CN1214468A - 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 - Google Patents
酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1214468A CN1214468A CN 98117966 CN98117966A CN1214468A CN 1214468 A CN1214468 A CN 1214468A CN 98117966 CN98117966 CN 98117966 CN 98117966 A CN98117966 A CN 98117966A CN 1214468 A CN1214468 A CN 1214468A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon nitride
- acid
- etching
- photoresist
- photoetching glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶,烘干,掩膜曝光,再用稀释氢氟酸气体腐蚀,洗去硅片表面的光刻胶,即得正性光刻图形。
Description
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺，属于半导体器件光刻技术领域。
氮化硅因其良好的掩蔽性能、力学性能、电学性能及光学性能，近年来在微电子领域及微机械制造领域得到越来越广泛的应用。在传统的光刻工艺中，刻蚀氮化硅较快的腐蚀剂为热磷酸，但因其工艺条件较为苛刻，而且一般的有机抗蚀剂不能抗热磷酸的刻蚀，必须在氮化硅表面再生长一层二氧化硅作为间接掩膜，工艺较为复杂。等离子体腐蚀技术发展起来以后，可以在氮化硅表面腐蚀得到合适的窗口，但等离子体腐蚀对氮化硅/硅的选择性差，刻蚀时对硅的损伤影响到产品的性能和成品率。
本发明的目的是研制一种酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺，不用显影进行腐蚀，用稀释的氢氟酸气体代替氢氟酸溶液作为腐蚀剂，解决了常规光刻的很多问题，而且它不会腐蚀氮化硅和二氧化硅下层的硅，有很好的选择性。
本发明研究的酸性无显影气相光刻胶，其组成(重量百分比)为：
成膜物质： 8～9％
增感剂： 0.5～1.0％
光敏产酸物： 0.5～1.0％
溶剂： 90％
上述的成膜物质为肉桂酸类树脂或丙烯酸类树脂，增感剂为5-硝基苊或吩噻嗪衍生物，光敏产酸物为二芳基碘鎓盐或三芳基硫鎓盐，溶剂为N,N-二甲基甲酰胺或乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比例混合，待聚合物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。
用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺包括以下各步骤：
(1)在沉积有氮化硅膜的硅片样品上涂上光刻胶，在60℃～90℃下烘干5～30分钟；
(2)对样品加掩膜进行曝光；
(3)用稀释氢氟酸气体对曝光后的样品进行腐蚀；
(4)腐蚀后，除去样品表面的光刻胶，即得到正性光刻图形。
上述第三步中的腐蚀方法可为用氮气或空气鼓泡经氢氟酸溶液进入刻蚀设备，氮气流量为0.3～8l/min，反应器内压力为0.05～0.15Mpa，反应温度为110℃～160℃，刻蚀10～50分钟。
使用本发明研制的光刻胶，光敏性高，曝光时间短，腐蚀速度快，腐蚀深度深。可以同时用于低压气相沉积氮化硅和等离子气体增强沉积氮化硅薄膜的刻蚀。
下面介绍本发明的实施例：
实施例一
1、无显影气相光刻胶的配制
取聚肉桂叉基丙二酸乙二醇酯1.7g，六氟磷酸根二苯基碘鎓盐0.1g,1-羟基环己基苯甲酮0.1g,5-硝基苊0.05g，再加入N,N-二甲基甲酰胺2ml、乙酸乙二醇乙醚18ml，待聚合物完全溶解后，过滤即为光刻胶。
2、无显影气相光刻工艺。
用旋转甩胶法在具低压气相沉积氮化硅膜的硅片上涂上上述配制的光刻胶，膜厚300～500nm，在70℃下供10分钟后，放在125W高压汞灯下曝光45～75秒。然后放在刻蚀设备中进行刻蚀。氮气鼓泡经氢氟酸溶液进入刻蚀设备，控制氮气流量为0.61/min，反应温度为120±5℃，反应器内压力保持在0.1Mpa。刻蚀25分钟后，可以刻蚀80nm厚的低压气相沉积氮化硅膜。取出硅片，用清洗液(氨水∶双氧水∶去离子水=1∶2∶4)去除光刻胶，即得到正性光刻图形。
实施例二
1、无显影气相光刻胶的配制同实施例1。
2、光刻工艺
涂胶、前烘、曝光同前。将表面具等离子增强气相沉积氮化硅膜的硅片放在刻蚀设备中，控制氮气流量为0.2l/min，反应温度在120±5℃，反应器内压力保持在0.1Mpa。刻蚀5分钟后，可以刻蚀400nm厚的等离子体增强气相沉积氮化硅膜并得到正性光刻图形。
实施例三
(1)光刻胶配制
取聚乙烯醇肉桂酸酯2.0g，六氟砷酸三芳基硫鎓盐0.2g,5-硝基苊0.05g,N-苯基吩噻嗪0.1g,N,N二甲基甲酰胺2ml，乙酸乙二醇乙醚18ml，溶解后，过滤使用。
(2)光刻工艺与实施例二相同，氮气鼓泡改为空气鼓泡。
实施例四
1、光刻胶配制
取聚肉桂义基丙二酸乙二醇酯1.0g，聚乙烯醇肉桂酸酯0.7g，六氟锑酸二苯基碘鎓盐0.05g，六氟磷酸三苯基硫鎓盐0.05g,1-羟基环己基苯甲酮0.05g，安息香二甲醚0.05g，再加入N,N二甲基酰胺1ml，乙酸乙二醇乙醚19ml，溶解过滤后，待用。
2、光刻工艺同实施例一。
Claims (3)
1、一种酸性无显影气相光刻胶，其特征在于光刻胶的组成(重量百分比)为：
成膜物质： 8～9％
增成剂： 0.5～1.0％
光敏产酸物： 0.5～1.0％
溶剂： 90％
上述的成膜物质为肉桂酸类树脂或丙烯酸类树脂，增感剂为5-硝基苊、吩噻嗪衍生物、1-羟基环己基苯甲酮或安息香二甲醚中的任何一种，光敏产酸物为二芳基碘鎓盐或三芳基硫鎓盐，溶剂为N,N-二甲基甲酰胺或乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比例混合，待聚合物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。
2、一种用权利要求1所述的光刻胶刻蚀氮化硅的工艺，其特征在于，刻蚀工艺包括以下各步骤：
(1)在沉积有氮化硅膜的硅片样品上涂上光刻胶，60℃～90℃下烘干5～30分钟；
(2)对样品加掩膜进行曝光；
(3)用稀释氢氟酸气体对曝光后的样品进行腐蚀；
(4)腐蚀后，除去样品表面的光刻胶，即得到正性光刻图形。
3、如权利要求2所述的刻蚀工艺，其特征在于其中所述的腐蚀步骤为，用氮气或空气鼓泡经氢氟酸溶液进入刻蚀设备，氮气流量为0.3～8l/min，反应器内压力为0.05～0.15Mpa，反应温度为110℃～160℃，刻蚀10～50分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 98117966 CN1074840C (zh) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 98117966 CN1074840C (zh) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1214468A true CN1214468A (zh) | 1999-04-21 |
| CN1074840C CN1074840C (zh) | 2001-11-14 |
Family
ID=5225791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 98117966 Expired - Fee Related CN1074840C (zh) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1074840C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105122144A (zh) * | 2013-04-17 | 2015-12-02 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件 |
-
1998
- 1998-09-11 CN CN 98117966 patent/CN1074840C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105122144A (zh) * | 2013-04-17 | 2015-12-02 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1074840C (zh) | 2001-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5173393A (en) | Etch-resistant deep ultraviolet resist process having an aromatic treating step after development | |
| US6462005B1 (en) | Cleaning agent for a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device | |
| US7419759B2 (en) | Photoresist composition and method of forming a pattern using the same | |
| CN106170737A (zh) | 抗反射涂料组合物及其方法 | |
| EP0086446B1 (en) | Stripper for radiosensitive resist | |
| US6451223B1 (en) | Thinner composition and methods and systems for using the thinner composition | |
| CN1241072C (zh) | 用于冲洗光致抗蚀剂的稀释剂和处理光致抗蚀剂层的方法 | |
| CN1074840C (zh) | 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 | |
| JPS60208748A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた積層体 | |
| CN103425000A (zh) | 除去负性光刻胶的方法 | |
| CN1214469A (zh) | 碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 | |
| TWI790407B (zh) | 抑制晶圓上的缺陷性、金屬微粒汙染、及膜成長的系統及方法 | |
| TW200304585A (en) | Thinner composition for removing photosensitive resin | |
| EP3997521B1 (en) | Photoresist remover compositions | |
| CN114236966A (zh) | 用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法 | |
| US3617411A (en) | Process for etching a pattern of closely spaced conducting lines in an integrated circuit | |
| JP3250240B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6315240A (ja) | パタ−ニング方法及びレジスト | |
| US6045978A (en) | Chemically treated photoresist for withstanding ion bombarded processing | |
| CN1480996A (zh) | 蚀刻沉积于半导体基底上的光阻层的方法 | |
| US6221567B1 (en) | Method of patterning polyamic acid layers | |
| CN112108348B (zh) | 一种图形化材料制备方法 | |
| CN1293603C (zh) | 半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺 | |
| KR102053921B1 (ko) | 반도체 제조 공정에 있어서 식각 패턴 신규 형성 방법 | |
| JPS58188131A (ja) | レジストと基板との密着性を増強する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |