CN1213466A - 声表面波元件和采用它的电话手机 - Google Patents
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Abstract
本发明的声表面波元件,在铌酸锂或钽酸锂制成的压电基片上形成电极,以传播声表面波。对于铌酸锂制成的压电基片,该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(Φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时,将Φ设定为0°～86°或95°～180°,θ设定为73°～118°,φ设定为0°～44°范围。而对于钽酸锂制成的压电基片,该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(Φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时,则将Φ设定为0°～87°或91°～180°,θ设定为80°～120°,φ设定为0°～44°范围。由此可以实现高性能的声表面波元件。
Description
技术领域
本发明涉及以铌酸锂或钽酸锂为压电材料的声表面波元件技术领域。
背景技术
电话手机等通信器材中，声表面波元件广泛应用于谐振滤波器、信号处理用延时线等电路元件。声表面波元件在例如具有压电特性的基片表面上形成条纹状电极和栅格状反射器，进行电信号和声表面波的相互变换。
一般来说，对于声表面波元件的压电基片，要求机电耦合系数大，传播损耗小。
但近年来，随着通信器材的高频化，对G赫兹频带能够应用的声表面波元件的需求正逐步提高。声表面波元件的中心频率f0与声表面波传播速度V和电极指周期L(=波长λ)的关系可由下式表示。
(式1)
f0=V/L
因而，要适应声表面波元件的高频化，需要开发高传播速度(相速度)V的压电基片。这当中有采用钻石这种硬质基片材料的方法和利用所谓泄漏声表面波的方法。
泄漏声表面波是在弹性体深度方向上辐射能量并且在表面上传播的弹性波，通过适当选取所用弹性体表面的切割面和声表面波传播方向，能够减小传播损耗，还能实现比瑞利(Rayleight)波更高的传播速度。
应用泄漏声表面波的声表面波元件已知有水晶LST切割、铌酸锂(LiNbO3)41°Y-X切割、64°Y-X切割和钽酸锂(LiTaO3)36°Y-X切割(清水康敬在电子信息通信学会论文集A Vol.J76-A,No.2,pp129-137,1993中的《声表面波材料的传播特性和应用现状)》)。
对于四硼酸锂(Li2B4O7)基片，还报道过超过较快的横波相速度的泄漏声表面波(佐藤隆裕、阿部秀典在1994年电子信息通信学会春季大会预约稿集中的《四硼酸锂基片中的纵波型泄漏波》)。此泄漏声表面波的相速度接近纵波相速度，因而称为纵波型泄漏波。
此外，已报道了在具有任意切割面的铌酸锂基片上传播的泄漏声表面波(清水康敬、村上淳司在电子通信学会论文集C Vol.J69-C,No.10,pp1309-1318,1986中的《LiNbO3基片泄漏声表面波的特性和新切割面》)。
因此，本申请发明人等，考虑到现有钽酸锂基片和铌酸锂基片所得到的相速度大约为4400m/s，并且很可能有更高相速度的切割面和声表面波传播方向存在，故而通过对切割面和声表面波传播方向作种种变动，对钽酸锂基片和铌酸锂基片的泄漏声表面波传播特性进行理论研究。结果发现2种泄漏声表面波，具体来说，是相速度保持在慢横波和快横波之间的第一泄漏表面波(First Leaky Wave)和所保持的相速度超过快横波的第二泄漏表面波(Second Leaky Wave)，分别找出钽酸锂基片可得到超过6000m/s相速度，铌酸锂基片可得到超过7000m/s相速度的切割面和声表面波传播方向(关于第15届超声波电子学基础和应用的研讨会演讲预约稿集，1994年，185～186页)。
先根据图15说明用以确定切割面和声表面波传播方向的欧拉角(φ,θ,φ)。
令如图所示的晶轴为X、Y、Z时，以Z轴为中心将X轴向Y轴一侧旋转角度φ，令该轴为A1轴。接下来以A1轴为中心，使Z轴沿逆时针方向旋转角度θ，令该轴为A2轴。以该A2轴为法线按包含A1轴的面方位进行切割，作为基片。接着，对于按该面方位切割的基片，令以A2轴为中心使A1轴沿逆时针方向旋转角度φ得到的轴为A3轴，以该A3轴为声表面波传播方向。这时，将切割面和声表面波传播方向表示为欧拉角(φ,θ,φ)。
以下根据图11至图14具体说明上述研究。还有，对于声表面波元件特性的评价采用的是已知的一般解法(例如参见J.J.Campbell,W.R.Jones在IEEE声学及超声学期刊vol.SU-15,No.4,pp209-217(1968)中的《A Method forEstimating Optimal Crystal Cuts and Propagation Directions for Excitation ofPiezoelectric Surface Waves(用于压电表面波激励的最佳晶体切割面及传播方向的评价方法)》)，通过计算机模拟，求出相速度、机电耦合系数和传播损耗。
接着，对最佳切割面和声表面波传播方向实际试制声表面波元件，研究其特性时，获得了与模拟结果相符的测定值。由此，可印证计算机模拟的可信性。
图11和图12对于钽酸锂基片的(90°,90°,φ)切割，分别就表面电气开路和电气短路两种情况，将第二泄漏表面波的传播特性表示为角度φ的函数。
如图11所示，第二泄漏表面波的相速度，不论表面是开路还是短路，都具有约为瑞利波2倍高的相速度，约达6000m/s，非常接近纵波的相速度。
图12表示机电耦合系数和每一波长的平均传播损耗，如图所示，φ为31°时，机电耦合系数K2最大值为2.14％。表面电气开路时的传播损耗与电气短路时的传播损耗相比，非常小。而且，表面开路和短路两种场合，传播损耗在φ为164°时都近乎为零。
图13和图14对于铌酸锂基片的(90°,90°,φ)切割，分别就表面电气开路和电气短路两种情况，将第二泄漏表面波的传播特性表示为角度φ的函数。
如图13所示，第二泄漏表面波的相速度极高，约为瑞利波相速度的2倍，约达7000m/s。而且，示出第二泄漏表面波的相速度在电气开路场合和电气短路场合的变化不同，φ为37°时有大约相差500m/s，因此可获得较大的机械电气耦合系数。
图14表示机电耦合系数和每一波长的平均传播损耗，如图所示，φ为37°时，机电耦合系数K2最大值为大数值，达12.9％。表面电气开路时的传播损耗与电气短路时的传播损耗相比，非常小。而且，表面开路和短路两种场合，传播损耗在φ为164°时都近乎为零。
根据上述结果，本申请发明人等曾报道，对于钽酸锂基片希望是(90°,90°,φ)切割，最好是(90°,90°,31°)切割。并且报道，对于铌酸锂基片希望是(90°,90°,φ)切割，最好是(90°,90°,37°)切割。
但上述研究未对传播损耗作充分研究，很有可能存在传播损耗更小的切割面和声表面波传播方向。
本发明目的在于，对于铌酸锂基片和钽酸锂基片，找出保持与以往同样量级的高相速度和大机电耦合系数，并能够减小传播速度的切割面和声表面波传播方向，据此提供高性能的声表面波元件和采用它的电话手机。
发明概述
本发明的第一声表面波元件，在铌酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面式2的范围。
(式2)
0°≤φ≤86°、或95°≤φ≤180°
73°≤θ≤118°
0°≤φ≤44°
更好是φ、θ和φ设定为下面式3的范围。
(式3)
0°≤φ≤83°、或98°≤φ≤180°
83°≤θ≤105°
0°≤φ≤38°
上述第一声表面波元件，铌酸锂基片的(0°≤φ≤86°,73°≤θ≤118°,0°≤φ≤44°)切割和铌酸锂基片的(95°≤φ≤180°,73°≤θ≤118°,0°≤φ≤44°)切割，相速度和机电耦合系数可获得与以往同样量级的值，而且传播损耗可获得较小数值，为0.05dB/λ以下。
铌酸锂基片的(0°≤φ≤83°,83°≤θ≤105°,0°≤φ≤38°)切割和(98°≤φ≤180°,83°≤θ≤105°,0°≤φ≤38°)切割，传播损耗还可获得更小数值，为0.02dB/λ以下。
本发明的第二声表面波元件，在钽酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面式4的范围。
(式4)
0°≤φ≤87°、或91°≤φ≤180°
80°≤θ≤120°
0°≤φ≤44°
更好是φ、θ和φ设定为下面式5的范围。
(式5)
0°≤φ≤85°、或93°≤φ≤180°
87°≤θ≤114°
0°≤φ≤36°
上述第二声表面波元件，钽酸锂基片的(0°≤φ≤87°,80°≤θ≤120°,0°≤φ≤44°)切割和钽酸锂基片的(91°≤φ≤180°,80°≤θ≤120°,0°≤φ≤44°)切割，相速度和机电耦合系数可获得与以往同样量级的值，而且传播损耗可获得较小数值，为0.005dB/λ以下。
钽酸锂基片的(0°≤φ≤85°,87°≤θ≤114°,0°≤φ≤36°)切割和钽酸锂基片的(93°≤φ≤1 80°,87°≤θ≤114°,0°≤φ≤36°)切割，传播损耗还可获得更小数值，为0.002dB/λ以下。
按照本发明，通过对铌酸锂基片和钽酸锂基片适当设定切割面和声表面波传播方向，能够在保持与以往同样量级的高相速度和大机电耦合系数的同时，减小传播损耗。
附图简要说明
图1是示意具有(φ,θ,37°)切割的铌酸锂基片的声表面波元件其有关传播损耗特性的曲线图。
图2是示意具有(φ,92°,37°)切割的铌酸锂基片的声表面波元件有关传播损耗特性的曲线图。
图3是示意具有(82°,θ,37°)切割的铌酸锂基片的声表面波元件和具有(90°,θ,37°)切割的铌酸锂基片的声表面波元件其有关相速度和机电耦合系数特性的曲线图。
图4是示意上述2种声表面波元件有关TCD和PFA特性的曲线图。
图5是示意具有(82°,92°,φ)切割的铌酸锂基片的声表面波元件其有关传播损耗特性的曲线图。
图6是示意具有(φ,θ,31°)切割的钽酸锂基片的声表面波元件其有关传播损耗特性的曲线图。
图7是示意具有(φ,91°,31°)切割的钽酸锂基片的声表面波元件其有关传播损耗特性的曲线图。
图8是示意具有(85°,91°,φ)切割的钽酸锂基片的声表面波元件其有关传播损耗特性的曲线图。
图9是示意构成声表面波滤波器的单端谐振器其构成的平面图。
图10是示意电话手机总体构成的框图。
图11是示意具有(90°,90°,φ)切割的钽酸锂基片的声表面波元件其有关相速度特性的曲线图。
图12是示意同上声表面波元件有关机电耦合系数和传播损耗特性的曲线图。
图13是示意具有(90°,90°,φ)切割的铌酸锂基片的声表面波元件其有关相速度特性的曲线图。
图14是示意同上声表面波元件有关机电耦合系数和传播损耗特性的曲线图。
图15是欧拉角表示的说明图。
实施发明的最佳方式
首先根据图1～图8所示的计算机模拟结果，说明铌酸锂基片和钽酸锂基片中第二泄漏表面波的传播特性。
铌酸锂基片中的第二型漏表面波
图1对铌酸锂基片的(φ,θ,37°)切割，将第二泄漏表面波每一波长的平均传播损耗表示为角度θ的函数。
如图所示，若使φ从90°至82°变化多个角度，则θ大于或等于大约85°的场合，传播损耗逐渐减小。
φ为82°时，θ在73°和118°之间范围传播损耗为0.05dB/λ以下，θ在77°和113°之间范围则为0.04 dB/λ以下，θ在80°和109°之间范围为0.03 dB/λ以下，θ在83°和105°之间范围为0.02 dB/λ以下，θ在87°和100°之间范围为0.01dB以下。θ为92°时，传播损耗为最小值。
图2对铌酸锂基片的(φ,92°,37°)切割，将第二泄漏表面波每一波长的平均传播损耗表示为角度φ的函数。
如图所示，传播损耗在φ为91°时为最大值，φ在86°以下或95°以上时为0.05dB/λ以下，φ在85°以下或96°以上时为0.04 dB/λ以下，φ在84°以下或97°以上时为0.03 dB/λ以下，φ在83°以下或98°以上时为0.02dB/λ以下，φ在82°以下或99°以上时为0.01 dB/λ以下。而φ在大约80°以下或大约100°以上时，无法获得计算机模拟解。据认为，这是因为发生与本发明选用的第二泄漏表面波的模不同的模，第二泄漏表面波不存在的缘故。但对于现实的声表面波元件，可推定传播损耗在此角度范围取极为接近零的值。
图3对铌酸锂基片的(82°,θ,37°)切割和(90°,θ,37°)切割，将第二泄漏表面波的相速度和机电耦合系数K2表示为角度θ的函数。
如图所示，对第二泄漏表面波的相速度，显示φ为82°时的相速度与φ为90°时的相速度变化相同，只是整个曲线向左偏移，但可获得相同量级的值。对机电耦合系数，也显示φ为82°时的机电耦合系数K2与φ为90°时的机电耦合系数K2变化相同，只是整个曲线向左偏移，但可获得相同量级的值。
图4对铌酸锂基片的(82°,θ,37°)切割和(90°,θ,37°)切割，将第二泄漏表面波的TCD(延迟特性的温度特性)和PFA(能量角)表示为角度θ的函数。
如图所示，对于TCD显示φ为82°时的TCD与φ为90°时的TCD变化相同，只是整个曲线向左偏移，但可获得相同级的值，θ为85°最小值约为68ppm/℃。
对于PFA来说，φ为82°时的PFA与φ为90°时的PFA相比，总的来看较小，在θ为60°～120°整个范围内可获得2度(deg)以下值。
图5对铌酸锂基片的(82°,92°,φ)切割，将第二泄漏表面每一波长的平均传播损耗表示为角度φ的函数。
如图所示，φ为44°以下时传播损耗为0.05 dB/λ以下，φ为42°以下时为0.04dB/λ以下，φ为40°以下时为0.03 dB/λ以下，φ为38°以下时为0.02 dB/λ以下，φ为36°以下时为0.01 dB/λ以下。而φ约为34°以下，无法获得计算机模拟解。据认为，这是因为发生与第二泄漏表面波的模不同的模，第二泄漏表面波不存在的缘故。但对于现实的声表面波元件，可推定传播损耗在此角度范围取极接近零的值。
下面表1表示本发明铌酸锂基片的(82°,92°,37)切割的传播特性和现有例铌酸锂基片的(90°,90°,37°)切割的传播特性。(表1)
| 本发明 | 现有例 | |
| 切割方位传播损耗(dB/λ)相速度(m/s)K2(％)TCD(ppm/℃) | (82°,92°,37°)0.003627304.9908710.92468.4119 | (90°,90°,37°)0.064477366.0286212.90668.2473 |
| PFA(°) | 1.665 | -0.096 |
如上述表1所示，本发明的传播损耗是现有例传播损耗的大约1/20，为大幅度减小的值。而相位速度、机电耦合系数K2和TCD可获得与现有例同样数量级的值。PFA与现有例PFA绝对值相比为较大值，但对声表面波元件的工作无妨碍。
对于铌酸锂基片来说，通过将切割面和声表面波传播方向设定在(0°～86°,73°～118°,0°～44°)或(95°～180°,73°～118°,0°～44°)范围，较好设定在(0°～83°,83°～105°,0°～38°)或(98°～180°,83°～105°,0°～38°)范围，最好设定在(82°,92°,37°)，可以在保持与现有例同样数量级的高相速度和大机电耦合系数的同时，减小传播损耗。
钽酸锂基片中的第二泄漏表面波
图6对钽酸锂基片的(φ,θ,31°)切割，将第二泄漏表面波每一波长的平均传播损耗表示为角度θ的函数。
如图所示，若使φ从90°至85°变化多个角度，则θ在大约90°以上但120°以下范围的场合，传播损耗逐渐减小。
φ为85°时，θ在约60°和91°之间范围，传播损耗随θ的增大而减小，而在约110°和120°之间范围，则随θ的增大而增加。而θ在约91°和110°之间范围，无法获得计算机模拟解。据认为，这是因为发生与第二泄漏表面波的模不同的模，第二泄漏表面波不存在的缘故。但对于现实的声表面波元件，可推定传播损耗在此角度范围取极为接近零的值。
φ为80°和120°之间时传播损耗为0.005dB/λ以下，θ在82°和118°之间时则为0.004 dB/λ以下，θ在85°和116°之间时为0.003 dB/λ以下，θ在87°和114°之间时为0.002 dB/λ以下，θ在89°和112°之间时为0.001dB以下。
图7对钽酸锂基片的(φ,91°,31°)切割，将第二泄漏表面波每一波长的传播损耗表示为角度φ的函数。
如图所示，φ为89°时传播损耗达到最大值，φ在87°以下或91°以上时为0.005dB/λ以下，φ在86°以下或92°以上时为0.004 dB/λ以下，φ为在85°以下或93°以上时为0.003 dB/λ以下，φ在85°以下或93°以上时为0.002 dB/λ以下。φ在84°以下或94°以上时为0.001dB/λ以下。而φ在约83°以下和约95°以上时，无法获得计算机模拟解。据认为，这是因为发生与第二泄漏表面波的模不同的模，第二泄漏表面波不存在的缘故。但对于现实的声表面波元件，可推定传播损耗在此角度范围取极为接近零的值。
图8对于钽酸锂基片(85°,91°,φ)切割面将第二泄漏表面波每一波长的平均传播损耗表示为角度φ的函数。
如图所示，φ为44°以下时传播损耗为0.005 dB/λ以下，φ为41°以下时为0.004dB/λ以下，φ为39°以下时为0.003 dB/λ以下，φ为36°以下时为0.002 dB/λ以下，φ为34°以下时为0.001 dB/λ以下。但φ约为30°以下时，尚无法获得计算机模拟解。据认为，这是因为有与第二泄漏表面波的模不同的模发生，第二泄漏表面波不存在的缘故。但对于现实的声表面波元件可推定，传播损耗在此角度范围取极接近零的值。
下面表2表示本发明钽酸锂基片(85°,91°,31°)的传播特性和现有例钽酸锂基片(90°,90°,31°)的传播特性。(表2)
| 本发明 | 现有例 | |
| 切割面方位传播损耗(dB/λ)相速度(m/s)K2(％)TCD(ppm/℃)PFA(°) | (85°,91°,31°)0.000106238.930601.54946.90364.430 | (90°,90°,31°)0.006176263.528911.79847.11044.081 |
如上述表2所示，本发明的传播损耗约为现有例传播损耗的1/60，为大幅减小的值。而相位速度、机电耦合系数K2和TCD可获得与现有例同样数量级的值。对于PFA来说，与现有例PFA绝对值相比为较大值，但对声表面波元件的工作无妨碍。
对于钽酸锂基片，通过将面方位和声表面波传播方向设定在(0°～87°,80°～120°,0°～44°)或(91°～180°,80°～120°,0°～44°)范围，较好设定在(0°～85°,87°～114°,0°～36°)或(93°～180°,87°～114°,0～36°)范围，最好设定为(85°,91°,31°)，可以在保持与以往同样数量级的高相速度和大机电耦合系数的司时，减小传播损耗。
图1至图8所示特性依据的是计算机模拟，本实施例采用的前述特性评价法中尽管随例如弹性波元件的模型建立多少有些差异，但这种误差在图1至图8曲线图横轴方向上可以当作几乎未发生。
接下来，就可构成电话手机声表面波滤波器的声表面波元件实施例，按附图具本说明本发明。
本实施例的声表面波滤波器由一个或多个图9所示声表面波元件(1)组合构成，声表面波元件(1)如图所示在基片(10)表面上形成一对梳形电极(11)(11)和栅格状反射器(12)(12)。
对于铌酸锂基片，面方位和声表面波传播方向按欧拉角表示设定在(0°～86°,73°～118°,0°～44°)或(95°～180°,73°～118°,0°～44°)范围，较好设定在(0°～83°,83°～105°,0°～38°)或(98°～180°,83°～105°,0°～38°)范围，最好设定为(82°,92°,37°)。对于钽酸锂基片，面方位和声表面波传播方向按欧拉角表示设定在(0°～87°,80°～120°,0°～44°)或(91 °～180°,80°～120°,0°～44°)范围，较好设定在(0°～85°,87°～114°,0°～36°)或(93°～180°,87°～114°,0～36°)范围，最好设定为(85°,91°,31°)。
图10表示本实施例电话手机的总体构成。这里，带通滤波器(22)(32)均采用上述声表面波滤波器。分波器(3)由让发射频率的声音信号通过的滤波器和让接收频率的声音信号通过的滤波器构成，这些滤波器均采用上述声表面波滤波器。而且，IF电路(4)具有一个或多个高频滤波器，这些高频滤波器也采用上述声表面波滤波器。
如图所示，由天线(2)接收的声音信号先送至分波器(3)，取出接收频率的声音信号，送至放大器(21)放大，再送至带通滤波器(22)抑制噪声信号。由此获得的信号送至混频器(23)，根据IF电路(4)输出的信号变换为比接收频率低的第一频率信号，再送至IF电路(4)变换为频率更低的第二频率信号。接着，IF电路(4)输出的第二频率信号送至解调器(24)解调后，经时分多路复用电路(5)和声音信号处理电路(6)提供给扬声器(7)。
而送话器(8)输出的声音信号经声音信号处理电路(6)和时分多路复用电路(5)送至调制器(34)调制后，送至IF电路(4)变换为频率比送话器(8)输出的声音信号高的第三频率信号。接着，IF电路(4)输出的第三频率信号送至混频器(33)变换为频率更高的发射频率的声音信号，送至带通滤波器(32)抑制噪声信号。由此得到的信号送至放大器(31)放大，经分波器(3)由天线(2)发射。
综上所述，本发明中对于铌酸锂基片和钽酸锂基片中第二泄漏表面波进行理论研究的结果，分别就这些基片找出最佳的切割面和声表面波传播方向。由此获得能够适应比以往高的频带的声表面波滤波器。而且，通过电话手机所装备的高频滤波器采用该声表面波滤波器，可谋求电话手机的高性能。
工业实用性
本发明的声表面波元件适宜用作电话手机等通信器材中的高频滤波器、信号处理用延迟线等电路元件。
Claims (12)
1．一种声表面波元件，在铌酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤86°
73°≤θ≤118°
0°≤φ≤44°
2．如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤83°
83°≤θ≤105°
0°≤φ≤38°
3．一种声表面波元件，在铌酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
95°≤φ≤180°
73°≤θ≤118°
0°≤φ≤44°
4．如权利要求3所述的声表面波元件，其特征在于，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
98°≤φ≤180°
83°≤θ≤105°
0°≤φ≤38°
5．一种声表面波元件，在钽酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤87°
80°≤θ≤120°
0°≤φ≤44°
6．如权利要求5所述的声表面波元件，其特征在于，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤85°
87°≤θ≤114°
0°≤φ≤36°
7．一种声表面波元件，在钽酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，其特征在于，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
91°≤φ≤180°
80°≤θ≤120°
0°≤φ≤44°
8．如权利要求7所述的声表面波元件，其特征在于，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
93°≤φ≤180°
87°≤θ≤114°
0°≤φ≤36°
9．一种电话手机，具有至少一个声表面波元件构成的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波元件在铌酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤86°
73°≤θ≤118°
0°≤φ≤44°
10．一种电话手机，具有至少一个声表面波元件构成的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波元件在铌酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
95°≤φ≤180°
73°≤θ≤118°
0°≤φ≤44°
11．一种电话手机，具有至少一个声表面波元件构成的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波元件在钽酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤87°
80°≤θ≤120°
0°≤φ≤44°
12．一种电话手机，具有至少一个声表面波元件构成的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波元件在钽酸锂制成的压电基片上形成电极以传播声表面波，该压电基片的切割面和声表面波传播方向用欧拉角(φ,θ,φ)和与此实际等效的范围表示时，φ、θ和φ设定为下面关系式所示范围。
0°≤φ≤87°
80°≤θ≤120°
0°≤φ≤44°
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