CN111384505A - 一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 12
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Inorganic materials O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011805 ball Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/043—Refractories from grain sized mixtures
- C04B35/047—Refractories from grain sized mixtures containing chromium oxide or chrome ore
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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Abstract
本申请提供了一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备。该介质滤波器包括多个介质块及至少两个第一介质板，多个介质块彼此间隔设置，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径；其中，介质块和第一介质板一体烧结成型，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域，特别是涉及一种应用于5G通信系统的介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备。
背景技术
随着通信技术的突飞猛进，5G通信技术的应用越来越广泛，滤波器作为5G通信系统中的重要部件，高度集成化、小型化、轻量化、低成本的滤波器是5G通信技术必然需求。
现有技术中，一般采用高介电常数的陶瓷材料制备形成多个谐振单元，再将多个谐振单元的表面金属化后使用定位夹具进行拼接定位，最后通过烧结工艺将多个谐振单元拼接以形成所需的滤波器，工艺复杂，且尺寸精度较低。
发明内容
本申请主要是提供一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备，旨在解决通过拼接工艺形成的介质滤波器工艺复杂、尺寸精度较低的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种介质滤波器，其中，所述介质滤波器包括:多个介质块，所述多个介质块彼此间隔设置；至少两个第一介质板，依次设置于空间上相邻的两个所述介质块之间，以形成依次经过所述多个介质块的主耦合路径；其中，所述介质块和所述第一介质板一体烧结成型；其中，所述介质滤波器的材料包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种制备介质滤波器的方法，所述方法用于制备前述的介质滤波器，所述方法包括：
提供对应氧化锌、二氧化硅和氧化镁的原材料；
添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；
将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；
粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；
将所述二次球磨得到的料浆烘干；
将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；
在与所述介质滤波器形状匹配的模具中干压成型；
去除粘结剂并再次烧结，以得到一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板；
在一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板的表面上覆盖电磁屏蔽层，以得到所述介质滤波器。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种通信设备，其中，所述通信设备包括上述的介质滤波器。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的介质滤波器包括多个介质块及至少两个第一介质板，多个介质块彼此间隔设置，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径；其中，介质块和第一介质板一体烧结成型，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性；此外，介质滤波器的材料包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁，具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数，能够改善介质滤波器的介电性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本申请提供的介质滤波器第一实施例的结构示意图；
图2是图1中至少两个第一介质板形成的主耦合路径示意图；
图3是图1中III-III向的截面示意图；
图4是图1中第一介质板与介质块另一实施例的连接结构示意图；
图5是图4中V-V向的截面示意图；
图6是本申请提供的介质滤波器第二实施例的结构示意图；
图7是图6中第二介质板形成的交叉耦合路径示意图；
图8是制备介质滤波器的方法的流程示意图；
图9示例性地示出了介质滤波器的微波介电性能的测试结果。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1是本申请提供的介质滤波器10第一实施例的结构示意图，本实施例中的介质滤波器10包括多个介质块及至少两个第一介质板。
其中，本实施例中多个介质块以八个介质块为例，该八个介质块分别为如图1所示的介质块111、介质块112、介质块113、介质块114、介质块115、介质块116、介质块117及介质块118。
可选的，每个介质块呈矩形体设置，当然，在其他实施例中，每个介质块也可以呈其他规则或不规则的形状设置，在此不做限定。
可选的，介质块的材质为陶瓷材料，由于陶瓷材料的介电常数较高，因此，通过高介电常数的陶瓷材料对微波波长的压缩效应，可以大幅度压缩介质滤波器的有效尺寸，使介质滤波器的整体外形尺寸小型化，同时因陶瓷材料易于模具成型，可以实现较低成本的批量化生产，故小型化、集成化应用具备优势的陶瓷滤波器与5G微基站(Small Cells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，当然，在其他实施例中，介质块的材质也可以为其他介电常数与陶瓷相近的材料。
进一步的，多个介质块彼此间隔设置，在本实施例中，也即八个介质块彼此间隔设置。
可选的，多个介质块划分为彼此并排设置的至少两排介质块组合，比如在本实施例中，将八个介质块划分成彼此并排设置的两排介质块组合11a及11b，也即介质块111、介质块114、介质块115及介质块118划分成介质块组合11a，介质块112、介质块113、介质块116及介质块117划分为介质块组合11b，可以理解的，在其他实施例中，多个介质块也可以为其他的排列方式，比如多个介质块在一个方向上彼此间隔设置以形成一排介质块组合的排列方式或者其他排列方式的结构，具体情况可根据实际所需进行设置，在此不做限定。
其中，至少两排介质块组合内的介质块分别沿各种的介质块组合的长度方向间隔设置，在本实施例中，也即介质块组合11a中的介质块111、介质块114、介质块115及介质块118在如图1所示的X向上间隔设置，介质块组合11b中的介质块112、介质块113、介质块116及介质块117在如图1所示的X向上间隔设置。
进一步的，至少两排介质块组合垂直于长度方向彼此并排且间隔设置，在本实施例中，也即介质块组合11a与介质块组合11b在如图1所示的Y向上间隔设置。
共同参阅图1及图2，图2是图1中至少两个第一介质板形成的主耦合路径L1示意图，其中，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径L1，比如在本实施例中，多个第一介质板分别为第一介质板121、第一介质板122、第一介质板123、第一介质板124、第一介质板125、第一介质板126及第一介质板127，第一介质板121设置于介质块111与介质块112之间，第一介质板122设置于介质块112与介质块113之间，第一介质板123设置于介质块113与介质块114之间，第一介质板124设置于介质块114与介质块115之间，第一介质板125设置于介质块115与介质块116之间，第一介质板126设置于介质块116与介质块117之间，第一介质板127设置于介质块117与介质块118之间，从而形成如图2中虚线所示的依次经过介质块111、介质块112、介质块113、介质块114、介质块115、介质块116、介质块117及介质块118的主耦合路径L1。
其中，第一介质板设置于相邻的两个介质块之间的间隙内。
进一步的，介质块与第一介质板一体烧结而成，也即至少两个第一介质板中的每一个与相邻的介质块一体烧结而成，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性。
可选的，第一介质板与介质块由同一种介质材料一体烧结而成，比如两者均为陶瓷材料。
参阅图3，图3是图1中III-III向的截面示意图，可选的，第一介质板在其两侧的相邻的两个介质块的间隔方向的垂直方向的横截面小于相邻的两个介质块在垂直方向上的横截面，比如如图3所示的，第一介质板122在上述垂直方向上的横截面A1小于介质块112与介质块113的横截面，图中以介质块113的横截面B1为例。
可选的，第一介质板的横截面所切合的第一介质板的表面相对于介质块的横截面所切割的介质块的表面均非共面设置，比如如图3所示的，第一介质板122的横截面A1所切割的第一介质板122的表面A2，相对于介质块113的横截面B1所切割的介质块113的表面B2均非共面设置，可以理解的，第一介质板122的表面A2为第一介质板122的外周面，介质块113的表面B2为介质块113的外周面，上述的表面A2与表面B2均非共面设置，为第一介质板122与介质块113的外周面在周向上的每一侧均非共面设置，换言之，第一介质板122在介质块113上的投影落入介质块113内，且第一介质板122的投影的边缘与介质块113的边缘呈间隔设置。
共同参阅图4及图5，图4是图1中第一介质板与介质块另一实施例的连接结构示意图，图5是图4中V-V向的截面示意图，在另一实施例中，第一介质板的横截面所切割的第一介质板的表面相对于介质块的横截面所切割的介质块的表面部分共面设置，比如如图5所示的，第一介质板122的横截面A1所切割的第一介质板122的表面A2，相对于介质块113的横截面B1所切割的介质块113的表面B2部分共面设置，也即如图5所示的，第一介质板122的表面A2在上侧、下侧及右侧与介质块113的表面B2共面设置，而在左侧与介质块113的表面B2呈非共面设置。
进一步参阅图1，至少部分介质块上连接有两个第一介质板，其中两个第一介质板中的一个连接同一排介质块组合中的相邻介质块，两个第一介质板中的另一个连接不同排的介质块组合中的相邻介质块，比如如图1所示的，介质块112连接有第一介质板121及第二介质板122，第一介质板121连接分别位于介质块组合11a中的介质块111与位于介质块组合11b中的介质块112，第一介质板122连接位于介质块组合11b中介质块112与介质块113。
其中，上述的部分介质块为位于主耦合路径L1端部的介质块以外的介质块，比如，在本实施例中，位于主耦合路径L1端部的介质块为介质块111与介质块118，上述的部分介质块即为介质块112、介质块113、介质块114、介质块115、介质块116及介质块117。
进一步的，本实施例中的介质滤波器10还包括输入端子13及输出端子14，输入端子13及输出端子14分别设置于位于主耦合路径L1端部的两个介质块上，在本实施例中，也即输入端子13及输出端子14分别位于介质块111与介质块118上。
可选的，该输入端子13及输出端子14采用探针形式，在其他实施例中，也可以采用印刷电路板、微带线等形式。
进一步的，本实施例中的介质滤波器10还包括电磁屏蔽层(图中未示出)，该电磁屏蔽层涂覆于介质块及第一介质板的外表面，以实现屏蔽功能，在具体实施的过程中，可通过涂覆包括但不限于铜、银、锡或铝等金属以形成金属涂层，然后再高温烧结以形成该电磁屏蔽层，相比于现有技术中，先在介质块的外表面形成金属涂层，再烧结的方式，能够避免烧结过程中金属涂层渗透至介质块的耦合窗口，降低了介质滤波器10的尺寸控制难度，提高了产品的稳定性及一致性。
参阅图6，图6是本申请提供的介质滤波器20第二实施例的结构示意图，本实施例中的介质滤波器20还包括至少一第二介质板25，本实施例中的其他结构与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
共同参阅图6及图7，图7是图6中第二介质板25形成的交叉耦合路径示意图，其中，第二介质板25设置于空间上相邻设置但在主耦合路径L1上非相邻设置的两个介质块之间，进而形成如图7中点划线所示的交叉耦合路径L2，比如在本实施例中，在空间上与介质块113相邻设置的介质块有介质块112、介质块114及介质块116，其中介质块112与介质块114在主耦合路径L1上与介质块113相邻设置，介质块116在主耦合路径L1上非相邻设置，因此，一个第二介质板25设置于介质块113与介质块116之间，以形成交叉耦合路径L2，以使得多个介质块在主耦合路径L1上形成级联耦合的同时，通过第二介质板25形成交叉耦合，从而提高介质滤波器20的选频特性，可以理解的，在其他实施例中，第二介质板25的数量也可以其他数量，也可以如上述方式一样设置于其他的两个介质块之间。
其中，第二介质板25设置于主耦合路径L1上非相邻设置的两个介质块之间的间隙内。
进一步的，介质块、第一介质板与第二介质板25一体烧结而成，取消了为了实现交叉耦合而使得相邻的两个介质块拼接而成中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致两个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性。
可选的，介质块、第一介质板与第二介质板25由同一种介质材料一体烧结而成，比如三者均采用陶瓷材料。
可选的，第二介质板25所连接的两个介质块位于同一排介质块组合内，比如在本实施例中，第二介质板25所连接的介质块113与介质块116位于介质块组合11b内。
可以理解的，本实施例中的第二介质板25的结构和外形可以与上述第一实施例中的第一介质板相同，在此不再赘述。
进一步的，本实施例中的电磁屏蔽层(图中未示出)涂覆与介质块、第一介质板及第二介质板25的外表面，以实现屏蔽功能。
前述实施例所揭示的介质滤波器的材料可以为陶瓷，该陶瓷材料包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁。即该陶瓷材料主要由上述组分组成，可以理解，该陶瓷还可以含有少量或微量的其他物质。
在一些实施例中，氧化锌在其中所占的摩尔百分比为20％～70％。
在一些实施例中，二氧化硅在其中所占的摩尔百分比为20％～60％。
在一些实施例中，氧化镁在其中所占的摩尔百分比为10％～20％。
其中，摩尔百分比指的是物质的量的百分比。例如将1mol的物质A与4mol的物质B混合后，物质A的摩尔百分比等于1/(1+4)＝20％，而物质B的摩尔百分比等于4/(1+4)＝80％。
在一些实施例中，该陶瓷还可包括改性添加剂，即能够改善该陶瓷性能的添加剂。应当理解，该改性添加剂不一定为液态，也可以为固态等形式。具体地，该改性添加剂可以为CoO、NiO或MnO2中的一个或多个的组合，也就是说，该改性添加剂可只包括CoO、NiO或MnO2中的一种，也可以包括其中的两种或三种。可选地，该改性添加剂的占比可以为0～2mol％。也就是说，该改性添加剂占整个材料的摩尔百分比不超过2％。
该陶瓷的化学组成可以表示为xZnO-ySiO-zMgO2-dMO，其中x、y、z和d的比例为0.2～0.7:0.2～0.6:0.1～0.2:0～0.02，MO表示前述改性添加剂。例如，若将x、y、z和d的值分别取为0.5、0.3、0.18和0.02，而选用CoO当做改性添加剂，则该陶瓷的化学组成可表示为0.5ZnO-0.3SiO-0.18MgO2-0.02CoO。当然，x、y、z和d的取值还可以取该范围内的其他值。通过改变该陶瓷的各化学组分之间的比例，可以对该陶瓷的微波介电性能进一步进行调整。
根据测试结果，该陶瓷的介电常数为7～8，Q*f值为9000～105000GHz。例如，采用网络分析仪(Agilent 5071C)在12GHz的测试频率下测试该陶瓷的微波介电性能，得到如图9中的表格所示的测试结果。
本申请提供的介质滤波器主要由氧化锌、二氧化硅和氧化镁组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。因此，通过实施本申请提供的陶瓷具有改善介质滤波器的介电性能。
本申请进一步提供制备介质滤波器的方法，上述实施例所揭示介质滤波器均采用该制备介质滤波器的方法制成，参阅图8，该方法包括：
S101：提供对应氧化锌、二氧化硅和氧化镁的原材料。
在一些实施例中，对应氧化锌、二氧化硅和氧化镁的原材料可以是对应金属元素的氧化物或碳酸盐。其中，金属元素的氧化物直接与待制备的介质滤波器的组分对应，而一些金属元素的碳酸盐可在受热等情况下转变为该金属元素的氧化物，因此同样可以作为原料。在另一些实施例中，该原材料还可以是对应金属元素的醇化物，在这种情况下可使用适当的化学处理方法将该金属的醇化物转化为所需要的氧化物。其具体方法为本领域内的习知技术，在此不再赘述。
本实施例中，对应氧化锌的原材料的摩尔百分比为20～70％，对应二氧化硅的原材料的摩尔百分比为20％～60％，对应氧化镁的原材料的摩尔百分比为10％～20％。应当理解，上述摩尔百分比是指除去原材料中的杂质后的摩尔百分比。
本实施例中，可按照该介质滤波器的各组分的占比准备原材料。在已知各组分的摩尔百分比的情况下，可根据各组分的分子量、原材料的纯度等参数计算得到所需要的原材料的质量。根据各组分所需的摩尔数和分子量计算各组分所需的质量，再根据各组分所需的质量和上述原材料的纯度计算得到所需的原材料的质量。这样就可以根据计算得到的结果准备相应重量的原材料。
在一些实施例中，还可向原材料中添加改性添加剂。该改性添加剂可以为CoO、NiO或MnO2中的一个或多个。改性添加剂占所有原材料的总摩尔数的比例通常应不超过2％。
S102：添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨。
在步骤S102中，可选用去离子水、酒精、丙酮等作为有机溶剂，选用锆球、玛瑙球等作为磨球，选用陶瓷、聚氨酯或尼龙等材质的磨罐，并采用行星磨、搅拌磨、滚磨、振动磨等方式进行一次球磨。其中，为了提高球磨的效果还可添加适当的分散剂或者调节料浆的PH值。
在一些实施例中，可以使用去离子水作为有机溶剂，并使用ZrO2材料制成的磨球。在步骤S102中，将准确称量的各原料倒入球磨罐内，加入去离子水和ZrO2磨球，使原材料、去离子水和磨球的重量比为1:1.5:4，并球磨4小时。
S103：将一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体。
将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干，例如，可在100～120℃条件下将材料烘干。
球磨结束并烘干后得到的混合物需要在一定温度下煅烧以合成陶瓷体，其煅烧温度及保温时间取决于所对应的配方。例如，在本实施例中，可将球磨后烘干的料浆在900～1050℃下煅烧2～8小时以合成陶瓷体。
S104：粉碎陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨。
将合成好的上述陶瓷体用粉碎。本申请对粉碎的方法不作限制，例如，可以使用研体将其研碎。在一些实施例中，还可将粉碎后的陶瓷体过筛(例如，过40目筛)。
将粉碎后的陶瓷体再次倒入球磨罐中进行二次球磨，二次球磨的过程可与一次球磨的过程类似。例如，可保持料、磨球和去离子水的比例不变，并对粉碎后的陶瓷体二次球磨24小时。应当理解，二次球磨的过程也可与一次球磨不同，例如，二次球磨的时间可小于(或大于)一次球磨的时间，在此不作限定。
S105：将二次球磨得到的料浆烘干。
类似得，可将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干。在一些实施例中，还可将烘干后的料浆过筛(例如，过40目筛)。
S106：将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒。
在一些实施例中，粘结剂可选用5wt％的聚乙烯醇溶液(即该粘结剂中聚乙烯醇的质量百分比为5％)。粘结剂可占混合后的浆料的总质量的15％。
在一些实施例中，还可将造粒好的粉料过筛(例如，过40目筛)。
S107：在与介质滤波器的形状配匹的模具中干压成型。
具体地，将造粒后的粉料放入与介质滤波器的形状配匹的特定的模具中，并在适当的压力下干压成型，例如，可在100～150MPa的压力下将粉料干压成型。
在此步骤中，模具的形状可根据需要选取，例如，如需要进行测试，则可选用测试专用的模具，将粉料干压成型为
的圆片，以方便测试。如需要使用该陶瓷粉料来制备介质陶瓷块，则可以使用与该介质陶瓷块的形状匹配的模具来进行干压成型。应当理解，该模具的形状和尺寸可根据需要任意选取，在此不做限定。
S108：去除粘结剂并再次烧结，以得到一体烧结成型的多个介质块和至少两个第一介质板。
可选用适当的温度进行保温处理，从而将步骤S106中引入的粘结剂去除，而后再次烧结从而最终得到所需的一体烧结成型的多个介质块和至少两个第一介质板。具体地，本实施例中，可将成型后的材料在400～700℃(例如500～600℃)下保温2～10小时，然后在1100～1250℃下烧结2～10小时(例如在1150℃烧结2小时)。这样，就可以去除步骤S106中添加到材料中的粘结剂，并得到所需要的形状的一体烧结成型的多个介质块和至少两个第一介质板。
在一体烧结成型的多个介质块和至少两个第一介质板的表面上覆盖电磁屏蔽层，以得到介质滤波器。该电磁屏蔽层为上述实施所揭示的电磁屏蔽层，在此不再赘述。
本申请还提供了一种通信设备，该通信设备包括上述任一实施例中的介质滤波器。
本申请提供的介质滤波器包括多个介质块及至少两个第一介质板，多个介质块彼此间隔设置，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径；其中，介质块和第一介质板一体烧结成型，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性。
Claims (10)
1.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括:
多个介质块，所述多个介质块彼此间隔设置；
至少两个第一介质板，依次设置于空间上相邻的两个所述介质块之间，以形成依次经过所述多个介质块的主耦合路径；
其中，所述介质块和所述第一介质板一体烧结成型；
其中，所述介质滤波器的材料包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁。
2.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述氧化锌所占摩尔百分比为20％～70％；所述二氧化硅所占摩尔百分比为20％～60％；所述氧化镁所占摩尔百分比为10％～20％。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质板在其两侧的所述相邻的两个介质块的间隔方向的垂直方向的横截面小于所述相邻的两个介质块在所述垂直方向上的横截面；
所述第一介质板的横截面所切割的所述第一介质板的表面相对于所述介质块的横截面所切割的所述介质块的表面均非共面设置；或者
所述第一介质板的横截面所切割的所述第一介质板的表面相对于所述介质块的横截面所切割的所述介质块的表面部分共面设置。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述多个介质块划分为彼此并排设置的至少两排介质块组合，其中至少部分所述介质块上连接有两个所述第一介质板，其中所述两个第一介质板中的一个连接同一排所述介质块组合中的相邻介质块，所述两个第一介质板中的另一个连接不同排的所述介质块组合中的相邻介质块，所述部分介质块为位于所述主耦合路径端部的介质块以外的介质块，所述至少两排介质块组合内的介质块分别沿各自的所述介质块组合的长度方向间隔设置，且所述至少两排介质块组合垂直于所述长度方向彼此并排且间隔设置。
5.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器进一步包括输入端子和输出端子，所述输入端子和输出端子分别设置于位于所述主耦合路径端部的两个介质块上。
6.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质板设置于所述相邻的两个介质块之间的间隙内。
7.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器进一步包括至少一第二介质板，其中所述第二介质板设置于空间上相邻设置但在所述主耦合路径上非相邻设置的两个介质块之间，进而形成交叉耦合路径，其中所述介质块、所述第一介质板和所述第二介质板一体烧结成型，所述第二介质板设置于所述在所述主耦合路径上非相邻设置的的两个介质块之间的间隙内，所述多个介质块划分为彼此并排设置的至少两排介质块组合，所述第二介质板所连接的所述两个介质块位于同一排所述介质块组合内，所述介质滤波器进一步包括涂覆于所述介质块、所述第一介质板以及所述第二介质板外表面的电磁屏蔽层，所述介质块、所述第一介质板以及所述第二介质板由同一种介质材料一体烧结成型。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器的材料的化学组成为xZnO-ySiO-zMgO2-dMO，其中x、y、z和d的比例为0.2～0.7:0.2～0.6:0.1～0.2:0～0.02，MO表示所述改性添加剂。
9.一种制备介质滤波器的方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1-8中任一项所述的介质滤波器，所述方法包括：
提供对应氧化锌、二氧化硅和氧化镁的原材料；
添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；
将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；
粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；
将所述二次球磨得到的料浆烘干；
将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；
在与所述介质滤波器形状匹配的模具中干压成型；
去除粘结剂并再次烧结，以得到一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板；
在一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板的表面上覆盖电磁屏蔽层，以得到所述介质滤波器。
10.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括权利要求1-8中任一项所述的介质滤波器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2018126002 | 2018-12-31 | ||
| CNPCT/CN2018/126002 | 2018-12-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111384505A true CN111384505A (zh) | 2020-07-07 |
Family
ID=71218367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910217124.8A Withdrawn CN111384505A (zh) | 2018-12-31 | 2019-03-21 | 一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN111384505A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20200707 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |