CN1236111C - 厚膜作籽晶熔融织构超导块体材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种厚膜作籽晶熔融织构超导块体材料的制备方法,采用液相外延生长LPE的高温超导厚膜作籽晶,通过冷籽晶法生长高温超导Y123块材。按照Y123和适量添加Y211来进行组分配料,反复研磨煅烧,压片并放入LPE厚膜作籽晶体,通过包晶反应:Y211+L→Y123获得RE123块体材料。本发明工艺简单,能制备无污染、取向性好和大单畴结构的高温超导块体材料。
Description
技术领域:
本发明涉及一种厚膜作籽晶熔融织构超导块体材料的制备方法,用于大尺寸、高悬浮力YBCO单畴超导块的研究制备。
背景技术:
熔融织构法(Melt Textured Growth简称MTG)是通过加入籽晶来控制自发形核和取向生长,使高温超导块体材料织构化的一种生长方法。目前,世界各国普遍使用该法来获得大尺寸,高性能的高温超导(RE123)体材料。MTG的主要优点是:(1)可以获得单畴大体积块材;(2)可获得很高的Jc;(3)样品氧扩散容易。MTG高温超导块材可以广泛用于磁悬浮力、磁轴承、飞轮储能和永磁体等方面。在熔融织构法生长过程中,籽晶的作用是至关重要的,它可以:(1)减少自发形核和控制多晶现象的产生;(2)形成大的单畴结构;(3)控制沿a-b面取向生长。一般说来,熔融织构法生长与工艺方法有很大关系,按照籽晶体放入时间的不同,有两种不同的方法:热籽晶法和冷籽晶法。热籽晶法是籽晶体在高温下放入的,它容易获得单畴结构,但是很难保证籽晶位置和生长面正确放置,操作起来比较困难,不适合于大规模生产。冷籽晶法是籽晶体在室温下预先放在样品上的方法,它操作比较方便,但考虑到有的籽晶体可能发生熔化的问题,不能采用过高的温度,这样生长的样品质量有待进一步提高。目前,文献中报道过用作熔融织构生长RE123的籽晶主要有以下三种:
(I)非超导材料,例如MgO[D.A.Cardwell,N.H.Babu,M.Kambara,P.J.Smith,and Y.Shi,Fabrication of large grain Nd-Ba-Cu-O by seededmelt growth,PHYSICA C 341-348(2000)2297-2300.]、CaNdAlO4及SrLaGaO4[D.L.Shi,K.Lahiri,J.R.Chang,Y.Jiang,Z.Zhang,and H.Fan,Growthof large-domain YBa2Cu3Ox with new seeding crystals of CaNdAlO4 andSrLaGaO4,PHYSICA C 246(1995)253-261.]等。它们的晶格结构与RE123有不同程度的差别,同时对RE123高温超导块材造成一定的污染。
(II)RE123的熔融织构块材和单晶体[M.Kambara,N.H.Babu,Y.H.Shi,D.A.Cardwell,Growth of melt-textured Nd-123 by hot seeding underreduced oxygen partial pressure,JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 16(2001)1163-1170.],相对于非超导材料来说,它解决了污染的问题,但是容易产生多畴及晶粒间界,而且不容易获得大尺寸的籽晶。
(III)RE123薄膜[H.Fujimoto,C.B.Cai,E.Ohtabara,Sm-Ba-Cu-Obulk superconductors melt-processed in air,PHYSICA C 372(2002)1111-1114.],它易于切割,但是由于薄膜的厚度一般在几十到几百纳米之间,可能会被熔化,对块体材料也可能存在污染。
发明内容:
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种新的高温超导块体材料熔融织构制备方法,无须增加复杂的工艺步骤,能制备无污染、取向性好和大单畴结构的高温超导块体材料。
为实现这样的目的,本发明采用液相外延生长(Liquid Phase Epitaxy简称LPE)的高温超导厚膜作籽晶,通过冷籽晶法生长高温超导RE123块材。按照Y123和适量添加Y211来进行组分配料,反复研磨煅烧,压片并放入LPE厚膜作籽晶体,通过包晶反应: 获得Y123块体材料。
本发明采用LPE高温超导厚膜作籽晶冷籽晶法生长Y123块材的具体操作如下:
1、按照Y123+(10~40)mol%Y211组分配料;
2、研磨,900℃左右保温48小时以上进行煅烧,再研磨,采用相同工艺二次煅烧;
3、压片,顶部加入RE123(RE为Nd,Sm等)LPE厚膜作籽晶;
4、放在Y2O3粉料压成的2~4mm的薄片上,再一同放在基片上,并将这整个体系放在密闭系统中;
5、2小时升温至1050℃±10℃,保温2小时,快速降温到980~1010℃之间的某一温度T,保温48小时,淬火制得超导块体材料。
本发明方法也可以应用于制备其它类型材料,如铁电材料及其它结构材料和功能材料。
本发明采用LPE厚膜作籽晶可以解决:(1)籽晶对块体材料的污染;(2)晶格参数不匹配;(3)多畴结构和晶粒间界的出现。另外,厚膜容易切割,可以比较容易获得特定几何形状的LPE厚膜作籽晶,这对于生长的块体材料结构有重要影响。
本发明工艺简单,能制备无污染、取向性好和大单畴结构的高温超导块体材料。
附图说明:
图1为本发明籽晶放置及生长后的结构示意图。
图1中分别表示了采用方形小面积(a)、长条形(b)和方形大面积(c)的籽晶体制备超导块材,生长后所得到的块体材料剖面结构(d、e)按箭头所示与采用的籽晶体对应。
图2为本发明所采用的实验装置示意图。
如图2所示,装置的密闭系统1底部放置耐火材料6,耐火材料6上依次为基片5、氧化钇薄片4及超导体粉料压片3,籽晶体7放置在超导体粉料压片3上。本发明通过加热体2来形成垂直和水平温度场,通过密闭系统1来形成一个稳定的生长环境,通过热电偶8精确测量和控制晶体生长温度。
具体实施方式:
以下结合附图及具体的实施例对本发明的技术方案作进一步描述。
实施例1:
1、按照Y123+30mol%Y211组分配料;
2、研磨,900℃保温48小时进行煅烧,再研磨,采用相同工艺二次煅烧;
3、压成φ16×8mm圆片,顶部加入尺寸为2×2mm的Nd123LPE厚膜作籽晶,如图1中(a)所示;
4、将Y2O3粉料压成2mm的薄片放在基片上,并将步骤3中的压片放在Y2O3薄片上,并将这整个体系放在密闭系统中;
5、2小时升温至1050℃±10℃,保温2小时,快速降温到1000℃,保温48小时,淬火制得超导块体材料,剖面结构如图1中(d)所示。
实施例2:
1、按照Y123+10mol%Y211组分配料;
2、研磨,900℃保温48小时进行煅烧,再研磨,采用相同工艺二次煅烧;
3、压成φ16×8mm圆片,顶部加入图1中(b)所示的1O×2mm长条型LPE厚膜作籽晶;
4、将Y2O3粉料压成3mm的薄片放在基片上,并将步骤3中的压片放在Y2O3薄片上,并将这整个体系放在密闭系统中;
5、2小时升温至1050℃±10℃,保温2小时,快速降温到995℃,保温48小时,淬火制得超导块体材料,剖面结构示意图如图1中(d)(垂直于籽晶长轴方向切开)和(e)(平行于籽晶长轴方向切开)。
实施例3:
1、按照Y123+40mol%Y211组分配料;
2、研磨,900℃保温48小时进行煅烧,再研磨,采用相同工艺二次煅烧;
3、压成φ16×8mm圆片,顶部加入图1中(c)所示的10×10mm大尺寸方形LPE厚膜作籽晶;
4、将Y2O3粉料压成4mm的薄片放在基片上,并将步骤3中的压片放在Y2O3薄片上,并将这整个体系放在密闭系统中;
5、2小时升温至1050℃±10℃,保温2小时,快速降温到990℃,保温48小时,淬火制得超导块体材料,剖面结构示意图如图1中(e)所示。
Claims (1)
1、一种液相外延生长厚膜作籽晶熔融织构超导块体材料的制备方法,其特征在于采用液相外延生长LPE的高温超导厚膜作籽晶,通过冷籽晶法生长高温超导Y123块材,具体包括如下步骤:
1)按照Y123+(10~40)mol%Y211组分配料;
2)研磨,900℃保温48小时以上进行煅烧,再研磨,采用相同工艺二次煅烧;
3)压片,顶部加入RE123 LPE厚膜作籽晶;
4)放在Y2O3粉料压成的2~4mm的薄片上,再一同放在基片上,并将这整个体系放在密闭系统中;
5)2小时升温至1050℃±10℃,保温2小时,快速降温到980~1010℃之间的某一温度T,保温48小时,淬火制得超导块体材料。
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