CN1245058C - 显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置的制造方法，可抑制将装置基板和封装基板贴合时的密封树脂的破裂。本发明的显示装置的制造方法，是一种通过密封树脂(400)将装置基板(200)与封装基板(300)贴合而成的显示装置的制造方法，其特征在于：上述密封树脂(400)的粘度为40000cp以上。通过提高密封树脂的粘性使之高于目前的粘性，即可抑制将装置基板(200)和封装基板(300)贴合进行加热处理时的密封树脂(400)的破裂。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有自发光元件的显示装置，尤其涉及具有电致发光元件及薄膜晶体管的显示装置。
背景技术
近年来，使用电致发光(Electro Luminescence，以下称“EL”)元件的EL显示装置，有潜力成为取代CRT、LCD的显示装置而受到瞩目，例如作为驱动该EL元件的开关元件具有薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，以下称“TFT”)的EL显示装置的研究开以也在进行中。
上述EL显示装置，是在例如透明玻璃基板(以下称绝缘性基板)上依次层压形成TFT及有机EL元件。
然后在该绝缘性基板上形成栅极电极，再在其上依次形成栅极绝缘膜及由p-Si膜所构成的有源层。
该有源层上设有：在栅极电极上方的沟道、和隔着该沟道而位于栅极电极两侧的源极、漏极区域。
而且，在上述栅极绝缘膜、有源层上的全面形成层间绝缘膜，在与上述漏极区域对应而设的接触孔中充填铝(Al)等金属而形成漏极电极。
而且，再于全面形成由例如有机树脂构成、用以使表面平坦的平坦化绝缘膜，并在该平坦化绝缘膜的与源极区域对应的位置形成接触孔后，在平坦化绝缘膜上形成透过该接触孔与源极区域接触的由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)所构成的兼作为源极电极的EL元件的阳极。
然后，在该ITO所构成的阳极上形成空穴(hole)输送层后，在该空穴输送层上形成EL元件，并以覆盖该EL元件的方式形成电子输送层，再在其上层压形成阴极。
以下，将组装有上述EL元件的基板称为装置基板来说明公知的EL显示装置的封装状态。
首先，通过利用分配器(dispenser)装置等涂布的例如环氧树脂等的密封树脂，使上述装置基板和由玻璃基板等所构成的封装基板贴合，再通过加热使树脂固化而使装置基板与封装基板相贴合。
在上述将装置基板与封装基板贴合时所进行的加热处理或加压处理过程中，封入上述EL显示装置内的惰性气体会膨胀。此时，为了使密封树脂不至于破裂，必须在密封树脂上预留供多余的惰性气体逸出的开口部(作为逸出通道)。因此，在封入惰性气体后，要将该开口部封闭。
然而，如上述的在贴合后封闭开口部的场合，有水分等混入EL显示装置内的可能性，成为EL显示装置的特性劣化的原因。
另外，不形成开口部而进行贴合的场合，由于EL显示装置内外的压力差，会有密封树脂破裂的危险性。
发明内容
因此，鉴于上述问题，本发明的显示装置的制造方法，是一种通过密封树脂将装置基板与封装基板贴合而成的显示装置的制造方法，其特征在于：使上述密封树脂在贴合时的粘度在40000cp以上。
并且，上述密封树脂在贴合时的粘度在40000cp以上，不超过170000cp。
再者，上述装置基板与上述封装基板之间的空间封入有惰性气体。
通过上述构成，通过提高密封树脂的粘性可抑制将装置基板和封装基板贴合进行加热处理时的密封树脂的破裂。
附图说明
图1(A)及(B)是用以说明本发明一实施方式的装置基板与封装基板的贴合构造的图。
图2是适用本发明的EL显示装置的平面图。
图3(a)及(b)是适用本发明的EL显示装置的剖视图。
符号说明：200装置基板，300封装基板，400密封树脂。
具体实施方式
以下，说明将本发明显示装置的制造方法应用于有机EL显示装置中的情况。
图2是表示适用本发明的有机EL显示装置的显示像素附近的平面图，图3(a)表示沿图2中的A-A线的剖视图，图3(b)表示沿图2中的B-B线的剖视图。
如图2及图3所示，显示像素110形成于由栅极信号线51和漏极信号线52所围住的区域，且配置成矩阵状。
该显示像素110中配置有：作为自发光元件的有机EL元件60、控制将电流供给至该有机EL元件60的时序的开关用TFT30、将电流供给至有机EL元件60的驱动用TFT40、及保持电容。其中，有机EL元件60包括：由作为第一电极的阳极61和发光材料所构成的发光元件层、及作为第二电极的阴极65。
详细地说，两信号线51、52的交点附近设有作为开关用TFT的第一TFT30，此TFT30的源极33s，兼作为电容电极55，在其与保持电容电极线54之间形成电容，并与作为EL元件驱动用TFT的第二TFT40的栅极电极41相连接，第二TFT的源极43s与有机EL元件60的阳极61相连接，其另一方的漏极43d则与驱动电源线53(作为将电流供给至有机EL元件60的电流源)相连接。
另外，配置有与栅极信号线51并行的保持电容电极线54。此保持电容电极线54由铬等所构成，且和与TFT的源极33s连接的电容电极55之间夹着栅极绝缘膜12而形成可蓄积电荷的电容(保持电容)。此保持电容56是为了保持施加于第二TFT40的栅极电极41的电压而设置。
如图3所示，有机EL显示装置，是在由玻璃、合成树脂等所构成的基板、或具有导电性的基板、或半导体基板等基板10上，依次层压形成TFT及有机EL元件而成。但是，只使用具有导电性的基板及半导体基板作为基板10时，要在这些基板10上形成SiO2、SiN等的绝缘膜后才形成第一、第二TFT及有机EL元件。其中的任一TFT皆为栅极电极隔着栅极绝缘膜设置于有源层上方的所谓的顶部栅极构造。
首先，说明作为开关用TFT的第一TFT30。
如图3(a)所示，在石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘性基板10上，以CVD法等形成非晶硅膜(以下称“a-Si膜”)，在该a-Si膜上照射激光使之熔融再结晶化而成为多晶硅膜(以下称“p-Si膜”)，以此作为有源层33。接着在上面形成SiO2膜、SiN膜的单层或层压体作为栅极绝缘膜12。再在上面，设置由Cr、Mo等高熔点金属所构成的兼作为栅极电极31的栅极信号线51及由Al所构成的漏极信号线52，并配置作为有机EL元件的驱动电源的由Al所构成的驱动电源线53。
然后，在栅极绝缘膜12及有源层33上的全面，形成依次层压SiO2膜、SiN膜及SiO2膜而成的层间绝缘膜15后，设置在对应于漏极33d而设的接触孔中充填Al等金属而成的漏极电极36，再在全面形成由有机树脂所构成、用以使表面平坦的平坦化绝缘膜17。
其次，说明作为有机EL元件的驱动用TFT的第二TFT40。如图3(b)所示，在石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘性基板10上，依次形成在a-Si膜上照射激光使之多结晶化而成为有源层43、栅极绝缘膜12、及由Cr、Mo等高熔点金属所构成的栅极电极41，并在该有源层43上设置沟道43c、和在该沟道43c两侧的源极43s和漏极43d。然后，在栅极绝缘膜12及有源层43上的全面，形成依次层压SiO2膜、SiN膜及SiO2膜而成的层间绝缘膜15后，配置在对应于漏极43d而设的接触孔中充填Al等金属并与驱动电源连接的驱动电源线53。再在全面设置由例如有机树脂所构成、用以使表面平坦的平坦化绝缘膜17。然后，在该平坦化绝缘膜17的与源极43s对应的位置形成接触孔，而在平坦化绝缘膜17上设置通过该接触孔与源极43s接触的由ITO构成的透明电极，即有机EL元件的阳极61。此阳极61在每个显示像素中形成岛状。
有机EL元件60，为由ITO(Indium Tin Oxide)等透明电极所构成的阳极61、由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)所构成的第一空穴输送层、由TPD(4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine)所构成的作为第二空穴输送层的空穴输送层62、由含有喹吖酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-benzo[h]quinolinolberyllium-complex)所构成的发光层63、及Bebq2所构成的电子输送层64、由镁-铟合金或铝、或铝合金所构成的阴极65，依次层压而形成的构造。
有机EL元件60，从阳极61注入的空穴和从阴极65注入的电子在发光层的内部再结合，而产生激发形成发光层的有机分子的激发子。此激发子在放射能量回到稳态的过程中从发光层放出光，此光从透明的阳极61穿过透明绝缘性基板向外部放射而发光。
以下，将组装有上述EL元件60的基板称为装置基板200来继续以下的说明。
图1是用以说明适用本发明的EL显示装置的封装状态的图。首先，通过利用分配器装置等涂布的例如环氧树脂等的密封树脂400，使形成有如上述的EL元件60的装置基板200和由玻璃基板等所构成的封装基板300贴合，再通过加热使树脂固化而使装置基板200与封装基板300相贴合，利用树脂将EL元件60密封起来而完成EL显示装置。
在此，本发明的特征在于：在通过密封树脂400将上述装置基板200与上述封装基板300贴合而成的显示装置中，将贴合时的上述密封树脂400的粘度设定在40000cp(centipoise)以上。
即，不在密封树脂形成作为惰性气体的逸出通道的开口部，以这种状态将装置基板和密封基板贴合时，密封树脂破裂的危险性相当高而成为问题，但本发明在进行树脂密封时的处理中，通过规定密封树脂的粘度，抑制密封树脂的破裂，而使树脂密封可行。
并且，密封树脂的粘度只要能够承受贴合时显示装置内外的压力差即可，本实施方式中，更具体地将该密封树脂的粘度范围设定为40000cp以上，不超过170000cp。此处，使粘度的上限不超过170000cp是因为粘性太过高的话，贴合时的压合(密封树脂的压散)会变得困难之故，但若使用压合力较通常所用的压合装置强的装置，则使用具有高粘性的密封树脂也可以。
并且，密封树脂的粘度优选为80000cp以上，不超过150000cp，更优选为100000cp以上，不超过130000cp。
如上所述，一方面，粘性太过高的话，贴合时的压合会变得困难，而有无法确保经密封的两基板间为均一的间隔(间隙)的问题点。另一方面，粘性太过低的话，所涂布的密封树脂无法形成直线状，而有难以维持密封的形状的问题点。因此，密封树脂的粘度的高低为互相折衷的关系。所以，如上述那样设定密封树脂的粘度，可加以权衡而平衡性良好地采用粘度高与粘度低的优点。
如上所述的本发明，在将装置基板和封装基板贴合时，即使不在密封树脂形成作为惰性气体的逸出通道的开口部，也可抑制密封树脂因EL显示装置内外的压力差而破裂的情形。因此，由于可在不设置开口部的状况下进行惰性气体的封入，故不会有惰性气体的纯度降低的情形。并且，不会有水分通过开口部混入EL显示装置内的情形，可抑制EL显示装置的特性劣化的发生。
并且，上述实施方式是以将本发明用于EL显示装置为例所作的说明，但本发明并不限于此，也可用于液晶显示装置等的各种显示装置。
发明效果
依照本发明，规定密封树脂的粘性，可以抑制将装置基板和封装基板贴合进行加热处理或加压处理时的密封树脂的破裂。
另外，由于无须形成开口部，不会有惰性气体的纯度降低的情形，故可抑制EL元件的特性劣化的发生。
Claims (5)
1.一种显示装置的制造方法，是通过密封树脂将装置基板与封装基板贴合而成的显示装置的制造方法，其特征在于：所述密封树脂在贴合时的粘度为40000cp以上。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：所述密封树脂在贴合时的粘度为40000cp以上、不超过170000cp。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：在所述装置基板与所述封装基板之间的空间封入有惰性气体。
4.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于：在所述装置基板与所述封装基板之间的空间封入有惰性气体。
5.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于：所述装置基板构成EL显示装置。
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