CN1214988A - 具透明遮罩式晶片透孔加工法 - Google Patents
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Abstract
一种具透明遮罩式晶片透孔加工法,其特点是,晶片的第一面具有至少一个集成电路构造,它具有至少一个特定位置,晶片的第二面对应于特定位置处具有相同数目的相对位置,在该相对位置处形成透孔,其步骤包含:(1)提供一透明遮罩;(2)在透明遮罩上形成对应于特定位置的镂空区域;(3)将该镂空区域对准该特定位置;(4)将该透明遮罩固定在第二面上;(5)以一快速移动的粒子群撞击该透明遮罩,使晶片在相对位置处形成透孔。
Description
本发明涉及一种晶片加工方法，尤其涉及一种具透明遮罩式晶片透孔加工法。
在目前晶片加工法的技术上，透孔的形成方法严重影响晶片加工法的优良率与成本，因此，如何改进透孔加工法，即成为工程师们重要课题，在目前使用的技术中有数种方法，其缺点分别列举如下：
(a)超音波透孔加工法：在加工过程中晶片容易断裂，且不易提高产品的优良率。
(b)计算机定位喷砂加工法：因需逐一穿孔，所以透孔加工时间长，且精密喷头耗损快速，导致成本提高。
(c)激光加工法：所使用的激光装置昂贵，且使用效率低，以到透孔加工时间长。
缩合以上三种方法，分别有透孔加工时间长与机器设备成本高等缺点。
本发明的主要目的是提供一种具透明遮罩式晶片透孔加工法，它提出一种低成本高效率的对位方式，不仅保护晶片不断裂，并且缩短了整体制程时间。
本发明的目的是这样实现的：一种具透明遮罩式晶片透孔加工法，其特点是，当一晶片具有一第一面与一第二面，其中该第一面具有至少一个集成电路构造，而该集成电路构造中具有至少一个设置于特定位置的欲加工构造，该第二面对应于该特定位置处具相同数目的相对位置，应用该具透明遮罩式晶片透孔加工法，由该第二面的该相对位置处形成透孔，其步骤包含：(1)提供一透明遮罩，该透明遮罩的材料为一高分子聚合物，而该高分子聚合物系选自一聚酯物质为之；(2)用一激光加工技术在该透明遮罩上形成该镂空区域；(3)将该透明遮罩的该镂空区域对准该特定位置；(4)该透明遮罩具有一点胶面，它以该粘胶面将该透明遮罩固定在该晶片上的第二面上；以及(5)以一喷砂机喷出的多数个砂粒所形成的一快速移动的粒子群撞击该透明遮罩，使得该晶片在该相对位置处形成透孔。
在上述的具透明遮罩式晶片透孔加工法中，其中，所述的将该透明遮罩的该镂空区域对准该相对位置的步骤更包含：(a)提供大于该晶片面积的一透明遮罩；(b)以一激光加工技术在该透明遮罩上且在晶片面积范围外，形成一第一对位记号；(c)提供大于该晶片面积的一正片，该正片为一照相用底片；(d)以照相技术在该正片上形成一相同于该特定位置的一基准图形；(e)以照相技术在该正片上且晶片面积范围外，形成一第二对位记号；(f)以一光学显微镜(Microscope)将该晶片上的特定位置与正片上的基准图形对准；以及(g)将该透明遮罩的第一对位记号与该正片的第二对位记号对准。
在上述的具透明遮罩式晶片透孔加工法中，其中，在第(4)步骤后还包括：(a)提供一承载基面，该承载基面包含：一托盘，用以承载该晶片；以及一隔离物，其为一纸制材质，用以隔离托盘与保护层；(b)放置该晶片在该承载基面上；以及(c)在该承载基面与该晶片之间，涂抹一层水溶性的胶状物，该水溶性的胶状物为一IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂，将其置于80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟，则形成一反射透过穿孔的粒子群的保护层。
本发明由于用IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层以保护晶片，使晶片不易断裂，提高了晶片的质量与优良率；同时，由于正片能重复使用，所以用正片对位达到低成本高效率的效果；并且，由于透孔加工法使用一般喷砂机，不需精密喷头，所以不仅降低机器设备的成本，且能于同时对一晶片上多数个特定位置加工，大幅缩短加工的时间，因此同时减少固定成本与整体制程时间。
通过以下对本发明具透明遮罩式晶片透孔加工法的一实施例结合其附图的描述，可更具体理解本发明的目的、结构特点和优点。其中，附图为：
图1是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中镂空区域的透明遮罩的俯视结构示意图。
图2是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中具有集成电路构造的晶片第一面的俯视结构示意图。
图3是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中对位的正片俯视结构示意图。
图4(a)是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中透明遮罩对位的侧视结构示意图。
图4(b)是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中透明遮罩对位的侧视结构示意图。
图5是依据本发明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法的侧视结构示意图。
请参见图2，它表示为一具有集成电路构造(21)的晶片(41)，该集成电路构造(21)设于该晶片(41)的第一面(22)。该集成电路构造(21)内设有欲加工的构造(例如：透孔)，该欲加工构造的位置为特定位置(23)。请参见图1，以激光技术在一大于晶片面积范围(12)的透明遮罩(13)上，形成对应于第二图中特定位置(23)的镂空区域(14)，因特定位置(23)间相对的距离皆固定，所以用此特定位置(23)的图形特性，在晶片面积范围(12)以外的透明遮罩(13)面积内继续形成镂空区域，而成为第一对位记号(11)。
请参见图3，以照相技术在一大于晶片面积范围(33)的正片(34)上形成相同于第二图中该特定位置(23)的基准图形(32)，因该特定位置间相对的距离皆固定，所以用此特定位置的图形特性，在晶片面积范围(33)以外且在正片(34)面积内继续形成与基准图形(32)相同的图形，而成为第二对位记号(31)。
请参见图4(a〕，将正片(34)置于晶片(41)的第一面(22)上，然后利用光学显微镜(Microscope)(43)将基准图形(32)与晶片的第一面(22)的特定位置(23)对准，用特殊夹具(图示未显示)将正片(34)与晶片(41)固定。而转该正片(34)与晶片(41)，使晶片(41)在上，正片(34)在下。
请参见图4(b)，将透明遮罩(13)置于晶片(41)的第二面(42)上，利用光学显微镜(Microscope)(43)将透明遮罩(13)上的第一对位记号(11)对准正片(34)的第二对位记号(31)后，移去正片(34)。
请参见图5，施加适当压力将已对准的透明遮罩(13)粘贴在晶片(41)的第二面(42)上，再将IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂涂于晶片的第一面(22)上，把上述该等置在80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟后形成一IPS(IMAGEPRO SUPER)保护层(52)，将一纸(53)覆盖于IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层(52)上，再将该等置于一拖盘(54)上，然后以一般喷砂机(55)喷出的一快速移动的粒子群(51)撞击该透明遮罩(13)，以一次完成该晶片上所有的透孔。
根据上述最佳实施例的说明，由于用IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层以保护晶片，并因正片能重复利用，所以能达到低成本高质量与效率的效果；同时，由于透孔加工法使用一般喷砂机，它能于同时对一晶片上多数个特定位置加工，减少了整体制程时间。
Claims (10)
1．一种具透明遮罩式晶片孔孔加工法，其特征在于，当一晶片具有一第一面与一第二面，其中该第一面具有至少一个集成电路构造，而该集成电路构造具有至少一个特定位置的欲加工构造，该第二面对应于该特定位置处具相同数目的相对位置，应用该具透明遮罩式晶片透孔加工法，由该第二面的该相对位置处形成透孔，其步骤包含：
(1)提供一透明遮罩；
(2)在该透明遮罩上，形成对应于该特定位置的镂空区域；
(3)将该透明遮罩的该镂空区域对准该特定位置；
(4)将该透明遮罩固定于该第二面上；以及
(5)以一快速移动的粒子群撞击该透明遮罩，使得该晶片在该相对位置处，形成透孔。
2．如权利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩的材料为一高分子聚合物。
3．如权利要求1项所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩具有一粘胶面，该粘胶面将透明遮罩固定于该晶片上的第二面。
4．如权利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩的镂空区域对准该相对位置的步骤还包含：
(a)提供大于该晶片面积的一透明遮罩；
(b)在该透明遮罩上的晶片面积范围外，形成一第一对位记号；
(c)提供大于该晶片面积的一正片；
(d)在该正片上形成一相同于该特定位置的一基准图形；
(e)在该正片上的晶片面积范围外，形成一第二对位记号；
(f)将该晶片上的特定位置与正片上的基准图形对准；以及
(g)将该透明遮罩的第一封位记号与该正片的第二对位记号对准；
5．如权利要求4所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的正片为一照相用底片。
6．如权利要求4所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，在所述的正片上用照相技术形成一相同于该特定位置的基准图形与该第二对位记号。
7．如权利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，其中在所述的第(4)步骤后还包括：
(a)提供一承载基面；
(b)放置该晶片在该承载基面上；以及
(c)在该承载基面与该晶片之间，形成一反射透过穿孔的粒子群的保护层。
8．如权利要求7所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的承载基面包含：
一托盘，用以承载该晶片；以及
一隔离物，用以隔离该托盘与该保护层，该隔离物为一纸制材质。
9．如权利要求7所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的保护层为一水溶性的胶状物，该水溶性的胶状物为一IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂，它将IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂置于80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟，形成该保护层。
10．如权利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的快速移动的粒子群，由一喷砂机喷出的多数个砂粒所形成。
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