CN1227650C - 一种磁阻读取传感器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及综合了邻近接合结构与叠层结构优点的磁阻(MR)传感器(100)。邻近接合设计用于SAL(108)而叠层结构用于MR单元(120)。制造MR传感器(100)的方法包括将SAL(108)淀积在隔离层(106)顶面和将间隔材料(110)淀积在SAL(108)顶面的步骤。在间隔材料(110)与SAL(108)中央区域放置掩膜(130)。将未覆盖掩膜(130)的其他区域的间隔材料(110)与SAL(108)去除。随后在去除SAL(108)与间隔材料(110)的区域淀积下层材料(112)。在下层(112)顶面淀积硬偏磁材料(114)。在传感器(100)活性区域(132)间隔材料顶面和传感器隋性区域(134，136)的硬偏磁材料(114)顶面上去除掩膜(130)并淀积MR单元(120)。在传感器无源(134，136)和活性区域(132)的MR单元(120)顶面上淀积覆盖层(122)。在传感器隋性区域(134，136)覆盖层(122)顶面放置触点(124)。在另一本方法实施例中，加入其他材料以分隔硬偏磁材料(114)从而改进了信噪比。在第一硬偏磁材料(114)之后加入低电阻率材料(116)并在低电阻率材料(116)顶面上淀积第二硬偏磁材料(118)。在去除掩膜(130)之前淀积另外的材料。一旦去除掩膜(130)，则按照第一实施例制造MR传感器(100)。

Description

一种磁阻读取传感器及其制造方法
发明领域
本发明通常涉及磁阻(MR)传感器。具体而言，本发明涉及MR读取传感器以及传感器制造方法，这种传感器综合了邻近接合结构与叠层结构的优点。
背景技术
磁阻(MR)传感器利用MR单元，通过检测磁性介质(例如磁盘)上存储的磁通量，以磁方式读取磁性介质上的编码信息。MR传感器必须保持纵向与横向偏磁以使传感器处于优化工作范围内，从而可准确检测磁通量。双偏磁借助磁交换耦合或静磁耦合建立。
MR传感器的重要的三层是MR传感器、间隔材料和软邻近层(SAL)。MR单元具有磁阻性质和低电阻率并且在传感电流流经该层时产生输出电压。SAL是高电阻率的磁偏磁层。SAL对MR单元的磁化施加偏磁并且建立横向偏磁。间隔材料具有非磁性和高电阻率并且起着隔离MR单元与SAL的作用。间隔材料有助于阻断MR单元与SAL之间的交换耦合，使得磁性层以两层独立的层而非一层强耦合层起作用。在MR传感器每个端部上放置硬-偏磁材料以建立纵向偏磁并形成传感器的两个隋性区域。隋性区域的间隔保持横向偏磁并且被称为传感器的活性区域。
当MR和SAL单元暴露于外磁场下时，它们可能“断裂”多个磁畴。为了使MR传感器的稳定性最好并且输出最大，需要将MR和SAL单元保持为一个磁畴的状态。有三种将MR和SAL单元保持为一个磁畴状态的方法，它们是静磁耦合、铁磁性交换耦合和反铁磁性交换耦合。为实现静磁耦合，将永磁铁靠近MR单元放置。这种稳定方案称为邻近接合。为了实现交换耦合，将铁磁性或反铁磁性层淀积在MR层附近从而使磁性层的其中一层晶格与MR单元层的磁性晶格耦合，将传感器保持为一个磁畴状态。这种稳定方案称为叠层结构。
在现有的MR传感器中，各薄膜层与MR传感器掩膜之间的定位公差是关键的。由于严格的几何尺寸常常需要附加的和/或更为困难的工艺步骤，所以许多现有技术MR传感器设计中的定位公差大大增加了工艺复杂性。附加的工艺步骤增加了各薄膜层变化和沾污的机会。
例如，在传感器有源和隋性区域内采用连续MR单元和SAL薄膜的设计对薄膜下层敏感。在传感器的隋性区域，SAL薄膜起着硬-偏磁钴基合金薄膜下层的作用。钴基硬-偏磁薄膜对下层晶体组织和SAL/钴基合金薄膜界面的清洁程度与粗糙度固有地敏感。而且在隋性区域，钴基合金薄膜起着MR单元下层的作用。MR单元对各种因素敏感，例如下层晶体组织、钴基合金薄膜/MR单元界面的清洁度和粗糙度。在这种传感器的制造过程中，薄膜之间的依赖性自然而然地造成工艺控制的困难。
此外，常常需要将涉及反应离子刻蚀或离子研磨的处理控制在非常小的公差内(例如50埃)。这些过程使薄膜层表面损坏并且影响到交换耦合。相邻薄膜的依赖性使交换耦合非常重要并且影响到MR传感器的整体稳定性。
有一种方法利用邻近磁阻头简化了MR传感器的制造工艺。就传感器制造而言，邻近头似乎是简单的。实质上，MR薄层沿中央活性区域延伸并且在隋性区域形成硬磁性材料。但是传感器的可靠性受无源与活性区域之间的邻近接合影响，这导致接合处磁和电学性质的复杂化。
因此，一直需要MR传感器，它在减少对邻近薄膜耦合依赖性并省略反应离子刻蚀或离子研磨的同时使MR单元稳定。此外，MR传感器需要使SAL单元稳定，允许足够的磁化旋转从而可以对MR单元正确施加偏磁。
发明内容
本发明涉及综合了邻近接合结构与叠层结构优点的磁阻(MR)传感器。邻近接合设计用于SAL而叠层结构用于MR单元。邻近接合设计采用静磁耦合在允许磁化旋转的同时稳定SAL。磁化必须能自由旋转以在SAL与MR单元之间提供正确的静磁耦合。通过将MR单元邻近硬偏磁薄膜放置从而允许磁交换耦合，叠层结构提供了对MR单元的稳定，而且还消除了对邻近接合的敏感性。叠层结构避免了通常与邻近接合设计相关的工艺差异。此外，由于邻近接合设计允许SAL磁化(它对MR单元具有更强的偏磁效应)有更大的运动，所以这种结合在SAL与MR单元之间提供了更好的静磁耦合。
在传感器的第二实施例中，硬偏磁薄膜或永磁铁是分开的以向SAL和MR单元分别提供用于静磁耦合和磁交换耦合的分立硬偏磁薄膜。用于SAL和MR单元的每种永磁铁的磁性质和磁场强度可以独立优化。这使得工艺控制更为前后一致、更清洁和更方便，消除了永磁铁差异对传感器造成的影响。
按照本发明的一种制造MR传感器的方法包括将SAL淀积在间隔层顶面和将间隔材料淀积在SAL顶面的步骤。在间隔材料与SAL中央区域放置掩膜。将未覆盖掩膜的其他区域的间隔材料与SAL去除。随后在去除SAL与间隔材料的区域淀积下层材料。在下层顶面淀积硬偏磁材料。在传感器活性区域间隔材料顶面和传感器隋性区域硬偏磁材料顶面上去除掩膜并淀积MR单元。在传感器无源和活性区域的MR单元顶面上淀积覆盖层。在传感器隋性区域覆盖超顶面放置触点。
在本方法的第二实施例中，加入其他材料以分隔硬偏磁材料。在第一硬偏磁材料之后加入低电阻率材料并在低电阻率材料顶面上淀积第二硬偏磁材料。在去除掩膜之前淀积另外的材料。一旦去除掩膜，则按照第一实施例制造传感器。
附图的简要说明
图1为现有技术磁阻读取传感器的剖面图，其中间隔和软邻近层只放置在中央活性区域内。
图2-11为形成MR传感器过程的剖面图。
实施发明的较佳方式
图1为现有技术磁阻(MR)传感器50的读取器部分。图1所示剖面沿着平行于传感器空气承载面的平面剖取。换句话说，MR传感器50的空气承载面平行于页面。
MR传感器50位于衬底或隔离层52的顶部，并包括MR单元54、间隔层56、软邻近层(SAL)58和第一或第二永磁铁或硬偏磁材料60和62。MR单元54包括第一隋性区域54a、第二隋性区域54c和位于隋性区域54a与54c之间的活性区域54b。硬偏磁材料60至少部分位于MR单元54第一隋性区域54a的顶部。同样，硬偏磁材料62至少部分位于MR单元54第二隋性区域54c的顶部。
MR传感器的活性区域64形成于硬偏磁材料60与62之间并且包括MR单元54的活性区域54b、间隔层56和SAL58。MR传感器50的第一隋性区域66形成于MR单元54的第一隋性区域54a之上。第一隋性区域66包括MR单元54位于第一隋性区域54a内的部分和第一硬偏磁材料60。MR传感器50的第二隋性区域68形成于MR单元54的第二隋性区域54c之上。第二隋性区域68包括MR单元54位于第二隋性区域54c内的部分和第二硬偏磁材料62。
间隔层56位于硬偏磁材料60和62之间并在MR单元54活性区域54a顶部。SAL58位于间隔层56之上从而使SAL58也位于硬偏磁材料60与62之间。硬偏磁材料60和62提供了活性区域64的边界并且还与间隔层56和SAL58接触。硬偏磁材料60和62也定义了MR单元54的活性区域54a的边界。
在制造过程中，现有技术的MR传感器50经历各种工艺步骤，增大了每层薄膜层的差异和公差。开始时MR单元54、间隔层56和SAL58都淀积在MR传感器50的所有三个区域内(活性区域64和隋性区域66和68)。但是间隔层56和SAL58在隋性区域66和68的部分被去除。首先，SAL58用离子研磨处理以去除SAL58未被光致抗蚀剂覆盖的部分。接着间隔层56用反应离子刻蚀过程以去除间隔层56未被光致抗蚀剂覆盖的部分。此外，为了建立清洁的表面或者下层供后面淀积硬偏磁材料60和62，MR单元隋性区域54a和54c被溅射刻蚀以去除小部分MR单元54。这些工艺步骤花费昂贵并且难以控制硬偏磁薄膜的磁性质。因此诸如传感器50之类传感器的制造成本高并且可能或者不能落在预设公差范围内。
图2-11示出了按照本发明的MR传感器100形成过程。图2-9示出了MR传感器100各个制造阶段的结构102a-102h，而图10和11示出了完整的MR传感器100，每张图是本发明不同的实施例。图2-11的剖面图沿着平行于传感器空气承载表面的平面剖取。换句话说，就图1而言，MR传感器100的空气承载表面与页面平行。
如图10所示，MR传感器100a位于靠近底部遮板104的隔离层106顶部。MR传感器100a包括软邻近层108、间隔层110、下层112(112a，112c)、第一硬偏磁材料114(114a，114c)、MR单元120(120a，120b，120c)、覆盖层122(122a，122b，122c)和第一与第二触点124a和124c。MR传感器100a的活性区域132由SAL108、间隔层110和MR单元的活性区域120b和122b以及覆盖层分别限定。MR传感器100a的第一隋性区域134分别由下层112的第一隋性区域112a、114a、120a和122a、第一硬偏磁材料114、MR单元120、覆盖层122以及第一触点124a限定。MR传感器100a的第二隋性区域136分别由下层112的第二隋性区域112c、114c、120c和122c、第一硬偏磁材料114、MR单元120、覆盖层122以及第二触点124c限定。此外，包含光致抗蚀剂128和PMGI126的第一掩膜被用来制造MR传感器100a。
如图11所示，MR传感器100b位于靠近底部遮板104的隔离层106顶部。MR传感器100b包括100a的所有单元，此外还包括低电阻率材料116(116a，116c)和第二硬偏磁材料118(118a，118c)。低电阻率材料116和第二硬偏磁材料118包含在MR传感器100b的第一和第二隋性区域(134，136)。
如图2所示，SAL108位于隔离层106的顶部。隔离层106位于底部遮板104与MR传感器100之间，底部遮板104与隔离层106的厚度是变化的。隔离层106比较好的是由热性质良好的非磁性绝缘材料组成。
SAL108比较好的是一层由70-90％左右的铁(Fe)、最多15％的硅(Si)和最多15％的铝(Al)组成的铝硅铁粉合金层。铝硅铁粉合金也可以包含少量稀释元素，例如最多5％的钛(Ti)、铬(Cr)、钒(V)、锰(Mn)和/或锆(Zr)。构成SAL108的铝硅铁粉合金可以在各种溅射气体(例如氩气、氖气、氪气、氙气和氦气)内形成。SAL108也可以是一层各种铁磁性材料层，例如镍铁铑(NiFeRh)、镍铁铼(NiFeRe)或镍铁铬(NiFeCr)。在较佳实施例中，SAL108的电阻率大于100μΩ-cm以减少流经层的电流。SAL108的较佳厚度为25-100埃之间并且饱和电感至少为3千高斯以正确地对MR磁性层120施加偏磁。在较佳实施例中，SAL108为铝硅铁粉合金，它是第一硬偏磁材料114较好的下层。
如图3所示，间隔层110位于SAL108的顶部。间隔层110是高电阻率材料的非磁性层，位于SAL108与MR单元120之间以防止这两层之间的磁交换耦合。间隔层110的电阻率比较好的是远远大于MR单元120的电阻率从而使大多数电流流经MR单元120的活性区域120b，并且增大MR单元120的输出电压信号。在较佳实施例中，间隔层110是一层电阻率至少为100μΩ-cm并且厚度介于25-500埃之间的钽层。
如图4所示，掩膜130位于间隔层110中央区域之上以保护中央区域不受工艺步骤处理。在较佳实施例中，掩膜130包括光致抗蚀剂128和PMGI126，但是不局限于这种材料组合。PMGI与光致抗蚀剂的组合形成的图案提供了较好的“提升”光致抗蚀剂128及其上面的任何材料的效果。
在图5中，SAL108和间隔层110从未被掩膜130阻定的区域去除。SAL108经过离子研磨处理以去除SAL108未覆盖掩膜130的部分。间隔层110经过反应离子刻蚀过程以去除间隔层110未覆盖掩膜130的部分。由此确定了如图10和11所示的传感器活性区域132和隋性区域134、136。
在图6中，下层112淀积在图5所示的结构102d上。由于结构102d的构造，下层材料112形成三个不同的子材料112a、112b和112c。下层材料112a和112c淀积在隔离层106顶部并且下层材料112b淀积在掩膜130(具体而言就是光致抗蚀剂128)顶部。下层材料比较好的是铝硅铁粉合金，它为第一硬偏磁材料114提供了较好的下层。
在图7中，第一硬偏磁材料114淀积在图6所示结构102e上。第一硬偏磁材料114形成三个不同的子材料114a、114b和114c。第一硬偏磁材料114b淀积在下层112b顶部，而下层112b又淀积在掩膜130顶部。第一硬偏磁材料114a和114c分别淀积在下层112a和112c顶部。硬偏磁材料114比较好的是由钴基永磁铁材料构成，但是也可以采用其他材料。在较佳实施例中，硬偏磁材料110在外部边缘110a和110c处的厚度介于200-1000埃之间。
在图8中，利用提升过程去除掩膜130。提升过程去除光致抗蚀剂128和PMGI126。此外下层112b和第一硬偏磁材料114b随掩膜130一起去除。PMGI与光致抗蚀剂的组合形成的图案提供了较好的“提升”光致抗蚀剂128的效果。
在图10中示出了MR传感器100a的最后工艺步骤。MR单元120、覆盖层122和触点124淀积在图8所示结构102g的顶部。MR单元120和覆盖层122淀积在传感器100a的活性区域132和传感器100a第一和第二隋性区域134、136上。
首先淀积MR单元120。在间隔层110的顶部淀积MR单元120的活性区域120b并且限定传感器100a的活性区域。在硬偏磁材料114a、114c顶部分别淀积MR单元120的隋性区域120a和120c。在较佳实施例中，MR单元120是坡莫合金层。坡莫通常被用来表示包含镍(Ni)和铁(Fe)组合的高磁导率永磁合金。必须指出的是，可以用其他磁阻材料代替坡莫合金。在较佳实施例中，MR单元120的电阻率小于100μΩ-cm并且厚度介于25-400埃之间。
覆盖层122在三个区域内部淀积在MR单元120的顶部，形成覆盖层122的活性区域122b和第一与第二隋性区域122a和122c。覆盖层122保护MR单元120在后续中工艺步骤不受影响。在较佳实施例中，覆盖层122是钽(Ta)层，但是不局限于这种材料。
触点124a和124c淀积在覆盖层122的隋性区域122a和122c上。触点将MR传感器100连接至电流输入的外部电路。
在图9中，示出了形成MR传感器100的第二实施例。该步骤与图11所示MR传感器100b相关。本发明第二实施例在上述借助图2-7所述步骤或结构102a-102f之后。在MR传感器100实现图7所示结构102f之后，加入其他材料以制造MR传感器100b。第一种加入的材料是低电阻率材料116，它淀积在图7所示结构102f上。第二材料是第二硬偏磁材料118，它沿整个传感器淀积在低电阻率材料116的顶部。在将掩膜130位于间隔层110和SAL108之上时淀积低电阻率材料116和第二硬偏磁材料118。虽然图7未示出低电阻率材料116和硬偏磁材料118，但是图9示出了去除掩膜130后的结果。
低电阻率材料116是一种比硬偏磁材料114和118导电性能更好的材料。硬偏磁材料114和118作为MR传感器100一定长度的导体，但是这些材料增大了电路的电阻率并且降低了信噪比。在第一硬偏磁材料114与第二硬偏磁材料118之间加入低电阻率材料减小了导体电阻并且提高了信噪比。同时又保持硬偏磁材料114与118的磁性质不变。
第二硬偏磁材料118比较好的是由钴基永磁铁材料构成，但是也可采用其他材料。在较佳实施例中，硬偏磁材料110在材料外部边缘110a和110c的厚度介于200-1000埃之间。
在图11中，完成MR传感器100b的制造步骤。一旦放置第二硬偏磁材料，则传感器100b完成与上述100a相同的步骤。
在较佳实施例中，MR单元120的活性区域120b需要横向偏磁而MR单元120的第一和第二隋性区域120a和120c需要纵向偏磁。当利用软薄膜偏磁、旁路偏磁或其他任何兼容的横向偏磁技术旋转磁化矢量时，MR单元120被施加横向偏磁。利用纵向硬偏磁薄膜(例如钴铂)建立纵向偏磁，抑制MR单元内形成多个磁畴。
当淀积MR单元120时，自然而然地将沿跨越纸平面的纵轴形成磁化矢量M。当工作期间电路流经MR传感器100时，在MR单元120内形成电流密度矢量J。电流密度矢量J与磁化矢量M开始时指向同一方向。当磁化矢量M和电流密度矢量J形成约45度左右夹角时，MR单元120的电阻几乎随进入MR单元120的磁通量大小线性变化。因此需要对MR单元120施加横向偏磁以获得用于检测来自磁盘的磁通量的优化工作条件。
通过将SAL108放置在平行于MR单元120平面内使磁化矢量M旋转。SAL108的磁场导致MR单元120的自然磁化矢量M相对电流密度矢量J方向旋转45度左右。间隔层110淀积在MR单元120与SAL108之间以防止两层之间的磁交换耦合，从而允许磁化矢量M旋转。
MR单元120的第一和第二隋性区域120a和120c被高矫顽磁性低磁导率的硬偏磁材料通过交换耦合禁止磁性旋转。由于MR单元120与第一硬偏磁材料114(或者第二实施例中的第二硬偏磁材料118)的几何对齐，所以交换耦合导致纵向偏磁或者抑制了磁化旋转。禁止磁化旋转使得只有非常少量的磁通量进入第一和第二隋性区域120a和120c，这较好地限定了读取器磁道宽度并且增加了隋性区域116b吸收的磁通量。
存在于第一或第二硬偏磁材料114、118与MR单元120之间的交换耦合的数量和有效性取决于若干制造参数。例如，MR单元120的材料、硬偏磁材料114和118的材料、MR单元120的厚度、硬偏磁材料114和118的厚度以及材料厚度之比都决定了交换耦合的有效性。诸如溅射压力和温度之类的淀积参数和诸如离子研磨或刻蚀之类淀积后制造参数也决定了交换耦合的有效性。
除了厚度和淀积参数以外，每层薄膜的下层也影响着交换耦合。钴基硬偏磁材料天生对下层晶体组织、交界薄膜的清洁度和粗糙度敏感。薄膜之间到相互依赖使制造变得困难。选择所需的下层(例如非晶铝硅铁粉或铬)来控制硬偏磁材料114和118的特性。因此选择下层材料112和低电阻率材料116为第一和第二硬偏磁材料114和118提供合适的下层。
当MR和SAL单元暴露在外磁场下时，它们可能“断裂”为多个磁畴。为了使MR传感器输出最大和稳定性最好，需要通过交换耦合或者静磁耦合将MR和SAL单元保持为一个磁畴状态。硬偏磁材料的磁场应该足够地大以保证单一磁畴结构，然而又要足够小以不改变最终MR信号的线性度和信号幅度。本发明综合了邻近接合结构与普通叠层结构的优点，使SAL和MR单元得以稳定。
邻近接合设计被用于稳定SAL108。SAL108与硬偏磁材料114的邻近接合在材料之间产生静磁耦合，稳定了SAL108。静磁耦合将SAL放置在一个使SAL稳定的磁畴结构内，但是并不过度稳定而使得磁化导致MR单元与SAL之间的静磁耦合。
叠层结构向MR单元提供了稳定，但是它也通过将MR单元靠近硬偏磁薄膜叠放从而产生磁交换耦合，避免了对邻近接合的敏感性。叠层结构去除了通常与邻近接合设计相关的工艺差异。
本发明避免了诸如离子研磨或刻蚀之类的MR单元120的淀积后步骤。这避免了将研磨或刻蚀控制在非常小的公差内并且避免薄膜层表面的损坏。因此无需另外的工艺步骤可以在层之间产生更佳的交换耦合。
在本发明的第二实施例中，硬偏磁薄膜或永磁铁层被分隔为两层114、118，它们分别向SAL和MR单元提供用于静磁耦合与磁交换耦合的分隔硬偏磁薄膜。用于SAL和MR单元的每种永磁铁的磁性质和磁场强度可以独立优化。这使得工艺控制更为前后一致、更清洁和更方便，消除了永磁铁差异对传感器造成的影响。此外，通过将低电阻率材料116夹在第一硬偏压材料114与第二硬偏压材料118之间改进了信噪比。低电阻率材料116使传感器的硬偏磁或永磁铁区域导电更好，改善了信噪比。
在操作中，MR传感器100的空气承载表面位于磁性存储介质附近。移动磁性存储介质使得存储介质上的磁性信息通过MR传感器的活性区域。传感电流通过MR单元120。为了更有效地读取磁性存储介质上存储的信息，需要有适量的传感电流流经MR传感器100的磁性层120。一旦传感电流流经MR传感器100，辅助电流就读取代表磁性存储介质上存储数据的电压。
虽然借助较佳实施例描述了本发明，但是本领域内技术人员可以在不偏离本发明范围和精神的前提下对本发明作出各种修改。

Claims (10)

1.一种磁阻读取传感器，其特征在于，它包括：
隔离层；
在隔离层中央区域上的软邻近层，其中隔离层的第一和第二外部区域由中央区域隔开；
在软邻近层上的间隔层；
在隔离层第一和第二外部区域上的下层，从而在下层上形成第一和第二隋性区域并在软邻近层上形成活性区域；
在第一和第二隋性区域内下层上的第一硬偏磁薄膜，第一硬偏磁薄膜用于对软临近层进行偏磁；
在第一和第二隋性区域内第一硬偏磁薄膜上的低电阻率材料层；
位于第一和第二隋性区域内低电阻率材料层上的第二硬偏磁薄膜；
在间隔层和第二硬偏磁薄膜上的磁阻层，它延伸通过活性区域和第一、第二隋性区域，而第二硬偏磁薄膜对磁阻层进行偏磁；以及
在活性区域和第一、第二隋性区域磁阻层上的覆盖层。
2.如权利要求1所述的磁阻读取传感器，其特征在于进一步包括在第一和第二隋性区域中覆盖层上的多个触点。
3.如权利要求1所述的磁阻读取传感器，其特征在于磁阻单元由电阻率小于100μΩ-cm的软磁性材料构成。
4.如权利要求1所述的磁阻读取传感器，其特征在于间隔材料由电阻率至少为100μΩ-cm的非磁性材料构成。
5.如权利要求1所述的磁阻读取传感器，其特征在于软邻近材料由电阻率至少为100μΩ-cm的软磁性材料构成。
6.一种磁阻读取传感器，其特征在于，它包括：
隔离层；
在隔离层中央区域上的软邻近层，其中隔离层的第一和第二外部区域由中央区域隔开；
在软邻近层上的间隔层；
在隔离层第一和第二外部区域上的下层，从而在下层上形成第一和第二隋性区域并在软邻近层上形成活性区域；
在第一和第二隋性区域内下层上的第一硬偏磁层；
在第一和第二隋性区域内第一硬偏磁层上的低电阻率材料层；
位于第一和第二隋性区域内低电阻率材料层上的第二硬偏磁层；
在间隔层和第二硬偏磁层上的磁阻层；以及
在活性区域和第一、第二隋性区域磁阻层上的覆盖层。
7.如权利要求6所述的磁阻读取传感器，其特征在于进一步包括在第一和第二隋性区域中覆盖层上的多个触点。
8.如权利要求6所述的磁阻读取传感器，其特征在于磁阻单元由电阻率小于100μΩ-cm的软磁性材料构成。
9.如权利要求6所述的磁阻读取传感器，其特征在于间隔材料由电阻率至少为100μΩ-cm的非磁性材料构成。
10.如权利要求6所述的磁阻读取传感器，其特征在于软邻近材料由电阻率至少为100μΩ-cm的软磁性材料构成。
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