JP (1) | JP4491985B2 (zh) |
KR (1) | KR20030083019A (zh) |
CN (1) | CN1272776C (zh) |
TW (1) | TW569200B (zh) |
WO (1) | WO2002080153A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003123252A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Hitachi Ltd | 情報記録方法および情報記録装置 |
WO2004013845A1 (en) * | 2002-08-03 | 2004-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Information storage medium and method of recording and/or reproducing with respect to the medium |
KR100750109B1 (ko) * | 2003-02-15 | 2007-08-21 | 삼성전자주식회사 | 정보 저장매체 |
US20050069002A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Hisashi Senga | Laser driving device |
US7916582B2 (en) * | 2004-05-11 | 2011-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium, recording/reproducing apparatus and method, initialization method, and reinitialization method |
US7663990B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium having access control area and method for recording or reproducing thereof |
JP2008517414A (ja) | 2004-10-19 | 2008-05-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光記録用のマスタ基板にデータを書き込む方法 |
JP4778287B2 (ja) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | 株式会社日立製作所 | 情報記録方法及び装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2702923B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法及び情報記録装置 |
JPH01229426A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報の記録方法 |
JP2669532B2 (ja) * | 1988-05-20 | 1997-10-29 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク装置 |
JP2680039B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録再生方法及び記録再生装置 |
US5590111A (en) * | 1990-06-29 | 1996-12-31 | Hitachi, Ltd. | Method of controlling recording of optical records |
JPH076441A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録方法 |
JP3171103B2 (ja) | 1995-03-31 | 2001-05-28 | 三菱化学株式会社 | 光記録方法および光記録媒体 |
JP3138610B2 (ja) | 1995-04-13 | 2001-02-26 | 株式会社リコー | 相変化型光ディスク用記録方法 |
JPH0964441A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子駆動装置 |
JP4027422B2 (ja) * | 1996-02-16 | 2007-12-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光情報担体の記録方法および装置 |
US6751513B1 (en) * | 1996-02-16 | 2004-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V | Method and device for recording an optical information carrier |
KR100505796B1 (ko) * | 1997-02-14 | 2005-10-19 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광기록매체의기록방법및기록장치 |
JP3323782B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法 |
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JP2000215449A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録方法及びその装置 |
US6396971B1 (en) * | 1999-03-29 | 2002-05-28 | T Squared G, Inc | Optical digital waveform generator |
JP4268312B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2009-05-27 | パナソニック株式会社 | 光学的記録再生装置 |
JP2000322740A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及びその記録方法 |
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EP1117094B1 (en) * | 2000-01-17 | 2012-11-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording method for phase-change recording medium |
JP3730084B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2005-12-21 | パイオニア株式会社 | 光制御回路 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001093743A patent/JP4491985B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-27 CN CNB028073843A patent/CN1272776C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-27 KR KR10-2003-7012657A patent/KR20030083019A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-27 TW TW091106049A patent/TW569200B/zh active
- 2002-03-27 WO PCT/JP2002/002960 patent/WO2002080153A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2002-03-27 US US10/109,594 patent/US7177254B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-27 EP EP02713201A patent/EP1383116A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7177254B2 (en) | 2007-02-13 |
JP4491985B2 (ja) | 2010-06-30 |
US20030063540A1 (en) | 2003-04-03 |
EP1383116A4 (en) | 2008-02-13 |
JP2002298349A (ja) | 2002-10-11 |
CN1535464A (zh) | 2004-10-06 |
TW569200B (en) | 2004-01-01 |
EP1383116A1 (en) | 2004-01-21 |
KR20030083019A (ko) | 2003-10-23 |
WO2002080153A1 (fr) | 2002-10-10 |
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JP2004199756A (ja) | 情報記録再生方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060830 Termination date: 20100327 |