CN111384530A - 介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法。该介质滤波器通过至少两个介质块并排设置以形成介质滤波器的方式，减少了仅通过一个介质块形成介质滤波器时，介质块所需的长度，提高了介质滤波器的应用范围，降低甚至消除了介质块在烧结过程中出现弯曲变形的风险，提高良品率，且结构简单，易于成型，适合大批量生产。

Description

介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别是涉及一种介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法。

背景技术

随着通信技术的突飞猛进，5G通信技术的应用越来越广泛，滤波器作为5G通信系统中的重要部件，高度集成化、低成本的滤波器是5G通信技术必然需求。

现有技术中，一般采用高介电常数的陶瓷材料制备形成长方体结构的介质块，以形成满足上述需求的滤波器，但是这种结构的介质块长度较长，应用范围较窄，且在烧结过程中容易出现弯曲变形的情况。

发明内容

本申请主要是提供一种介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法，旨在解决介质块过长导致容易弯曲变形的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种介质滤波器，所述介质滤波器包括至少两个介质块，每个所述介质块包括沿长度方向间隔设置的第一端面和第二端面、沿宽度方向间隔设置的第一侧面和第二侧面以及沿厚度方向间隔设置的第三侧面和第四侧面，所述介质块沿长度方向的尺寸大于沿宽度方向和厚度方向的尺寸；每个所述介质块沿所述长度方向划分成至少两个彼此级联的介质谐振单元；所述至少两个介质块沿所述宽度方向或厚度方向并排设置，所述至少两个介质块的相邻侧面设置有金属屏蔽层，所述至少两个介质块的相邻侧面的金属屏蔽层彼此键合，进而使得所述至少两个介质块相对固定；其中，所述介质滤波器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是，提供一种制备介质块的方法，所述方法用于制备上述的介质块，所述方法包括：提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；将所述二次球磨得到的料浆烘干；将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；在与所述介质块的形状匹配的模具中干压成型；以及去除粘结剂并再次烧结，以得到所述介质块。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种制备介质滤波器的方法，其中，所述方法用于制备上所述的介质滤波器，所述方法包括：提供至少两个介质块，所述介质块为通过上述的方法所制备的介质块；在所述介质块的表面上覆盖金属屏蔽层，并将所述至少两个介质块上的所述金属屏蔽层键合，以得到所述介质滤波器。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种通信设备，所述通信设备包括上述的介质滤波器。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过至少两个介质块并排设置以形成介质滤波器的方式，减少了仅通过一个介质块形成介质滤波器时，介质块所需的长度，提高了介质滤波器的应用范围，降低甚至消除了介质块在烧结过程中出现弯曲变形的风险，提高良品率，且结构简单，易于成型，适合大批量生产，此外，介质滤波器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛，该介质滤波器的材料具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数，能够改善的介质滤波器的介电性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请提供的介质滤波器第一实施例的分解结构示意图；

图2是图1中相邻的两个介质谐振单元的连接示意图；

图3是图1中介质滤波器的装配结构示意图；

图4是本申请提供的介质滤波器第二实施例的结构示意图；

图5是图4中两个介质块的分解结构示意图；

图6是本申请提供的介质滤波器第三实施例的结构示意图；

图7是图6中两个介质块的分解结构示意图；

图8是本申请提供的制备介质块的方法实施例的流程示意图；

图9示例性地示出了本申请提供的陶瓷的微波介电性能的测试结果；

图10是本申请提供的制备介质滤波器的方法实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

参阅图1，图1是本申请提供的介质滤波器10第一实施例的分解结构示意图，本实施例中的介质滤波器10包括介质块11。

其中，介质块11包括沿长度方向，也即如图1中所示的X向间隔设置的第一端面111及第二端面112、沿宽度方向，也即如图1中所示的Y向上间隔设置的第一侧面113及第二侧面114、沿厚度方向，也即如图1中所述的Z向上间隔设置的第三侧面115及第四侧面116。

可选的，在本实施例中，介质块11呈长方体设置，上述的第一端面111、第二端面112、第一侧面113、第二侧面114、第三侧面115及第四侧面116分别该长方体在如上述方向上设置的六个面，当然，在其他实施例中，介质块11也可以呈其他规则或不规则的形状设置，在此不做限制。

进一步的，介质块11沿长度方向上的尺寸大于宽度方向及厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块11沿宽度方向上的尺寸大于沿厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块11相对于沿长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置，可以理解的，该中轴面是为了便于说明而设置的虚拟面。

可选的，介质块11的材质为陶瓷材料，由于陶瓷材料的介电常数较高，因此，通过高介电常数的陶瓷材料对微波波长的压缩效应，可以大幅度压缩介质谐振单元的有效尺寸，使介质滤波器的整体外形尺寸小型化，同时因陶瓷材料易于模具成型，可以实现较低成本的批量化生产，故小型化、集成化应用具备优势的陶瓷滤波器与5G微基站(SmallCells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，当然，在其他实施例中，介质块11的材质也可以为其他介电常数与陶瓷相近的材料。

进一步的，介质块11如图1中虚线所示的，沿长度方向划分成至少两个彼此级联的介质谐振单元，该至少两个介质谐振单元可以是如图1中所示的至少两个介质谐振单元11a，也可以是至少两个介质谐振单元11b，在本实施例中，位于介质块11两端的两个介质谐振单元为介质谐振单元11a，位于两个介质谐振单元11a之间的为介质谐振单元11b。

共同参阅图1及图2，图2是图1中相邻的两个介质谐振单元的连接示意图，其中，在相邻的两个介质谐振单元的连接区域设置有镂空槽101，且在垂直于长度方向将相邻的两个介质谐振单元分别等分成两个部分后，相邻的两个介质谐振单元彼此相邻的部分的几何中心位于镂空槽101内，比如如图2所示的，两个相邻的介质谐振单元分别为介质谐振单元11a和介质谐振单元11b，在垂直于长度方向将介质谐振单元11a和介质谐振单元11b分别等分成两个部分1111、1112和1113、1114，介质谐振单元11a和介质谐振单元11b相邻的部分1112和1113的几何中心A和B位于镂空槽101内，以提高相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值，进而提高介质滤波器10的带外谐波特性，且多个介质谐振器通过一体成型的方式，不需要拼接、二次烧结，结构及工艺简单，提高结构尺寸的稳定性及一致性，提高产品良率，实现大批量生产。

可以理解的，在本实施中，由于介质谐振单元11b的两端均需要级联其他介质谐振单元，因此，在垂直于长度方向将介质谐振单元11b等分成两个部分1113和1114后，介质谐振单元11b的另一部分1114的几何中心C也位于另一镂空槽101内。

可选的，镂空槽101设置成使得相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值不小于1.5。

可选的，镂空槽101连通第一侧面113和第二侧面114，或者连通第三侧面115和第四侧面116，在本实施例中，镂空槽101连通第三侧面115和第四侧面116。

可选的，镂空槽101外露于空气。

可选的，镂空槽101相对于长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置。

可选的，镂空槽101呈长方体设置，可以理解的，在其他实施例中，镂空槽101也可以呈其他形状。

共同参阅图1及图3，图3是图1中介质滤波器10的装配结构示意图，本实施例中的介质滤波器10还包括输出端子12和输入端子13，输出端子12和输入端子11分别与第一端面111和第二端面112相邻设置，也即输出端子12和输入端子13可以设置于第一侧面113、第二侧面114、第三侧面115及第四侧面116中的任一个。

可选的，该输出端子12和输入端子13采用探针形式，在其他实施例中，也可以采用印刷电路板、微带线等形式。

进一步的，本实施例中的介质滤波器10还包括电磁屏蔽层14，该电磁屏蔽层14覆盖介质块11的外表面，以实现屏蔽功能。

可选的，电磁屏蔽层14包括至少覆盖于镂空槽101上的屏蔽盖板141，在本实施例中，通过两个屏蔽盖板141在介质块11的第三侧面115及第四侧面116上覆盖镂空槽101，而介质块11上没有设置屏蔽盖板141的其他外表面可通过涂覆包括但不限于铜、银、锡或铝等金属以形成金属涂层，该金属涂层与屏蔽盖板141共同形成本实施例中的电磁屏蔽层14。

其中，屏蔽盖板141上设有延伸至镂空槽101内的调谐螺杆15，以通过调谐螺杆15调节介质滤波器10的谐振频率，通过这种设置调谐螺杆15的方式，不需要在介质块11上预留调谐孔，避免在介质块11上设置调谐孔带来的工艺难度。

可选的，调谐螺杆15的数量为至少两个，至少两个调谐螺杆15沿长度方向间隔设置。

参阅图4，图4是本申请提供的介质滤波器20第二实施例的结构示意图，本实施例中的介质滤波器20包括至少两个介质块21，本实施例图示中以两个为例。

参阅图5，图5是图4中两个介质块21的分解结构示意图，其中，每个介质块21包括沿长度方向，也即如图5中所示的X向间隔设置的第一端面211及第二端面212、沿宽度方向，也即如图5中所示的Y向上间隔设置的第一侧面213及第二侧面214、沿厚度方向，也即如图5中所述的Z向上间隔设置的第三侧面215及第四侧面216。

可选的，在本实施例中，每个介质块21呈长方体设置，上述的第一端面211、第二端面212、第一侧面213、第二侧面214、第三侧面215及第四侧面216分别该长方体在如上述方向上设置的六个面，当然，在其他实施例中，介质块21也可以呈其他规则或不规则的形状设置，在此不做限制。

进一步的，介质块21沿长度方向上的尺寸大于宽度方向及厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块21沿宽度方向上的尺寸大于沿厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块21相对于沿长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置，可以理解的，该中轴面是为了便于说明而设置的虚拟面。

可选的，介质块21的材质为陶瓷材料，由于陶瓷材料的介电常数较高，因此，通过高介电常数的陶瓷材料对微波波长的压缩效应，可以大幅度压缩介质谐振单元的有效尺寸，使介质滤波器的整体外形尺寸小型化，同时因陶瓷材料易于模具成型，可以实现较低成本的批量化生产，故小型化、集成化应用具备优势的陶瓷滤波器与5G微基站(SmallCells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，当然，在其他实施例中，介质块21的材质也可以为其他介电常数与陶瓷相近的材料。

进一步的，每个介质块21如图5中虚线所示的，沿长度方向划分成至少两个级联的介质谐振单元，该至少两个介质谐振单元可以是如图5中所示的至少两个介质谐振单元21a，也可以是至少两个介质谐振单元21b，在本实施例中，位于介质块21两端的两个介质谐振单元为介质谐振单元21a，位于两个介质谐振单元21a之间的为介质谐振单元21b。

其中，在同一介质块21的相邻的两个介质谐振单元的连接区域设有镂空槽201，且在垂直于长度方向将相邻的两个介质谐振单元分别等分成两个部分后，相邻的两个介质谐振单元彼此相邻的部分的几何中心位于镂空槽201内，以提高相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值，进而提高介质滤波器20的带外谐波特性，本实施例中的介质谐振单元21a及介质谐振单元21b与上述第一实施例中的介质谐振单元11a及介质谐振单元11b，相同，在此不再赘述。

可选的，镂空槽201设置成使得相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值不小于1.5。

可选的，镂空槽201连通第一侧面213和第二侧面214，或者连通第三侧面215和第四侧面216，在本实施例中，镂空槽201连通第三侧面215和第四侧面216。

可选的，镂空槽201外露于空气。

可选的，镂空槽201相对于长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置。

可选的，镂空槽201呈长方体设置，可以理解的，在其他实施例中，镂空槽201也可以呈其他形状设置。

进一步的，至少两个介质块21沿宽度方向或厚度方向并排设置，且至少两个介质块21的相邻侧面设有金属屏蔽层22，在本实施例中，也即如图5中所示的其中一个介质块21的第一侧面213与另一介质块21的第二侧面212设有金属屏蔽层22。

其中，至少两个介质块21的相邻侧面的金属屏蔽层22彼此键合，以使得至少两个介质块21相对固定。

具体的，在至少两个介质块21的相邻侧面涂覆金属涂层后，可先进行预烘烤，然后使用夹具固定拼接，最后通过高温烧结的方式使得金属涂层键合。

进一步的，至少两个介质块21的金属屏蔽层22上分别设有在相邻侧面金属屏蔽层22彼此键合至少部分重叠的耦合窗口221，以实现至少两个介质块21上的介质谐振单元之间的耦合，在如上述的涂覆金属涂层的过程中，可先在耦合窗口221的位置进行遮蔽，以防止金属涂层渗入耦合窗口221，导致不同介质块21上的介质谐振单元耦合失效。

其中，当至少两个介质块21并排设置后，介质块21上的至少两个级联的介质谐振单元可直接耦合，也可以交叉耦合，比如同一个介质块21上的至少两个级联的介质谐振单元可直接耦合，不同介质块21上至少两个级联的介质谐振单元可交叉耦合，也可以是不同介质块21上至少两个级联的介质谐振单元直接耦合，同一介质块21上的至少两个级联的介质谐振单元交叉耦合，提高了介质滤波器20的选频特性。

进一步的，本实施例中的介质滤波器20还包括分别设置于至少两个介质块21上的输出端子23及输入端子24。

可选的，该输出端子23和输入端子24采用探针形式，在其他实施例中，也可以采用印刷电路板、微带线等形式。

进一步的，本实施例中的介质滤波器20还包括屏蔽盖板25，该屏蔽盖板25至少覆盖于镂空槽201，在本实施例中，每一介质块21均设有两个覆盖于镂空槽201的屏蔽盖板25。

其中，屏蔽盖板25上设有延伸至镂空槽201的调谐螺杆26，以通过调谐螺杆26调节介质滤波器20的谐振频率，通过这种设置调谐螺杆26的方式，不需要在介质块21上预留调谐孔，避免在介质块21上设置调谐孔带来的工艺难度。

可选的，调谐螺杆26的数量为至少两个，至少两个调谐螺杆26沿长度方向间隔设置。

参阅图6，图6是本申请提供的介质滤波器30第三实施例的结构示意图，本实施例中的介质滤波器30至少两个介质块31，本实施例中以两个介质块31为例。

参阅图7，图7是图6中两个介质块31的分解结构示意图，其中，每个介质块31包括沿长度方向，也即如图7中所示的X向间隔设置的第一端面311及第二端面312、沿宽度方向，也即如图7中所示的Y向上间隔设置的第一侧面313及第二侧面314、沿厚度方向，也即如图7中所述的Z向上间隔设置的第三侧面315及第四侧面316。

可选的，在本实施例中，每个介质块31呈长方体设置，上述的第一端面311、第二端面312、第一侧面313、第二侧面314、第三侧面315及第四侧面316分别该长方体在如上述方向上设置的六个面，当然，在其他实施例中，介质块31也可以呈其他规则或不规则的形状设置，在此不做限制。

进一步的，介质块31沿长度方向上的尺寸大于宽度方向及厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块31沿宽度方向上的尺寸大于沿厚度方向上的尺寸。

可选的，介质块31相对于沿长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置，可以理解的，该中轴面是为了便于说明而设置的虚拟面。

可选的，介质块31的材质为陶瓷材料，由于陶瓷材料的介电常数较高，因此，通过高介电常数的陶瓷材料对微波波长的压缩效应，可以大幅度压缩介质谐振单元的有效尺寸，使介质滤波器的整体外形尺寸小型化，同时因陶瓷材料易于模具成型，可以实现较低成本的批量化生产，故小型化、集成化应用具备优势的陶瓷滤波器与3G微基站(SmallCells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，当然，在其他实施例中，介质块31的材质也可以为其他介电常数与陶瓷相近的材料。

进一步的，每个介质块31如图7中虚线所示的，沿长度方向划分成至少两个级联的介质谐振单元，该至少两个介质谐振单元可以是如图7中所示的至少两个介质谐振单元31a，也可以是至少两个介质谐振单元31b，在本实施例中，位于介质块31两端的两个介质谐振单元为介质谐振单元31a，位于两个介质谐振单元31a之间的为介质谐振单元31b。

其中，在同一介质块31的相邻的两个介质谐振单元的连接区域设有镂空槽301，且在垂直于长度方向将相邻的两个介质谐振单元分别等分成两个部分后，相邻的两个介质谐振单元彼此相邻的部分的几何中心位于镂空槽301内，以提高相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值，进而提高介质滤波器30的带外谐波特性，本实施例中的介质谐振单元31a及介质谐振单元31b与上述第一实施例中的介质谐振单元11a及介质谐振单元11b，相同，在此不再赘述。

可选的，镂空槽301设置成使得相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值不小于1.5。

可选的，镂空槽301连通第一侧面313和第二侧面314，或者连通第三侧面315和第四侧面316，在本实施例中，镂空槽301连通第三侧面315和第四侧面316。

可选的，镂空槽301外露于空气。

可选的，镂空槽301相对于长度方向且垂直于宽度方向设置的中轴面呈对称设置。

可选的，镂空槽301呈长方体设置，可以理解的，在其他实施例中，镂空槽301也可以呈其他形状设置。

进一步的，至少两个介质块31沿宽度方向或厚度方向并排且彼此间隔设置，且至少两个介质块31的相邻侧面之间设有介质板32，介质板32分别与两个介质块31一体设置，以实现至少两个介质块31之间的相对固定，降低怕至少两个介质块31拼接时所需夹具的精度，提高了拼接成功率。

进一步的，介质板32还作为至少两个介质块31上的介质谐振单元之间的相互耦合的耦合窗口，相比于通过涂覆金属再键合的方式，降低甚至消除了烧结过程中，金属渗入耦合窗口的风险。

其中，当至少两个介质块31并排设置后，介质块31上的至少两个级联的介质谐振单元可直接耦合，也可以交叉耦合，以提高介质滤波器30的选频特性，具体可参阅上述介质滤波器20第二实施例中的相应描述。

进一步的，本实施例中的介质滤波器30还包括分别设置于至少两个介质块31上的输出端子33及输入端子34。

可选的，该输出端子33和输入端子34采用探针形式，在其他实施例中，也可以采用印刷电路板、微带线等形式。

进一步的，本实施例中的介质滤波器30还包括屏蔽盖板35，该屏蔽盖板35至少覆盖于镂空槽301。

其中，屏蔽盖板35上设有延伸至镂空槽301的调谐螺杆36，以通过调谐螺杆36调节介质滤波器30的谐振频率，通过这种设置调谐螺杆36的方式，不需要在介质块31上预留调谐孔，避免在介质块31上设置调谐孔带来的工艺难度。

可选的，调谐螺杆36的数量为至少两个，至少两个调谐螺杆36沿长度方向间隔设置。

上述实施例所揭示的介质滤波器的材料可以为陶瓷，该陶瓷材料包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。即该陶瓷材料主要由上述组分组成，可以理解，该陶瓷材料还可以含有少量或微量的其他物质。

在一些实施例中，碳酸锶在其中所占的摩尔百分比为48％～62％。

在一些实施例中，三氧化二钐在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。

在一些实施例中，三氧化二铝在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。

在一些实施例中，二氧化钛在其中所占的摩尔百分比为4％～18％。

其中，摩尔百分比指的是物质的量的百分比。例如将1mol的物质A与4mol的物质B混合后，物质A的摩尔百分比等于1/(1+4)＝20％，而物质B的摩尔百分比等于4/(1+4)＝80％。

该陶瓷的化学组成可以表示为aSrCO₃-bSm₂O₃-cAl₂O₃-dTiO₂，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18。例如，若将a、b、c和d的值分别取为0.5、0.2、0.2和0.1，则该陶瓷的化学组成可表示为0.5SrCO₃-0.2Sm₂O₃-0.2Al₂O₃-0.1TiO₂。当然，a、b、c和d的取值还可以取该范围内的其他值。通过改变该陶瓷的各化学组分之间的比例，可以对该陶瓷的微波介电性能进一步进行调整。

在一些实施例中，该陶瓷还可包括改性添加剂，即能够改善该陶瓷性能的添加剂。应当理解，该改性添加剂不一定为液态，也可以为固态等形式。具体地，该改性添加剂可以Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一个或多个的组合，也就是说，该改性添加剂可只包括Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一种，也可以包括其中的两种或三种。可选地，该改性添加剂的占比可以为0.01mol％～1mol％。也就是说，该改性添加剂占整个材料的摩尔数的百分比为0.01％～1％。

根据测试结果，该陶瓷的介电常数为18～22，Q*f值为43000～76000GHz，温度系数为-11～+23ppm/℃。例如，采用网络分析仪(Agilent 5071C)在6.5GHz的测试频率下测试该陶瓷的微波介电性能，得到该陶瓷的微波介电性能为：介电常数εr＝18～22，介电损耗Q*f＝43000～76000GHz，温度系数τf＝-11～+23ppm/℃。图9示例性地示出了本申请提供的陶瓷的微波介电性能的测试结果。

本申请提供的陶瓷主要由碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。因此，通过实施本申请提供的陶瓷具有改善的微波介电性能。

本申请进一步提供一实施例的制备介质块的方法，上述实施例所揭示介质块均采用该制备介质块的方法制成，如图8所示，该方法包括以下步骤：

S110：提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料。

在一些实施例中，对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料可以是对应金属元素的氧化物或碳酸盐。其中，金属元素的氧化物直接与待制备的介质块的组分对应，而一些金属元素的碳酸盐可在受热等情况下转变为该金属元素的氧化物，因此同样可以作为原料。在另一些实施例中，该原材料还可以是对应金属元素的醇化物，在这种情况下可使用适当的化学处理方法将该金属的醇化物转化为所需要的氧化物。其具体方法为本领域内的习知技术，在此不再赘述。

本实施例中，对应碳酸锶的原材料的摩尔百分比为48％～62％，对应三氧化二钐的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应三氧化二铝的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应二氧化钛的原材料的摩尔百分比为4％～18％。应当理解，上述摩尔百分比是指除去原材料中的杂质后的摩尔百分比。

本实施例中，可按照该介质块的各组分的占比准备原材料。在已知各组分的摩尔百分比的情况下，可根据各组分的分子量、原材料的纯度等参数计算得到所需要的原材料的质量。根据各组分所需的摩尔数和分子量计算各组分所需的质量，再根据各组分所需的质量和上述原材料的纯度计算得到所需的原材料的质量。这样就可以根据计算得到的结果准备相应重量的原材料。

在一些实施例中，还可向原材料中添加改性添加剂。该改性添加剂可以为Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一个或多个。改性添加剂占所有原材料的总摩尔数的比例可为0.01％～0.1％。

S120：添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨。

步骤S120中，可选用去离子水、酒精、丙酮等作为有机溶剂，选用锆球、玛瑙球等作为磨球，选用陶瓷、聚氨酯或尼龙等材质的磨罐，并采用行星磨、搅拌磨、滚磨、振动磨等方式进行一次球磨。其中，为了提高球磨的效果还可添加适当的分散剂或者调节料浆的PH值。

在一些实施例中，可以使用去离子水作为有机溶剂，并使用氧化锆磨球或玛瑙磨球，将称量好的原材料装入聚氨酯球磨罐内并加入有机溶剂和磨球进行混合。在步骤S120中，将准确称量的各原料倒入球磨罐内，加入去离子水和ZrO₂磨球，使原材料、磨球和去离子水的重量比为1:2～4:1～2(例如，1:3:1.5或1:2:1.5)，并球磨20～30小时(例如，24～26小时)。

S130：将一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体。

将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干，例如，可在100～120℃条件下将材料烘干。

球磨结束并烘干后得到的混合物需要在一定温度下煅烧以合成陶瓷体，其煅烧温度及保温时间取决于所对应的配方。例如，在本实施例中，可将球磨后烘干的料浆放入氧化铝坩埚内，在1100～1300℃下煅烧1～5小时(例如，2～4小时)以合成陶瓷体。

S140：粉碎陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨。

将合成好的上述陶瓷体用粉碎。本申请对粉碎的方法不作限制，例如，可以使用研体将其研碎。在一些实施例中，还可将粉碎后的陶瓷体过筛(例如，过40目筛)。

将粉碎后的陶瓷体再次倒入球磨罐中进行二次球磨，二次球磨的过程可与一次球磨的过程类似。例如，可保持料、磨球和去离子水的比例不变，并对粉碎后的陶瓷体二次球磨20～30小时(例如，24～26小时)。应当理解，二次球磨的过程也可与一次球磨不同，例如，二次球磨的时间可小于(或大于)一次球磨的时间，或者二次球磨时料、磨球和去离子水的比例可与一次球磨不同，例如可以为1:2:1.5。

S150：将二次球磨得到的料浆烘干。

类似得，可将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干。在一些实施例中，还可将烘干后的料浆过筛(例如，过40目筛)。

S160：将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒。

在一些实施例中，粘结剂可选用5wt％～11wt％(例如5wt％～8wt％)的聚乙烯醇溶液(即该粘结剂中聚乙烯醇的质量百分比为5％～11％)。粘结剂可占混合后的浆料的总质量的10％～15％。

在一些实施例中，还可将造粒好的粉料过筛(例如，过40目筛)。

S170：在与介质块的形状匹配的模具中干压成型。

具体地，将造粒后的粉料放入与介质块的形状匹配的的模具中，并在适当的压力下干压成型，例如，可在100～150MPa的压力下将粉料干压成型。

在此步骤中，模具的形状可根据需要选取，例如，如需要进行测试，则可选用测试专用的模具，将粉料干压成型为φ12×6mm的圆片，以方便测试。如需要使用该陶瓷粉料来制备介质陶瓷块，则可以使用与该介质陶瓷块的形状匹配的模具来进行干压成型。应当理解，该模具的形状和尺寸可根据需要任意选取，在此不做限定。

S180：去除粘结剂并再次烧结。

可选用适当的温度进行保温处理，从而将步骤S160中引入的粘结剂去除，而后再次烧结从而最终得到所需的介质块。具体地，本实施例中，可将成型后的材料在550～650℃下保温1～3小时，然后在1400～1600℃(例如1450～1550℃)下烧结1～5小时(例如2～4小时)。这样，就可以去除步骤S160中添加到材料中的粘结剂，并得到所需要的形状的介质块。

本申请进一步提供一实施例的制备介质滤波器的方法，上述实施例所揭示介质滤波器均采用该制备介质滤波器的方法制成，如图10所示，该方法包括以下步骤：

S210：提供至少两个介质块。

该介质块为通过上述制备介质块的方法所制备的介质块，即通过上述步骤S110-S180所制备的介质块。其中，该介质块的形状与介质滤波器的预设形状相同。

S220：在介质块的表面上覆盖金属屏蔽层，并将至少两个介质块上的金属屏蔽层键合，以得到介质滤波器。

其中，在介质块的表面上覆盖金属屏蔽层，将电磁场限制在介质块内，防止电磁信号泄露。该金属屏蔽层的材料可以是银、铜、铝、钛、锡或金等金属材料，并且可以采用电镀、喷浆或焊接等方式在介质块的表面上覆盖金属屏蔽层。

本申请还提供了一种通信设备，该通信设备包括上述任一实施例中的介质滤波器。

区别于现有技术的情况，本申请通过至少两个介质块并排设置以形成介质滤波器的方式，减少了仅通过一个介质块形成介质滤波器时，介质块所需的长度，提高了介质滤波器的应用范围，降低甚至消除了介质块在烧结过程中出现弯曲变形的风险，提高良品率，且结构简单，易于成型，适合大批量生产。

以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括至少两个介质块，每个所述介质块包括沿长度方向间隔设置的第一端面和第二端面、沿宽度方向间隔设置的第一侧面和第二侧面以及沿厚度方向间隔设置的第三侧面和第四侧面，所述介质块沿长度方向的尺寸大于沿宽度方向和厚度方向的尺寸；

每个所述介质块沿所述长度方向划分成至少两个彼此级联的介质谐振单元；

所述至少两个介质块沿所述宽度方向或厚度方向并排设置，所述至少两个介质块的相邻侧面设置有金属屏蔽层，所述至少两个介质块的相邻侧面的金属屏蔽层彼此键合，进而使得所述至少两个介质块相对固定；

其中，所述介质滤波器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述碳酸锶所占摩尔百分比为48％～62％；所述三氧化二钐所占摩尔百分比为10％～24％；所述三氧化二铝所占摩尔百分比为10％～24％；所述二氧化钛所占摩尔百分比为4％～18％。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述至少两个介质块的金属屏蔽层上分别设置有在所述相邻侧面的金属屏蔽层彼此键合至少部分重叠的耦合窗口，进而实现所述至少两个介质块上的介质谐振单元之间的耦合。

4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，在同一介质块的相邻两个介质谐振单元的连接区域设置有镂空槽，其中在垂直于所述长度方向将所述相邻两个介质谐振单元分别等分成两个部分后，所述相邻两个介质谐振单元的彼此相邻的部分的几何中心位于所述镂空槽内，所述镂空槽连通所述第一侧面和第二侧面，或者连通所述第三侧面和第四侧面，所述介质块沿宽度方向的尺寸大于沿厚度方向的尺寸，所述镂空槽连通所述第三侧面和第四侧面，所述介质块及所述镂空槽相对于沿所述长度方向且垂直于所述宽度方向设置的中轴面呈对称式设置，所述镂空槽呈长方体设置，所述镂空槽的内部表面外露于空气。

5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器进一步包括至少覆盖于所述镂空槽上的屏蔽盖板，所述屏蔽盖板上设置有延伸至所述镂空槽内的调谐螺杆，所述调谐螺杆为至少两个，并沿所述长度方向间隔设置。

6.根据权利要求4所述的介质滤波器，其特征在于，所述镂空槽设置成使得所述相邻的两个介质谐振单元的二次谐振频率与基模谐振频率的比值不小于1.5。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器的材料的化学组成为aSrCO₃-bSm₂O₃-cAl₂O₃-dTiO₂，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18。

8.一种制备介质块的方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1～7中任一项所述的介质块，所述方法包括：

提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；

添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；

将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；

粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；

将所述二次球磨得到的料浆烘干；

将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；

在与所述介质块的形状匹配的模具中干压成型；以及

去除粘结剂并再次烧结，以得到所述介质块。

9.一种制备介质滤波器的方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1～7任意一项所述的介质滤波器，所述方法包括：

提供至少两个介质块，所述介质块为通过如权利要求8所述的方法所制备的介质块；

在所述介质块的表面上覆盖金属屏蔽层，并将所述至少两个介质块上的所述金属屏蔽层键合，以得到所述介质滤波器。

10.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括如权利要求1～7中任一项所述的介质滤波器。

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