CN1198386C - 电子调谐器 - Google Patents

Abstract

一种双变频型电子调谐器包括具有场效应晶体管的以预定增益放大中频信号的第一中频信号放大电路，和经带通滤波器输入产生的信号到下变频器。该电子调谐器还包括由包含设置在第一中频信号放大电路与带通滤波器的耦合电容之间的NTC热敏电阻TH1的串联电路构成的温度补偿部分。在这种结构中，当温度变化时，各电路之间的耦合度也变化，补偿了由温度变化引起增益的变化。另外，在带通滤波器中形成并联谐振电路的电容的特性也随温度变化，并降低匹配损耗。

Description

电子调谐器

技术领域

本发明涉及一种用于诸如电缆电视接收机、电视接收机和录象机之类的高频电路设备的电子调谐器。

背景技术

例如，电视接收机或类似装置的调谐器电路利用天线从VHF或UHF频段接收的各电视信号中选择所期望频道的一个信号，变换该信号为中频频率和馈送产生的信号到位于后级的解调电路。这里，CATV系统可以发送几十到一百几十个节目，和接收这些节目的CATV接收机利用接收多频道节目特别有效的双变频型电子调谐器。

例如，如图18所示，在上述常规调谐器101中，由天线接收的RF(射频)信号经带通滤波器102a、PIN二极管衰减器102b和RF放大器102c输入到上变频器103，和按照由上变频器103的第一混频电路131所接收的频道，与选择频率的第一本机振荡器信号Lo1进行混频。因此，该RF信号被变换为较高频率的第一中频频率信号IF1。

另外，第一中频信号IF1经带通滤波器104被输入到第一中频信号放大电路105。第一中频信号IF1被第一IF信号放大电路105放大后，该信号经带通滤波器106馈送到下变频器107。在下变频器107中，带通滤波器106的输出在与上变频器103相同的第二混频电路171中与第二本机振荡器信号Lo2进行混频。因此，第一中频信号IF1被变换为低于RF信号的第二中频信号IF2，并经带通滤波器108和第二IF放大电路109进行输出。

这里，为了使电子调谐器101输出的第二中频信号IF2的电平相对于接收信号的强度变化保持恒定，施加一个自动增益控制(AGC)信号到PIN衰减器102b，控制其衰减量。顺便提及，第一(第二)本机振荡信号是由第一(第二)本机振荡电路133(173)产生、由本机振荡信号放大电路132(172)放大的和然后施加到第一(第二)混频电路131(171)。

具有上述结构的双变频型电子调谐器101通过上变频器103提高RF信号的频率和通过下变换器107降低频率。因此，即使来自发送多频道节目的CATV广播情况下，也有可能在有效地去除干扰的同时，选择所希望的频道。

这里，在电子调谐器101中，例如接在上变频器103后面的电路是由如图19所示组成的。具体地，第一中频信号放大电路105包括发射极接地的双极晶体管T151，和第一中频信号放大电路105的输出经双调谐电路组成的带通滤波器106被输入到下变换器107的第二混频电路171。然而，第二混频电路171包括基极接地的双极晶体管T171，和第二本机振荡器信号Lo2与第一中频信号IF1一起输入到用作输入端的双极晶体管T171的发射极，并被变换为第二中频信号IF2。第二中频信号IF2经由类似带通滤波器106的双调谐电路组成的带通滤波器108输入到第二中频信号放大电路109。

但是，在上述常规的结构中，为了保证由于CATV广播的数字化出现的大量频道输入的干扰特性，增加了电子调谐器消耗的功耗，而且电子调谐器的内部温度也可观地上升。再有，需要增加一个数字信号处理电路，以满足CATV广播的数字化的要求，因此电子调谐器的发热量与仅接收模拟广播的电子调谐器结构相比进一步地增加。结果，电子调谐器中的温度变化范围与仅接收模拟广播的电子调谐器结构相比也进一步地增加，从而引起电子调谐器的增益和失真特性之类的电气性能恶化的问题。

例如，在具有如图19所示的电子调谐器101中，包含双极晶体管T151(T171)的电路151和171的增益随着温度变化。因此，例如，如图20所示，在10℃，25°和60°温度和在从100MHz到800MHz频带中，由电子调谐器101输出的第二中频信号IF2从约25(dB)到约35(dB)范围内变化。

发明内容

本发明的目的是提供一种高质量的电子调谐器，该电子调谐器在不增加复杂温度补偿电路的情况下，降低由温度上升引起的电特性的恶化。

根据本发明的一个方面，提供一种电子调谐器，包括：上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；滤波器电路(4，6，8)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于只通过预定频段的频率分量；所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)内设置作为放大元件的场效应晶体管(T51)，所述温度补偿部分(11)，包括：由热敏电阻(TH1)和所述滤波器电路(4，6，8)的耦合电容(C43，C61，C63，C81)构成的一串联电路，其中在所述滤波器电路(4，6，8)的前级或后级配置所述热敏电阻(TH1)，该热敏电阻(TH1)具有伴随温度的上升成阻值降低的特性。

根据本发明的另一个方面，提供一种电子调谐器，包括：上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；  温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)具有作为放大元件的双栅极型场效应管(T51)；所述温度补偿部分(11)包括一设置在所述双栅极型场效应管(T51)的功率控制端和正电源线之间的热敏电阻(TH1)，该热敏电阻具有伴随温度的上升成阻值降低的特性。

根据本发明的另一个方面，提供一种电子调谐器，包括：上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；  温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)具有作为放大元件的双栅极型场效应管(T51)；所述温度补偿部分(11)包括一设置在所述双栅极型场效应管(T51)的功率控制端和正电源线之间的热敏电阻(TH2)，该热敏电阻具有伴随温度的上升成阻值降低的特性。

根据本发明的另一个方面，提供一种电子调谐器，包括：生成预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路(33、73)；放大所述本机振荡电路(33、73)的输出的本机振荡信号用放大电路(32、72)；对本机振荡信号用放大电路的输出与输入信号进行混频、生成中频信号的混频电路(31、71)；对因温度变化引起的电特性的恶化进行补偿的温度补偿部分(12)；所述温度补偿部分(12)由一设置在在所述本机振荡电路和所述混频电路之间的信号传输路径上的热敏电阻(TH1)和耦合电容(C30、C70)所形成的串联电路所构成，该热敏电阻具有在预定温度范围内电阻值随温度上升而下降的特性。

为了实现上述目的，本发明的电子调谐器包括：

上变频器，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；

下变频器，用于变换第一中频信号为频率低于该高频信号的第二中频信号；

高频放大电路，配置在该高频信号输入端与作为输出信号的该第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；和

温度补偿部分，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化。

按照这种结构，与模拟广播接收机比较，即使数字CATV广播接收机的环境温度有很大变化，也能够实现电子调谐器的诸如增益和失真特性之类的电特性恶化较小的电子调谐器，并通过提供温度补偿部分而具有简单的电路结构。

最好是，该电子调谐器还包括配置在高频信号输入端与作为输出信号的第二中频信号输出端之间的信号传输路径上的滤波器电路，用于通过预定频段的频率分量。

该高频电路包括作为放大元件的场效应晶体管，和

温度补偿部分包括：

配置在滤波器电路的前级或后级的热敏电阻，和该热敏电阻具有在预定温度范围内阻值基本上与温度的上升成比例降低的这样一种特性；和

包括该热敏电阻和滤波器电路的耦合电容的一个串联电路。

按照这种结构，高频放大电路包括作为放大元件的场效应晶体管，温度补偿部分包括配置在滤波器电路前级或后级的热敏电阻，该热敏电阻具有在预定的温度范围内阻值基本上与温度的上升成比例地降低的这样一种特性，和包括热敏电阻和滤波器的耦合电容的串联电路。顺便提及，高频放大电路可以是一个混频电路、或放大高频信号、或第一或第二中频信号的高频电路。

在这种结构中，在具有场效应晶体管的高频放大电路的增益基本上与温度成比例地降低。另一方面，因为热敏电阻的阻值基本上随温度的上升成比例地降低，设置在温度补偿部分的前级的电路和设置后级的电路之间的耦合度增加。结果，由温度补偿部分的输出信号的电平增加，从而补偿高频放大电路的增益降低。这里，滤波器电路的耦合电容也被用于温度补偿。因此，可能实现一种在上述温度范围内基本上恒定输出信号电平的电子调谐器，并且这种电子调谐器是利用仅增加热敏电阻的一种简单电路结构得到的。结果，例如，即使本发明被应用到与模拟广播接收机或少量频道的接收机相比由于多频道数字CATV广播接收机使得温度增加的电子调谐器，也可能实现限制诸如增益和失真特性之类的电特性恶化的高质量的电子调谐器。

另外，最好是，滤波器电路是包括初级谐振电路和次级谐振电路的双调谐电路，在滤波器的谐振电路之间在热敏电阻侧具有被设置为与热敏电阻、耦合电容和高频放大电路阻抗即使在温度改变时也保持匹配的温度特性的谐振电容。

按照这种结构，因为谐振电容的温度特性被按上述方式设置，就可能限制由于温度变化而发生失配。结果，尽管仅通过增加热敏电阻的简单的电路结构，也可能提供实现高S/N比的高质量的电子调谐器。

此外，在高频放大电路包括双栅场效应晶体管作为放大元件的结构中，最好是利用配置在双栅场效应晶体管的增益控制端与负电源线之间的热敏电阻，和具有与在温度补偿部分中的热敏电阻一样在预定温度范围内阻值基本上与温度成比例增加的这样一种特性

按照这种结构，即使本发明的温度补偿部分被设置在例如上变频器的混频器中，也可能提供同样的效果。

再有，本发明的电子调谐器可以包含多个温度补偿部分。

例如，在上述结构中，上变频器或下变频器可以包括：

用于产生预定频率的本机振荡器信号的本机振荡器电路；

用于放大本机振荡器电路的输出的本机振荡器信号放大电路；

用于将本机振荡器信号放大电路的输出与输入信号进行混频以便产生第一中频信号的混频电路；

第二温度补偿部分，提供在本机振荡电路与混频电路之间的至少一个信号传输路径上，用于补偿由于温度的变化引起的电特性恶化。

利用这种结构，与仅包含一个温度补偿部分的结构比较，可能进一步限制由温度变化引起的电子调谐器的恶化。

附图说明

为了对本发明的特点和优点进一步的理解，应当参照结合各个附图所做的保证详细的说明书描述。

图1是表示按照本发明一个实施例的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图2是表示电子调谐器的基本部分的示意性结构的方框图；

图3是通过温度和阻值之间的关系表示提供在温度补偿部分中的NTC热敏电阻的温度特性的图；

图4是通过包含温度补偿部分的结构和不包含温度补偿部分的结构的温度与增益之间的关系表示电子调谐器的第一中频信号放大电路的温度特性的图；

图5是通过在多个温度下输出信号电平与频率之间的关系表示电子调谐器的温度特性的图；

图6是表示作为上述电子调谐器的一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图7是表示作为上述电子调谐器的另一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分附近的电路图；

图8是表示作为上述电子调谐器的再另一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图9是按照本发明的另一个实施例的电子调谐器温度补偿部分周围的电路图；

图10是表示作为该电子调谐器的一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图11是表示上述电子调谐器的另一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图12是表示上述电子调谐器的再另一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图13是表示按照本发明的另一个实施例的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图14是表示作为该电子调谐器的一个修改的例子的电子调谐器的温度补偿部分周围的电路图；

图15是表示作为上述电子调谐器的另一个修改的例子的电子调谐器温度补偿部分周围的电路图；

图16是表示作为上述电子调谐器的再另一个修改的例子的电子调谐器温度补偿部分周围的电路图；

图17是表示作为上述实施例的一个修改例子，在具有多个温度补偿部分的电子调谐器中，在多个温度下输出信号电平与频率之间关系的图；

图18是表示作为一种常规例子的电子调谐器的基本部分的示意性结构的图；

图19是表示上述电子调谐器的第一IF信号放大电路附近的结构的例子的图；

图20是通过在多个温度下输出信号电平与频率之间的关系，表示上述电子调谐器的温度特性的图。

具体实施方式

[第一实施例]

下面将参照图1到图8描述本发明的一个实施例。

按照这个实施例的电子调谐器是一种适用于数字CATV广播的双变频型电子调谐器。例如，如图2所示，这种电子调谐器包括用于放大经带通滤波器2a和PIN衰减器2b输入到电子调谐器1的RF信号的RF信号放大电路2c(高频放大电路)，用于将从RF信号放大电路2c输出的RF信号与预定频率的第一本机振荡器信号Lo1进行混频产生高于RF信号的第一中频信号IF1的上变频器3，用于放大经带通滤波器4(滤波器电路)馈送的第一中频信号IF1的第一中频信号放大电路5，用于将经带通滤波器6(滤波器电路)馈送的第一IF信号放大电路5(高频放大电路)的输出与预定频率的第二本机振荡器信号Lo2进行混频产生比RF信号频率低的第二中频信号的下变频器7，和用于放大经带通滤波器8(滤波器电路)馈送的第二中频信号IF2并输出产生的信号的第二中频信号放大电路9(高频放大电路)。

上变频器3包括如图1所示的第一混频电路31(混频电路，高频放大电路)、电容C30(耦合电容)，第一本机振荡用的放大电路32(本机振荡用的放大电路)，和第一本机振荡电路33(本机振荡器电路)。由第一本机振荡电路33产生的本机振荡器信号Lo1经第一本机振荡利用的放大电路32和耦合电容30施加到第一混频器电路31，并与RF信号进行混频。同样，下变频器7包括第二混频器电路71(混频器电路、高频放大电路)、电容C70(耦合电容)(见图1)、第二本机振荡用的放大电路72(本机振荡用的放大电路)和第二本机振荡器电路73(本机振荡器电路)。

此外，带通滤波器4是由双调谐滤波器组成的。例如，如图1所示，带通滤波器4包括初级谐振电路和次级谐振电路，初级谐振电路包括其输入端连接到第一混频器电路31的电容C41，和连接到电容41另一端由电容C42和线圈L41组成的并联谐振电路，次级谐振电路包括其输出端连接到第一中频信号放大电路5的电容C43(耦合电容)，和连接到电容C43的另一端的并由电容C44(谐振电容)和线圈L42组成的并联谐振电路。顺便提及，每个并联电路的相对于电容C41(C43)的另一端是接地的。另外，类似于带通滤波器4带通滤波器6(8)也是双调谐电路，它包括按上述相同方式连接的电容C61到C64，L61和L62(C81到C84、L81和L82)。带通滤波器4、6和8每个的谐振频率按照将被通过的信号(IF1、IF2)的频率进行设置。带通滤波器4、6和8中，连接到上述NTC(负温度系数)热敏电阻TH1(热敏电阻)的滤波器相当于在权利要求书中所述的滤波器电路。

同时，第一中频信号放大电路5是具有源极接地的双栅场效应晶体管T51作为放大元件的高频放大电路，其中作为输入端的第一栅极端G1经偏置电阻R51连接到偏压+B(正电源线)，和经偏置电阻R52连接到地电平GND(负电源线)，此外，晶体管T51的源极经电容C51和电阻R53组成的并联电路接地，偏置扼流圈L51被设置在作为输出端的漏极D和偏压+B之间。另外，增益控制栅极端G2经偏置电阻R54连接到偏压+B，和经偏置电阻R55与偏置电容C52组成的并联电路接地。顺便提及，偏压+B经电容C53接地。

另外，为了消除由温度变化引起的第一中频放大电路5增益的变化，本实施例的电子调谐器1包括在第一中频放大电路5与带通滤波器6之间的温度补偿部分11。温度补偿部分11由包含NTC热敏电阻TH1与电容C61(耦合电容)的串联电路组成。作为NTC热敏电阻TH1，这个实施例选择了一种具有诸如如图3所示的温度特性F1的阻值特性的热敏电阻，该特性抵消了如图4所示第一中频信号放大电路5中的增益的温度特性F0，更具体地讲，基本上是阻值随温度的上升而成比例降低的这样一种特性。在这个实施例中，例如，作为一个NTC热敏电阻TH1的例子使用在150Ω/25℃、3250K下具有常数B的热敏电阻，在10℃和60℃温度之间阻值从约180％降低到约30％。这里B常数是由公式(1)确定的。

B常数＝[ln(R1)-ln(R2)]/[(1/T1)-(1/T2)...(1)

其中T1和T2是相互不同的任意温度(K)，和R1和R2是分别在T1和T2温度下0功率阻值。在图3中，在25℃下的阻值被表示为100％。但是，为了在高频电路使用NTC热敏电阻TH1，选择具有小浮动电容的NTC热敏电阻TH1。

另一个方面，在这个实施例中，带通滤波器6的电容C61被用作温度补偿的电容C61。电容C61的容量被设置为不高于10(pF)一个非常小的值，例如，0.3(pF)。另外，在带通滤波器6中，选择具有限制由温度变化引起的匹配损耗的温度特性的电容，例如-470ppm/℃的温度特性的电容，作为连接到电容C61的电容C62(谐振电容)。

在上述结构中，第一中频信号放大电路5的输出端经NTC热敏电阻TH1与耦合电容C61的串联电路连接到由线圈L61个电容C62组成的并联谐振电路。这里，如上所述，因为NTC热敏电阻TH1的阻值随温度变化，第一中频信号放大电路5与并联谐振电路之间的耦合度也随温度变化。

因此，在高温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值下降，并联谐振电路和第一中频信号放大电路5之间的耦合度增加。结果，输入到下变频器7的第一中频信号IF1的电平增加，从而补偿了由温度增加引起的半导体器件(场效应晶体管T51)增益的下降。相反，在低温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值增加，第一中频信号放大电路5与由线圈L61和电容C62组成的并联谐振电路之间的耦合度下降。结果，输入到下变频器7的第一中频信号IF1的电平下降，从而补偿了由于温度降低引起的半导体器件增益的增加。另外，如上所述，因为电容C62的温度特性被设置为使由于温度变化的匹配特性得到优化，所以即使在温度变化的情况下，匹配损耗也被限制在最小值。

因此，与不具有温度补偿电路的结构比较，虽然这个实施例具有利用增加NTC热敏电阻TH1获得的非常简单的电路结构，即使在从10℃到60℃的温度变化情况下，第一中频信号放大电路5的增益的温度特性也能被保持在0.5(dB)内的基本恒定值。

这样，例如，如图5所示，在从100MHz的800MHz频段内在10℃、25℃和60℃温度下，由电子调谐器1输出的第二中频信号IF2的电平变化被限制在28(dB)到34(dB)范围内。结果，在如图20所示的温度补偿电路结构的特性，即上述温度和频段情况下，与从24dB到36dB的变化比较，可能明显地改善温度特性。因此，即使在周围温度变化比模拟广播接收机大得多的类似数字CATV广播接收机结构中，也能够实现显现出诸如增益和失真电性能低恶化的的电子调谐器1，并且具有简单的电路结构。

图1说明设置在第一中频信号放大电路5和带通滤波器6之间的温度补偿部分11的一个例子。但是，类似于如图6所示的电子调谐器1a，可能提供带通滤波器4和第一中频信号放大电路5之间温度补偿部分11的NTC热敏电阻TH1。在这种情况下，带通滤波器4的电容C43也可能用作温度补偿。但是，连接到温度补偿部分11的并联谐振电路的电容C44的温度特性被设置得与图1所示的电容C62相同的方式。因此，带通滤波器4与第一中频信号放大电路5之间的耦合度是根据温度变化的，在第一中频信号放大电路的增益由温度引起的变化被补偿。结果，类似于图1，即使周围温度变化很大的情况下，也可能实现显现诸如增益和失真特性之类电特性低恶化的电子调谐器1，并具有简单的电路结构。

作为另一种安排的例子，温度补偿部分11被配置在带通滤波器6与第二混频器电路71之间。更具体地，如图7所示，按照这个实施例的第二混频器电路71包含与如图1所示的第一中频信号放大电路5相同的方式连接的双栅型场效应晶体管T71、电阻R71到R75、电容C71到C73、和扼流圈L71。另外，在第二混频器电路71中，来自第二本机振荡器电路73的第二本机振荡器信号Lo2经第二本机振荡器使用的放大电路72和电容C70馈送到晶体管T71的第一栅端G1。再有，第一中频信号IF1被输入到栅端G1。

在这个修改过的例子的电子调谐器1b，温度补偿部分11的NTC热敏电阻TH1被配置在第二混频器电路71的栅端与带通滤波器6的电容C63之间。在这种情况下，带通滤波器6的电容C6 3也被用作温度补偿，和连接到温度补偿部分11的并联谐振电路的电容C64(谐振电容)的温度特性被设置得与如图1所示的电容C62的方式相同。因此，带通滤波器6与第二混频器71之间的耦合度是根据温度变化的，由温度变化引起的第二混频器71的增益变化被补偿。结果，类似于图1，即使周围温度变化很大，也可能实现显现诸如增益和失真特性之类的电特性低恶化的电子调谐器1b，并且具有简单的电路结构。

作为再另一种安排的例子，例如，如图8所示，温度补偿部分11被配置在带通滤波器8和第二混频器71之间。在这种情况下，带通滤波器8的电容C81(耦合电容)也被用作温度补偿，和连接到温度补偿部分11的并联谐振电路的电容C83(谐振电容)的温度特性被设置得与如图1所示的电容C62的相同的方式。因此，带通滤波器8与第二混频器71之间的耦合度是根据温度变化的，由温度变化引起的第二混频器大陆1的增益的变化被补偿。结果，如图1所示，即使周围温度变化很大，也可能实现诸如增益和失真特性之类的电特性低恶化的电子调谐器1C，并且具有简单的结构。

此外，上面的描述说明了设置在第一中频信号放大电路5的前级或后级，或设置在第二混频器电路71的前级或后级的温度补偿部分11的结构。但是，温度补偿部分11的位置并不需要被限制在上述的那些位置。当包含场效应晶体管的高频放大电路被电子调谐器设置在从RF信号的输入端到第二中频信号IF2的输出端的信号传输路径上时，通过设置温度补偿部分11在其他位置也可以产生如上所述的相同的效果，例如，如果第一混频器电路31被设置在该路径上时，则可设置在手于混频器31的后级中。具体地，当温度补偿部分11被连接到包含诸如滤波电路的前级或后级的耦合电容的电路上时，则不需要新设置一个温度补偿电容，这种结构更好。

另外，第一和第二中频信号IF1和IF2的频带比RF信号的频带窄。更具体地，例如，设置RF信号约47MHz到862MHz这样的频段，第一中频信号IF1约为具有10MHz带宽的1GHz和第二中频信号IF2约为具有10MHz带宽的30到60MHz。在美国，第二中频信号IF2设置为45.75MHz、带宽约6MHz。因此利用这种温度补偿部分11被设置在第一和/或第二中频信号IF1、IF2的传输路径中的结构，可以很容易地实现匹配和可以更容易地设计电子调谐器。

另外，当温度补偿部分被设置在信号电平很低的位置，例如，在高频放大电路的前级，由于通过温度补偿部分11通路，存在一种S/N比增加的可能性。为此，最好是将温度补偿部分设置在高频放大电路的后级。此外，上述双变频型电子调谐器经常呈现在第一中频信号放大电路5的增益最大的变化。因此，如图1或7所示，最好是安排温度补偿部分11在中频信号放大电路5与第二混频器71之间。利用这种安排，可能补偿第一中频信号放大电路5的增益的变化，同时限制了S/N比的恶化。此外，当第一中频信号放大电路5的增益变化小和第二混频器71的增益变化大时，最好是安排温度补偿部分11在第二混频器71的后级。利用这种安排，即使在电场很强的时候也可能限制S/N比和失真特性的恶化。

[第二实施例]

下面将参照附图描述本发明的另一个实施例。第一实施例说明在每个电子调谐器(1、1a到1c)中抵消在第一中频信号放大电路5(第二混频器71)中的增益变化，这种抵消是通过在包含场效应晶体管的电路5(71)的前级或后级设置由热敏电阻与电容组成的串联电路构成的温度补偿部分11、和通过根据温度变化改变该电路与带通滤波器(4、6或6)之间的耦合度实现的。

相反，参照图9和12，这个实施例进一步解释由于温度的变化产生增益变化的补偿，而这种补偿是通过在上变频器或下变频器中本机振荡器电路与混频器电路之间设置温度补偿部分实现的，这种补偿作为由于温度变化产生的增益变化的另外一种补偿方法。更具体地，在按照这个实施例的电子调谐器1d中，如图9所示，温度补偿部分12被设置在上变频器3中的第一混频电路31与第一本机振荡器使用的放大电路32之间。类似于第一实施例，温度补偿部分12是由NTC热敏电阻TH1与C30组成的串联电路构成的，和用于耦合第一混频器电路31与第一本机振荡器使用的放大电路32的电容C30被用作温度补偿部分12的一部分。另外，类似于第一实施例，NTC热敏电阻TH1的温度特性被设置得使其阻值基本上正比于温度的上升而降低，如图3所示。再有，第一本机振荡器使用的放大电路32的输出阻抗被设置得通过例如，选择电路常数使由于温度变化的匹配损耗最小。

在上述结构中，第一本机振荡器使用的放大电路32的输出经耦合C30和NTC热敏电阻TH1施加到第一混频器31。这里，施加到第一混频器31的本机振荡器信号Lo1的信号电平基本上随着温度的上升成比例地降低。另一方面，如上所述，因为NTC热敏电阻TH1的阻值是随温度变化的，第一本机振荡器放大电路32与第一混频器电路31之间的耦合度也是随温度变化。

因此，在高温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值降低，第一本机振荡器放大电路32与第一混频器电路31之间的耦合度增加。从而，输入到第一混频器电路31的本机振荡器信号Lo1的信号电平增加，由于温度上升引起第一混频器电路31的增益变化的降低被补偿。相反，在低温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值增加，和第一本机振荡器放大电路32与第一混频器电路31之间的耦合度降低。因此，输入到第一混频器31的本机振荡器信号Lo1的电平降低，由温度降低引起的第一混频器31的增益变化的增加被补偿。另外，如上所述，因为第一本机振荡使用的放大电路31被组成为优化随温度变化的匹配特性，所以匹配损耗被限制到一个最小值，即使是在温度变化时也是如此。

结果，类似于第一实施例，与不具有温度补偿电路的结构相比，尽管通过只增加NTC热敏电阻TH1获得的电路结构非常简单，与模拟广播接收机相比作为数字CATV广播接收机即使周围温度变化很大，但仍可能实现显现诸如增益和失真特性之类的电特性低恶化的电子调谐器1d，并且具有简单的电路结构。

顺便提及，虽然图9表示温度补偿部分12设置在第一混频器31与第一本机振荡器放大电路32之间的一个例子，但本发明并不仅限于这样一种结构，并且，例如，在图10中所示的下变频器7中，可能具有第二混频器电路71与第二本机振荡放大电路72之间的温度补偿部分12。在这种情况下，耦合电容C70也被用作温度补偿，第二本机振荡所用放大电路72的输出阻抗的温度特性被按第一本机振荡所用放大电路32相同的方式进行设置。

在这种结构中，第二本机振荡所用放大电路72与第二混频器电路71之间的耦合度是随着温度变化的，由温度变化引起的本机振荡器信号Lo2的电平变化被补偿，从而维持第二混频器电路71中的混频增益的变化。结果，如图9所示，即使周围温度变化很大，也可能实现显现诸如增益和失真特性之类的电特性低恶化并且具有简单的电路结构的电子调谐器1e。

另外，当第一本机振荡器信号Lo1具有从约1GHz到约2GHz的宽的频带的同时，第二本机振荡器信号Lo2的频率被固定在约1GHz。因此，与如图9所示的电子调谐器1d比较，可能容易地匹配各个电路的阻抗并更容易进行电路设计。

按照另外安排的例子，温度补偿部分12被设置在第一本机振荡电路33与第一本机振荡使用的放大电路32之间。但是，在这个经修改的例子中，如图11所示，耦合电容C30并不设置第一本机振荡使用的放大电路32与第一混频器电路31之间，而是设置在第一本机振荡电路33与第一本机振荡使用的放大电路32之间，也用于温度补偿。

在这种结构中，第一本机振荡电路33与第一本机振荡使用的放大电路32之间的耦合度是随着温度变化的，并且由温度变化引起第一本机振荡器信号Lo1的电平变化被补偿和第一混频器电路31的混频增益的变化被维持。结果，如图9所示，即使周围温度变化很大，也可能实现一种呈现诸如增益和失真特性之类的电性能低恶化，并且具有简单电路结构的电子调谐器1f。

作为另一种安排的例子，温度补偿部分12设置在第二本机振荡器电路73与第二本机振荡使用的放大电路72之间。在这种情况下，如图11所示，耦合电路C70设置在第二本机振荡器电路73与第二本机振荡使用的放大电路72之间，并且也用作温度补偿。

在这种结构中，第二本机振荡器电路73与第二本机振荡使用的放大电路72之间的耦合度是随温度变化的，由温度变化引起的本机振荡器信号Lo2的电平变化被补偿和第二混频器电路71中的混频增益保持不变。结果，如图10所示，即使周围温度变化很大，也可能实现一种呈现诸如增益和失真特性之类的电性能低恶化的，并且具有简单电路结构的电子调谐器1g。

[第三实施例]

下面将参照附图描述本发明的另一个实施例。

参照图13到16，这个实施例解释另外一种温度补偿方法、一种结构，在该结构中混频器电路是利用双栅结构的FET构成的并且增益的变化被随温度变化的混频器电路的放大系数所抵消。具体地，如图13所示，在按照这个实施例的电子调谐器1h中，作为温度补偿部分13的NTC热敏电阻TH1代替如图1所示的电阻R54被设置在第一中频信号放大电路5中。此外，类似于第一实施例，NTC热敏电阻TH1的温度特性被设置得限制由温度变化引起的第一中频信号放大电路5的增益的变化，更具体地，基本上与温度上升成比例地降低其阻值。

在这种结构中，在第一中频信号放大电路5的双栅型场效应晶体管T51中，用于增益控制的栅极端子G2的电压具有通过由NTC热敏电阻TH1与偏置电阻R55分压偏置电压+B给定的值。这里，因为NTC热敏电阻TH1的阻值是随着温度变化的，所以栅极端子G2的电压也是随着温度变化的。

更具体地，在高温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值降低，和栅极端子G2的电压增加。因此，第一中频信号放大电路5的增益增加，并因此补偿了由于温度上升引起半导体(晶体管T51)增益的降低。相反，在低温条件下，NTC热敏电阻TH1的阻值增加，和栅极端子G2的电压降低。因此，第一中频信号放大电路5的增益降低，和因此补偿了由于温度降低引起半导体增益的增加。

结果，与没有温度补偿电路的结构比较，尽管通过简单地利用NTC热敏电阻TH1代替电阻R55获得的非常简单的电路结构，与模拟广播接收机比较，即使作为数字CATV广播的接收机的周围温度变化很大的情况下，也可能实现呈现诸如增益和失真特性之类的电性能低恶化的电子调谐器1h并具有类似于第一实施例的简单的电路结构。

顺便提及，虽然图13说明一个温度补偿部分13设置在第一中频信号放大电路5中的例子，但是本发明并不需要限制在这样一种结构，它可以使温度补偿部分13设置在第二混频器电路71的结构中在如图14所示。在这种结构中，作为温度补偿部分13的NTC热敏电阻TH1被设置在替代如图7所示的电阻R74的位置。

在这种结构中，类似于电子调谐器1h的第一中频信号放大电路5，在第二混频器电路71中，用于栅极控制的栅极端子G2的电压具有通过由NTC热敏电阻TH1与偏置电阻R75分压偏置电压+B给定的值，并且是随温度变化的。因此，由温度变化引起的半导体增益的增加被补偿了。

结果，与没有温度补偿电路的结构比较，尽管通过简单地利用NTC热敏电阻TH1代替电阻R74获得的非常简单的电路结构，即使作为与模拟广播接收机比较的数字CATV广播的接收机的周围温度变化很大的情况下，也可能实现呈现诸如增益和失真特性之类的电性能低恶化的电子调谐器1i，并具有类似于上述电子调谐器1h的简单的电路结构。

顺便提及，虽然上面描述的电子调谐器1h和1i说明了一些温度补偿部分13是由NTC热敏电阻TH1构成的简单例子，但是也可以利用PTC(正温度系数)热敏电阻TH2(热敏电阻)作为温度补偿部分14。这里，与如图3所示的NTC热敏电阻TH1不同，PTC热敏电阻TH2的阻值是基本上与温度的上升成比例增加的。因此，例如如图15(图16)所示，PTC热敏电阻TH2被设置替代如图1(图7)所示的电阻R55(R57)。此外，作为PTC热敏电阻TH2，应选择具有抵消由于温度变化引起第一中频信号放大电路5(第二混频器71)增益降低的一种温度特性的热敏电阻。

在这种结构中，在第一中频信号放大电路5(第二混频器71)中的双栅型场效应晶体管T51(T71)，用于栅极控制的栅极端子G2的电压具有由偏置电阻R54(R74)与PTC热敏电阻TH2分压偏置电压+B给出的电压。因此，在高温条件下，PTC热敏电阻TH2的阻值增加，和栅极端子G2的电压也增加。因此，第一中频信号放大电路5(第二混频器71)的增益增加，从而补偿了由于温度上升引起的半导体(晶体管T51)增益的降低。相反，在低温条件下，PTC热敏电阻TH2的阻值降低，和栅极端子G2的电压也降低。因此，第一中频信号放大电路5(第二混频器71)的增益降低，从而补偿了由于温度的降低引起的半导体增益的增加。

结果，与没有温度补偿电路的结构比较，通过简单地利用PTC热敏电阻TH2代替电阻R54(R74)获得的非常简单的电路结构，与模拟广播接收机比较，即使作为数字CATV广播的接收机的周围温度变化很大的情况下，也可能实现诸如增益和失真特性之类的电性能低恶化的电子调谐器1j，并具有类似于上述电子调谐器1h(1i)的简单的电路结构。

这里，不像单变频型电子调谐器，双变频型电子调谐器1h到1k设置有PIN衰减器2b，和自动增益控制是由PIN衰减器2b执行的。结果，在第一中频信号放大电路5和/或混频器71中，即使晶体管T51(T71)的栅极端子G2被用作温度补偿，也毫无问题地可以执行自动增益控制。

随便提及，本实施例说明了温度补偿部分13(14)设置在第一中频信号放大电路5或混频器71中的例子。但是，例如即使温度补偿部分13(14)设置于其他位置，诸如在第一混频器电路31中，只要包含具有双栅场效应晶体管作为放大元件的高频放大电路，就可以获得相同的效果。但是，在许多电子调谐器1中，因为要求第一混频器31具有非常高的失真特性，由一个场效应晶体管和一个二极管构成的双平衡混频器经常被用来代替单场效应晶体管的混频器。因此，按照在这个实施例中的解释，最好在第一中频信号放大电路5或混频器71中设置温度补偿部分13(14)。

此外，上述各实施例的每个都说明设置温度补偿部分11、12、13或14中的一个温度补偿部分的例子。但是，本发明不限于这样一些例子，和可以设置多个温度补偿部分11、12、13或14。例如，在设置如图1所示的温度补偿部分11和如图8所示的温度补偿部分11的情况下，由温度变化引起的增益的改变是被第一中频信号放大电路5和第二混频器电路71两者进行补偿的。因此，尽管与没有温度补偿电路的结构比较仅设置一个附加的NTC热敏电阻TH1得到非常简单的结构，例如，如图5所示，在10℃、25℃和60℃温度下和从100MHz到800MHz频率范围内，由电子调谐器输出的第二中频信号IF2的电平变化被限制在约28dB到约33dB范围内。结果与仅具有一个温度补偿部分11(例如，如图1所示的结构)，由温度变化引起的电气特性的恶化可以被进一步限制。

如上所述，本发明的第一电子调谐器是双变频型电子调谐器，包括：用于变换输入的高频信号为高于高频信号的第一中频信号的上变频器；用于变换第一中频信号为具有低于高频信号的第二中频信号的下变频器；配置在高频信号输入端与作为输出信号的第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于仅通过一个预定带宽的频率分量的滤波器电路；配置在信号传输路径上用于放大输入信号的高频放大电路；其特征在于包括以下装置。

具体地，高频放大电路包括作为放大元件的场效应晶体管。温度补偿部分由配置在滤波器电路的前级或后级并且具有在预定温度范围内其阻值基本上与温度的上升成比例的降低的这样一种特性的热敏电阻和由热敏电阻和滤波器电路的耦合电容组成的串联电路构成。顺便提及，该高频放大电路可能是混频电路或用于放大高频信号、或第一、或第二中频信号的高频放大电路。

在这种结构中，在具有场效应晶体管的高频放大电路的增益基本上正比于温度上升而降低的。另一个方面，因为热敏电阻的阻值基本上是随温度的上升而降低的，设置在温度补偿部分前级的电路与设置在后级的电路之间的耦合度增加了。因此，由温度补偿部分的输出信号电平增加了，从而补偿了高频放大电路增益的降低。这里，滤波器电路的耦合电容也被用于温度补偿。因此，尽管仅由增加一个热敏电阻获得的简单的电路，也可以实现在上述温度范围内提供基本恒定输出信号电平的电子调谐器。结果，例如，即使本发明被应用到与模拟广播接收机或少量频道的接收机相比温度趋于增加的多频道数字CATV广播接收机的一种电子调谐器中，也可能限制诸如增益和失真特性之类的电气特性的恶化，因此实现一种高质量的电子调谐器。

本发明的第二电子调谐器具有第一电子调谐器的结构，其特征在于，滤波器电路是包含初级谐振电路和次级谐振电路的双调谐电路，位于各谐振电路之间热敏电阻侧的谐振电路的谐振电容被设置具有一种温度特性，使得即使在温度变化的情况下也与热敏电阻、耦合电容和高频电路实现阻抗匹配。

按照这种结构，因为谐振电容的温度特性被设置为如上所述的特性，就可以限制由于温度变化产生失配的出现。结果，尽管通过仅增加热敏电阻获得的简单的结构，也可能实现具有较高S/N比的高质量电子调谐器。

本发明的第三电子调谐器具有第一或第二电子调谐器的结构，其特征在于高频放大电路是用于放大由上变频器输出的第一中频信号的电路，滤波电路被设置在高频放大电路的后级。

按照这种结构，温度补偿部分被设置在上变频器和下变频器之间。因此，在双变频型电子调谐器中，在许多情况下，可以补偿由于温度变化导致的增益最大变化的电路中的温度的变化，即，第一中频信号放大电路的温度变化。再有，因为温度补偿部分被设置在用于放大第一中频信号的高频放大电路的后级，与温度补偿部分被设置在高频放大电路前级的结构比较，可能限制S/N比的恶化。

本发明的第四种电子调谐器包括：用于产生具有预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路，用于放大本机振荡电路的输出的本机振荡信号放大电路和用于通过混频本机振荡信号放大电路的输出与输入信号产生中频信号的混频电路，其特征在于包括以下装置。

在本机振荡信号放大电路与混频电路之间设置具有在预定温度范围内其阻值基本上与温度上升成比例降低的这样一种特性的热敏电阻，温度补偿部分是由包括该热敏电阻和一个设置在本机振荡信号放大电路与混频电路之间的耦合电容的串联电路构成的。

本发明的第五种电子调谐器是包括本机振荡电路、本机振荡信号放大电路和混频电路的电子调谐器，其特征在于包括：配置在本机振荡电路和本机振荡信号放大电路之间的热敏电阻，该热敏电阻具有在预定温度范围内其阻值基本上与温度的上升成比例的降低的这样一种特性；和由包括热敏电阻和设置在本机振荡电路与本机振荡信号放大电路之间的电容的串联电路构成的温度补偿部分。

在这些结构中，经本机振荡信号放大电路由本机振荡电路输出到混频电路的信号电平基本上是与温度上升成比例降低的。另一方面，因为热敏电阻的阻值基本上是与温度上升成比例降低的，设置在温度补偿部分前级的电路与其后级的电路之间的耦合度增加了。因此，由温度补偿部分输出的信号电平增加，补偿了输出到混频电路的信号电平的降低，从而，在上述温度范围内，混频电路的变频效率保持不变。这里，设置在本机振荡信号放大电路与混频电路之间，或本机振荡电路与本机振荡信号放大电路之间的耦合电容也被用于温度补偿。因此，尽管仅通过增加一个热敏电阻获得的简单电路结构，但可能实现在上述温度范围内提供基本恒定输出信号电平的电子调谐器。结果，例如，即使本发明被应用到与模拟广播接收机或用于少量频道的接收机比较，作为多信道数字CATV广播接收机中温度趋于增加的一种电子调谐器，也能够限制诸如增益和失真特性之类的电气特性的恶化，因此实现一种高质量电子调谐器。

另外，本发明的第六种电子调谐器是一种双变频型电子调谐器，该电子调谐器包括：用于变频输入的高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号上变频器；用于变频第一中频信号为频率低于该高频信号的第二中频信号的下变频器；和设置在高频信号输入端与作为输出信号的第二中频信号输出端之间的信号传输路径中用于放大输入信号的高频信号放大电路，和其特征在于包括以下装置。

具体地讲，高频放大电路包括：作为放大元件的双栅场效应晶体管，和设置在双栅场效应晶体管的增益控制端与正电源线之间、具有在预定温度范围内其阻值基本上与温度的上升成比例降低的这样一种特性的热敏电阻。

再有，本发明的第七种电子调谐器是一种双变频型电子调谐器，该电子调谐器包括上变频器、下变频器和高频放大电路，其特征在于：高频放大电路包括：作为放大元件的双栅场效应晶体管和设置在该双栅场效应晶体管的增益控制端与负电源线之间的热敏电阻，该热敏电阻具有这样一种特性，即其阻值在预定温度范围内基本上与温度上升成比例的增加。顺便提及，在这些结构中，高频放大电路可能是一个混频器电路或用于放大高频信号、第一或第二中频信号的高频放大电路。

在这些结构中，具有双栅场效应晶体管的高频放大电路的增益基本上与温度成比例地降低。另一方面，热敏电阻的阻值与温度的上升基本上成比例地降低或增加，增加了双栅场效应晶体管的增益控制端的电势。因此可能补偿由温度上升引起的高频放大电路的增益的降低。因此，尽管利用双栅场效应晶体管作为放大元件和增加热敏电阻获得简单的电路结构，也可能实现在上述温度范围内提供输出信号电平基本恒定的电子调谐器。结果，例如，本发明被应用到与模拟广播接收机或少量频道接收机比较作为多频道数字CATV接收机的温度趋于上升的电子调谐器中，也可能限制诸如增益和失真特性的电气特性的恶化，因此实现高质量电子调谐器。

虽然对本发明进行了描述，但显然本发明可以按许多方式进行修改。这样一些修改不能被视为脱离了本发明的精神和范围，所有这些修改由于其对于本专业的技术人员而言是显而易见的，所以都将包括在后附的权利要求书的范围内。

Claims (15)

1、一种电子调谐器，包括：

上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；

下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；

高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；

温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；

滤波器电路(4，6，8)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于只通过预定频段的频率分量；

所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)内设置作为放大元件的场效应晶体管(T51)，

所述温度补偿部分(11)，包括：

由热敏电阻(TH1)和所述滤波器电路(4，6，8)的耦合电容(C43，C61，C63，C81)构成的一串联电路，其中在所述滤波器电路(4，6，8)的前级或后级配置所述热敏电阻(TH1)，该热敏电阻(TH1)具有伴随温度的上升成阻值降低的特性。

2、如权利要求1所述的电子调谐器，其中，所述温度补偿部分(11)设置在所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)的后级。

3、如权利要求1所述的电子调谐器，

其中，所述滤波器电路(4，6，8)是包含初级谐振电路和次级电路的双调谐电路；

所述各谐振电路中，在所述热敏电阻(TH1)侧设置有谐振电路的谐振电容(C44，C64，C83)，该电容的温度特性设定为即使当温度变换时，也和所述热敏电阻(TH1)、耦合用电容及高频放大电路(2c，5，9，31，71)保持阻抗匹配。

4、如权利要求1或3所述的电子调谐器，其中

所述高频放大电路(5)是放大所述上变频器(3)所输出的第一中频信号的电路；

所述滤波器电路(6)是设置在所述高频放大电路(5)的后级。

5、如权利要求1所述的电子调谐器，其中，

所述上变频器(3)包括：

生成预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路(33)；

放大所述本机振荡电路(33)的输出的本机振荡信号用放大电路(32)；

对所述本机振荡信号用放大电路(32)的输出和输入信号进行混频而生成第一中频信号的混频电路(31)；

第二温度补偿部分；

所述第二温度补偿部分由一设置在在所述本机振荡电路和所述混频电路之间的信号传输路径上的热敏电阻和耦合电容所形成的串联电路所构成，该热敏电阻具有在预定温度范围内电阻值随温度上升而下降的特性。

6、如权利要求1所述的电子调谐器，其中，

所述下变频器(7)包括：

生成预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路(73)；

放大所述本机振荡电路(73)的输出的本机振荡信号用放大电路(72)；

对所述本机振荡信号用放大电路(72)的输出和输入信号进行混频而生成第二中频信号的混频电路(71)；

第二温度补偿部分(12)；

所述第二温度补偿部分由一设置在在所述本机振荡电路和所述混频电路之间的信号传输路径上的热敏电阻和耦合电容所形成的串联电路所构成，该热敏电阻具有在预定温度范围内电阻值随温度上升而下降的特性。

7、一种电子调谐器，包括：

上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；

下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；

高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；

温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；

所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)具有作为放大元件的双栅极型场效应管(T51)；

所述温度补偿部分(11)包括一具有伴随温度的上升成阻值降低的特性、并设置在所述双栅极型场效应管(T51)的功率控制端和正电源线之间的热敏电阻(TH1)。

8、如权利要求7所述的电子调谐器，其中

所述高频放大电路具有混频电路(31、71)。

9、一种电子调谐器，包括：

上变频器(3)，用于变换输入高频信号为频率高于该高频信号的第一中频信号；

下变频器(7)，用于变换该第一中频信号为频率低于所述高频信号的第二中频信号；

高频放大电路(2c，5，9，31，71)，配置在所述高频信号输入端与作为输出信号的所述第二中频信号输出端之间的信号传输路径上，用于放大输入信号；

温度补偿部分(11)，用于补偿由温度变化引起的电特性恶化；

所述高频放大电路(2c，5，9，31，71)具有作为放大元件的双栅极型场效应管(T51)；

所述温度补偿部分(11)包括一具有伴随温度的上升成阻值增加的特性、并设置在所述双栅极型场效应管(T51)的功率控制端和正电源线之间的热敏电阻(TH2)。

10、如权利要求9所述的电子调谐器，其中

所述高频放大电路具有混频电路(71)。

11、如权利要求9所述的电子调谐器，其中

所述上变频器(3)包括：

生成预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路(33)；

放大所述本机振荡电路(33)的输出的本机振荡信号用放大电路(32)；

对所述本机振荡信号用放大电路(32)的输出和输入信号进行混频而生成第一中频信号的混频电路(31)；

第二温度补偿部分(12)；

所述第二温度补偿部分由一设置在在所述本机振荡电路和所述混频电路之间的信号传输路径上的热敏电阻和耦合电容所形成的串联电路所构成，该热敏电阻具有在预定温度范围内电阻值随温度上升而下降的特性。

12、一种电子调谐器，包括：

生成预定频率的本机振荡信号的本机振荡电路(33、73)；

放大所述本机振荡电路(33、73)的输出的本机振荡信号用放大电路(32、72)；

对本机振荡信号用放大电路的输出与输入信号进行混频、生成中频信号的混频电路(31、71)；

对因温度变化引起的电特性的恶化进行补偿的温度补偿部分(12)；

所述温度补偿部分(12)由一设置在在所述本机振荡电路和所述混频电路之间的信号传输路径上的热敏电阻(TH1)和耦合电容(C30、C70)所形成的串联电路所构成，该热敏电阻具有在预定温度范围内电阻值随温度上升而下降的特性。

13、如权利要求12所述的电子调谐器，其中

所述热敏电阻(TH1)被设置在所述本机振荡信号用放大电路(32、72)和所述混频电路(31、71)之间；

所述耦合电容(C30、C70)被设置在所述本机振荡信号用放大电路(32、72)和所述混频电路(31、71)之间。

14、如权利要求12所述的电子调谐器，其中

所述热敏电阻(TH1)被设置在所述本机振荡电路(33、73)和所述本机振荡信号用放大电路(32、72)之间，所述耦合电容(C30、C70)被设置在本机振荡电路(33、73)和所述本机振荡信号用放大电路(32、72)之间。

15、如权利要求12所述的电子调谐器，其中

所述本机振荡信号用放大电路(32、72)的输出阻抗设定为使因温度变化而导致的匹配损耗最小。

Images