CN1241044A - 双工介质滤波器 - Google Patents

双工介质滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN1241044A
CN1241044A CN98126557A CN98126557A CN1241044A CN 1241044 A CN1241044 A CN 1241044A CN 98126557 A CN98126557 A CN 98126557A CN 98126557 A CN98126557 A CN 98126557A CN 1241044 A CN1241044 A CN 1241044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive pattern
dielectric filter
medium block
resonance hole
conducting material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN98126557A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1229892C (zh
Inventor
金哲镐
金镇德
朴相俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Partron Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN1241044A publication Critical patent/CN1241044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1229892C publication Critical patent/CN1229892C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2053Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207Hollow waveguide filters
    • H01P1/208Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H01P1/2084Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/06Cavity resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10Dielectric resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

一种双工介质滤波器,其包括介质块,第一和第二滤波区,它们包括具有以一种完全平行的方式穿过介质块的第一和第二表面的谐振孔的多个谐振器;形成于第一表面的谐振孔周围并与覆盖在孔内部上的导电材料相连,以将一个负载电容加到谐振器上以及在相邻谐振器之间实现电磁耦合的第一导电图形,一个沿谐振孔的排列方向置于第一滤波区的第一表面上用于在相邻谐振孔之间形成电耦合的第二导电图形,以及第三导电图形,及第四导电图形。

Description

双工介质滤波器
本发明涉及一种用于具有高频带特性的移动通信终端设备中的双工介质滤波器。更具体地说,本发明涉及一种介质滤波器,其中在介质块的第一表面上形成有预定的导电图形以在相邻的谐振器之间形成电磁耦合,从而可以制造出既小又轻的滤波器,并且可以很容易地调节谐振器的频率。
双工介质滤波器中通常是通过一个天线同时发射及接收信号的。双工介质滤波器包括一个接收端滤波器及一个发射端滤波器,接收端滤波器具有通过接收频率而截止发射频率的的通频特性,而发射端滤波器具有通过发射频率而截止接收频率的的通频特性。为了使双工介质滤波器能够用于当前的移动通信设备中,必须减小其体积。为了得到体积减小的滤波器,特地引入了双工介质滤波器。
图1所示为一种常规集成类型的双工介质滤波器的示意图。如图所示,常规的双工介质滤波器包括一个被分为一个接收滤波区和一个发射滤波区的介质块10。在此结构中,介质块10包括彼此相对的第一表面11和第二表面13,一个置于第一表面1和第二表面13之间的侧面12。第二表面13和侧面12,即介质块10的背面和侧面完全地覆盖有导电材料。另外,在介质块10的内部彼此平行地相隔预定距离排列有一组贯穿第一和第二背面的11和13的谐振孔30a-30g。在该组谐振孔30a-30g的内表面上完全地覆盖有导电材料从而形成一个谐振器。
一组具有预定尺寸的导电图形31a-31g被置于介质块10的第一表面1之上。导电图形31a-31g的每一个均被连到覆盖在每个谐振孔30a-30g内部的导电材料上以在每个谐振器上加载一个负载电容并同时在相邻谐振器之间形成耦合电容。谐振器的谐振频率由该组谐振孔30a-30g及所加载的负载电容所决定,两个谐振器的耦合是通过形成耦合电容而实现的。此外,由导电材料制成的输入和输出端21和23均被置于第一表面11上。而在接收端滤波器和发射端滤波器之间放置有一个由导电图形制成的天线端22。
通常,双工介质滤波器的发射端滤波器的高频带低于接收端滤波器的频带。因此,在接收端滤波器中的谐振孔之间占主要地位的是电场效应,而在发射端滤波器中的谐振孔之间占主要地位的是磁场效应。因而,置于接收端滤波器上的谐振孔处于电容耦合关系,而发射端滤波器中的谐振孔处于电感耦合关系。
在上述结构中,谐振频率或谐振孔之间的耦合由第一表面11上的一组导电图形31a-31g的尺寸确定。换句话说,双工介质滤波器的特性取决于导电图形31a-31g与侧面12的导电材料之间及导电图形31a-31g自身之间的间隔。
与此同时,为了制造小而轻的双工介质滤波器,双工介质滤波器的厚度应该较小,而谐振孔30a-30g之间的间隔长度也应该较短。然而由于在一个微型滤波器中第一表面11的面积可能会被减小,所以由于导电图形31a-31g与介质块10的侧面12上的导电材料及导电图形31a-31g自身之间的间隔的限制,其将产生一个问题在于不能获得所需的衰减特性。
另一方面,如果介质块10的尺寸被设计成很小,即使在导电图形31a-31g与介质块10的侧面12上的导电材料及导电图形31a-31g自身之间的间隔被制成很短的情况中,由于因印刷处理的限制而引起的误差,介质块10的体积所能减小的幅度也将有一个极限。
另外,在谐振频率是通过改变导电图形31a到31g的形状来调节的情况中,由于与此同时耦合电容及负载电容也发生了改变,其将有一个问题在于频率信号的通过及截止特性被表现为不规则的形式。而且,还存在一个问题在于由于谐振频率的调节不是自动进行的,而同时劳动力的成本应该会很高,从而降低了产品成本的竞争力。
本发明的一个目的是提供一种双工介质滤波器,在其一个介质块的一个第一表面上具有预定的导电图形以与一个谐振器形成负载电容,并在相邻谐振器之间形成耦合电容,而在不相邻的谐振器之间形成交叉耦合电容,从而可以利用简化的工序制造出小而轻的双工介质滤波器。
本发明的另一个目的是提供一种双工介质滤波器,在其一个介质块的一个第一表面上具有一个用于调节谐振器的谐振频率的导电图形,由此以一种精确的方式来将谐振频带精确地调节到所需频带。
为了实现根据本发明的这些及其它目的,其提供了一种双工介质滤波器,包括:一个彼此相对的第一和第二表面及一个置于第一和第二表面之间的侧面,第二表面和侧面上均完全地覆盖有一种导电材料;一个由至少一个谐振器构成并用于对第一输入信号进行滤波的第一滤波区,而该谐振器具有至少一个以平行方式穿过介质块的第一和第二表面的并在其内部完全覆盖有导电材料的谐振孔;一个由至少一个谐振器构成并用于对第二输入信号进行滤波的第二滤波区,而该谐振器具有至少一个以平行方式穿过介质块的第一和第二表面的并在其内部完全涂盖有导电材料的谐振孔;在第一和第二滤波区所占据的第一表面上的至少一个谐振孔的周围以一个预定尺寸形成的至少一个第一导电图形,其与覆盖在至少一个谐振孔内部上的导电材料相连,以将一个负载电容加载到至少一个谐振器上,并在相邻的谐振器之间加载电磁耦合;分别由一个与介质块侧面的导电材料隔离并用于与谐振孔形成电磁耦合的电极区组成的输入/输出端;一个由一个与介质块侧面的导电材料隔离并被置于介质块的第一和第二滤波区之间从而与谐振孔形成电磁耦合的天线端;至少一个沿其谐振孔的排列方向并用于在相邻的谐振器之间形成电磁耦合而置于介质块的第一滤波区的第一表面的顶部及底部任一处上的第二导电图形;至少一个置于介质块的第一滤波区的第一表面上的用于在相邻谐振器之间形成电磁耦合的第三导电图形;至少一个置于介质块的第一表面上用于调节谐振器的谐振频率的第四导电图形。
从接下来参照附图对本发明所进行的说明中,本发明的其它目的及方面将变得显而易见,其中:
图1所示为一种常规集成类型的双工介质滤波器的透视图;
图2所示为一种根据本发明构造的双工介质滤波器的透视图;
图3所示为图2所示的一个发射滤波区的等效电路图;
图4所示为图2所示的一个接收滤波区的等效电路图;
图5所示为图2所示的双工介质滤波器的一个发射滤波区的特性图;及
图6所示为图2所示的双工介质滤波器的一个接收滤波区的特性图。
接下来将参照附图对根据本发明一个优选实施例的一种双工介质滤波器的结构进行详细地说明。
图2所示为根据本发明的一种双工介质滤波器的透视图。如图所示,双工介质滤波器包括一个六面体介质块110,其中第一和第二表面111和113彼此相对。介质块110具有一组相隔有预定距离且平行地穿过第一和第二表面的谐振孔130a到130g。在第二表面13和置于第一和第二表面111和113之间的侧面112上分别覆盖有一种导电材料,从而形成一个地电极。另外,导电材料还被覆盖在该组谐振孔130a到130g的内部表面上,每个谐振孔均形成一个谐振器。另一方面,在介质块10的第一表面111上形成有一个其上没有覆盖导电材料的开路区。
在第一表面111的一组谐振孔130a到130g的周围以预定的尺寸形成有至少一个第一导电图形131a到131g,其与每个谐振孔的内表面上的内部电极相连,以向每个谐振孔加载一个负载电容以及在相邻谐振器之间形成电磁耦合。因此,在介质块110的第一表面上便形成了发射和接收端121和123以及天线端122。
并未在图中示出,在介质块110的侧面112上形成有与导电材料隔离的并用于从介质块110所固定于其上的基底中输入一个信号或将一个信号输出到该衬底的输入/输出衬垫(pad)及天线衬垫(pad)。这些衬垫(pad)被分别连到输入/输出端121和123以及天线端122上。因此,在本发明如上所述的优选实施例中,输入/输出端121和123以及天线端122包含输入/输出衬垫(pad)及天线衬垫(pad),由此构成了普通的双工介质滤波器。
双工介质滤波器通常由第一和第二滤波区构成。如果第一滤波区通过天线端对所接收的信号进行滤波,则第二滤波区便对通过天线端发射的信号进行滤波。通常,在介质块中不需要划分接收滤波区及发射滤波区。即使在双工介质滤波器具有相同结构系统的情况下,接收滤波区和发射滤波区也可以根据具体的产品来改变。因此,为了便于说明可以将本发明的优选实施例中的发射/接收滤波区区分开来,但其理所当然不应限制本发明的范围。
在如图2所示的介质滤波器中,置于以天线端122为中心的左侧上的三个谐振孔被包含在用于输出一个高频信号的发射滤波区中,置于右侧上的四个谐振孔被包含在用于输入一个高频信号的接收滤波区中。接收滤波区具有通过接收频率而截止发射频率的通频特性。与其相反,发射滤波区具有通过发射频率而截止接收频率的通频特性。
在第一表面111的接收滤波区中谐振孔130d到130g的下面,沿该组谐振孔130d到130g的排列方向并与第一导电图形131d到131g相隔预定的距离地置有至少一个条形的第二导电图形140。第二导电图形140用于分别在相邻谐振器之间形成一个耦合电容,而在不相邻的谐振器之间形成一个交叉耦合电容,由此决定接收滤波区的频带。
第二导电图形140可以被置于谐振孔130d到130g的顶部或同时位于其顶部及底部。第二导电图形140的位置对所形成的耦合电容及交叉耦合电容的程度没有影响。如果在谐振孔130d到130g的顶部及底部分别放置有第二导电图形140,则可以形成一个较大程度的耦合电容,从而减小了第一导电图形131d到131g每一个的尺寸。
条形第二导电图形140具有预定的长度和宽度,耦合电容随着其预定长度和宽度增大而增大。第二导电图形140被连到介质块110的侧面112上的地电极上,但优选地是与其短路。
形成在接收滤波区中的谐振孔130d到130g的上部上的至少一个第三导电图形141从介质块110的地电极延伸到谐振孔130d到130g。第三导电图形141用于调节随其长度和宽度变化而变化的谐振频率。如图2所示,第三导电图形141与形成在谐振孔130d到130g下方的第二导电图形140合为一体,并可以被一直延伸到谐振孔130d到130g。用于调节谐振频率的第三导电图形141可以形成于谐振孔130d到130g的上方或下方,这取决于第二导电图形140的位置。
置于谐振孔130d到130g上方的第三导电图形141被连到介质块110的侧面112上的地电极上,并分别向谐振孔130d到130g延伸,但也可以短路到地电极上。另外,第三导电图形141可以被置于第二导电图形140的长度方向的一侧或其两侧上。用于调节谐振频率的第三导电图形141的排列位置并不仅局限于如上所述的方式。
发射/接收端121和123及天线端122在其末端均包括长度调节区121a,122a和123a。长度调节区121a,122a和123a分别用于调节发射/接收端121和123及天线端122的长度以控制与谐振孔130a到130g的电磁耦合。
在发射滤波区的谐振孔130a到130c之间分别形成有条形第四导电图形135a到135d。更具体地说,在一种与第一导电图形131a到131d相隔一个预定距离的情况下,第四导电图形135a和135b被置于相邻谐振孔130a和130b之间,而第四导电图形135c和135d则被置于相邻谐振孔130c和130d之间。第四导电图形135a和135d被连到介质块110的侧面112的地电极上。第四导电图形135a和135d抑制相邻谐振孔130a到130c之间的电容并形成一个耦合电容,由此形成一个频带高于双工介质滤波器的通频带的衰减极。因此,第四导电图形135a到135d可以调节其自身的长度从而调节形成衰减极的所在频率。此时,在第四导电图形的相对的两个末端上分别形成了两个长度调节区147。换句话说,如果长度调节区147形成于一个导电图形的上部末端上,则另一个便被形成在相邻导电图形的下部末端上。
一个置于发射滤波区中的谐振孔130a到130c的上方,用于调节谐振器的谐振频率的第五导电图形,以与接收滤波区相同的方式,从介质块110的侧面112上的地电极延伸到谐振孔130a到130c。此时,第五导电图形145可以与侧面112的地电极短路,并可以被形成在谐振孔130a到130c的上部和下部。
接下来,将对根据本发明的双工介质滤波器的操作及效果进行说明。
如图2所示,天线122左侧的发射滤波区被用来发射高频信号,而天线122右侧的接收滤波区被用来接收高频信号。此时,平行地放置在发射及接收滤波区上的一组谐振孔130a到130g,被彼此分开预定的距离,分别用作一个具有四分之一波长(λ)的谐振器。
图3所示为图2所示的发射滤波区的等效电路。该发射滤波区的滤波特性是通过调节负载电容C1,C2和C3来实现的。负载电容C1,C2和C3的存在允许以一个低于每个谐振孔r1,r2及r3的谐振频率的频率来形成一个谐振点。其意味着每个谐振孔r1到r3的长度均短于谐振点的四分之一波长(λ)。在此情况中,由于谐振器之间通过电场产生的耦合被抑制了,所以在其之间是通过磁场产生的耦合效应占主要地位。因而,在谐振器之间形成了电感耦合M1和M2。
与此相反,由于在高于通频带中频率上该四分之一波长可能被缩短,则占主要地位的磁场耦合效应将逐渐减小。如果此频率达到一个特定频率,则耦合效应最终将处于一种零发射状态,从而形成一个衰减极。在如上所述的原理之下,将通过负载电容C1到C3的适当调节来调节形成于发射终止通频带的高频上的衰减极。
为此,在本发明的双工介质滤波器中,在负载电容C1到C3在设计及生产的过程中被调节以控制滤波器的特性的情况中,将对第四导电图形135a到135d的每一个及第五导电图形145进行调节。此时,如果只形成了单一的第四导电图形,导电图形便可以根据电极长度的变化来调节负载电容,但与此同时谐振孔之间的耦合电容也发生了改变,所以调节变量将增大,其调谐也将变得很困难。因此,其需要放置一对或更多的第四导电图形,如图2所示。
因此,提供了一对或更多的第四导电图形135a到135d,而长度调节区147排列在第四导电图形135a到135d的地电极彼此交叉的方向上,从而可以减小由谐振孔之间的耦合电容所引起的变量,从而可以以一种简单的方式来进行谐振频率的调节,由此提高了频率调节操作的效率。
与此同时,双工介质滤波器的介质块110中的接收滤波区包括谐振孔130a到130g及形成在谐振孔130a到130g周围的第二导电图形140。由于接收区的带通频率高于发射区的带通频率,所以接收滤波区所具有的负载电容将有所减小。另外,与发射区相比,接收滤波区应该具有一个用于通频带中的低频的截止频带。此时,在频率变低的情况中,四分之一波长被增大以增加在谐振孔130d到130g之间由磁场所产生的耦合。因此,与发射滤波区相比,接收滤波区应该增大耦合电容以补偿低频的耦合效应,从而形成衰减极。图4显示了介质块110的接收滤波区的等效电路图,其中在谐振器r4到r7之间的耦合电容被增大的情况中,谐振器r4到r7之间的电磁耦合占主要地位。
在本发明的接收滤波区中,形成于谐振孔130d到130g下部的第二导电图形140,没有被连到介质块110的侧面112的地电极上,其用于抑制谐振孔130a到130g的负载电容并增大相邻谐振器彼此之间的以及彼此不相邻谐振器彼此之间的耦合电容。此外,接收滤波区中的第三导电图形141用于以一种容易的方式来调节谐振频率。
图5所示为根据本发明的双工介质滤波器的发射滤波区的特征曲线,而图6所示为根据本发明的双工介质滤波器的接收滤波区的特征曲线。如图5和6所示,在双工介质滤波器的发射滤波区中,在通频带内的高频上获得了衰减率;而在双工介质滤波器的接收滤波区中,在通频带内低频上获得了衰减率。其是通过发射滤波区中的第四导电图形135a到135d和第五导电图形145的长度的调节以及第二和第三导电图形140和141长度的调节来实现的。
尽管已参照具体实施例对本发明进行了说明,但此说明仅是本发明的示范,而不应被理解为对本发明的限制。因此,对于那些技术熟练者来说,在不背离本发明精神的条件下可以出现多种形式的修正。
如上所述,根据本发明的一种双工介质滤波器通过改变每个预定导电图形的电极的一个预定部分的长度,而能够以一种容易的方式来对一组谐振孔的负载电容的耦合电容进行调节,更具体地说,其是通过对负载和耦合电容各自进行调节来对频带及谐振频率进行控制的。
另外,根据本发明的一种双工介质滤波器能够以一种简单的方式对谐振频率进行调节,从而确保了产品生产率的提高以及设计和制造过程中成本的节约,由此将导致成本竞争力的提高。

Claims (38)

1.一种介质滤波器,其特征在于包括:
一个包括彼此相对的第一和第二表面以及置于所述第一和第二表面之间的侧面的介质块,所述第二表面和所述侧面均覆盖有导电材料;
一个具有至少一个谐振器以用于对第一输入信号进行滤波的第一滤波区,该谐振器至少具有一个以一种平行方式穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,并在孔的内部完全地覆盖有所述导电材料;
一个具有至少一个谐振器以用于对第二输入信号进行滤波的第二滤波区,该谐振器至少具有一个以一种平行方式穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,并在孔的内部完全地覆盖有所述导电材料;
多个输入/输出端,其每个均包括一个与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料隔离并用于与所述谐振孔形成电磁耦合的电极区;
一个具有与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料隔离的并被置于所述介质块的所述第一和第二滤波器之间以与所述谐振器形成电磁耦合的一个电极区的天线端;及
至少一个沿所述谐振孔的排列方向形成于所述介质块的第一表面上并用于增强相邻谐振器之间的耦合电容的第一导电图形。
2.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于第一导电图形被形成于所述谐振孔的上部及下部中的至少一处上。
3.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于在所形成的所述第一导电图形至少贯穿两个谐振孔。
4.如权利要求3所述的介质滤波器,其特征在于在所形成的所述第一导电图形延伸到所述至少两个谐振孔的末端。
5.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于另外包括一个置于所述第一表面上以在所述谐振器之间形成电磁耦合的一个第二导电图形。
6.如权利要求5所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括至少一个导电图形,其具有预定的尺寸并被置于所述第一表面的所述至少一个谐振孔的周围,从而与覆盖在所述至少一个谐振孔的内部上的导电材料相连,用来将一个负载电容加载到所述至少一个谐振器上并与相邻谐振器形成电磁耦合。
7.如权利要求5所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括至少一个导电图形,其被置于所述介质块的所述第一表面的所述谐振孔的末端之间,以与相邻谐振器形成所述电磁耦合。
8.如权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形在其一个末端处与所述介质块的所述侧面上的导电材料相连。
9.如权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形在其两个末端处与所述介质块的所述侧面上的导电材料相连。
10.如权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括至少两个导电图形,其被形成在所述谐振孔的末端之间并彼此相距一个预定的距离,每个所述导电图形均与在其一个末端处与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料相连。
11.如权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括一个被置于其末端之上并用于通过调节其长度来调节相邻谐振器之间的电磁耦合的长度调节区。
12.如权利要求7所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形与所述第一导电图形集成在一起。
13.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于另外包括至少一个用于调节谐振频率的第三导电图形,其被置于所述介质块的所述第一表面上用于调节所述谐振器的谐振频率。
14.如权利要求13所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述介质块的所述侧面上的所述导电材料延伸到所述第一表面的所述谐振孔的末端。
15.如权利要求13所述的介质滤波器,其特征在于所述第三导电图形通过调节其面积及所述谐振孔的末端与所述第三导电图形之间的距离来调节谐振频率。
16.如权利要求13所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述第一导电图形延伸到所述第一表面的所述谐振孔的末端。
17.如权利要求13所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述第一导电图形延伸到所述介质块的所述侧面。
18.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于所述输入/输出端及所述天线端均包括一个形成在其每个末端上的用于控制与所述谐振孔的电磁耦合的长度调节区。
19.一种介质滤波器,其特征在于包括:
一个包括彼此相对的第一和第二表面以及置于所述第一和第二表面之间的侧面的介质块,所述第二表面和所述侧面均覆盖有导电材料;
一组完全地平行设置的并穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,在其内部表面上完全地覆盖有所述导电材料,所述一组谐振孔的每一个均形成了一个谐振器;
多个输入/输出端,其每个均具有一个与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料隔离并用于与所述谐振孔形成电磁耦合的电极区;
至少一个沿所述谐振孔的排列方向形成于所述介质块的第一表面上的用于增强相邻谐振器之间的耦合电容的第一导电图形。
20.一种介质滤波器,其特征在于包括:
一个包括彼此相对的第一和第二表面以及置于所述第一和第二表面之间的侧面的介质块,所述第二表面和所述侧面均覆盖有导电材料;
一个具有至少一个谐振器以用于对第一输入信号进行滤波的第一滤波区,该谐振器至少具有一个以一种完全平行的方式穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,并在其内部完全地覆盖有所述导电材料;
一个具有至少一个谐振器以用于对第二输入信号进行滤波的第二滤波区,该谐振器至少具有一个以一种完全平行的方式穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,并在其内部完全地覆盖有所述导电材料;
多个输入/输出端,其每个均包括一个与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料隔离并用于与所述谐振孔形成电磁耦合的电极区;
一个具有与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料向隔离的并被置于所述介质块的所述第一和第二滤波器之间以与所述谐振器形成电磁耦合的一个电极区的天线端;及
至少一个沿所述谐振孔的排列方向形成于所述介质块的第一表面上的用于增强相邻谐振器之间的耦合电容并用于在不相邻的谐振孔之间形成交叉耦合电容的第一导电图形。
21.如权利要求20所述的介质滤波器,其特征在于第一导电图形被形成在所述谐振孔的上部及下部中的至少一处上。
22.如权利要求20所述的介质滤波器,其特征在于在所形成的所述第一导电图形贯穿至少三个谐振孔。
23.如权利要求22所述的介质滤波器,其特征在于在所形成的所述第一导电图形延伸到所述至少三个谐振孔的末端。
24.如权利要求20所述的介质滤波器,其特征在于另外包括一个置在所述第一表面上以在所述谐振器之间形成电磁耦合的一个第二导电图形。
25.如权利要求24所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括至少一个导电图形,其具有预定的尺寸并被放置在所述第一表面的所述至少一个谐振孔的周围,从而与覆盖在所述至少一个谐振孔的内部上的所述导电材料相连,用于将一个负载电容加载到所述至少一个谐振器上并在相邻谐振器之间形成电磁耦合。
26.如权利要求24所述的介质滤波器,其特征在于在所述第二导电图形包括至少一个导电图形,其被置于所述介质块的所述第一表面的所述谐振孔的末端之间,以在相邻谐振器之间形成所述电磁耦合。
27.如权利要求26所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形在其一个末端处与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料相连。
28.如权利要求26所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形在其两个末端处与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料相连。
29.如权利要求26所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括至少两个导电图形,其被形成于所述谐振孔的末端之间并彼此相距一个预定距离,每个所述导电图形均与在其一个末端处与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料相连。
30.如权利要求26所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形包括一个被置于其末端之上用于通过调节其长度来调节相邻谐振器之间的电磁耦合的长度调节区。
31.如权利要求26所述的介质滤波器,其特征在于所述第二导电图形与所述第一导电图形集成在一起。
32.如权利要求20所述的介质滤波器,其特征在于另外包括至少一个用于调节谐振频率的第三导电图形,其被置于所述介质块的所述第一表面上以用于调节所述谐振器的谐振频率。
33.如权利要求32所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述介质块的所述侧面上的所述导电材料延伸到所述第一表面的所述谐振孔的末端。
34.如权利要求32所述的介质滤波器,其特征在于所述第三导电图形通过调节其面积及所述谐振孔的末端与所述第三导电图形之间的距离来调节谐振频率。
35.如权利要求32所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述第一导电图形延伸到所述第一表面的所述谐振孔的末端。
36.如权利要求32所述的介质滤波器,其特征在于所形成的所述第三导电图形从所述第一导电图形延伸到所述介质块的所述侧面。
37.如权利要求20所述的介质滤波器,其特征在于所述输入/输出端及所述天线端均包括一个形成于其每个末端上的用于控制与所述谐振孔的电磁耦合的长度调节区。
38.一种介质滤波器,其特征在于包括:
一个包括彼此相对的第一和第二表面以及置于所述第一和第二表面之间的侧面的介质块,所述第二表面和所述侧面均覆盖有导电材料;
一组完全地平行放置的并穿过所述介质块的所述第一和第二表面的谐振孔,在其内部表面上完全地覆盖有所述导电材料,所述一组谐振孔的每一个均形成了一个谐振器;
多个输入/输出端,其每个均具有一个与所述介质块的所述侧面上的所述导电材料隔离并用于与所述谐振孔形成电磁耦合的电极区;
至少一个沿所述谐振孔的排列方向形成于所述介质块的第一表面上的用于增强相邻谐振器之间的耦合电容并在不相邻的谐振孔之间形成交叉耦合电容的第一导电图形。
CNB98126557XA 1998-07-08 1998-12-25 双工介质滤波器 Expired - Fee Related CN1229892C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR27437/98 1998-07-08
KR1019980027437A KR100262498B1 (ko) 1998-07-08 1998-07-08 일체형유전체필터
KR33567/98 1998-08-19
US60/106372 1998-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1241044A true CN1241044A (zh) 2000-01-12
CN1229892C CN1229892C (zh) 2005-11-30

Family

ID=19543442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB98126557XA Expired - Fee Related CN1229892C (zh) 1998-07-08 1998-12-25 双工介质滤波器

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100262498B1 (zh)
CN (1) CN1229892C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107658532A (zh) * 2017-10-23 2018-02-02 石家庄创天电子科技有限公司 滤波器
CN110277613A (zh) * 2019-06-28 2019-09-24 武汉凡谷电子技术股份有限公司 一种叠层一体化介质滤波器
CN111384530A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法
CN113036325A (zh) * 2021-01-26 2021-06-25 嘉兴佳利电子有限公司 一种新型介质滤波器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030088993A (ko) * 2002-05-15 2003-11-21 엘지이노텍 주식회사 유전체 듀플렉서
KR101457014B1 (ko) * 2013-02-01 2014-11-04 (주)파트론 차단주파수 외측 대역 감쇄 패턴을 갖는 유전체 필터

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4823098A (en) * 1988-06-14 1989-04-18 Motorola, Inc. Monolithic ceramic filter with bandstop function
JPH08228103A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107658532A (zh) * 2017-10-23 2018-02-02 石家庄创天电子科技有限公司 滤波器
CN111384530A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法
CN110277613A (zh) * 2019-06-28 2019-09-24 武汉凡谷电子技术股份有限公司 一种叠层一体化介质滤波器
CN113036325A (zh) * 2021-01-26 2021-06-25 嘉兴佳利电子有限公司 一种新型介质滤波器
CN113036325B (zh) * 2021-01-26 2022-08-12 嘉兴佳利电子有限公司 一种介质滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
CN1229892C (zh) 2005-11-30
KR19990013687A (ko) 1999-02-25
KR100262498B1 (ko) 2000-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5416454A (en) Stripline filter with a high side transmission zero
US5227748A (en) Filter with electrically adjustable attenuation characteristic
US5357227A (en) Laminated high-frequency low-pass filter
JPH07326904A (ja) 誘電体フィルター
US5926078A (en) Dielectric filter including various means of adjusting the coupling between resonators
US20020149449A1 (en) Quasi dual-mode resonator
CN1229892C (zh) 双工介质滤波器
US6052041A (en) TM mode dielectric resonator and TM mode dielectric filter and duplexer using the resonator
US5831495A (en) Dielectric filter including laterally extending auxiliary through bores
JPS59114902A (ja) 誘電体フイルタ
US6150905A (en) Dielectric filter with through-hole having large and small diameter portions and a coupling adjustment portion
US6525625B1 (en) Dielectric duplexer and communication apparatus
KR100262499B1 (ko) 일체형듀플렉서유전체필터
CN1201428C (zh) 介质滤波器
CN1259774A (zh) 绝缘滤波器
US5821835A (en) Dielectric filter and method of regulating its frequency bandwidth
JPH0473641B2 (zh)
US6169465B1 (en) Duplexer dielectric filter
US6362705B1 (en) Dielectric filter unit, duplexer, and communication apparatus
GB2339341A (en) Duplexer dielectric filter
KR100311809B1 (ko) 유전체필터
KR100332879B1 (ko) 유전체 듀플렉서 및 그 제조방법
KR100332878B1 (ko) 듀플렉서 유전체 필터
KR19990058588A (ko) 고주파용 유전체 필터
KR100305577B1 (ko) 유전체 듀플렉서의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: CO., LTD. PARTRON

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD

Effective date: 20030915

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20030915

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Partron Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee