CN1266778C - 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件 - Google Patents

一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1266778C
CN1266778C CNB031015069A CN03101506A CN1266778C CN 1266778 C CN1266778 C CN 1266778C CN B031015069 A CNB031015069 A CN B031015069A CN 03101506 A CN03101506 A CN 03101506A CN 1266778 C CN1266778 C CN 1266778C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
coloured light
encapsulating material
stimulated luminescence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB031015069A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1516295A (zh
Inventor
李秉杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to CNB031015069A priority Critical patent/CN1266778C/zh
Publication of CN1516295A publication Critical patent/CN1516295A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1266778C publication Critical patent/CN1266778C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件。根据本发明一优选实施例的一种封装材料，包含：一种基础材料；以及许多萤光剂纳米颗粒，散布于该基础材料中。根据本发明一优选实施例的一混光式发光二极管器件，包含：一蓝色发光二极管；以及一封装材料，此封装材料包括一种基础材料，以及散布于此基础材料中的许多萤光剂纳米颗粒，该蓝色发光二极管被封装于此封装材料中。

Description

一种封装材料及以其封装而成 的混光式发光二极管器件
技术领域
本发明是涉及用以封装半导体芯片(chip)的一种封装材料，尤其涉及以该封装材料封装一发光二极管芯片而成的一混光式发光二极管器件。
背景技术
发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通标志、资料储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。发光二极管中潜在需求量最大且最重要的，是白色发光二极管，如果能够降低白色发光二极管的生产成本，并延长其使用寿命，则有可能取代目前大量使用的白色萤光灯管或灯泡。
目前市场上有一种白色发光二极管灯泡，是利用混有萤光剂颗粒的封装材料，封装蓝色发光二极管而成，其原理是利用蓝色发光二极管所发射的蓝光激发萤光剂颗粒，使后者产生黄光，并混合原来的蓝光而成为白光。
这种现有技术的白色发光二极管灯泡的一个缺点在于：其封装材料中所混合的萤光剂颗粒的尺寸为微米级(Micronorder)，例如数微米至数百微米，这种大小等级的萤光剂颗粒在封装材料中有难以避免的沉淀现象，造成白色发光二极管灯泡发光不均匀，甚至产生遮蔽发光二极管芯片所发射光线，而导致白色发光二极管灯泡发光效率降低的不良结果。
该现有技术的白色发光二极管灯泡的另一个缺点在于：其萤光剂颗粒不透明，因此仅是表面材料有接受蓝光激发而产生黄光的效用，其内部的材料只有遮蔽光线的不良作用，因此萤光剂材料的有效利用率偏低，且遮蔽光线的不良作用却偏高。
发明内容
本发明的一个任务在于提供一种含可受激发光的纳米材料单元的封装材料及以其封装而成的白色发光二极管器件，其中每一可受激发光的纳米材料单元的最小线性尺寸小于400纳米且在封装材料中无沉淀现象，因此能够避免前述现有技术中白色发光二极管灯泡发光不均匀与发光效率不良等缺点。
本发明的另一个任务在于提供一种含萤光剂纳米材料单元的封装材料及以其封装而成的白色发光二极管器件，其中每一可受激发光的纳米材料单元的最小线性尺寸小于400纳米，因此较之现有技术的白色发光二极管灯泡，能够提高萤光剂材料的有效利用率，且降低其遮蔽光线的不良作用。
为实现以上各任务，根据本发明一优选实施例的一种封装材料，包含一种液态基础材料；以及许多萤光剂纳米颗粒，散布于该液态基础材料中。根据本发明一优选实施例的一发光二极管器件，包含一蓝色发光二极管；以及一封装材料，包含一种液态基础材料及散布于此液态基础材料中的许多萤光剂纳米颗粒，该蓝色发光二极管被封装于此封装材料中。
附图说明
图1以示意方式显示出根据本发明一优选实施例的白色发光二极管器件。
附图标记说明
11    第一导电元件
11a   突出部
12    第二导电元件
13    导线
14    封装材料
20    蓝色发光二极管芯片
21    基板
28    p型电极
29    n型电极
具体实施方式
首先需要说明，本发明的原理为：在一种例如包含环氧树脂的基础材料中，混入受蓝光激发时产生黄光的许多可受激发光的纳米材料单元，以所获得的封装材料封装蓝色发光二极管，使其所产生的蓝光与这些可受激发光的纳米材料单元受激发所产生的黄光混合，而产生白光。
根据本发明一优选实施例的封装材料，其中包含许多可受激发光的纳米材料单元，例如萤光剂纳米颗粒，这些萤光剂纳米颗粒的几何形状大致上为圆球形，且其直径例如介于5至30纳米之间。将这些萤光剂纳米颗粒混入一种液态环氧树脂基础材料(此液态基础材料制成后，呈现固态亦可)中，获得一种以大致上均匀散布的方式充填了许多萤光剂纳米颗粒的环氧树脂混合物封装材料，混合时适当选择萤光剂纳米颗粒的用量与颗粒尺寸，使所制成之封装材料在封装蓝色发光二极管时，其所发射的蓝光，及萤光剂纳米颗粒受激发所产生的黄光，能够混光得到所期望的白光。
前述根据本发明一优选实施例的封装材料，可用通过封装一蓝色发光二极管于其中，而得到根据本发明一优选实施例的一白色发光二极管器件，如图1中所示，包含一蓝色发光二极管20，此发光二极管20包含形成于一基扳21上方的一个氮化镓系叠层构造、一p型电极28、一n型电极29、以及根据本发明充填有萤光剂纳米颗粒的封装材料14，p型电极28经由一导线13连接于一第一导电元件11的一突出部11a上，n型电极29经由一导线13连接于一第二导电元件12。
由于根据本发明一优选实施例的封装材料中的萤光剂纳米颗粒的尺寸例如仅介于5至30纳米之间，在封装材料中无沉淀现象，且对于相同重量的萤光材料而言，根据本发明的封装材料中的萤光剂纳米颗粒，较之现有技术，其表面萤光材料受激发光作用的利用率提高，因此只需质量较少的萤光剂颗粒，即可达到一定的受激发黄光的效果，显然也能够降低遮蔽光线的不良作用，从而能够提升白色发光二极管器件的整体发光效率。
以上所述，仅为用以方便说明根据本发明一优选实施例的一种封装材料与根据本发明一优选实施例的一种白色发光二极管器件，本发明的范围不限于该优选实施例，凡根据本发明所做的任何变更，皆属本发明权利要求的范围。例如，通过控制封装材料中萤光剂纳米颗粒之尺寸与用量，使所封装材而成的发光二极体器件，发射近似白光的光，也显然不脱离本发明之精神与范围。再者，本领域技术人员应可容易了解本发明的原理也可用于制造固态封装材料，以及以其它可受激发光的纳米材料单元取代本发明一优选实施例的萤光剂纳米颗粒，也都不脱离本发明的精神与范围。

Claims (12)

1，一种封装材料，包含：
一种基础材料；以及许多可受激发光的纳米材料单元，散布于该基础材料中，且其中每一可受激发光的纳米材料单元的最小线性尺寸小于400纳米。
2.根据权利要求1的一种封装材料，其中该可受激发光的纳米材料单元包含受蓝光激发时产生黄光的萤光材料。
3.根据权利要求1的一种封装材料，其中该可受激发光的纳米材料单元为圆球形，且其直径小于400纳米。
4.根据权利要求1的一种封装材料，其中该可受激发光的纳米材料单元为圆球形，且其直径介于5至30纳米之间。
5.根据权利要求1的一种封装材料，其中该基础材料包含环氧树脂。
6.根据权利要求1的一种封装材料，其中该基础材料包含液态环氧树脂。
7.一发光二极管器件，包含：
一第一色光发光二极管；以及
一封装材料，包含一种基础材料及散布于此基础材料中的许多可受激发光的纳米材料单元，其中每一可受激发光的纳米材料单元的最小线性尺寸小于400纳米，且该第一色光发光二极管被封装于此封装材料之内，使得在该第一色光发光二极管所发射的第一色光照射可受激发光的纳米材料单元时，可使其发射第二色光，其中该第一色光的波长较该第二色光的波长短。
8.根据权利要求7的一种封装材料，其中该可受激发光的纳米材料单元包含受该第一色光激发时产生该第二色光的纳米萤光材料。
9.根据权利要求7的一发光二极管器件，其中该可受激发光的纳米材料单元为圆球形，且其直径小于400纳米。
10，根据权利要求7的一发光二极管器件，其中该可受激发光的纳米材料单元为圆球形，且其直径介于5至30纳米之间。
11.根据权利要求7的一发光二极管器件，其中该基础材料包含液态环氧树脂。
12.根据权利要求7的一发光二极管器件，其中该第一色光为蓝光，该该第二色光为黄光。
CNB031015069A 2003-01-10 2003-01-10 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件 Expired - Lifetime CN1266778C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031015069A CN1266778C (zh) 2003-01-10 2003-01-10 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031015069A CN1266778C (zh) 2003-01-10 2003-01-10 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1516295A CN1516295A (zh) 2004-07-28
CN1266778C true CN1266778C (zh) 2006-07-26

Family

ID=34239128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031015069A Expired - Lifetime CN1266778C (zh) 2003-01-10 2003-01-10 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1266778C (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376963C (zh) * 2004-12-18 2008-03-26 群康科技(深圳)有限公司 背光模组
CN101661983B (zh) * 2008-08-26 2012-03-14 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其制备方法
CN102694110B (zh) * 2012-06-08 2015-06-03 北京理工大学 一种含非稀土纳米晶荧光粉的封装材料、制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN1516295A (zh) 2004-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100735062B1 (ko) 발광다이오드 팩키지
CN101493216B (zh) 发光二极管光源模组
TWI249861B (en) Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
TW201306328A (zh) 發光裝置封裝件及使用其之發光系統
US20070114558A1 (en) LED module
JP2009512226A (ja) 光拡散型発光ダイオード
JP2009016689A (ja) 照明装置
KR20090017346A (ko) 산란수단을 갖는 ｌｅｄ 패키지
JPWO2014122888A1 (ja) 発光モジュール
CN1159776C (zh) 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
CN101051636A (zh) 发光二极管封装结构
CN101684933B (zh) 一种白光发光二极管封装结构及其封装方法
CN1510766A (zh) 表面安装型白色发光二极管
CN1266778C (zh) 一种封装材料及以其封装而成的混光式发光二极管器件
CN1897313A (zh) 发光二极管及其封装结构
TWI533479B (zh) 封裝結構及其製作方法
CN1812141A (zh) 白光发光二极管组件及其制造方法
KR100592510B1 (ko) 보레이트계 황색형광체를 이용한 백색 반도체 발광장치
KR200402109Y1 (ko) 발광 다이오드 패키지 구조
CN1391291A (zh) 半导体双晶白色led封装结构
CN101114636B (zh) 混光式发光元件
CN218887189U (zh) 线光源及灯具
CN215869378U (zh) 一种led光源
JP3115744U (ja) 発光ダイオードパッケージ構造および冷陰極蛍光ランプ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060726

CX01 Expiry of patent term