CN1197273A - 存取区域纹理存储介质的悬浮式磁头和具有该磁头的磁盘设备 - Google Patents

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Abstract

一种磁头包括一第一空气支承面,它设置在存储介质的接触起停区附近并在磁头面对介质时沿介质的旋转方向延伸。第二空气支承面与接触起停区离开并在磁头面对介质时平行于第一空气支承面延伸。当介质旋转并且磁头存取数据区时,第二空气支承面超过数据区的给定悬浮高度地悬浮。第一和第二空气支承面按不对称的构形设置,以使当磁头存取数据区的与接触起停区最靠近的区域时,磁头绕一平行于旋转方向的水平轴线保持一倾斜的状态,以避免与介质接触。

Description

存取区域纹理存储介质的悬浮式 磁头和具有该磁头的磁盘设备
本发明涉及一种用于存取区域纹理存储介质的悬浮式磁头和一种具有悬浮式磁头的磁盘设备，该磁头从区域纹理(zone-texture)存储介质读取数据和/或向其写入数据，其中，存储介质有一数据区和一接触起停(CSS)区，同时，将CSS区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度。
由现代多媒体系统的软件处理的信息量已经大大地增加。为了跟上这一趋势，需要有一种磁盘驱动器，它要求尺寸小并能向像磁盘这样的记录介质记录或复制较大量的信息。
为了满足上述要求，需要加大被磁盘驱动器的悬浮式磁头存取的存贮介质的记录容量。用于加大存储介质的记录容量的可行方法为在从磁盘上读取数据或向其写入数据时，减少从磁盘表面至悬浮的磁头之间的距离。但是，如果磁盘表面和磁头之间的距离过小，则在用磁头读取或写入数据时，磁头很可能与磁盘接触。如果磁头撞击磁盘，则磁头可能被损坏，或是可能在磁盘表面上产生裂纹。为了避免磁头撞击的问题，必须把存储介质的表面做得尽可能光滑。
但是，如果把磁盘表面做得太光滑，则在从磁盘读取数据或向其写入数据时，磁头更易于与存储介质接触或附着于其上。对于悬浮式磁头，希望即使在将磁盘表面做得光滑时也可解决磁头撞击的问题。
就用传统的悬浮式磁头进行存取的传统磁盘而言，磁头离开磁盘表面的悬浮高度要设定成相对于整个磁盘从最里面的区域到最外面的区域都是恒定的。
为了满足加大磁盘的记录容量的最新要求，要求把磁盘表面做得尽可能光滑，同时减少磁头对磁盘的悬浮高度。但是，如果将磁盘表面做得过于光滑，则在从磁盘读取数据或向其写入数据时，磁头非常容易与磁盘接触或附着于其上。
另一方面，磁盘通常有一个数据区和一个接触起停区(以后均称之为CSS区)。数据区是为了悬浮式磁头从磁盘上读取数据或向其写入数据而设置的。CSS区是为了当磁头不相对于磁盘进行数据的读取或写入时使悬浮式磁头位于该处而设置的。
为了避免即使磁盘表面做得光滑时磁头与磁盘接触的问题，提出了一种区域纹理磁盘，其中，将CSS区的表面做得比数据区的表面粗糙，并将CSS区的磁头的给定悬浮高度加大至高于传统磁盘的给定悬浮高度。
图24示出了上述区域纹理磁盘1。区域纹理磁盘1是为加大的记录容量而提出的磁盘。如图24所示，磁盘1在磁盘1靠里面的地方有一接触起停(CSS)区2，并在磁盘1靠外面的地方有一数据区3，CSS区2被数据区3包围。在CSS区2的表面上形成细小的纹理，同时CSS区2的表面粗糙度要使得磁头在CSS区2中很难与磁盘1接触或附着于其上。数据区3的表面做得比较平坦与光滑，而且磁头易于在数据区3中靠近磁盘1的表面。
在图24的区域纹理磁盘1中，当不用磁头进行数据的读取或写入时，磁头位于CSS区2中。加大CSS区2的给定悬浮高度，而且位于CSS区2中的磁头很难与磁盘1接触。当磁头位于数据区3中时，通过磁头用磁盘1进行数据的读取或写入。数据区3的给定悬浮高度小于CSS区2的给定悬浮高度。位于数据区3中的磁头非常靠近磁盘1的表面，因此，磁头能用磁盘1以高的输出水平进行数据的读取或写入。
图25示出了传统的磁盘设备10，它具有一存取图24的区域纹理磁盘的磁头。
在图25的磁盘设备10中，区域纹理磁盘1由一主轴电机12可旋转地夹持，该电机固定在一基座11上。当主轴电机12运行时，由主轴电动机沿旋转方向转动区域纹理磁盘1(用图25中的箭头“A”示出)。磁头13固定在臂14的前缘上。臂14在基座11上可旋转地夹持在一支承部分处。音圈电机15固定在基座11上并布置在臂14的另一端。当音圈电机15工作时，位于臂14的前缘的磁头13通过音圈电机15沿磁盘1的径向(用图25中的箭头“B”示出)绕支承部分旋转。
磁头13由一空气流从磁盘1的表面浮起，该空气流通过主轴电机12的旋转而在磁盘1的表面上产生。磁盘1通过悬浮的磁头13进行存取。
图26是传统磁头20的透视图。如图26所示，传统的磁头20有在其中形成的空气支持面(以后称为ABS)21。ABS21在彼此处于同一水平上的一内轨道22和一外轨道23上形成。当传统的磁头20面对区域纹理磁盘1时，内轨道22的位置靠近CSS区2并沿磁盘1的旋转方向“A”延伸，而外轨道23的位置则靠近数据区3并沿磁盘1的旋转方向“A”延伸。
传统的磁头20包括一间隙24，它用于用磁盘1进行数据的读取或写入。间隙24在外轨道23的一个端面上形成，而且该外轨道23的端面沿磁盘1的径向“B”延伸。
应当指出，在图26的传统磁头20中，ABS21要做成使得内轨道22的高度“a”和外轨道23的高度“b”彼此相等(a＝b)。当传统的磁头20从磁盘1浮起并在其上方滑过时，内轨道22和外轨道23被保持于水平的状况并与磁盘1的表面平行。
另外还有一种与图24的区域纹理磁盘1不同的区域纹理磁盘。此磁盘在磁盘靠外的位置有CSS区2，而在磁盘靠内的位置有数据区3，并且CSS区2和数据区3的布置与图24所示磁盘1的相反。
如上所述，在区域纹理磁盘1中，CSS区2的给定悬浮高度加大，而数据区3的给定悬浮高度则小于CSS区2的给定悬浮高度。当传统的磁头20存取数据区3最里面的区域(或在CSS区2与数据区3之间的边界)时，磁头可能由于传统磁头20与CSS区2的干涉而倾斜或与磁盘1接触。这样，当磁盘1的数据区3的最里面的区域被传统的磁头20存取时，就发生像磁头撞击这样的磁头20与磁盘1的接触。
图27示出了当磁头20存取磁盘1的数据区3最里面的区域时，传统的磁头20的滑动情况。
如图27所示，在磁盘1中，将CSS区2的给定悬浮高度加大，而数据区3的给定悬浮高度则小于CSS区2。要如此地形成传统的磁头20以使内轨道22的高度“a”与外轨道23的高度“b”彼此相等。传统磁头20的内轨道22与外轨道23被保持成水平的状况并与磁盘1的表面平行。如果磁头20位于在磁盘1的数据区3和CSS区2之间的边界上并进一步向内移动，则磁头20接触磁盘1并且磁头20可能会被损坏。此外，由于磁头20与CSS区2之间的干涉，间隙24不能从数据区3最里面的区域读取数据或向其写入数据。因此，相对于CSS区2的给定悬浮高度而言，很难将磁盘1的数据区3的给定悬浮高度做得足够小。在图27的情况下，难于使传统的磁头20以高的输出水平用磁盘1进行数据的读取或写入。这就使之难以满足对磁盘的加大的记录容量的要求。
本发明的一个目的为提供一种悬浮式磁头，它即使在磁头存取以介质中的接触起停区为界的数据区的周边区域时也能可靠地以高的输出水平从存储介质读取数据或向其写入数据。
本发明的另一目的为提供一种具有一悬浮式磁头的磁盘设备，该磁头能可靠地以高的输出水平从介质中以接触起停区为界的数据区的周边区域读取数据或向其写入数据。
本发明的上述目的通过一种用于从一存储介质读取数据或向其写入数据的磁头来实现，该存储介质有一数据区和一接触起停区，其中，数据区的磁头给定悬浮高度小于接触起停区的磁头给定悬浮高度，该磁头包括一第一空气支承面和一第二空气支承面，所述第一空气支承面设置在介质的接触起停区附近并在磁头面对介质时沿介质的旋转方向延伸，第一空气支承面在磁头从介质读取数据或向其写入数据时以第一悬浮高度离开介质悬浮；所述第二空气支承面设置在介质的数据区附近并在磁头面对介质时平行于第一空气支承面延伸而且与之隔开一段距离，第二空气支承面在磁头从介质读取数据或向其写入数据时以第二悬浮高度离开介质悬浮；其中，将第一空气支承面距离一基准高度面的高度和第二空气支承面距离基准高度面的高度都设置成使第一悬浮高度比介质的接触起停区的给定悬浮高度大一个预定高度，而且第二悬浮高度比介质的数据区的给定悬浮高度大一个预定高度。
本发明的上述目的可通过一种具有一用于从一存储介质读取数据或向其写入数据的磁头的磁盘设备来实现，该存储介质有一数据区和一接触起停区，其中，数据区的磁头给定悬浮高度小于接触起停区的磁头给定悬浮高度，该磁头包括一第一空气支承面和一第二空气支承面，所述第一空气支承面设置在介质的接触起停区附近并且在磁头面对介质时沿介质的旋转方向延伸，第一空气支承面在磁头从介质读取数据或向其写入数据时以第一悬浮高度离开介质悬浮；所述第二空气支承面设置在介质的数据区附近并且在磁头面对介质时平行于第一空气支承面延伸而且与之隔开一段距离，第二空气支承面在磁头从介质读取数据或向其写入数据时以第二悬浮高度离开介质悬浮；其中，将第一空气支承面距离一基准高度面的高度和第二空气支承面距离该基准高度面的高度设置成使第一悬浮高度比介质的接触起停区的给定悬浮高度大一个预定高度，并且第二悬浮高度比介质的数据区的给定悬浮高度大一个预定高度。
本发明的磁头有可能避免在磁头从介质的被接触起停区界限的数据区的周边区域读取数据或向其写入数据时磁头与存储介质的接触起停区接触的问题。即使当磁头存取存储介质中数据区的周边区域时，本发明的磁头也能可靠地以高的输出水平用介质进行数据的读取或写入。此外，具有本发明的磁头的磁盘设备在提供存储介质的加大的记录容量方面是有效的。
本发明的上述及其它目的、特征和优点可通过配合附图阅读下面的详细说明而更为清楚。在附图中，
图1是本发明的悬浮式磁头的第一实施例的视图；
图2A和图2B是表示图1所示磁头的两个模型的各自外形尺寸的图；
图3A和图3B是图1所示磁头的正视图与俯视图；
图4A和图4B是表示图1所示磁头在一区域纹理存储介质上方滑动时的情况的图；
图5的图用于说明图1所示磁头在存取介质的数据区的最里面的区域时的滑动情况；
图6是本发明的悬浮式磁头的第二实施例的视图；
图7是本发明的悬浮式磁头的第三实施例的视图；
图8是本发明的悬浮式磁头的第四实施例的视图；
图9是图8所示磁头的切去部分的剖视图；
图10A和图10B是表示图8所示磁头在介质上的滑动情况的图；
图11的图用于说明图8所示磁头在存取介质的数据区的最里面的区域时的滑动情况；
图12的图示出了一种包括图1所示悬浮式磁头的另一实施例的磁盘装置；
图13是图12所示磁盘装置中所包含的区域纹理存储介质的视图；
图14是图12中所示的磁头的实施例的视图；
图15A和图15B是图14所示磁头的正视图和俯视图；
图16A和图16B是表示图14所示磁头在介质上的滑动情况的图；
图17的图用于说明图14所示的磁头在存取介质的数据区的最里面的区域时的滑动情况；
图18是图6所示悬浮式磁头的另一实施例的视图；
图19是图7所示悬浮式磁头的另一实施例的视图；
图20是图8所示悬浮式磁头的另一实施例的视图；
图21是图20所示磁头的切去部分的剖视图；
图22A和图22B是表示图20所示的磁头在介质上的滑动情况的图；
图23的图用于说明图20的磁头在存取介质的数据区的最里面的区域时的滑动情况；
图24是区域纹理磁盘的视图；
图25是具有一存取图24所示磁盘的磁头的传统磁盘设备的视图；
图26是传统磁头的透视图；以及
图27的图用于说明图26的传统磁头的滑动情况。
现在参考附图给出对本发明优选实施例的说明。
图1示出了本发明的悬浮式磁头的第一实施例。
与图25的磁头13相似，本实施例的磁头113设置在一磁盘设备100中，以用于存取区域纹理存储介质1。在磁盘设备100中，存储介质1由一固定在一基座111上的主轴电机112可旋转地夹持。当主轴电机112工作时，介质1被主轴电机112沿旋转方向“A”(它与图24中所示的方向“A”相同)转动。磁头113固定在一臂114的前缘上。臂114在基座111上可旋转地固持在一支承部分处。一音圈电机115固定在基座111上并布置在臂114的另一端。当音圈电机115工作时，在臂114前缘的磁头113由音圈电机115沿介质1的径向“B”(它与图25中所示的方向“B”相同)绕支承部分转动。
磁头113通过一空气流从介质1的表面浮起，该空气流通过主轴电机112的旋转在介质1的表面上产生。介质1的数据区3由磁头113进行存取，以使得由磁头113从介质1读取数据或向其写入数据。
本实施例的悬浮式磁头113用作一磁变阻(MR)头或一巨型磁变阻(GMR)头。该磁头113用Al2O3Tic的晶片制造。通过采用薄膜制造技术，在Al2O3Tic的晶片上沉积一磁变阻(MR)层(或一巨型磁变阻(GMR)层)并在Al2O3Tic的晶片上形成垫片等。具有在其上形成的MR层或GMR层和垫片的晶片受到切削和磨削，以致生产出在其上形成有空气支承面(ABS)131的磁头113。
如图1所示，在磁头113中，在一内轨道132和一外轨道133上都设有ABS 131。当磁头113面对介质1时，内轨道132靠近CSS区2并沿介质1的旋转方向“A”延伸，而外轨道133则靠近数据区3并沿介质1的旋转方向“A”延伸。
磁头113包括一间隙137，它用于相对于介质1进行数据的读取或写入。间隙137设置在外轨道133的一个端面上，而且该外轨道133的端面沿介质1的径向“B”延伸。
应当指出，在本实施例的磁头113中，内轨道132的ABS 131和外轨道133的ABS 131以不对称的构形设置，以使得在磁头113存取数据区3的最靠近CSS区2的区域时，磁头113绕一平行于介质1的旋转方向“A”的水平轴线保持在一倾斜状态，以避免与介质1接触。也就是说，内轨道132的高度“a”和外轨道133的高度“b”彼此不同。更具体一些，在本实施例中，内轨道132的高度“a”大于外轨道133的高度“b”(a＞b)。
在内轨道132的两侧都设有沿旋转方向“A”延伸的基准高度面134。基准高度面134包括一内侧基准高度面134a和一外侧基准高度面134b。在外轨道133的两侧都设有沿旋转方向“A”延伸的基准高度面135。基准高度面135包括一内侧基准高度面135a和一外侧基准高度面135b。基准高度面134与基准高度面135彼此位于同一水平上。通过主轴电机112的旋转在介质1的表面上产生的空气流由内轨道132、外轨道133和基准高度面134和135控制，而且，磁头113离开介质1悬浮。
在基准高度面134的两侧和基准高度面135的两侧都设有下凹部分136。下凹部分136包括一在内侧基准高度面134a内侧的下凹部分、一在外侧基准高度面134b和内侧基准高度面135a之间的下凹部分和一在外侧基准高度面135b外侧的下凹部分。当磁头113在介质1上方滑动时，下凹部分136也用于控制通过主轴电机112的旋转而在介质1的表面上产生的空气流。
在图1的磁头113中，在其上设有间隙137的外轨道133的端面位于磁头113的出气口侧上，而外轨道133的相对端面则位于磁头113的进气口侧上。以后，将前者称为出口端面，后者称为入口端面。
内轨道132在磁头113的入口端面侧包括一倾斜的表面132a。外轨道133在磁头113的入口端面侧包括一倾斜的表面133a。如图1所示，倾斜的表面132a和倾斜的表面133a当它们接近磁头113的入口端面时也分别更接近基准高度面134和基准高度面135。倾斜的表面132a和133a用于将在介质1的表面上产生的空气流供给内、外导轨132和133。
磁头113离开介质1的实际悬浮高度取决于内轨道132离开基准高度面134的高度“a”和外轨道133离开基准高度面135的高度“b”。
在本实施例中，内轨道132的高度“a”大于外轨道133的高度“b”(a＞b)。由于这种不对称的构形，内轨道132离开介质1的实际悬浮高度大于外轨道133的实际悬浮高度。因此，当磁头113存取数据区3的最靠近CSS区2的区域时，磁头113绕平行于介质1的旋转方向“A”的水平轴线保持在一倾斜的状态，以避免与介质1接触。在本实施例的磁头113中，内轨道132以一高于外轨道133的位置离开介质1悬浮。
图2A和图2B示出了本实施例的磁头113的两个模型中每一个的外形尺寸。图2A中所示的磁头113的一个模型被称为30％滑块。图2B所示的磁头113的一个模型被称为50％滑块。
如图2A所示，30％滑块有一为1.25mm的总长度“L”，总宽度“W”为1.00mm和总高度“H”为0.3mm。如图2B所示，50％的滑块的总长度“L”为2.00mm，总宽度“W”为1.60mm和总高度“H”为0.43mm。
本实施例的磁头113可用于图2A的30％滑块或图2B的50％滑块。当本实施例的磁头113用于这些模型中的任一个时，内轨道132距离基准高度面134的高度“a”和外轨道133距离基准高度面135的高度“b”要确定成使得内轨道132与外轨道133之间的实际悬浮高度差大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度与其数据区3的给定悬浮高度之间的差。
磁头113的内轨道132与外轨道133之间的实际悬浮高度差被称为滑动高度失衡或侧倾(roll)。
图3A和图3B是本实施例的磁头的正视图与俯视图。
如图3B所示，在本实施例的磁头113中，将每个内轨道132和外轨道133的宽度设定为0.18mm。将每个内侧基准高度面134a和内侧基准高度面135a的宽度设定为0.04mm。将每个外侧基准高度面134b和外侧基准高度面135b的宽度设定为0.15mm。
此外，在本实施例的磁头113中，内轨道132距离基准高度面134的高度“a”和外轨道133距离基准高度面135的高度“b”都设定成使内轨道132的实际悬浮高度略大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度，并使外轨道133的实际悬浮高度略大于介质1的数据区3的给定悬浮高度。例如，将上述的高度“a”和高度“b”设定成使内轨道132的实际悬浮高度比CSS区2的给定悬浮高度大5nm(纳米)，而外轨道133的实际悬浮高度比数据区3的给定悬浮高度大5nm。
因此，当本实施例的磁头113在介质1上方滑动时，磁头113保持在一倾斜的状态下，而且不与介质1的表面平行。内轨道132离开介质1以一较高的位置悬浮，而外轨道133则离开介质1以一较低的位置悬浮。也就是说，磁头在从介质1读取数据或向其写入数据时相对于臂114的轴线方向侧倾。
图4A和图4B示出了本实施例的磁头在介质1上方的滑动情况。图4A是在从介质1的外侧向介质1的内侧沿介质1的径向“B”看去时，在介质1上方滑动的磁头113的视图。图4B是在从磁头113的出口端面向磁头113的入口端面沿介质1的旋转方向看去时，在介质1上方滑动的磁头113的视图。
如上所述，在本实施例的磁头113中，将内轨道132距离基准高度面134的高度“a”设定成大于外轨道133距离基准高度面135的高度“b”。如图4B所示，当磁头113在介质1的上方滑动时，将磁头113保持在一倾斜的状况，内轨道132离开介质1在一较高的位置悬浮，而外轨道133距离介质在一较低的位置悬浮。换句话说，当磁头113在介质1的上方滑动时，磁头113相对于臂114的轴线方向侧倾。因此，当磁头113的间隙137存取介质1的数据区3的最里面的区域时，内轨道132以一高于介质1的CSS区2的给定悬浮高度的位置悬浮。这使本实施例的磁头113可在磁头113存取介质1的数据区3的最里面的区域时避免磁头113与介质1的CSS区2接触的问题。
图5示出了本实施例的磁头在存取介质1上数据区3的最里面的区域时的滑动情况。
如图5所示，当磁头113在位于介质1的数据区3和CSS区2之间的边界上方滑动时，内轨道132距离介质1的CSS区2在一较高的位置悬浮，而且避免了磁头113与介质1的CSS区2接触的问题。在本实施例中，介质1的CSS区2的给定悬浮高度约为35nm，而磁头113的内轨道132的实际悬浮高度约为40nm，它比CSS区2的给定悬浮高度大5nm。这使本实施例的磁头可避免磁头撞击的问题。
另外，在本实施例中，当磁头113在位于介质上的数据区3和CSS区2之间的边界上方滑动时，介质1的数据区3的给定悬浮高度约为25nm，而磁头113的外轨道133的实际悬浮高度约为30nm，它比数据区3的给定悬浮高度大5nm。外轨道133的实际悬浮高度与数据区3的给定悬浮高度之间的差对于磁头113的间隙137从介质1读取数据或向其写入数据时是合适的。这使本实施例的磁头有可能可靠地以高的输出水平用介质1进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头中，即使当磁头存取由介质1的CSS区限定界限的数据区的最里面的区域时，也可以可靠地以高的输出水平用介质进行数据的读取或写入。
在其中用本实施例的磁头113存取介质1的磁盘设备中，可提供存储介质的加大的记录容量。
图12示出了一磁盘设备，它包括图1所示悬浮式磁头的另一实施例。
如图12所示，在本实施例的磁盘设备100中，区域纹理存储介质110由固定在基座111上的主轴电机112可转动地夹持。当主轴电机112工作时，介质110沿旋转方向“A”由主轴电机112转动。磁头113固定在臂114的前缘上。臂114在基座111上可旋转地固持在支承部分处。音圈电机115固定在基座111上并布置在臂114的另一端。当音圈电机115工作时，位于臂114的前缘的磁头113通过音圈电机115沿介质110的径向“B”绕支承部分旋转。
磁头113用一空气流从介质110的表面浮起，该空气流通过主轴电机112的转动而在介质110的表面上产生。介质110的数据区3通过悬浮的磁头113存取，由此由该磁头113向介质110读取数据或向其写入数据。
图13示出了由包含在本实施例的磁盘设备100中的磁头113存取的区域纹理存储介质110。
图13的存储介质110与图24所示的介质1不同。存储介质110在介质110的靠外位置有一CSS区120，在介质110的靠内位置有一数据区121。CSS区120与数据区121在介质110中的布置与图24所示介质1的相反。除去数据区121由在介质110中的CSS区120包围以外，图13所示介质110的所有特征都与图24的介质1的相同。
图14示出了图12中的悬浮式磁头的实施例。在图14中，与图1中的对应元件相同的那些元件都用同样的参考标号代表，并省略了对其的说明。
本实施例的磁头113的功能为从图13的存储介质110读取数据或向其写入数据，其中，CSS区120位于外周边，而数据区121位于CSS区120的内侧。
如图14所示，在本实施例的磁头113中，在内轨道132和外轨道133上都设有空气支承面(ABS)131。当磁头113面对区域纹理存储介质110时，内轨道132位于数据区121的附近并沿介质110的旋转方向“A”延伸，而外轨道133位于CSS区120的附近并沿介质110的旋转方向“A”延伸。
图14的磁头113包括间隙137，它用于相对于介质110进行数据的读取和写入。间隙137设在内轨道132的端面上，而该内轨道132的端面沿介质110的径向“B”延伸。其上设有间隙137的端面位于磁头113的出气口侧。
应当指出，在本实施例的磁头113中，内轨道132的ABS131和外轨道133的ABS131以不对称的结构形状设置，以使得当磁头113存取数据区121的最靠近CSS区120的区域时，磁头113绕一平行于介质110的旋转方向“A”的水平轴线保持一倾斜的状况，以避免与介质110接触。这就是说，内轨道132距离基准高度面134的高度“a”小于外轨道133距离基准高度面135的高度“b”(a＜b)。
如上所述，磁头113距离介质110的实际悬浮高度取决于内轨道132距离基准高度面134的高度“a”和外轨道133距离基准高度面135的高度“b”。
在本实施例中，内轨道132的高度“a”小于外轨道133的高度“b”(a＜b)。由于这种不对称的构形，内轨道132距离介质110的实际悬浮高度小于外轨道133的实际悬浮高度。因此，当磁头113存取数据区121的最靠近CSS区120的区域时，磁头113绕平行于介质110的旋转方向“A”的水平轴线保持在一倾斜的状态下，以避免与介质110接触。在本实施例的磁头113中，内轨道132在一距离介质110比外轨道133低的位置处悬浮。
图15A和图15B是本实施例的磁头的正视图和俯视图。除去内轨道132的高度“a”小于外轨道133的高度“b”和在内轨道132的端面上形成间隙137外，图15A和图15B所示磁头113的所有特征都与图3A和图3B的磁头113相同。
应当指出，在本实施例的磁头中，上述的高度“a”和高度“b”要定成使外轨道133的实际悬浮高度与CSS区120的给定悬浮高度之差大于5nm，并使内轨道132的实际悬浮高度与数据区121的给定悬浮高度之差大于5nm。
图16A和图16B示出了本实施例的磁头在存储介质上方滑动的情况。图16A是一在介质110的上方滑动的磁头113在从介质110的外侧向介质110的内侧沿介质110的径向“B”看去时的视图。图16B是一在介质110的上方滑动的磁头在从磁头113的出口端面向磁头113的入口端面沿介质110的旋转方向“A”看去时的视图。
如上所述，在本实施例的磁头113中，将内轨道132距离基准高度面134的高度“a”设定成小于外轨道133距离基准高度面135的高度“b”。如图16B所示，当磁头113在介质110的上方滑动时，磁头113保持在一倾斜的状况，内轨道132在一距离介质110较低的位置处悬浮，而外轨道133则在一离开介质110较高的位置处悬浮。换句话说，当磁头113在介质110的上方滑动时，磁头113相对于臂114的轴向偏倾。
因此，当磁头113的间隙137存取由介质110中的CSS区120限界的数据区121的最外区域时，外轨道133在一比介质110的CSS区120的给定悬浮高度高的位置悬浮。这样，当磁头存取由介质中的CSS区120限界的数据区121的最外区域时，可使本实施例的磁头113避免磁头113与介质110的CSS区120接触的问题。
图17示出了本实施例的磁头在存取由存储介质中的CSS区限界的数据区的周边区域时的滑动情况。
如图17所示，当磁头113在位于介质110中的数据区121和CSS区120之间的边界上方滑动时，外轨道133在一比介质110的CSS区120高的位置悬浮，并使磁头113与介质110的CSS区120接触的问题得以避免。在本实施例中，介质110的CSS区120的给定悬浮高度约为35nm，而磁头113的外轨道133的实际悬浮高度约为40nm，它比CSS区120的给定悬浮高度大约5nm。这样便可使本实施例的磁头避免磁头撞击的问题。
此外，在本实施例中，当磁头在位于介质110中的数据区121和CSS区120之间的边界上方滑动时，介质110的数据区12l的给定悬浮高度约为25nm，而磁头113的内轨道132的实际悬浮高度约为30nm，它比数据区121的给定悬浮高度大约5nm。内轨道132的实际悬浮高度与数据区121的给定悬浮高度之差对磁头113的间隙137从介质110读取数据或向其写入数据是合适的。这样使得可使本实施例的磁头用介质110以高的输出水平可靠地进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头中，即使当磁头存取由介质中的CSS区限界的数据区的最外区域时，仍可以高的输出水平用介质可靠地进行数据的读取或写入。
在其中的存储介质ll0被本实施例的磁头113存取的磁盘设备100中，可提供存储介质的加大的记录容量。
下面，图6示出了本发明的悬浮式磁头的第二实施例。在图6中，与图l中的对应元件相同的元件都用同样的参考标号代表，并略去了其的说明。
本实施例的磁头200的功能为从图24的存储介质1读取数据或向其写入数据。与图1的磁头113相似，将间隙137设置在外轨道133的端面上。
与图1的磁头113相似，本实施例的磁头200用Al2O3Tic的晶片制造。通过采用薄膜制造技术，在Al2O3Tic的晶片上形成MR层(或GMR层)、垫片等等。具有在其上形成的MR或GMR层和垫片的晶片经过切削和磨削，以生产出具有在其上形成的空气支承面(ABS)131的磁头。在切削过程中，内轨道132距离基准高度面134的高度和外轨道133距离基准高度面135的高度要彼此在同一水平上。这就是说，将内轨道132和外轨道133的高度此时都设定成等于高度“b”。
在上述切削过程以后，通过采用薄膜制造技术在磁头的内轨道132上沉积一金刚石状碳(DLC)层。最终得到的内轨道132距离基准高度面134的总高度被设定成等于上述的内轨道132的高度“a”。这就是说，当将内轨道132上的DLC层的高度设定成等于“c”时，得到的内轨道132距离基准高度面134的总高度等于高度“b”与高度“c”之和(a＝b+c)。
在上述的实施例中，DLC层只在内轨道132上沉积。不过，为了给磁头的空气支承面提供一较高的强度，DLC层可以以内轨道132和外轨道133的高度同时沉积在内轨道132和外轨道133上。
按照磁头的本实施例，使内轨道132与外轨道133彼此找平的切削过程可以用与图26的传统磁头所用的切削方法相同的方式进行。只有在生产用于存取存储介质1的本实施例的磁头时，才需要在磁头上沉积DLC层，其中，将内轨道132的总高度设定成等于上述的高度“a”。因此，只有对生产本实施例的磁头才需要调节沉积在磁头上的DLC层的量，并且可以改进磁头生产的多方面的适应性。
再有，在磁头的本实施例中，内轨道132的强度可以通过在其上沉积DLC层而得到提高，因此，本实施例可有效地大大提高磁头的耐用性。
图18示出了图6所示的悬浮式磁头的另一实施例。在图18中，与图14中的对应元件相同的元件用同样的参考标号代表，并且省略了其的说明。
本实施例的磁头200的功能为从图13的存储介质110读取数据或向其写入数据，在该介质中，CSS区120位于外周边，而数据区121位于CSS区120的内侧。与图14的磁头113相似，间隙137设置在内轨道132的端面上。
与图14的磁头113相似，本实施例的磁头200用Al2O3Tic的晶片制造。通过采用薄膜制造技术，在Al2O3Tic的晶片上形成MR层(或GMR层)、垫片等等。使具有在其上形成的MR或GMR层和垫片的晶片受到切削和磨削，从而生产出具有在其上形成的空气支承面(ABS)131的磁头。在切削过程中，使内轨道132距离基准高度面134的高度和外轨道133距离基准高度面135的高度彼此在同一水平上。这就是说，将内轨道132和外轨道133的高度此时都设定成等于高度“a”。
在上述的切削过程以后，通过采用薄膜制造技术在磁头的外轨道133上沉积一金刚石状碳(DLC)层。所得到的外轨道133距离基准高度面135的总高度被设定成等于上述的外轨道133的高度“b”。这就是说，当将外轨道133上的DLC层的高度设定成等于“c”时，得到的外轨道133离开基准高度面135的总高度等于高度“a”与高度“c”之和(b＝a+c)。
按照磁头的本实施例，使内轨道132与外轨道133彼此找平的切削过程可以用与图26的传统磁头所用的切削方法相同的方式进行。只有在生产用于存取存储介质110的本实施例的磁头时，才需要在磁头上沉积DLC层，其中将外轨道133的总高度设定成等于上述的高度“b”。由于只有对于生产本实施例的磁头才需要调节沉积在磁头上的DLC层的量，所以可以通过本实施例改进磁头生产的多方面的适应性。
再有，在磁头的本实施例中，磁头113的强度可以通过在其上沉积DLC层而得到提高，而且在提高磁头的耐用性方面，本实施例是有效的。
在图1和图6所示的上述实施例中，通过将内轨道132的高度设定成大于外轨道133的高度而将磁头的内轨道132的实际悬浮高度做得大于介质的CSS区的给定悬浮高度。另一种方案是，通过将内轨道132的宽度设定成大于外轨道133的宽度而使磁头的内轨道132的实际悬浮高度大于介质的CSS区的给定悬浮高度。
下面，图7示出了本发明的悬浮式磁头的第三实施例。在图7中，与图1的对应元件相同的元件都用同样的参考标号代表，并略去了其的说明。
本实施例的磁头250的功能为从图24的存储介质1读取数据或向其写入数据。与图1的磁头113相似，间隙137设置在外轨道133的端面上。
如图7所示，在本实施例的磁头250中，将内轨道132(或ABS)沿介质径向的宽度“W1”加大，并且将外轨道133(或ABS)的沿存储介质径向的宽度“W2”设定成小于内轨道132的宽度“W1”。
在本实施例中，将内轨道132离开基准高度面134的高度“a”设定为等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”(a＝b)。磁头113离开存储介质的实际悬浮高度取决于内轨道132沿介质径向的宽度“W1”和外轨道133沿介质径向的宽度“W2”。内轨道132的宽度“W1”和外轨道133的宽度“W2”要设定成使内轨道132的实际悬浮高度略大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度，而外轨道133的实际悬浮高度略大于介质1的数据区3的给定悬浮高度。
具体地说，在本实施例中，上述的宽度“W1”和宽度“W2”要设定成使内轨道132的实际悬浮高度与CSS区2的给定悬浮高度之差大于5nm，并且外轨道133的实际悬浮高度与数据区3的给定悬浮高度之差大于5nm，这与图1的磁头113中的情况相似。
外轨道133的实际悬浮高度与数据区3的给定悬浮高度之差对于磁头250的间隙137从介质1读取数据或向其写入数据是合适的。这样本实施例的磁头可以以高的输出水平用介质1可靠地进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头中，即使当磁头存取由介质1的CSS区限界的数据区的最内区域时，也可以避免磁头250与介质1的CSS区2接触的问题，并且有可能用介质1以高的输出水平可靠地进行数据的读取或写入。
在其中的介质1由本实施例的磁头250存取的磁盘设备中，有可能提供存储介质的加大的记录容量。
图19示出了图7所示的悬浮式磁头的另一实施例。在图19中，与图7的对应元件相同的元件都用同样的参考标号代表，并略去对其的说明。
本实施例的磁头250的功能为从图13的存储介质读取数据或向其写入数据，在该介质中，CSS区120位于外周边，而数据区121位于CSS区120的内侧。与图14的磁头113相似，间隙137设置在内轨道132的端面上。
如图19所示，内轨道132(或ABS)的沿介质径向的宽度“W1”被减小，而外轨道133(或ABS)的沿存储介质径向的宽度“W2”则被加大，以便大于内轨道132的宽度“W1”(W1＜W2)。
在本实施例中，将内轨道132离开基准高度面134的高度“a”设定成等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”(a＝b)。磁头250离开存储介质的实际悬浮高度取决于内轨道132沿介质径向的宽度“W1”和外轨道133沿介质径向的宽度“W2”。内轨道132的宽度“W1”和外轨道133的宽度“W2”要设定成使得内轨道132的实际悬浮高度略大于介质110的CSS区120的给定悬浮高度，而且外轨道133的实际悬浮高度略大于介质110的数据区121的给定悬浮高度。
具体地说，在本实施例中，将上述的宽度“W1”和宽度“W2”设定成不同的，以使内轨道132的实际悬浮高度与CSS区120的给定悬浮高度之差大于5nm，而外轨道133的实际悬浮高度与数据区121的给定悬浮高度之差大于5nm，这与图14的磁头113中的情况相似。
外轨道133的实际悬浮高度与数据区3的给定悬浮高度之差对于磁头250的间隙137从介质110读取数据或向其写入数据是合适的。这样，本实施例的磁头可用介质110以高的输出水平可靠地进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头250中，当磁头存取由介质中的CSS区限界的数据区的最外区域时，可以避免磁头250与介质110的CSS区120接触的问题，并且可以高的输出水平用介质110可靠地进行数据的读取或写入。
在用本实施例的磁头250存取介质110的磁盘设备中，有可能提供存储介质的加大的记录容量。
下面，图8示出了本发明的悬浮式磁头的第四实施例。在图8中，与图1的对应元件相同的元件都用同样的参考标号代表，并省略了对其的说明。
如图8所示，在本实施例的磁头300中，将内轨道132离开基准高度面134的高度“a”设定成等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”(a＝b)，并且当磁头300在存储介质1的上方滑动时在内轨道132的出气口端部形成一切去部分(在图9中用参考标号301标出)。内轨道132上的切去部分301在磁头300面对介质1时位于磁头300底部的出口端侧上。
在本实施例的磁头300中，将内轨道132的切去部分301沿介质1的旋转方向A的长度设定成使内轨道132的最低位置比外轨道133的最低位置高出一预定的高度。将此预定高度设定成略大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度与介质1的数据区3的给定悬浮高度之差。
图9是本实施例的磁头300的切去部分301的横向剖视图。
如图9所示，在本实施例的磁头300中，将切去部分301沿介质1的旋转方向A的长度“X”设定成当磁头300与介质1的表面成一倾斜角“θ”(例如该θ角为100μrad.)并在介质1的上方滑动时，使内轨道132的最低位置“P1”或“P2”比外轨道133的最低位置“P0”高出一预定的高度(该预定高度例如为10nm)。此预定高度略大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度与介质1的数据区3的给定悬浮高度之间的差。
例如，假定倾斜角θ为100μrad.，内轨道132离开基准高度面134的实际悬浮高度为40nm，而外轨道133离开基准高度面135的实际悬浮高度为40nm，则切去部分301的长度“X”由式X＝10nm/sinθ确定，式中，内轨道132的最低位置“P1”或“P2”与外轨道133的最低位置“P0”之间的差等于10nm。
在本实施例的磁头300中，如图9所示，内轨道132的切去部分301有大约为40μm的深度。
图10A和图10B示出了本实施例的磁头在存储介质的上方的滑动情况。图10A是在从介质1的外侧向介质1的内侧沿介质1的径向“B”看去时，在介质1的上方滑动的磁头300的视图。图10B是在从磁头300的出口端面向磁头300的入口端面沿介质1的旋转方向“A”看去时，在介质1的上方滑动的磁头300的视图。
如上所述，在本实施例的磁头300中，内轨道132离开基准高度面134的高度“a”被设定为等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”。在内轨道132上形成切去部分301。如图10B所示，当磁头300在介质1上方滑动时，磁头300基本上保持处于一水平状态。
但是，在本实施例中，内轨道132在距介质1的较高位置悬浮，而外轨道133在一距介质1的较低位置悬浮。如图10A和图10B所示，内轨道132的最低位置总是比外轨道133的最低位置高出预定的高度(例如10nm左右)。内轨道132中的切去部分301的长度被设定成使内轨道132的最低位置比外轨道133的最低位置高出预定的高度。该预定的高度略大于介质1的CSS区2的给定悬浮高度与介质1的数据区3的给定悬浮高度之间的差。
因此，在本实施例的磁头300中，内轨道132的ABS 131和外轨道133的ABS 131按不对称的构形设置，并且内轨道132在内轨道132的出气口端部有切去部分301，以使得当磁头300存取数据区3的最靠近CSS区2的区域时，将磁头保持在一平行于介质1的旋转方向“A”的水平状况，以避免与介质1接触。
因此，当磁头300的间隙137存取介质1的数据区3的最内区域时，内轨道132的最低位置略高于介质1的CSS区2的给定悬浮高度。这样本实施例的磁头300可在磁头300存取介质1的数据区3的最内区域时避免磁头300与介质1的CSS区2接触的问题。
图11示出了本实施例的磁头在存取存储介质中的数据区的最内区域时的滑动情况。
如图11所示，当磁头300在位于介质1上的数据区3与CSS区2之间的边界上方滑动时，将内轨道132的最低位置设定成比在磁头300底部上的外轨道133的最低位置高约10nm。内轨道132的最低位置与外轨道133的最低位置之间的差值与介质1的CSS区2的给定悬浮高度与介质1的数据区3的给定悬浮高度之差恰当地相等。因此，当磁头300在由介质1上的CSS区2限界的数据区3的最内区域上方滑动时，磁头300与介质1的CSS区2接触的问题得以避免。
具体地说，在本实施例中，介质1的CSS区2的给定悬浮高度约为35nm，而磁头300的内轨道132的实际悬浮高度略大于CSS区2的给定悬浮高度。此外，在本实施例中，介质1的数据区3的给定悬浮高度约为25nm，而磁头300的外轨道133的实际悬浮高度略大于数据区3的给定悬浮高度。外轨道133的实际悬浮高度与数据区3的给定悬浮高度之差对磁头300的间隙137从介质1读取数据或向其写入数据是恰当的。这样，本实施例的磁头300可以高的输出水平用介质1可靠地进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头300中，当磁头存取由介质中的CSS区限界的数据区的最内区域时，可以以高的输出水平用介质可靠地进行数据的读取或写入。在用本实施例的磁头300存取存贮介质的磁盘设备中，有可能提供存储介质的加大的记录容量。
图20示出了图8所示的悬浮式磁头的另一实施例。在图20中，与图8的对应元件相同的元件都用同样的参考标号代表，并省去了对其的说明。
本实施例的磁头300的功能为从图13的存贮介质110读取数据或向其写入数据，在该介质中，CSS区120位于外周边，而数据区121位于CSS区120的内侧。与图14的磁头113的情况相似，在内轨道132的端面上设有间隙137。
如图20所示，在本实施例的磁头300中，将内轨道132的离开基准高度面134的高度“a”设定成等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”(a＝b)，并且当磁头300在存储介质110的上方滑动时在外轨道133的最低位置形成切去部分(在图21中用参考标号301标出)。外轨道133上的切去部分301在磁头300面对介质110时位于磁头300底部的出口端侧。
在本实施例的磁头300中，外轨道133的切去部分301沿介质110的旋转方向A的长度被设定成使外轨道133的最低位置比内轨道132的最低位置高出预定的高度值。将该预定的值设定成略大于介质110的CSS区2的给定悬浮高度与介质110的数据区121的给定悬浮高度之差。
图21是本实施例的磁头300的切去部分301的横向剖视图。
在图21中，与图9的对应元件相同的元件用同样的参考标号代表，并略去对其的说明。
如图21所示，在本实施例的磁头300中，外轨道133包括一切去部分301。切去部分301沿介质110的旋转方向A的长度“X”要设定成当磁头300与介质110的表面成一倾斜角“θ”(例如，θ＝100μrad.)并在介质110的上方滑动时，使外轨道133的最低位置“P1”或“P2”比内轨道132的最低位置“P0”高出预定的高度(它例如等于10nm)。预定的高度略大于介质110的CSS区120的给定悬浮高度与介质110的数据区121的给定悬浮高度之差。
例如，假设倾斜角θ为100μrad.，内轨道132离开基准高度面134的实际悬浮高度为40nm，外轨道133离开基准高度面135的实际悬浮高度为40nm，则切去部分301的长度“X”由式子X＝10nm/sinθ确定，式中，外轨道133的最低位置“P1”或“P2”与内轨道132的最低位置“P0”之间的差值等于10nm。
在本实施例的磁头300中，如图21所示，外轨道133的切去部分301有40μm左右的深度。
图22A和图22B示出了本实施例的磁头300在存储介质110的上方的滑动情况。图22A是在从介质110的外侧向介质110的内侧沿介质110的径向“B”看去时，在介质110的上方滑动的磁头300的视图。图22B是在从磁头300的出口端面向磁头300的入口端面沿介质110的旋转方向“A”看去时，在介质110的上方滑动的磁头300的视图。
如上所述，在本实施例的磁头300中，内轨道132离开基准高度面134的高度“a”被设定成等于外轨道133离开基准高度面135的高度“b”。在外轨道133上形成切去部分301。如图22B所示，当磁头300在介质110的上方滑动时，磁头300基本上保持处于一水平的状态。
不过，在本实施例中，内轨道132在一距介质110较低的位置悬浮，而外轨道133则在一距介质110较高的位置悬浮。如图22A和图22B所示，外轨道133的最低位置总是比内轨道132的最低位置高出预定的高度(例如10nm左右)。将在外轨道133中的切去部分301的长度设定成使外轨道133的最低位置比内轨道132的最低位置高出预定的高度。该预定的高度略大于介质110的CSS区120的给定悬浮高度与介质110的数据区121的给定悬浮高度之间的差。
因此，在本实施例的磁头300中，内轨道132的ABS131和外轨道133的ABS131按不对称的构形设置，并且外轨道133在外轨道133的出气口端部有切去部分301，以致当磁头300存取数据区121的最靠近CSS区120的区域时，磁头平行于介质110的旋转方向“A”保持在一水平状态下，以避免与介质110接触。
因此，当磁头300的间隙137存取介质110的数据区121的最外区域时，外轨道133的最低位置略高于介质110的CSS区120的给定悬浮高度。这样本实施例的磁头300有可能在磁头300存取介质110的数据区121的最外区域时避免磁头300与介质110的CSS区120接触的问题。
图23示出了本实施例的磁头300在存取由存储介质110上的CSS区120限界的数据区121的最外区域时的滑动情况。
如图23所示，当磁头300在位于介质110上的数据区121与CSS区120之间的边界上方滑动时，将外轨道133的最低位置设定成比在磁头300底部上的内轨道132的最低位置高大约10nm。外轨道133的最低位置与内轨道132的最低位置之间的差值适当地与介质110的CSS区120的给定悬浮高度与介质110的数据区121的给定悬浮高度之差相等。因此，当磁头300在由介质110上的CSS区120限界的数据区121的最外区域上方滑动时，避免了磁头300与介质110的CSS区120接触的问题。
具体地说，在本实施例中，介质110的CSS区120的给定悬浮高度约为35nm，而磁头300的外轨道133的实际悬浮高度略大于CSS区120的给定悬浮高度。此外，在本实施例中，介质110的数据区121的给定悬浮高度约为25nm，而磁头300的内轨道132的实际悬浮高度略大于数据区121的给定悬浮高度。内轨道132的实际悬浮高度与数据区121的给定悬浮高度之差对磁头300的间隙137从介质110读取数据或向其写入数据是恰当的。这样本实施例的磁头300有可能以高的输出水平用介质110可靠地进行数据的读取或写入。
因此，在本实施例的磁头300中，当磁头存取由介质上的CSS区限界的数据区的最外区域时，可以高的输出水平用介质可靠地进行数据的读取或写入。
在用本实施例的磁头300存取存储介质110的磁盘设备中，有可能提供存储介质的加大的记录容量。
此外，本发明并不限于上述的实施例，在不脱离本发明的范围的前提下可以进行各种改变与改进。

Claims (24)

1.一种用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头，其中，存储介质有一数据区和一接触起停区，而且将接触起停区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度，上述磁头包括：
一第一空气支承面(131，132)，它设置在接触起停区(2)的附近并且在磁头(113，200，250)面对介质时沿介质(1)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区(3)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一第二空气支承面(131，133)，它设置成离开接触起停区(2)并在磁头面对介质(1)时平行于上述第一空气支承面延伸而且与后者隔开一段距离，上述第二空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据区(3)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮，
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，以致当磁头存取数据区(3)的与接触起停区(2)最靠近的区域时，磁头(113，200，250)绕一平行于介质(1)的旋转方向(A)的水平轴线保持处于一倾斜的状态，以避免与介质接触。
2.如权利要求1所述的磁头，其特征为，存储介质(1)有在介质的靠外位置的数据区(3)和在介质的靠内位置的接触起停区(2)而且磁头(113，200，250)有一其上设有第一空气支承面(131)的内轨道(132)和一其上设有第二空气支承面(131)的外轨道(133)。
3.如权利要求2所述的磁头，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一相对于基准高度面(134)的高度，它大于第二空气支承面(131，133)相对于基准高度面(135)的高度。
4.如权利要求3所述的磁头，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一设置在其上的层压层(DLC)，上述层压层有一基本上等于第一空气支承面(131，132)和第二空气支承面(131，133)之间的高度差的厚度。
5.如权利要求2所述的磁头，其特征为，内轨道(132)有一沿介质(1)的径向(B)的宽度，它大于外轨道(133)沿介质的径向的宽度，由此第一空气支承面(131，132)有一表面积大于第二空气支承面(131，133)的表面积。
6.如权利要求1所述的磁头，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一沿介质(1)的径向(B)的宽度，它大于第二空气支承面(131，133)沿介质的径向的宽度，由此第一空气支承面有一表面积大于第二空气支承面的表面积。
7.一种用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头，其中，存储介质有一在介质的靠外位置的数据区和一在介质的靠内位置的接触起停区，而且将接触起停区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度，上述磁头包括：
一内轨道(132)，在其上设置的一第一空气支承面(131)邻近接触起停区(2)并在磁头(300)面对介质时沿介质(1)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区(3)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一外轨道(133)，在其上设置的一第二空气支承面(131)离开接触起停区(2)并在磁头(300)面对介质(1)时与上述第一空气支承面隔开一段距离同时与之平行地延伸，上述第二空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据(3)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮，
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，内轨道(132)在内轨道的一出气口端部有一切去部分(301)，以致当磁头存取数据区(3)的与接触起停区(2)最靠近的区域时，磁头(300)保持在一平行于介质(1)的旋转方向(A)的水平状态下，以避免与介质接触。
8.如权利要求1所述的磁头，其特征为，存储介质(110)有在介质的靠内位置的数据区(121)和在介质的靠外位置的接触起停区(120)，而且磁头(113，200，250)有一其上设有第二空气支承面(131)的内轨道(132)和一其上设有第一空气支承面(131)的外轨道(133)。
9.如权利要求8所述的磁头，其特征为，第一空气支承面(131，133)有一相对于一基准高度面(135)的高度，它大于第二空气支承面(131，132)相对于基准高度面(134)的高度。
10.如权利要求9所述的磁头，其特征为，第一空气支承面(131，133)有一设置在其上的层压层(DLC)，上述层压层有一基本上等于第一空气支承面(131，133)和第二空气支承面(131，132)之间的高度差的厚度。
11.如权利要求8所述的磁头，其特征为，外轨道(133)有一沿介质(110)的径向(B)的宽度，它大于内轨道(132)沿介质的径向的宽度，以使第一空气支承面(131，133)有一表面积大于第二空气支承面(131，132)的表面积。
12.一种用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头，其中，存储介质有一在介质的靠内位置的数据区和一在介质的靠外位置的接触起停区，而且将接触起停区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度，上述磁头包括：
一内轨道(132)，在其上设置的一第一空气支承面(131)与接触起停区(120)隔开并在磁头(300)面对介质时沿介质(110)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区(121)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一外轨道(133)，在其上设置的一第二空气支承面(131)邻近接触起停区(120)并在磁头(300)面对介质时与上述第一空气支承面隔开一段距离同时与之平行地延伸，上述第二空气支承面在使介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据区(121)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮。
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，外轨道(133)在外轨道的出气口端部有一切去部分(301)，以致当磁头存取数据区(121)的与接触起停区(120)最靠近的区域时，磁头(300)保持在一平行于介质(110)的旋转方向(A)的水平状态下，以避免与介质接触。
13.一种具有一种用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头的磁盘设备，其中，存储介质有一数据区和一接触起停区，而且接触起停区的给定悬浮高度被设置成大于数据区的给定悬浮高度，磁头包括：
一第一空气支承面(131，133)，它设置在接触起停区(2)的附近并在磁头(113，200，250)面对介质时沿介质(1)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区(3)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一第二空气支承面(131，133)，它设置成离开接触起停区(2)并在磁头(113，200，250)面对介质(1)时平行于上述第一空气支承面延伸而且与之隔开一段距离，上述第二空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据区(3)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮，
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，以致当磁头存取数据区(3)的与接触起停区(2)最靠近的区域时，磁头(113，200，250)绕一平行于介质(1)的旋转方向(A)的水平轴线保持在一倾斜的状态下，以避免与介质接触。
14.如权利要求13所述的磁盘设备，其特征为，存储介质(1)有在介质的靠外位置的数据区(3)和在介质的靠内位置的接触起停区(2)，而且磁头(113，200，250)有一其上设有第一空气支承面(131)的内轨道(132)和一其上设有第二空气支承面(131)的外轨道(133)。
15.如权利要求14所述的磁盘设备，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一相对于一基准高度面(134)的高度，它大于第二空气支承面(131，133)相对于基准高度面(135)的高度。
16.如权利要求15所述的磁盘设备，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一设置在其上的层压层(DLC)，上述层压层有一基本上等于第一空气支承面(131，132)和第二空气支承面(131，133)之间的高度差的厚度。
17.如权利要求14所述的磁盘设备，其特征为，内轨道(132)有一沿介质(1)的径向(B)的宽度，它大于外轨道(133)沿介质的径向的宽度，以使第一空气支承面(131，132)有一表面积大于第二空气支承面(131，133)的表面积。
18.如权利要求13所述的磁盘设备，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一沿介质(1)的径向(B)的宽度，它大于第二空气支承面(131，133)沿介质的径向的宽度，以使第一空气支承面有一表面积大于第二空气支承面的表面积。
19.一种具有一用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头的磁盘设备，其中，存储介质有一在介质的靠外位置的数据区和一在介质的靠内位置的接触起停区，并且将接触起停区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度，上述磁头包括：
一内轨道(132)，在其上设置的一第一空气支承区(131)邻近接触起停区(2)并在磁头(300)面对介质时沿介质(1)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区(3)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一外轨道(133)，在其上设置的一第二空气支承面(131)离开接触起停区(2)并在磁头(300)面对介质(1)时与上述第一空气支承面隔开一段距离同时与之平行地延伸，上述第二空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据区(3)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮，
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，内轨道(132)在内轨道的一出气口端部有一切去部分(301)，以致当磁头存取数据区(3)的与接触起停区(2)最靠近的区域时，磁头(300)保持在一平行于介质(1)的旋转方向(A)的水平状态下，以避免与介质接触。
20.如权利要求13所述的磁盘设备，其特征为，存储介质(110)有在介质的靠内位置的数据区(121)和在介质的靠外位置的接触起停区(120)，而且磁头(113，200，250)有一其上设有第二空气支承面(131)的内轨道(132)和一其上设有第一空气支承面(131)的外轨道(133)。
21.如权利要求20所述的磁盘设备，其特征为，第一空气支承面(131，132)有一相对于一基准高度面(135)的高度，它大于第二空气支承面(131，133)相对于基准高度面(134)的高度。
22.如权利要求21所述的磁盘设备，其特征为，第一空气支承面(131，133)有一设置在其上的层压层(DLC)，上述层压层有一基本上等于第一空气支承面(131，133)和第二空气支承面(131，132)之间的高度差的厚度。
23.如权利要求20所述的磁盘设备，其特征为，外轨道(133)有一沿介质(110)的径向(B)的宽度，它大于内轨道(132)沿介质的径向的宽度，以使第一空气支承面(131，133)有一表面积大于第二空气支承面(131，133)的表面积。
24.一种具有一用于从一存储介质读取数据和/或向其写入数据的磁头的磁盘设备，其中，存储介质有一在介质的靠内位置的数据区和一在介质的靠外位置的接触起停区，并且将接触起停区的给定悬浮高度设置成大于数据区的给定悬浮高度，上述磁头包括：
一内轨道(132)，在其上设置的一第一空气支承面(131)离开接触起停区(120)并在磁头(300)面对介质时沿介质(110)的旋转方向(A)延伸，上述第一空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区(121)时以一超过接触起停区的给定悬浮高度的第一悬浮高度悬浮；和
一外轨道(133)，在其上设置的一第二空气支承面(131)邻近接触起停区(120)并在磁头(300)面对介质(110)时与上述第一空气支承面隔开一段距离同时与之平行地延伸，上述第二空气支承面在介质旋转并且磁头存取数据区时以一超过数据区(121)的给定悬浮高度的第二悬浮高度悬浮，
其中，第一和第二空气支承面(131，132，133)按不对称的构形设置，外轨道(133)在外轨道的一出气口端部有一切去部分(301)，以致当磁头存取数据区(121)的与接触起停区(120)最靠近的区域时，磁头(300)保持在一平行于介质(110)的旋转方向(A)的水平状态下，以避免与介质接触。
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