CN1084526C - 图形加工对位法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种图形加工对位方法，其应用在一晶片上，其特点是，该晶片的第一面具有一集成电路构造，而于该晶片的第二面上形成有关图形的加工对位方法，它以透明膜的良好的透明特性，应用于对位的制程上。本发明由于以照相方式在透明膜上形成基准图形，因此能精确掌握图形的位置，有效地进行对位。
Description
本发明涉及一种对位方法，尤其涉及一种图形加工对位方法。
一般在晶片加工制造技术中，图形的对位方式严重影响晶片加工的优良率与操作，在目前使用的技术中有如下的缺点：
(a)以不锈钢板作为遮罩保护的对位方式中，因不锈钢板本身不透明，因此要采取对位时有校正的困难。
(b)以压克力薄板作为遮罩保护的对位方式中，因压克力薄板本身会产生折射，因此在对位时易产生误差。
(c)遮罩是置于具有集成电路构造的晶片正面之上，若遮罩对位误差过大，极易在喷砂或激光加工时，损坏已完成的集成电路构造。
本发明的主要目的在于提供一种图形加工对位法，它能精确掌握晶片的两面间的相对位置。
本发明的目的是这样实现的：一种图形加工对位方法，其应用在晶片的加工过程中，其特点是，所述的晶片的第一面具有一集成电路构造，而在该晶片的第二面上形成有关图形构造的加工对位方法，其步骤包含：(1)提供一大于该晶片面积的第一透明膜，该第一透明膜为照相用的底片的正片；(2)在该第一透明膜上形成一相同与该集成电路构造上欲加工区域的基准图形；(3)在该第一透明膜上的该晶片面积范围外，形成第一对位记号，其中是以照相技术，在该第一透明膜上形成一与该集成电路构造上欲加工区域相同的基准图形与该第一对位记号；(4)提供一大于该晶片面积范围的第二透明膜，该第二透明膜的材料为高分子聚合物；(5)在该第二透明膜上，形成相同与该集成电路构造上欲加工区域图形的镂空区域；(6)在该第二透明膜上的该晶片面积范围外，形成第二对位记号，其中是以激光加工技术在该第二透明膜上，形成与该基准图形相同的镂空区域与该第二对位记号；(7)以光学显微镜(Microscope)将该集成电路构造上欲加工区域与该第一透明膜上的基准图形对准后固定；(8)翻转该晶片与第一透明膜，使该晶片在上，该第一透明膜在下；(9)将该第二透明膜置于该晶片上；(10)将该第一透明膜的该第一对位记号与该第二透明膜的该第二对位记号对准；(11)该第二透明膜具有一粘胶面，该粘胶面将该第二透明膜固定于该晶片上；以及(12)以喷砂机喷出的复数个砂粒所形成的快速移动的粒子群撞击该第二透明膜，使得该晶片上产生加工构造。
本发明由于第一透明膜采用照相底片的正片，它能重复使用，因此能充分减少材料的浪费；同时，由于第一透明膜上的该基准图形是以照相方式形成该集成电路构造上欲加工区，因此能精准掌握图形的位置，也利用于第二透明膜精确定位于晶片的另一面的相对位置上；并且，加工制造过程中使用的设备简单，所以操作方便。本发明不仅节省资源，更能提高优良率，且使用方便。
通过以下对本发明图形加工对位方法的一实施例结合其附图的描述，可更具体理解本发明的目的、结构特别和优点。其中，附图为：
图1是依据本发明提出的图形加工对位方法具基准图形的第一透明膜。
图2是依据本发明提出的图形加工对位方法具有集成电路构造的晶片的第一面。
图3是依据本发明提出的图形加工对位方法的第二透明膜。
图4是依据本发明提出的图形加工对位方法的第一透明膜对位侧视图。
图5是依据本发明提出的图形加工对位方法的第二透明膜对位侧视图。
请参见图1，它为具基准图形的第一透明膜(13)，该第一透明膜(13)的面积大于该晶片面积范围(12)，它为照相用底片中的正片。请参见图2，它为一具有集成电路构造(21)的晶片(41)，该集成电路构造(21)是设于该晶片(41)的第一面(22)。因该集成电路构造上欲加工区域(23)的图形的间距皆相同，所以利用该图形特性在该第一透明膜(13)上的该晶片面积范围(12)以外的面积上形成第一对位记号(11)的图形。请参见图1，以照相技术，在该第一透明膜(13)上形成一相同于图2中该集成电路构造上欲加工区域(23)的基准图形(14)与该第一对位记号(11)。
请参见图3，它为第二透明膜(34)，该第二透明膜(34)的面积大于该晶片面积范围(33)。该第二透明膜(34)的材料为高分子分聚合物。请参见图2，因该集成电路构造上欲加工区域(23)的图形与间距皆相同，所以利用图形特性在该第二透明膜(34)上的该晶片面积范围(33)以外的面积上形成第二对位记号(31)的图形，以激光加工技术在该第二透明膜(34)上，形成相同于该基准图形(14)的镂空区域(32)与该第二对位记号(31)。
请参见图4，以光学显微镜(Microscope)(42)将晶片(41)的该集成电路构造上欲加工区域(23)与该第一透明膜(13)上的基准图形(14)对准后，将该第一透明膜(13)与晶片(41)以特殊夹具(图示未显示)固定。翻转该晶片(41)与第一透明膜(13)，使该晶片(41)在上，该第一透明膜(13)在下。如图5所示将第二透明膜(34)置于该晶片(41)上方，以光学显微镜(Microscope)(42)将该第一透明膜(13)的第一对位记号(11)与该第二透明膜(34)的第二对位记号(31)对准。因该第二透明膜(34)具有粘胶面(51)，施加适当压力于该第二透明膜(34)上，该粘胶面(51)便将该第二透明膜(34)固定在该晶片(41)上。移除特殊夹具与第一透明膜(13)，将该晶片(41)与第二透明膜(34)置于喷砂机的加工位置(图示未显示)。以喷砂机喷出的多数个砂粒所形成的快速移动的粒子群撞击该第二透明膜，使得该晶片上产生与基准图形(14)相同的加工构造，例如：开孔。
Claims (9)
1.一种图形加工对位方法，其应用在一晶片的加工过程中，其特征在于，所述的晶片的第一面具有一集成电路构造，而在该晶片的第二面上形成有关图形的加工对位方法，其步骤包含：
(1)提供大于该晶片面积的第一透明膜；
(2)在该第一透明膜上形成一与该集成电路构造上欲加工区域相同的基准图形；
(3)在该第一透明膜上的该晶片面积范围外，形成第一对位记号；
(4)提供大于该晶片面积范围的第二透明膜；
(5)在该第二透明膜上，形成与该集成电路构造上欲加工区域相同的镂空区域；
(6)在该第二透明膜上的该晶片面积范围外，形成第二对位记号；
(7)将该晶片上的该集成电路构造上欲加工区域与该第一透明膜上的该基准图形对准后固定；
(8)将该第一透明膜的该第一对位记号与该第二透明膜的该第二对位记号对准；
(9)将该第二透明膜与该晶片固定；以及
(10)以快速移动的粒子群撞击该第二透明膜，使得该晶片上产生欲加工构造。
2.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，所述的第一透明膜为照相用底片。
3.如权利要求2所述的图形加工对位方法，其特征在于，所述的照相用底片为正片。
4.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，在所述的第一透明膜上以照相技术形成一与该集成电路构造上欲加工区域相同的该基准图形与该第一对位记号。
5.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，在所述的第二透明膜上以激光加工技术形成相同于该基准图形的镂空区域与该第二对位记号。
6.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，以光学显微镜(Microscope)将该电路构造上欲加工区域与该第一透明膜上的该基准图形对准。
7.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，所述的该第二透明膜的材料为高分子聚合物。
8.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，所述的该第二透明膜具有粘胶面，该粘胶面将该第二透明膜固定在该晶片上。
9.如权利要求1所述的图形加工对位方法，其特征在于，所述的快速移动的粒子群由喷砂机喷出的多数个砂粒所形成。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263402A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH07288325A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-10-31 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置の製造方法 |
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1997
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597590A (en) * | 1990-02-20 | 1997-01-28 | Nikon Corporation | Apparatus for removing a thin film layer |
| JPH07288325A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-10-31 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置の製造方法 |
| JPH07263402A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPH08339946A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板およびその製造方法ならびにその使用方法 |
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