CN1214696C - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1214696C CN1214696C CNB03105062XA CN03105062A CN1214696C CN 1214696 C CN1214696 C CN 1214696C CN B03105062X A CNB03105062X A CN B03105062XA CN 03105062 A CN03105062 A CN 03105062A CN 1214696 C CN1214696 C CN 1214696C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- sealing resin
- base plate
- display unit
- packaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 29
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WBEDMFHOODHFKR-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n'-bis(3-methylphenyl)-1-n,1-n',4-triphenylcyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C2(C=CC(=CC2)C=2C=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 WBEDMFHOODHFKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Al is set Chemical class 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000005002 finish coating Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
为了在通过密封树脂贴合装置基板及封装基板时，即使挤压密封树脂使其宽度增加，也能使密封树脂不会流出至EL元件上，而改变了涂布开始点。本发明的显示装置的制造方法是通过密封树脂(400)贴合装置基板(200)和封装基板(300)而形成显示装置的方法，其中，沿着装置基板(200)及封装基板(300)的周边部涂布的密封树脂(400)，在沿着上述装置基板(200)和上述封装基板(300)的周边部涂布密封树脂时，将该基板的角部设定为涂布开始点(401)并开始进行涂布，并将涂布结束点设定在与涂布开始点(401)相同的角部。
Description
技术领域
本发明涉及一种具备自发光元件的显示装置，特别涉及一种具备电致发光元件及薄膜晶体管的显示装置。
背景技术
近年来，因使用电致发光(Electro Luminescence：以下称“EL”)元件的显示装置，已取代CRT和LCD的显示装置而受到瞩目，例如具有作为一种用以驱动该EL元件的开关元件的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：以下称“TFT”)的显示装置的研究也正积极进行。
上述EL显示装置是依序将TFT及有机EL元件层积在例如透明基板(以下，称绝缘性基板)上而形成的。
在该绝缘性基板上形成有栅极。在该栅极上依序形成了栅极绝缘膜及由p-Si膜所构成的有源层。
在该有源层上，设有栅极上方的沟道，以及通过该沟道位于栅极电极两侧的源极·漏极区域。
并且，在上述栅极绝缘膜、有源层上的所有面上形成有层间绝缘膜，且在上述漏极区域相应地设置的接触孔内填充有Al等金属，而形成漏极电极。
并且，在所有面上形成了使由例如有机树脂所构成的表面平坦的平坦化绝缘膜，且在对应于该平坦化绝缘膜的源极区域的位置形成了接触孔，而在平坦化绝缘膜上形成了兼具由通过该接触孔与源极区域相接触的ITO(Indium Tin Oxide)而构成的源极电极的EL元件的阳极。
此外，在由该ITO所构成的阳极上，形成了空穴输送层，在该空穴输送层上形成了EL元件，并且以覆盖该EL元件的方式形成电子输送层，而在该电子输送层上，层积形成了阴极。
以下，将组装有上述EL元件的基板侧称为装置基板200继续进行说明。
图4(A)、(B)是用以说明现有EL显示装置的封装状态的说明图。首先，如图4(A)、(B)所示，使用配料装置(dispenser)等对上述装置基板200与由玻璃基板形成的封装基板300进行涂布，通过例如环氧树脂等密封树脂400进行贴合，通过加热硬化，将上述装置基板200和封装基板300予以贴合。
此时，如图5(A)所示，在封装基板300的周边部涂布密封树脂400时，将该封装基板300的某一边的大略中央部作为涂布开始点411而开始涂布密封树脂400，在涂布结束点(涂布开始点411的位置)结束涂布，当在接合部413的位置接合密封树脂400时，如图5(B)所示，在利用封装基板300和装置基板200挤压密封树脂400时(贴合时挤压)，也会发生使该密封树脂400变宽，密封树脂400流出至EL元件上的情形。此时会造成EL元件的动作不良。412表示涂布途中点。
在此，以往，为了实现即使密封树脂扩散，也不致使密封树脂流出至EL元件上，在EL元件与密封树脂之间具有充裕的间隔。因而必须牺牲显示区域的尺寸，或增大显示装置本身的尺寸。
另外，为使密封树脂不致流出，还考虑过在封装基板侧设置沟部，而在该沟部内涂布密封树脂的方法。然而，此时必须对封装基板加工以形成沟部，导致成本的提高。
发明内容
在此，鉴于上述课题的本发明的显示装置，是在通过密封树脂贴合装置基板和封装基板而形成的显示装置中，沿着上述装置基板与上述封装基板的周边部所涂布的密封树脂是接合于该装置基板及封装基板的角部。
并且，上述密封树脂在上述装置基板及上述封装基板的角部的宽度比在其它部分的宽度更宽。
并且，上述装置基板构成EL显示装置。
再者，由密封树脂贴合装置基板及封装基板而形成的显示装置的制造方法的特征为，在沿着上述装置基板及上述封装基板的周边部涂布密封树脂时，将该基板的角部设定为涂布开始点并开始进行涂布，并将涂布结束点设定在与涂布开始点相同的角部。
通过这样的结构，当沿着装置基板及封装基板的周边部涂布密封树脂时，将该基板的角部设定为涂布开始点，并将涂布结束点设定在与涂布开始点相同的角部，再使密封树脂在该基板的角部接合，这样，即使在该部分的树脂宽度比其它部分的树脂宽度更宽，由于角部的面积比其它部分的面积更宽，因此可防止密封树脂延及EL元件。
附图说明
图1(A)、(B)是用以说明本发明的某一实施方式的向基板涂布密封树脂的涂布动作的说明图。
图2是适用于本发明的EL显示装置的平面图。
图3(a)、(b)是适用于本发明的EL显示装置的剖面图。
图4(A)、(B)是用以说明现有装置基板与封装基板的贴合构造的说明图。
图5(A)、(B)是用以说明现有基板涂布密封树脂的涂布动作的说明图。
符号说明：
200：装置基板，300：封装基板；400：密封树脂；401：涂布开始点；402：涂布途中点；403：接合部
具体实施方式
以下，针对将本发明的显示装置应用在有机EL显示装置的情况加以说明。
图2表示适用于本发明的有机EL显示装置的显示像素附近的平面图。图3(a)表示沿着图2中A-A线的剖面图，图3(b)表示沿着图2中B-B线的剖面图。
如图2及图3所示，在由栅极信号线51与漏极信号线52所围成的区域，形成了显示像素110，且配置成矩阵状。
在该显示像素110上配置有：作为自发光元件的有机EL元件60；用以控制将电流供给至该有机EL元件60的定时开关用TFT30；用来对有机EL元件60供给电流的驱动用TFT40；以及保持电容。并且，有机EL元件是由：作为第一电极的阳极和由发光材料形成的发光元件层；以及作为第二电极的阴极65所构成。
即，在两信号线51、52的交点附近具有作为开关用TFT的第一TFT，该TFT30的源极33s兼具与保持电容电极线54之间形成电容的电容电极55，同时连接着作为EL元件驱动用TFT的第二TFT40的栅极41，第二TFT的源极43s连接着有机EL元件60的阳极61，另一方的漏极43d则连接着作为供给至有机EL元件60的电流源的驱动电源线53。
并且，以与栅极信号线51平行的方式配置有保持电容电极线54。该保持电容电极线54。该保持电容电极线54由铬等制成，并隔着栅极绝缘膜12而在与TFT的源极33s连接的电容电极55之间蓄积电荷并形成电容。该保持电容56是为了保持施加于第二TFT40的栅极电极41的电压而设置的。
如图3所示，有机EL显示装置在由玻璃或合成树脂等所构成的基板、或具有导电性的基板或半导体基板等基板10上，依序层积形成TFT及有机EL元件。然而，在使用具有导电性的基板及半导体基板作为基板10时，是先在这些基板10上形成SiO2及SiN等绝缘膜，再形成第一、第二TFT及有机EL元件。不论何种TFT皆为栅极电极隔着栅极绝缘膜而位于有源层上方的所谓顶部栅极(top gate type)构造。
首先，针对作为开关用TFT的第一TFT30加以说明。
如图3(a)所示，利用CVD(chemical vapor deposition化学汽相成长法)法等在由石英玻璃、或无碱玻璃等构成的绝缘性基板1上，形成非晶硅膜(以下称“a-Si膜”)，并将激光照射在该a-Si膜上，使之熔融再结晶化，以形成多晶硅膜(以下称“p-Si”膜)，而将该p-Si膜作为有源层33。在该有源层33上将SiO2膜、SiN膜的单层或层积体作为栅极绝缘膜12。而且在该有源层33上具有兼具由Cr、Mo等高融点金属所构成的栅极电极31的栅极信号线51以及由Al所构成的漏极信号线52，并配有作为有机EL元件的驱动电源且由Al所构成的驱动电源线53。
而且，在栅极绝缘膜12及有源层33上的所有面上，形成了以SiO2膜、SiN膜、SiO2膜的顺序层积的层间绝缘膜15，且在对应漏极33d而设置的接触孔中，设置填充有Al等金属的漏极电极36，并在所有面上形成使由有机树脂所构成的表面平坦化的平坦化绝缘膜17。
其次，针对作为有机EL元件的驱动用TFT的第二TFT 40加以说明。如图3(b)所示，在由石英玻璃或无碱玻璃等所构成的绝缘性基板1上，依次形成了将激光照射在该a-Si膜并予以多结晶化而形成的有源层43、栅极绝缘膜12、以及由Cr、Mo等高熔点金属所构成的栅极电极41，在该有源层43上设有沟道43c，而在该沟道43c的两侧设有源极43s和漏极43d。而且，在栅极绝缘膜12及有源层43上的所有面上，形成了按照SiO2膜、SiN膜、SiO2膜的顺序层积的层间绝缘膜15，并配置了在对应于漏极43d而设置的接触孔中填充Al等金属从而与驱动电源相连的驱动电源线53。并在所有面形成使由例如有机树脂构成的表面平坦化的平坦化绝缘膜17。而且，在对应于该平坦化绝缘膜17的源极43s的位置上形成了接触孔，而通过该接触孔在平坦化绝缘膜17上则设置了由与源极43s相接触的ITO所形成的透明电极，亦即有机EL元件的阳极61。该阳极61使各个显示像素分离形成为岛状。
有机EL元件60按照下述顺序层积形成：由ITO(Indium Tin Oxide)等透明电极形成的阳极61、由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenylphenyl-amino)biphenyl)形成的第一空穴输送层、由TPD(4，4，4-tris(3-methyl-phenylphenylamino)triphenylamine)形成的第二空穴输送层所构成的空穴输送层62、包含喹吖酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯并[h]喹啉酚-铍络合物)(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex)所形成的发光层63、以及由Bebq2所形成的电子输送层64、由镁·铟合金所形成的阴极65的构造。
有机EL元件60是通过从阳极61所注入的空穴与从阴极65所注入的电子在发光层内部再度结合，激励用以形成发光层的有机分子而产生激发子。在该激发子辐射钝化的过程中由发光层发光，该光会从透明的阳极61经由透明绝缘基板放出至外部而进行发光。
以下，将组装有上述EL元件60的基板侧称的为装置基板(devicesubstrate)200，说明使用封装基板300及密封树脂400对该装置基板200的上述EL元件60进行树脂封装的构成。
在此，本发明的特征为：如图1(A)、(B)所示，在沿着装置基板200及封装基板300的周边部涂布密封树脂时，将对封装基板300涂布密封树脂400的该涂布开始点401作为封装基板300的角部，再从该涂布开始点401涂布密封树脂400，并在涂布结束点(涂布开始点401位置)使密封树脂400互相粘合。402表示涂布途中点，403表示接合部。
此时，如图1(B)所示，利用上述装置基板200及上述封装基板300进行贴合时挤压上述密封树脂400，即使该密封树脂400宽度变宽，由于该装置基板200与该封装基板300的角部的面积比其它部分(例如现有基板中央部、即各边)的面积宽，因此可避免密封树脂400宽度延及EL元件60上的情形。
在本发明中，利用上述的简单方法，可使密封树脂400不致流出至EL元件60上，进而可避免EL元件60的动作不良的情形发生。
而且，在上述实施形态中，虽然是以适用于本发明的EL显示装置为例加以介绍，但本发明并不限定于此，亦可适用于液晶显示装置等的各种显示装置。
根据本发明，在沿着上述装置基板及上述封装基板的周边部涂布密封树脂时，将该基板的角部设定为涂布开始点，并将涂布结束点设定在与涂布开始点相同的角部，使密封树脂与该基板的角部接合，这样，即使在该部分的树脂宽度比其它部分的树脂宽度范围更广，由于角部的面积比其它部分的面积宽，因此可防止密封树脂宽度延及EL元件。因而，密封树脂不会流出至EL元件上，所以可抑制EL元件的动作不良的情形发生。
Claims (5)
1.一种显示装置，是通过密封树脂贴合装置基板和封装基板而形成的，其特征为：
沿着所述装置基板与所述封装基板的周边部所涂布的密封树脂是接合于所述装置基板和所述封装基板的角部。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征为：所述密封树脂在所述装置基板和所述封装基板角部处的宽度，比在其它部分的宽度范围更宽。
3.如权利要求1或2的显示装置，其特征为：所述装置基板构成了EL显示装置。
4.一种显示装置的制造方法，通过密封树脂贴合装置基板和封装基板形成显示装置，其特征为：
当沿着所述装置基板和所述封装基板的周边部涂布密封树脂时，将所述基板的角部设定为涂布开始点并开始进行涂布，并将涂布结束点设定在与涂布开始点相同的角部。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其特征为：所述装置基板构成了EL显示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057009A JP2003257626A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2002057009 | 2002-03-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1444420A CN1444420A (zh) | 2003-09-24 |
| CN1214696C true CN1214696C (zh) | 2005-08-10 |
Family
ID=28034811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB03105062XA Expired - Fee Related CN1214696C (zh) | 2002-03-04 | 2003-03-04 | 显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030178923A1 (zh) |
| JP (1) | JP2003257626A (zh) |
| KR (1) | KR20030072240A (zh) |
| CN (1) | CN1214696C (zh) |
| TW (1) | TW200304104A (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669779B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치용 시일재 패턴 이를 구비한 평판표시장치 |
| JP2012186080A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Panasonic Corp | 面状発光装置およびその製造方法 |
| US9095018B2 (en) * | 2012-05-18 | 2015-07-28 | Joled Inc. | Display panel and display panel manufacturing method |
| KR102515630B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2023-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4640583A (en) * | 1983-07-22 | 1987-02-03 | Kabushiki Kaisha Seiko Epson | Display panel having an inner and an outer seal and process for the production thereof |
| US6011607A (en) * | 1995-02-15 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Active matrix display with sealing material |
| JP3365140B2 (ja) * | 1995-04-12 | 2003-01-08 | 富士通株式会社 | 液晶光変調素子の製造方法 |
| JP2002006325A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Nec Corp | 液晶表示パネルの製造方法 |
| KR100628259B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 |
| JP2003043499A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置及びそのシール材塗布方法 |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057009A patent/JP2003257626A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-25 TW TW092103859A patent/TW200304104A/zh unknown
- 2003-03-03 KR KR10-2003-0013104A patent/KR20030072240A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-03-03 US US10/377,116 patent/US20030178923A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-04 CN CNB03105062XA patent/CN1214696C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1444420A (zh) | 2003-09-24 |
| US20030178923A1 (en) | 2003-09-25 |
| KR20030072240A (ko) | 2003-09-13 |
| JP2003257626A (ja) | 2003-09-12 |
| TW200304104A (en) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9917117B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| CN1276404C (zh) | 电激发光显示装置 | |
| US8586979B2 (en) | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same | |
| US8247266B2 (en) | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device having the same | |
| US9741858B2 (en) | Amorphous silicon semiconductor TFT backboard structure | |
| US9196665B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| US10290688B2 (en) | AMOLED device and manufacturing method thereof | |
| US20150171376A1 (en) | Method for manufacturing flexible oled (organic light emitting diode) panel | |
| EP3528299B1 (en) | Manufacturing method of a transparent oled display | |
| US10665721B1 (en) | Manufacturing method of flexible TFT backplane and flexible TFT backplane | |
| CN1697578A (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| US10504731B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
| CN1697575A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| KR100959106B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2019090837A1 (zh) | 双面显示器及其制作方法 | |
| CN1276686C (zh) | 显示装置的制造方法及显示装置 | |
| CN1638563A (zh) | 带支撑板的有机电致发光器件及其制作方法 | |
| JP2013249537A (ja) | 酸化物半導体スパッタリング用ターゲット、これを用いた薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US20110291572A1 (en) | Display Drivers | |
| CN1214696C (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN1450839A (zh) | 电致发光显示装置的制造方法 | |
| CN1461178A (zh) | 电致发光显示装置 | |
| KR20080102665A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| CN1245058C (zh) | 显示装置的制造方法 | |
| US20230055348A1 (en) | Dual plate olet displays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20050810 Termination date: 20100304 |