KR100735062B1 - 발광다이오드 팩키지 - Google Patents

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Abstract

발광다이오드 팩키지는 그 발광다이오드 팩키지에 배치된 발광다이오드 장치와, 그 발광다이오드 장치를 덮는 성형 물질을 포함한다. 상기 성형 물질은 복수개의 산란 지지 파장 전환기들을 포함한다. 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는 발광다이오드 장치로부터 방출되는 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들에 의해 산란되고 흡수되어, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각을 들뜨게 하여 다른 파장의 광을 방출한다.

Description

발광다이오드 팩키지 {Light emitting diode package}
도 1은 종래의 도선형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 칩형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제1 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제2 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제3 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 다이오드 칩과 평행하지 않은 발광다이오드 칩을 가지는 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 9는 다이오드 칩과 평행하지 않은 발광다이오드 칩을 가지는 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 발광다이오드 팩키지(light emitting diode package)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 성형 물질에 묻혀 있는 산란 지지 파장 전환기들을 가지며 우수한 조명 일관성과 제조 편리성을 가진 발광다이오드 팩키지에 관한 것이다.
최근에, 높은 조명광을 방출하는 다이오드들(high illumination light emitting diodes)(LED들)의 새로운 응용 분야들이 발달해 왔다. 통상적인 백열등(incandescent light)과는 달리, 냉조명(cold illumnation) LED는 낮은 전력 소비, 긴 수명, 계속적인 사용 및 짧은 응답 속도의 장점들을 가지고 있다. 게다가, 상기 LED는 또한 작은 크기 및 진동저항의 장점들을 가지고 있어서 대량 생산에 적합하고 작은 장치 또는 배열 장치로서 쉽게 생산되기 때문에, 정보, 통신 및 소비자 전자 제품들의 지시 램프들과 디스플레이 장치들에 폭 넓게 사용되어 왔다. 상기 LED들은 실외 교통신호등들 또는 다양한 실외 디스플레이 장치들에 사용될 뿐만 아니라, 자동차 산업에서 매우 중요한 구성요소들이다. 게다가, 상기 LED들은 또한 휴대폰들(cell phones)과 개인정보단말기들(personal data assistants)의 백라이트들(backlights)과 같은 휴대용 제품들에서도 잘 작동한다. 상기 LED들은 백라이트 모듈의 광원을 선택할 때에 가장 좋은 선택이기 때문에, 매우 인기있는 액정디스플레이장치(liquid crstal display)에서 필수적인 중요 요소가 되고 있다.
일반적인 발광다이오드 팩키지는 발광다이오드 장치를 구비한다. 상기 발광다이오드 장치는 반도체 물질로 제조되는 발광 장치이고, 양극과 음극을 가진다. 순전압(forward voltage)이 상기 전극들에 가해질 때에, 전자들과 정공들의 재조합에 의해 발생되는 잔여 에너지가 발생되고, 그 잔여 에너지는 비록 단지 작은 양의 전류가 PN 접합부로 흐르더라도 광의 형태로 방출된다. 따라서, 전기 에너지는 광학 에너지(optical enegy)로 전환된다. 역전압(reverse voltage)이 상기 전극들에 가해질 때에, PN 접합부는 반대로 바이어스(bias)가 걸린다. 따라서, 소수 캐리어들(minority carriers)을 주입하는 것은 어렵게 되어, 상기 발광다이오드 장치가 빛을 비추지 않게 된다. 광이 상기 발광다이오드 장치로부터 방출되는 때, 확산(diffusing), 반사(reflecting) 및 혼합(mixing)을 포함하는 일련의 과정들은 성형물질(molding material)에서 진행되어, 만족스러운 색조(tone)와 휘도(brightness)를 만들게 된다. 따라서, 상기 발광다이오드 팩키지를 설계할 때에, 상기 팩키지의 구조와 성형 물질의 선택은 중요한 파라미터들이다.
도 1을 참조하라. 도 1은 종래의 도선형(lead type) 발광다이오드 팩키지(10)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 도선형 발광다이오드 팩키지(10)는 발광다이오드 칩(12)과, 마운트 도선(mount lead)(14)과, 내부 도선(inner lead)(16)을 구비한다. 상기 마운트 도선(14)은 컵(cup)(18)을 더 구비한다. 상기 마운트 도선(14)은 음극으로 사용되고, 상기 내부 도선(16)은 양극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(12)은 상기 마운트 도선(14)의 컵(18)에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(12)의 P전극과 N전극(양 전극 모두 도면에 도시되지 않음)은 전도성 와이어들(22)에 의해 각각 상기 마운트 도선(14)과 내부 도선(16)에 연결된다. 상기 컵(18)은 성형 물질(24)로 채워진다. 복수개의 형광 물 질들(미도시)은 상기 성형 물질(24) 내부에 퍼져 있다.
광 빔들(light beams)이 상기 발광다이오드 칩(12)으로부터 방출되는 때, 광 빔들의 부분들은 상기 성형 물질(24) 내부의 형광 물질들에 의해 흡수되어 상기 형광물질들을 들뜨게 하여(excite), 다른 파장을 가지는 광 빔들을 발생시킨다. 따라서, 상기 형광 물질은 파장을 변환시키는 물질로서 작동한다. 상기 발광다이오드 칩(12)으로부터 방출된 광 빔들과 하나 이상의 형광 물질들에 의해 변환된 광 빔들을 절묘하게 혼합함으로써, 백색 또는 다른 색깔의 혼합 광 빔들이 최종적으로 방출된다. 다른 색깔들의 광 빔들을 완벽하게 혼합하여 동질의 색상을 가진 혼합 광 빔 또는 백색 광 빔들을 얻기 위해서, 상기 성형 물질(24)은 그 내부에 퍼져 있는 상기 형광 물질들 뿐만 아니라 많은 산란 물질들(scattering material)(미도시)을 포함해야만 한다. 상기 산란 물질들의 존재 때문에, 상기 발광다이오드 칩(12)으로부터 방출된 광 빔들은 반복적으로 산란되고 확산되어 상기 발광다이오드 칩(12)으로부터 방출된 광 빔들의 방출각이 증가된다. 따라서, 갑작스런 강도(abrupt intensity)를 가지는 광 빔들은 억제되어 부드러워져야 한다. 게다가, 상기 혼합 광 빔들은 매우 동질이다. 게다가, 다른 목적들을 위해 다양한 첨가제들이 실질적인 요건들에 따라서 상기 성형 물질(24)에 포함될 수 있다.
도 2를 참조하라. 도 2는 종래의 칩형(chip type) 발광다이오드 팩키지(50)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 칩형 발광다이오드 팩키지(50)는 발광다이오드 칩(52)과, 케이싱(54)을 구비한다. 상기 케이싱(54)은 양의 금속전극(56)과, 음의 금속전극(58)을 더 구비한다. 상기 양의 금속 전극(56)은 양극으로 사용되고, 상기 음의 금속전극(58)은 음극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(52)은 상기 케이싱(54)의 오목부(recess)(62)에 배치되고, 상기 양의 금속전극(56)의 상부에 위치한다. 상기 발광다이오드 칩(52)의 P전극과 N전극(양 전극 모두 도면에 도시되지 않음)은 전도성 와이어들(64)에 의해 각각 상기 양의 금속전극(56)과 음의 금속전극(58)에 연결된다. 상기 오목부(62)는 성형 물질(66)로 채워진다. 복수개의 형광 물질들(미도시)은 상기 성형 물질(66) 내부에 퍼져 있다.
광 빔들(light beams)이 상기 발광다이오드 칩(52)으로부터 방출되는 때, 광 빔들의 부분들은 상기 성형 물질(66) 내부의 하나 이상의 종류의 형광 물질들에 의해 흡수되어 상기 형광물질들을 들뜨게 하여, 다른 파장들을 가지는 광 빔들 또는 또다른 파장들을 가진 광 빔들을 발생시킨다. 상기 발광다이오드 칩(52)으로부터 방출된 광 빔들과 형광 물질들에 의해 변환된 광 빔들 사이의 혼합을 제어함으로써, 상기 칩형 발광다이오드 팩키지(50)로부터 방출된 광 빔들은 백색 또는 다른 색깔의 광 빔들이 된다. 도 1에 도시된 상기 도선형 발광다이오드 팩키지(10)와 유사하게, 다른 색깔들의 광 빔들을 완벽하게 혼합함으로써, 백색 또는 동질의 색조를 가진 다른 색깔의 광 빔들을 혼합하는 것을 달성하기 위해서, 상기 성형 물질(66)은 그 내부에 퍼져 있는 상기 형광물질들 뿐만 아니라 많은 산란 물질들(미도시)을 포함해야만 한다. 따라서, 상기 혼합 광 빔들은 매우 동질적이다. 게다가, 다른 목적들을 위해 다양한 첨가제들이, 실질적인 요건들에 따라서 상기 성형 물질(66)에 포함될 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기 도선형 발광다이오드 팩키지(10)와 칩형 발광다이오드 팩키지(50) 모두는 색깔 혼합의 목적을 달성하여, 백색 또는 다른 색깔의 광 빔들을 발생시킬 수 있다. 그러나, 상기 도선형 발광다이오드 팩키지(10)와 칩형 발광다이오드 팩키지(50)는 상이한 팩키지 구조들을 가지고 있다. 실제로, 상이한 팩키지 구조들은 상이한 조명 성능(illumination performance)을 유발할 것이다. 어떠한 팩키지 구조를 적합하게 하더라도, 최종 목적은 만족스러운 완전한 색조 동질성(tone homogeneity)과 휘도 일관성(brightness uniformity)을 가지는 제품을 생산하는 것이다. 일관성 문제를 고려할 때, 상기 성형 물질(24, 66)은 그들 자체로 중요한 부분들이다. 특히, 상기 성형 물질들(24, 66) 내부의 상기 산란 물질들은 제품들에 우수한 일관성을 제공할 수 있다는 점이 매우 중요하다.
종래 기술에서, 상기 형광 물질들, 산란 물질들 및 다른 물질들은 일반적으로 팩키지용으로 사용되는 수지(resin)에서 혼합된다. 따라서, 이러한 물질들 모두는 성형 물질들(24, 66)에 들어있다. 그러나, 이러한 방법은 혼합 과정을 수행하는 때에 다양한 문제들을 유발한다. 상이한 물질 입자들이 팩키지용으로 사용되는 수지에서 혼합될 때, 상이한 물질 입자들은 상이한 중량들, 상이한 형상들, 상이한 물리적 성질들 및 상이한 화학적 성질들을 가지고 있기 때문에, 비동질의 혼합 현상(inhomogeneous mixing phenomenon)이 일어나는 경향이 있다. 특히, 일반적으로 입자들(particles) 또는 거품들(bubbles)의 형태인 상기 산란 물질들은 항상 이러한 문제를 가지고 있다. 이러한 비동질 현상이 발생하게 되면, 완전한 색조 동일성 및 휘도 일관성이 영향을 받게 된다.
따라서, 새로운 성형 물질을 개발하는 것이 매우 중요하다. 이러한 성형 물질이 상이한 팩키지 구조들에 적용될 때에, 상기 비동질 현상은 제거되어야만 한다. 게다가, 생산이 편리해야 한다. 공정 복잡성이 증가해서는 안된다.
따라서, 청구된 발명의 주요 목적은 상술한 문제를 해결하기 위한 발광다이오드 팩키지를 제공하는 것이다.
청구된 발명에 따르면, 도선형 발광다이오드 팩키지가 개시되어 있다. 상기 도선형 발광다이오드 팩키지는 그 도선형 발광다이오드 팩키지에 배치된 발광다이오드 장치와, 상기 발광다이오드 장치를 덮는 성형 물질을 구비한다. 복수개의 산란 지지 파장 전환기들(scatter supported wavelength converters)이 상기 성형 물질에 포함되어 있다. 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 의해 산란되고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들은 흡수되어, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각을 들뜨게 하여 광을 다른 파장으로 방출시킨다.
본 발명의 발광다이오드 팩키지는 산란 지지 파장 전환기들을 상기 성형 물질에 묻으며, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 파장 전환 활성체(wavelength converting activator)와 산란기(scatterer)의 복합 유니트(composite unit)이다. 따라서, 상이한 물질 입자들이 상이한 중량들, 상이한 형상들, 상이한 물리적 성질들 및 상이한 화학적 성질들을 가지고 있는 문제가 더 이상 존재하기 않기 때문에, 상기 혼합과정 동안에 발생되는 비동질 현상은 방지된다. 따라서, 만족스러운 완전한 색조 동질성과 휘도 일관성이 달성될 뿐만 아니라, 상기 산란 지지 파장 전환기들과 함께 묻힌 성형 물질이 다양한 팩키지 구조들에 적용될 수 있다. 또한, 팩키지 과정이 수행될 때에 제작 편리성이 유지되어 공정 복잡성이 증가하지 않는다. 게다가, 전면의 조명의 양을 증가시키기 위해서 광에 투과성이 높은 비전도성 접착제를 이용함으로써, 상기 발광다이오드 칩은 본 발명의 발광다이오드 팩키지의 고반사율 표면(high reflectivity surface)에 고정될 수 있다. 게다가, 상기 발광다이오드 칩과 상기 다이오드 칩은, 정전 전하 보호의 목적을 달성하기 위해 서로 평행하지 않을 수 있다.
본 발명의 이러한 목적과 다른 목적들은 본 기술분야에서 보통의 지식을 가진 사람에게는, 다양한 형상들과 도면들에서 설명되는 바람직한 구현예에 대한 후술하는 상세한 설명을 읽은 후에 의심의 여지 없이 명백해질 것이다.
도 3을 참조하라. 도 3은 본 발명의 바람직한 제1 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기(100)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 산란 지지 파장 전환기(100)는 물리적 복합 물질 또는 화학적 복합 물질이다. 상기 산란 지지 파장 전환기(100)는 산란기(102)와, 복수의 파장 전환 활성체(104)들을 구비한다. 상기 파장 전환 활성체(104)들 각각은 상기 산란기(102)의 표면의 부분들에 부착된다. 상기 파장 전환 활성체(104)는 파장 전환 물질이고, 상기 산란기(102)는 광 빔들을 반복적으로 산란하고 확산하기 위한 산란 물질이다. 게다가, 상이한 상들(phases)은 상기 산란기(102)와 파장 전환 활성체(104)들 각각의 사이의 경계에 존재할 수 있다.
도 4를 참조하라. 도 4는 본 발명의 바람직한 제2 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기(200)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 산란 지지 파장 전환기(200)는 물리적 복합 물질 또는 화학적 복합 물질이다. 상기 산란 지지 파장 전환기(200)는 산란기(202)와, 파장 전환 활성체(204)를 구비한다. 상기 산란기(202)는 상기 파장 전환 활성체(204)에 의해 캡슐에 싸여진다. 상기 파장 전환 활성체(204)는 파장 전환 물질이고, 상기 산란기(202)는 광 빔들을 반복적으로 산란하고 확산하기 위한 산란 물질이다. 게다가, 상이한 상들(phases)은 상기 산란기(202)와 파장 전환 활성체(204)의 사이의 경계에 존재할 수 있다.
도 5를 참조하라. 도 5는 본 발명의 바람직한 제3 구현예에 따른 산란 지지 파장 전환기(300)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 산란 지지 파장 전환기(300)는 물리적 복합 물질 또는 화학적 복합 물질이다. 상기 산란 지지 파장 전환기(300)는 산란기(302)와, 복수의 파장 전환 활성체(304)들을 구비한다. 상기 파장 전환 활성체(304)들 각각은 상기 산란기(302)내부에 퍼져있다. 상기 파장 전환 활성체(304)는 파장 전환 물질이고, 상기 산란기(302)는 광 빔들을 반복적으로 산란하고 확산하기 위한 산란 물질이다. 게다가, 상이한 상들(phases)은 상기 산란기(302)와 파장 전환 활성체(304)들 각각의 사이의 경계에 존재할 수 있다.
본 발명의 바람직한 제1·제2 및 제3 구현예의 파장 전환 활성체들(104, 204, 304)은 모두 일반 공식, (Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B)5 + u + 2v (O, S, Se)l2 + 2t + 3u + 3v : (Ce, Tb) (0<t<5, 0<u<15, 0<v<9)에 의해 대표되는 물질들이다. 상기 모든 산란기들(102, 202, 302)은, 위의 일반 공식으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 요소의 산화물(oxide), 설퍼렛(sulphuret) 또는 셀레니움(selenium) 화합물(compound)을 구비한다. 사실, 본 발명의 파장 전환 활성체들(104, 204, 304)과 산란기들(102, 202, 302)은 위에 언급된 물질들에 한정되는 것은 아니다. 좋은 파장 전환 특성들을 가지는 어떠한 물질과 좋은 산란 효과를 가지는 어떠한 물질도, 물리적으로 서로간에 성공적으로 혼합될 수 있거나 화학적으로 성공적으로 서로 화합될 수 있어 위에 언급된 산란 지지 파장 전환기들(100, 200, 300)을 형성하는 경우라면, 본 발명의 범위 내에 있다. 게다가, 상기 산란 지지 파장 전환기들(100, 200, 300) 각각의 파장 전환 활성체는 하나의 단일 물질로 한정되는 것이 아니며, 상기 산란 지지 파장 전환기들(100, 200, 300) 각각의 산란기도 역시 하나의 단일 물질로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 산란 지지 파장 전환기는 복수 종류들의 파장 전환 활성체들과 한 종류의 산란기 또는 한 종류의 파장 전환 활성체와 복수 종류들의 산란기들 또는 복수 종류들의 파장 전환 활성체들과 복수 종류들의 산란기들로 이루어진 복합 물질일 수 있다.
본 발명에서, 상기 산란 지지 파장 전환기들(100, 200, 300) 각각은 성형 물질에서 혼합된다. 게다가, 각 개별적인 산란 지지 파장 전환기(100, 200, 300)는 각각 상기 파장 전환 활성체(104, 204, 304)와 산란기(102, 202, 302)의 복합 유니트이다. 따라서, 상이한 물질 입자들이 상이한 중량들, 상이한 형상들, 상이한 물리적 성질들 및 상이한 화학적 성질들을 가지는 문제점은, 혼합 과정을 수행하는 때에 비동질의 혼합 현상(inhomogeneous mixing phenomenon)을 방지하기 위해서 더 이상 존재하지 않게 된다. 상기 성형 물질이 유기 성형 화합물(organic molding compound), 광에 투과성 있는 세라믹 물질(ceramic material), 광에 투과성 있는 유리 물질(glass material), 광에 투과성 있는 절연 유체 물질(insulation fluid material) 또는 앞서 언급된 물질들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 2개의 물질들을 구비하는 복합 물질을 구비하는 것을 주목하는 것은 가치가 있다.
도 6을 참조하라. 도 6은 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지(400)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지(400)는 발광다이오드 칩(402)과, 마운트 도선(mount lead)(404)과, 내부 도선(inner lead)(406)을 구비한다. 상기 마운트 도선(404)은 컵(cup)(408)을 더 구비한다. 상기 마운트 도선(404)은 음극으로 사용되고, 상기 내부 도선(406)은 양극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(402)은 상기 마운트 도선(404)의 컵(408)에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(402)의 P전극과 N전극(양 전극 모두 도면에 도시되지 않음)은 전도성 와이어들(412)에 의해 각각 상기 마운트 도선(404)과 내부 도선(406)에 연결된다. 상기 컵(408)은 성형 물질(414)로 채워진다. 복수개의 산란 지지 파장 전환기들(미도시)은 상기 성형 물질(414) 내부에 퍼져 있다. 상기 산란 지지 파장 전환기들은 본 발명에서 개시된 산란 지지 파장 전환기 중 어떤 종류일 수도 있다.
광 빔들(light beams)이 상기 발광다이오드 칩(402)으로부터 방출되어 상기 성형 물질(414)를 통과하는 때, 상기 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들의 파장 전환 활성체들(미도시)에 의해 흡수되어 하나 이상의 파장 전환 물질들을 들뜨게 하여, 다른 파장을 가지는 광 빔들을 발생시킨다(블루(blue) 광 빔들을 옐로우(yellow) 광 빔들로 전환). 동시에, 상기 광 빔들의 부분들은 각각 상기 산란 지지 파장 전환기들의 산란기들(미도시)에 의해 산란되고 확산되어 상기 광 빔들이 갑작스런 강도를 가지는 것을 방지한다. 결국, 위에 언급된 광 빔들은 상기 발광다이오드 칩(402)으로부터 방출된 광 빔들과 혼합될 것이고, 백색 또는 다른 색깔의 광 빔들을 방출하도록 전환되지 않는다. 상기 산란 지지 파장 전환기들은 본 발명에 따라 상기 성형 물질(414) 내부에 매우 균일하게 퍼져 있기 때문에, 마지막에 생성된 백색광 빔들은 매우 우수한 색조 동질성과 휘도 일관성을 가지게 될 것이다.
도 7을 참조하라. 도 7은 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지(500)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지(500)은 발광다이오드 칩(502)과, 케이싱(504)을 구비한다. 상기 케이싱(504)은 양의 금속전극(506)과, 음의 금속전극(508)을 더 구비한다. 상기 양의 금속전극(506)은 양극으로 사용되고, 상기 음의 금속전극(508)은 음극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(502)은 상기 케이싱(504)의 오목부(recess)(512)에 배치되고, 상기 양의 금속전극(506)의 상부에 위치한다. 상기 발광다이오드 칩(502)의 P 전극과 N전극(양 전극 모두 도면에 도시되지 않음)은 전도성 와이어들(514)에 의해 각각 상기 양의 금속전극(506)과 음의 금속전극(508)에 연결된다. 상기 오목부(512)는 성형 물질(516)로 채워진다. 복수개의 산란 지지 파장 전환기들(미도시)은 상기 성형 물질(516) 내부에 퍼져 있다. 상기 산란 지지 파장 전환기들은 본 발명에서 개시된 산란 지지 파장 전환기 중 어떤 종류일 수도 있다.
광 빔들(light beams)이 상기 발광다이오드 칩(502)으로부터 방출되어 상기 성형 물질(516)을 통과하는 때, 상기 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들의 파장 전환 활성체들(미도시)에 의해 흡수되어 하나 이상의 파장 전환 물질들을 들뜨게 하여, 다른 파장을 가지는 광 빔들을 발생시킨다(블루 광 빔들을 옐로우 광 빔들로 전환). 동시에, 상기 광 빔들의 부분들은 각각 상기 산란 지지 파장 전환기들의 산란기들(미도시)에 의해 산란되고 확산되어 상기 광 빔들이 갑작스런 강도를 가지는 것을 방지한다. 결국, 위에 언급된 광 빔들은 상기 발광다이오드 칩(502)으로부터 방출된 광 빔들과 혼합될 것이고, 백색 또는 다른 색깔의 광 빔들을 방출하도록 전환되지 않는다. 상기 산란 지지 파장 전환기들은 본 발명에 따라 상기 성형 물질(516) 내부에 매우 균일하게 퍼져 있기 때문에, 마지막에 생성된 백색광 빔들은 매우 우수한 완전한 색조 동질성과 휘도 일관성을 가지게 될 것이다.
LED 자체는 예상되지 않은 전하들을 축적하는 경향이 있기 때문에, 따라서 정전 전하들이 발생된다. 역바이어스전압(reverse biased voltage)이 상기 LED에 가해질 때, 펀치스루현상(punch through phenomenon)이 종종 발생한다. 상기 LED 의 불충분한 정전 전하 보호 능력 때문에, 상기 LED는 일반적으로 다이오드와 평행하지 않게 되어, 상기 LED의 정전 전하 보호 능력을 향상시킨다. 도 8을 참조하라. 도 8은 다이오드 칩(624)과 평행하지 않은 발광다이오드 칩(602)을 가지는 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지(600)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 도선형 발광다이오드 팩키지(600)는 발광다이오드 칩(602)과, 마운트 도선(604)과, 내부 도선(606)을 구비한다. 상기 마운트 도선(604)은 컵(608)을 더 구비한다. 상기 마운트 도선(604)은 음극으로 사용되고, 상기 내부 도선(606)은 양극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(602)은 상기 마운트 도선(604)과 내부 도선(606) 상에 배치되지 않는다(다시 말하면, 상기 양극과 음극 상에 배치되지 않는다). 반대로, 상기 발광다이오드 칩(602)은 광에 투과성 있는 비전도성 접착제(618)에 의해 상기 도선형 발광다이오드 팩키지(600)의 고반사율 표면(622)에 부착된다. 광 빔들이 상기 발광다이오드 칩(602)으로부터 방출될 때, 하방으로 방출되는 상기 광 빔들은 먼저 광에 투과성 있는 상기 비전도성 접착제(618)를 통과한 후에, 상기 고반사율 표면(622)에 의해서 반사된다. 그 후에, 상기 광 빔들은 광학적으로 산란 지지 파장 전환기들의 산란기들과 파장 전환 활성체들과 반응한다(미도시). 따라서, 상기 발광다이오드 칩(602)의 전방 조명의 양은 개선되어, 상기 도선형 발광다이오드 팩키지(600)의 휘도를 향상시킨다. 게다가, 두개의 경사면들(모두 미도시)은 상기 고반사율 표면(622)에 배치되어 조명의 양을 더 개선할 수 있다.
상기 도선형 발광다이오드 팩키지(600)는 상기 내부 도선(606) 위에 배치된 다이오드 칩(624)을 더 구비한다. 상기 발광다이오드 칩(602)과 다이오드 칩(624)은 모두 P전극과 N전극을 구비한다. 상기 발광다이오드 칩(602)은, 상기 발광다이오드 칩(602)과 다이오드 칩(624)의 P전극과 N전극의 와이어 본딩(wire bonding)(미도시)에 의해 상기 다이오드 칩(624)과 평행하지 않다. 게다가, 상기 발광다이오드 칩(602)은 상기 마운트 도선(604) 또는 상기 내부 도선(606) 위에 광에 투과성 있는 비전도성 접착제에 의해 접착될 수 있고, 고반사율 표면은 상기 발광다이오드 칩(602)의 바닥면에 배치된다. 또는, 상기 다이오드 칩(624)은 상기 마운트 도선(604) 위에 배치될 수 있고, 상기 발광다이오드 칩(602)은 적절한 와이어 본딩(미도시)에 의해 상기 다이오드 칩(624)과 평행하지 않다.
도 9를 참조하라. 도 9는 다이오드 칩(724)과 평행하지 않은 발광다이오드 칩(702)을 가지는 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지(700)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 칩형 발광다이오드 팩키지(700)는 발광다이오드 칩(702)과, 케이싱(704)을 구비한다. 상기 케이싱(704)은 양의 금속전극(706)과, 음의 금속전극(708)을 더 구비한다. 상기 양의 금속전극(706)은 양극으로 사용되고, 상기 음의 금속전극(708)은 음극으로 사용된다. 상기 발광다이오드 칩(702)은 상기 케이싱(704)의 오목부(recess)(712)에 배치되고, 상기 양의 금속전극(706)과 음의 금속전극(708)의 상부에 위치하진 않는다. (다시 말하면, 상기 양극과 음극 상에 배치되지 않는다). 반대로, 상기 발광다이오드 칩(702)은 광에 투과성 있는 비전도성 접착제(718)에 의해 상기 칩형 발광다이오드 팩키지(700)의 고반사율 표면(722)에 부착된다. 광 빔들이 상기 발광다이오드 칩(702)으 로부터 방출될 때, 하방으로 방출되는 상기 광 빔들은 먼저 광에 투과성 있는 상기 비전도성 접착제(718)를 통과한 후에, 상기 고반사율 표면(722)에 의해서 반사된다. 그 후에, 상기 광 빔들은 광학적으로 산란 지지 파장 전환기들의 산란기들과 파장 전환 활성체들과 반응한다(모두 미도시). 따라서, 상기 발광다이오드 칩(702)의 전방 조명의 양은 개선되어, 상기 칩형 발광다이오드 팩키지(700)의 휘도를 향상시킨다.
상기 칩형 발광다이오드 팩키지(700)는 상기 음의 금속전극(708) 위에 배치된 다이오드 칩(724)을 더 구비한다. 상기 발광다이오드 칩(702)과 다이오드 칩(724)은 모두 P전극과 N전극을 구비한다. 상기 발광다이오드 칩(702)은, 상기 발광다이오드 칩(702)과 다이오드 칩(724)의 P전극과 N전극의 와이어 본딩(wire bonding)(미도시)에 의해 상기 다이오드 칩(724)과 평행하지 않다. 게다가, 상기 발광다이오드 칩(702)은 상기 양의 금속전극(706) 또는 상기 음의 금속전극(706) 위에 광에 투과성 있는 비전도성 접착제에 의해 접착될 수 있고, 고반사율 표면은 상기 발광다이오드 칩(702)의 바닥면에 배치된다. 또는, 상기 다이오드 칩(724)은 상기 양의 금속전극(706) 위에 배치될 수 있고, 상기 발광다이오드 칩(702)은 적절한 와이어 본딩(미도시)에 의해 상기 다이오드 칩(724)과 평행하지 않다.
도 8 및 도 9에 도시된 상기 발광다이오드 칩들(602, 702)과 관련하여 상기 다이오드 칩들(624, 724)은 모두 통상적인 다이오드 칩, 즉 제너 다이오드 칩(Zenar diode chip), 스코티 다이오드 칩(Scotty diode chip) 또는 순간 전압 억제 기 다이오드 칩(Transient Voltage Suppressor diode chip)을 포함한다. 게다가, 블루 형광 분말들(blue fluorescent powders)은 상기 성형 물질에 첨가되어, 블루 광 빔들을 방출하기 위해 단파장들(395nm 내지 450nm)을 가지는 광 빔들을 흡수하고, 옐로우 광 빔들을 방출하기 위해 산란 지지 파장 전환기들을 들뜨게 한다. 상기 광 빔들을 혼합한 후에, 백색 또는 다른 색깔의 광 빔들이 생성된다. 상기 상황들하에서, 광 효율은 더 개선된다.
본 발명의 발광다이오드 팩키지는 상기 성형 물질 내부에 산란 지지 파장 전환기들을 묻고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 상기 파장 전환 활성체와 산란기의 복합 유니트이다. 따라서, 상기 혼합과정 동안에 발생되는 비동질 혼합 현상은 효과적으로 방지된다. 본 발명의 발광다이오드 팩키지를 실제 생산 라인에 적용할 때, 좋은 완전한 색조 동질성, 높은 휘도 및 높은 정전 전하 보호능력을 가지는 제품들이 생산된다.
종래의 발광다이오드 팩키지와 대조적으로, 본 발명의 발광다이오드 팩키지는 상기 성형 물질에 산란 지지 파장 전환기들을 묻고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 상기 파장 전환 활성체들과 산란기의 복합 유니트이다. 따라서, 상이한 물질 입자들이 상이한 중량들, 상이한 형상들, 상이한 물리적 성질들 및 상이한 화학적 성질들을 가지고 있는 문제가 더 이상 존재하기 않기 때문에, 상기 혼합과정 동안에 발생되는 비동질 현상은 방지된다. 만족스러운 완전한 색조 동질성과 휘도 일관성이 달성될 뿐만 아니라, 상기 산란 지지 파장 전환기들과 함께 묻힌 성형 물질이 다양한 팩키지 구조들에 적용될 수 있다. 또한, 팩키지 과정이 수행될 때에 제작 편리성이 유지되어 공정 복잡성이 증가하지 않는다. 게다가, 전면의 조명의 양을 증가시키기 위해서 광에 투과성이 높은 비전도성 접착제를 이용함으로써, 상기 발광다이오드 칩은 본 발명의 발광다이오드 팩키지의 고반사율 표면(high reflectivity surface)에 고정될 수 있다. 게다가, 상기 발광다이오드 칩과 상기 다이오드 칩은, 정전 전하 보호의 목적을 달성하기 위해 서로 평행하지 않을 수 있다.
본 기술분야에서 기술을 가진 사람들은 본 발명에 개시된 범위내에서 상기 장치에 대한 다양한 변형들과 변경들이 가능하다는 점을 쉽게 인식할 것이다. 따라서, 상술된 상세한 설명은 단지 첨부된 청구항들의 범위에 의해 제한적으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 발광다이오드 팩키지는 산란 지지 파장 전환기들을 상기 성형 물질에 묻으며, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 파장 전환 활성체(wavelength converting activator)와 산란기(scatterer)의 복합 유니트(composite unit)이다.
따라서, 상이한 물질 입자들이 상이한 중량들, 상이한 형상들, 상이한 물리적 성질들 및 상이한 화학적 성질들을 가지고 있는 문제가 더 이상 존재하기 않기 때문에, 상기 혼합과정 동안에 발생되는 비동질 현상은 방지된다. 따라서, 만족스러운 완전한 색조 동질성과 휘도 일관성이 달성될 뿐만 아니라, 상기 산란 지지 파장 전환기들과 함께 묻힌 성형 물질이 다양한 팩키지 구조들에 적용될 수 있다. 또한, 팩키지 과정이 수행될 때에 제작 편리성이 유지되어 공정 복잡성이 증가하지 않는다. 게다가, 전면의 조명의 양을 증가시키기 위해서 광에 투과성이 높은 비전도성 접착 제를 이용함으로써, 상기 발광다이오드 칩은 본 발명의 발광다이오드 팩키지의 고반사율 표면(high reflectivity surface)에 고정될 수 있다. 게다가, 상기 발광다이오드 칩과 상기 다이오드 칩은, 정전 전하 보호의 목적을 달성하기 위해 서로 평행하지 않을 수 있다.

Claims (21)

  1. 도선형 발광다이오드 팩키지에 있어서,
    상기 도선형 발광다이오드 팩키지에 배치된 발광다이오드 장치; 및
    상기 발광다이오드 장치를 덮는 성형물질로서, 복수개의 산란 지지 파장 전환기들이 상기 성형물질에 포함된, 성형물질;을 구비하고,
    상기 산란 지지 파장 전환기들은 물리적 복합 물질 또는 화학적 복합 물질로 구성되고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 적어도 하나의 산란기와 적어도 하나의 활성체를 구비하며,
    상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 의해 산란되고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들은 흡수되어, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각을 들뜨게 하여 광을 다른 파장으로 방출시키고,
    상기 활성체는 일반 공식, (A)3 + t + u (B)5 + u + 2v (C)l2 + 2t + 3u + 3v : (D) (0<t<5, 0<u<15, 0<v<9)에 의해 대표되는 물질이며, 여기서 A는 Y, Ce, Tb, Gd 및 Sc로부터 선택된 적어도 하나이고, B는 Al, Ga, Tl, In 및 B로부터 선택된 적어도 하나이고, C는 O, S 및 Se로부터 선택된 적어도 하나이고, D는 Ce 및 Tb로부터 선택된 적어도 하나이며,
    상기 활성체는 상기 산란기 표면의 부분들에 부착되거나, 상기 산란기는 상기 활성체에 의해 캡슐에 싸여지거나, 또는 상기 활성체는 상기 산란기 내부에 퍼져있고,
    상기 산란기는, 위의 일반 공식으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 요소의 산화물(oxide), 설퍼렛(sulphuret) 또는 셀레니움(selenium) 화합물(compound)을 구비하는 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 성형 물질은 유기 성형 화합물, 광에 투과성 있는 세라믹 물질, 광에 투과성 있는 유리 물질, 광에 투과성 있는 절연 유체 물질 또는 앞서 언급된 물질들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 2개의 물질들을 구비하는 복합 물질인 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 장치는 발광다이오드 칩이고,
    상기 도선형 발광다이오드 팩키지는 상기 발광다이오드 칩과 평행하지 않은 다이오드 칩을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 장치는 광에 투과성 있는 비전도성 접착제에 의해 상기 도선형 발광다이오드 팩키지의 고반사율 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  10. 제 1항에 있어서,
    양극으로 사용되는 제1도선과, 음극으로 사용되는 제2도선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1도선과 제2도선중 어느 하나는 컵을 구비하는 것을 특징으로 하는 도선형 발광다이오드 팩키지.
  12. 오목부를 구비하는 케이싱;
    상기 오목부에 배치되는 발광다이오드 장치; 및
    상기 오목부를 채우고 상기 발광다이오드 장치를 덮는 성형물질로서, 복수개의 산란 지지 파장 전환기들이 그 안에 포함된, 성형물질을 구비하고,
    상기 산란 지지 파장 전환기들은 물리적 복합 물질 또는 화학적 복합 물질로 구성되며, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각은 적어도 하나의 산란기와 적어도 하나의 활성체를 구비하며,
    상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들은 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 의해 산란되고, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각에 입사되는, 상기 발광다이오드 장치로부터 방출된 광 빔들의 부분들이 흡수되어, 상기 산란 지지 파장 전환기들 각각을 들뜨게 하여 광을 다른 파장으로 방출시키고,
    상기 활성체는 일반 공식, (A)3 + t + u (B)5 + u + 2v (C)l2 + 2t + 3u + 3v : (D) (0<t<5, 0<u<15, 0<v<9)에 의해 대표되는 물질이며, 여기서 A는 Y, Ce, Tb, Gd 및 Sc로부터 선택된 적어도 하나이고, B는 Al, Ga, Tl, In 및 B로부터 선택된 적어도 하나이고, C는 O, S 및 Se로부터 선택된 적어도 하나이고, D는 Ce 및 Tb로부터 선택된 적어도 하나이며,
    상기 활성체는 상기 산란기 표면의 부분들에 부착되거나, 상기 산란기는 상기 활성체에 의해 캡슐에 싸여지거나, 또는 상기 활성체는 상기 산란기 내부에 퍼져있고,
    상기 산란기는, 위의 일반 공식으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 요소의 산화물(oxide), 설퍼렛(sulphuret) 또는 셀레니움(selenium) 화합물(compound)을 구비하는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드 팩키지.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 성형 물질은 유기 성형 화합물, 광에 투과성 있는 세라믹 물질, 광에 투과성 있는 유리 물질, 광에 투과성 있는 절연 유체 물질 또는 앞서 언급된 물질들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 2개의 물질들을 구비하는 복합 물질인것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드 팩키지.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 발광다이오드 장치는 발광다이오드 칩이고,
    상기 칩형 발광다이오드 팩키지는 상기 발광다이오드 칩과 평행하지 않은 다이오드 칩을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드 팩키지.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 발광다이오드 장치는 광에 투과성 있는 비전도성 접착제에 의해 상기 칩형 발광다이오드 팩키지의 고반사율 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드 팩키지.
  21. 제 12항에 있어서,
    상기 케이스에 양극과 음극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩형 발광다이오드 팩키지.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
TWI249861B (en) * 2005-01-12 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWM289865U (en) * 2005-11-08 2006-04-21 Lighthouse Technology Co Ltd Sectional light emitting diode backlight unit
KR101200400B1 (ko) * 2005-12-01 2012-11-16 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
DE102006005042A1 (de) 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
EP1843400A1 (en) * 2006-03-16 2007-10-10 Centro Ricerche Plast-Optica S.r.l. Light emission device and corresponding manufacturing process
CN102800786B (zh) * 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
TWI357435B (en) * 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US7910938B2 (en) * 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US9178121B2 (en) * 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
CN101207102B (zh) * 2006-12-20 2010-05-19 凯鼎科技股份有限公司 高功率二极管支架结构及封装组合
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8212262B2 (en) * 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip
US20080197378A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Hua-Shuang Kong Group III Nitride Diodes on Low Index Carrier Substrates
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
CN101409320B (zh) * 2007-10-09 2010-06-23 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 基板制作方法
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
TWI381549B (zh) * 2008-04-28 2013-01-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
CN202094168U (zh) * 2011-05-03 2011-12-28 深圳市华星光电技术有限公司 Led封装结构
DE102012108160A1 (de) * 2012-09-03 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179269A (ja) 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP2003229603A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Citizen Electronics Co Ltd 両面発光ｌｅｄパッケージ
KR20030097609A (ko) * 1996-07-29 2003-12-31 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치와 표시장치
US20040012027A1 (en) 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
KR20040012776A (ko) * 2001-04-30 2004-02-11 젤코어 엘엘씨 Ｕｖ 반사기 및 이와 결합하는 ｕｖ 복사누설을감소시키는 ｕｖ에 근거한 광원
JP2004128424A (ja) 2002-10-07 2004-04-22 Citizen Electronics Co Ltd 白色発光装置
KR20050034936A (ko) * 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220176A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP3393089B2 (ja) * 1999-06-23 2003-04-07 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
WO2001009963A1 (fr) * 1999-07-29 2001-02-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode electroluminescente
JP2003243727A (ja) * 2001-12-14 2003-08-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
DE50309259D1 (de) * 2002-05-06 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030097609A (ko) * 1996-07-29 2003-12-31 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치와 표시장치
JP2003179269A (ja) 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
KR20040012776A (ko) * 2001-04-30 2004-02-11 젤코어 엘엘씨 Ｕｖ 반사기 및 이와 결합하는 ｕｖ 복사누설을감소시키는 ｕｖ에 근거한 광원
JP2003229603A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Citizen Electronics Co Ltd 両面発光ｌｅｄパッケージ
US20040012027A1 (en) 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
JP2004128424A (ja) 2002-10-07 2004-04-22 Citizen Electronics Co Ltd 白色発光装置
KR20050034936A (ko) * 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법

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