CN1196993A - 磁盘基片半成品及其制造方法与磨削加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供具有高精度的平面度及表面粗糙度、无凹坑等表面缺陷的、并能以低成本制成的磁盘基片半成品及其制造方法与磨削加工装置。将磨料固结而形成加工用平台2,将工作平台6的旋转中心P配置于加工用平台2的圆周上,使加工用平台2与工作平台6二者相对滑动以进行磨削加工,该相对滑动使加工用平台2的与工作平台6上的磁盘基片30接触的接触部分20的轨迹保持一定。

Description

磁盘基片半成品及其制造方法 与磨削加工装置

本发明属于具有高精度的平面度与表面粗糙度、不存在凹坑等缺陷的磁盘基片半成品，特别是能够容易地且廉价地制造出下述基片的磁盘基片半成品及其制造方法与磨削加工装置，即用于硬盘的晶化玻璃基片或玻璃基片或者是陶瓷基片等无机材质基片。

目前，硬盘中所使用的磁盘基片，有在铝材基片上镀了Ni-P(镍-磷)的铝基片和由晶化玻璃或玻璃(包括钢化玻璃)制成的玻璃基片，铝基片用于直径为5.25英寸和3.5英寸这类较大的硬盘上，而玻璃基片用于直径为2.5英寸以下的小型硬盘上。

对硬盘用基片提出的性能要求有抗冲击性(硬度)、刚性(杨式模量)等，在这方面，尽管玻璃基片优于铝基片，并能获得良好的表面粗糙度，但由于制造过程中加工时间长而使制造成本增加，并且玻璃基片随其大型化制造成本有增大趋向，因此，玻璃基片仅限于作为必须具备抗冲击性的便携式个人电脑中安装的小型硬盘用基片使用。

硬盘中所使用的玻璃基片，对其表面特性的要求是具有高的平面度与表面粗糙度以及不存在凹坑等表面缺陷，为达到这样的特性要求，目前在制造玻璃基片时，是对玻璃基片材料进行磨削加工，所获得的玻璃基片半成品一般来说平面度和表面粗糙度不能充分满足特性要求，故进而进行对该玻璃基片半成品的抛光加工工序。

作为制造该玻璃基片的最终精加工工序的抛光加工这样进行，即将玻璃基片半成品夹在上下平台之间，在平台的抛光面(与玻璃基片半成品接触的面)上贴上聚氨酯或起毛皮革等制成的研磨布，以微细的氧化铈(CeO₂)磨料作为游离磨料，在供给加工液的同时使上下平台向彼此相反的方向旋转，从而对玻璃基片表面进行抛光。

即可以说，抛光工序是对前一道磨削加工工序所产生的微小的凹凸进行修正以获得光滑的良好的表面粗糙度这样一道工序。因此，在磨削加工中所形成的平面度将原样带到抛光加工工序中，而要以抛光加工来修正平面度实质上(从生产效率的角度)是不可能的。因此，要制造出具有很高的平面度的玻璃基片，则必须在磨削工序中就形成很高的平面度。

再有，磨削加工后的玻璃基片半成品的表面状况越好，抛光加工工序所承受的负荷越轻。即，可使抛光加工所需要的时间缩短而提高生产效率，并且，可减少磨料的消耗量，其结果，可降低玻璃基片的制造成本。也就是说，在玻璃基片的制造上，如何制造出平面度良好、表面缺陷较少的玻璃基片半成品，换言之，开发出可制造出平面度良好的、不易产生表面缺陷的玻璃基片坯料磨削加工方法是很重要的。

目前，作为以这种玻璃基片半成品为主的、由无机材质构成的磁盘基片半成品的制造方法，即磁盘基片坯料的磨削加工方法，有利用磁盘基片的构成材料所产生的微小破坏的范畴和利用其微小塑性变形的范畴。前者用于希望加工去除量较大的场合，以采用游离磨料进行的研磨加工为其典型例子；而后者用于希望获得较高表面精度的场合，其典型的方法可例举出以固结磨具(砂轮)进行的磨削加工。

这种研磨加工是磨削磁盘基片坯料的一般性方法，在多数场合下，分为一次研磨(粗研)加工工序与接下来的二次研磨(精研)加工工序。无论粗研还是精研，均将嵌入有磁盘基片坯料的载体(一般为树脂制成的磁盘基片坯料的夹持板)装在铁制的上下研磨平台之间，将磁盘基片坯料从两个平面压住，向二者之间供给诸如GC(SiC)等游离磨料与加工液的同时，使上下研磨平台向彼此相反的方向旋转，边从磁盘基片坯料的表面清除切屑和碎片边对磁盘基片的两面同时进行研磨，其特点是可获得很高的平面度与加工精度，而且加工效率高。

然而，研磨加工是通过磁盘基片坯料与磨料的撞击(滑动)，使磁盘基片坯料表面产生微小的脆性破坏，从而靠这种破坏来磨削磁盘基片坯料的表面的，而靠这种脆性破坏而得到的磁盘基片半成品的表面会产生加工变形。

其中，当在磁盘基片半成品的表面上残留有不等量的加工变形时，磁盘基片半成品将产生翘曲而不能获得良好的平面度，但可以通过对磁盘基片坯料的正反各平面同时进行加工而使磁盘基片半成品所产生的加工变形在正反各平面上均匀分布并大致为等量。这样，便可通过研磨加工而获得几乎无翘曲的、具有高的平面度的磁盘基片，因此，研磨加工作为制造硬盘用磁盘基片半成品的方法得到广泛采用。

然而，在研磨加工中，由于长时间工作而会使研磨面产生偏磨损，若不注意对研磨平板的研磨面的管理，则会使磁盘基片半成品产生塑性变形而不能获得如上所述的良好的平面度。再有，研磨加工存在这样的缺点，即因属于脆性破坏加工而不可避免地会产生称之为划伤的凹坑。

所谓凹坑是在研磨加工过程中，可认为是由于较大的磨料(二次粒子)在磁盘基片坯料表面滚动而产生的微小的凹陷，其深度一般可达20～30μm。因此，必须在下一道工序的抛光加工工序中将该凹坑除去，而要对磁盘基片半成品的两面进行抛光加工，通常需要40～60分钟的加工时间。该加工时间约为铝基片制造工序中的抛光加工时间的8倍～10倍，该加工时间的漫长是导致磁盘基片成本上升的重要原因之一。

作为抑制上述研磨加工中研磨平台偏磨损的方法，虽已开发出了金刚石粉粒平台，但并未解决产生凹坑的问题。因此，在下一道工序的抛光加工中，为除去凹坑，必须对磁盘基片半成品表面的两个面最少也要磨削30～40μm，从成本上说，与采用研磨加工工序的情况相同。

与之相对应地，有一种磨削加工是这样一种加工方法，即使得将金刚石、CBN、GC之类的磨料以金属、树脂、玻璃等进行固定而形成的所谓固结磨具高速旋转，从而对磁盘基片坯料表面进行磨削的方法。这种磨削加工几乎不产生凹坑，即使产生其深度也极浅，因此，在抛光工序中除去残留在磁盘基片半成品平面上的凹凸缺陷所需要的时间可大幅度缩短。

但是，这种磨削加工在持续进行加工后，磨料尖端会变钝而无法进行磨削，故需要定期加以修整。再有，由于必须对磁盘基片坯料正反各面一面一面地进行加工，因此在磁盘基片坯料正反各面产生的加工变形的量值或分布不能均匀，故存在着磁盘基片半成品产生不规则的翘曲和扭曲而平面度降低的缺点。

这种翘曲和扭曲如前所述，在抛光加工工序中是无法去除或修正的，因此，这种磨削加工方法迄今为止未被作为硬盘用磁盘基片半成品的制造方法而加以采用。

本发明是鉴于现有技术存在的上述问题而开发出来的，发明人在对磁盘基片坯料的一个磨削面进行加工的工序中组合了脆性破坏加工机理和塑性变形加工机理，对在第一磨削工序中实施脆性破坏加工、在接下来的第二磨削工序及清磨(平坦化)加工中实施塑性变形加工的手段进行研究以解决上述问题，并完成了本发明。

本发明的目的在于提供这样的磁盘基片半成品制造方法与磨削加工装置，该制造方法与磨削加工装置可提供抛光加工时的负荷较小的、平面度良好且表面凹凸部分高低之差较小的磁盘基片半成品，通过使磁盘基片坯料表面上的磨削阻力和固结磨料的轨迹保持一定，从而不仅能防止磨削加工时产生微小的凹坑、防止被磨削件产生不规则的翘曲、使磁盘基片坯料保持良好的平面度，而且有助于提高加工精度、加工效率及降低成本。

即，按照本发明，可提供具有如下特征的磁盘基片半成品：两个表面以磨具进行磨削加工，各平面的平面度为10μm以下，并且，经该磨削加工而产生的凹凸部分高低之差为5μm以下。另外，在该磁盘基片半成品的各平面上所形成的磨削加工的轨迹最好为自中心部位指向外周方向的放射状曲线。

另外，按照本发明，可提供具有如下特征的磁盘基片半成品的制造方法：对作为工件的磁盘基片坯料的两个平面分别一面一面地顺序进行磨削加工，使残留于各磨削面上的加工变形大致相等，从而使得经过该磨削加工后的磁盘基片半成品的平面度保持在10μm以下。

这里，作为本发明的磁盘基片半成品的制造方法，当对磁盘基片坯料的各平面以旋转的磨具进行磨削时，在其磨削量占既定磨削量之大部分的第一磨削阶段中，其加工条件最好能使形成该磨具的磨料破碎或自该磨具上脱落。另外，在将磁盘基片坯料固定在工作台上，使工作台与磨具均旋转地对磁盘基片坯料的各平面进行磨削加工的第一磨削阶段中，最好使该工作台的转速在该磨具转速的60～80％或20～40％的范围内。

再有，在第一磨削阶段的磨削加工之后进行的第二磨削阶段的磨削加工中，其加工条件最好能使形成磨具的磨料既不产生实质性的破碎也不产生实质性的脱落。另外，当磁盘基片坯料各平面的平面度为10μm以下时，本发明制造方法更具效果，故作为磁盘基片坯料，从加工机理上说，最好为无机材质基片、特别是玻璃基片或晶化玻璃基片。

本发明还提供这样的磁盘基片坯料磨削加工装置，即：将作为被加工物的磁盘基片坯料放置并固定在工作平台上，使由磨料固结而形成的加工用杯形磨具与该工作平台二者相对滑动，从而对该磁盘基片坯料的各平面进行磨削加工的磁盘基片坯料磨削加工装置，其特征是，该工作平台的旋转中心配置于该加工用杯形磨具的圆周上，具有使该杯形磨具与该工作平台如下所述地进行相对滑动的滑动驱动控制机构，即使得该工作平台上的该磁盘基片坯料上与该加工用杯形磨具相接触的部分的轨迹一定。

作为以本磁盘基片坯料磨削加工装置加工的磁盘基片坯料最好是玻璃或晶化玻璃，而磨具所采用的磨料最好是金刚石、CBN、陶瓷中的某一种。

图1是本发明的磁盘基片磨削加工装置一个例子的示意剖视图。

图2是本发明的磁盘基片磨削加工装置一个例子的示意主视图。

图3是本发明的磁盘基片磨削加工装置另一个例子的示意主视图。

图4是本发明磁盘基片制造方法的加工用杯形磨具与工作平台(磁盘基片)的位置关系图，(a)是示意说明图，(b)示出加工用杯形磨具在磁盘基片上形成的磨削面的轨迹图。

根据本发明的磁盘基片半成品，由于平面度良好且表面凹凸部分的高低之差小，故可使抛光工序的负荷小，因而能够降低磁盘基片的制造成本。另外，根据本发明提供的磁盘基片半成品制造方法，在进行磨削加工时不会使磁盘基片坯料产生凹坑和不规则翘曲，可使磨削工件保持良好的平面度，不仅如此，还有助于提高磁盘基片半成品的加工精度与加工效率、降低其成本。

下面，结合附图对本发明的实施形式进行说明，但本发明并不限定于这些实施形式。

首先，本发明的磁盘基片半成品制造方法是这样一种方法，即：将磨料固结化而形成加工用杯形磨具，将工作平台的旋转中心配置在加工用杯形磨具的圆周上，使加工用杯形磨具与该工作平台如下所述地相对滑动，即加工用杯形磨具与工作平台上的磁盘基片坯料相接触部分的轨迹是一定的，并且顺序连续地进行脆性破坏磨削加工与塑性变形磨削加工，使得磁盘基片半成品的正面与反面形成的加工变形的大小大致相同。

图1是适宜用来制作本发明的磁盘基片半成品的磁盘基片坯料磨削加工装置之一例的示意剖视图，图2是图1的示意主视图。而图3是本发明的磁盘基片坯料磨削加工装置之另一例的示意主视图。如图1～3所示，本发明的磁盘基片坯料30的磨削加工装置，其圆盘状工作平台6的旋转中心P被配置在圆盘状加工用杯形磨具2的圆周上。

对工作平台6的数目虽未作特别的限定，但考虑到各个工作平台6需要连动以及作为被磨削工件的磁盘基片坯料30的大小等因素，最好选定为多个。另外，将磁盘基片坯料30通过石蜡固定或真空吸盘等方法放置在工作平台6上，使工作平台6的旋转中心P与磁盘基片坯料30的中心Q一致。

由于加工用杯形磨具2受与电机(图未示出)相连接的旋转轴4的驱动而旋转，同时由电机12经皮带轮10(V型传动带)驱动工作平台6的各个旋转轴8连动地旋转，另外，由于通过滑动驱动控制机构(图未示出)边对加工用杯形磨具2与工作平台6二者的间隔及加工用杯形磨具2与工作平台6的各自的转速分别进行控制边使之相对滑动，从而使得作为与工作平台6上的磁盘基片坯料30相接触的、加工用杯形磨具2的接触部分的磨削面20(接触圆弧d-d’)，将以工作平台6的旋转中心P为轴而描绘出一定的、如图4所示自中心指向外周的放射状曲线轨迹40。

于是，与现有的采用杯形磨具的公转式旋转平面磨削方法相比，由于能够使磨削阻力和与工作平台上的磁盘基片坯料30相接触的、加工用杯形磨具之磨削面的轨迹保持一定，故既使是对磁盘基片坯料的单面分别进行磨削，仍可利用脆性破坏为主的磨削机理而与前述研磨加工同样地使磁盘基片坯料30的各面上所产生的加工变形大致均等，其结果，可防止所获得的磁盘基片半成品产生不规则翘曲，保持良好的平面度。

在这里，为了实现以上述的脆性破坏为主，需要这样设置加工条件，即使得形成磨削加工用的磨具的磨料破碎或脱落。为此，在本发明中，是使其上表面上固定有磁盘基片坯料30的可旋转的工作平台6和以磨料固结而成的加工用杯形磨具2二者同时旋转而进行磨削加工的，但此时，最好将工作平台6的转速保持在加工用杯形磨具2的转速的20％～40％或60％～80％范围内。这样一来，即可实现以脆性破坏为主的磨削机理。

作为实现该脆性破坏的条件，还需要考虑加工用杯形磨具2的向磁盘基片坯料30的方向送进的速度，但该送进速度在工作平台6的转速范围内容易达到所需条件。

就上述磨削方法而言，由于单位时间的磨削面较小，故可使磨削阻力较小，不仅可以抑制磨削热量的产生，而且还能对磁盘基片坯料30进行高速磨削加工。但是，对于这种以脆性破坏为主的磨削方法而言，虽然能获得极高的平面度，但若只靠脆性破坏加工，会使磨削面凹凸部分的高低之差最大可达到8μm左右，因此，作为进一步减小凹凸部分高低之差的改善措施，最好继该脆性破坏加工后增加靠塑性变形进行的加工。

在这里，当在磨削工序中产生塑性变形时，会使加工变形显著增大，故为抑制该加工变形的产生，最好将靠塑性变形的磨削量最多控制在5μm以下。此时，作为防止因该塑性变形加工引起磁盘基片坯料30的平面度降低的方法，最好使得留在所获得的磁盘基片半成品磨削加工面上的磨削轨迹如图4(b)所示，为自中心向外周方向扩展的放射状曲线。

另外，在磨削加工工序中，为了做到以塑性加工为主，可通过降低加工用杯形磨具2的送进速度来实现；通过将上述脆性破坏加工与塑性变形加工二者相组合，即可获得高的平面度且将凹凸部分高低之差抑制在5μm以下。即，按照本发明的磁盘基片配料30的磨削加工装置，首先切实地进行脆性破坏磨削加工，从而能够抑制加工用杯形磨具2的磨具气孔堵塞，能够使继后的塑性变形磨削加工高效率地进行。

作为本发明磨削加工装置的滑动驱动控制机构(图未示出)，最好能够进行对加工用磨具与工作平台二者的间隔和加工用磨具与工作平台的转速等进行检测，并将该检测结果向滑动驱动单元(图未示出)反馈的闭环控制。

另一方面，出于在工作平台上吸持的状态和磨削热量等原因而残留在磁盘基片半成品上的变形对加工精度会产生很大影响，因此，要获得片厚与翘曲一定且高精度平面度的磁盘基片半成品，需要对磁盘基片坯料设置状态的管理和消除磨削热量的方法予以充分的注意。

为此，通常，磨削加工以湿方式进行，安装有向磨削部位供给磨削液的喷嘴及循环泵等设备。而磨削液因形成加工用磨具的磨料的种类不同而异，例如，对于金刚石磨具和陶瓷磨具，最好为冷却性良好的水溶性磨削液，对于CBN磨具，以非水溶性磨削液为宜。

在这里，由于本发明所使用的加工用杯形磨具要对较之切线磨削阻力其法线磨削阻力要大得多的磁盘基片坯料高精度地进行磨削，故以具有高刚性为宜。为此，形成加工用杯形磨具的磨料，以金刚石、CBN、陶瓷中的某一种为宜，最好采用陶瓷与金刚石二者。另外，作为本发明所使用的加工用杯形磨具，为易于排除切屑和向磨削点供给磨削液，最好为多孔性、粉粒体或弓形体中的一种。

这样一来，用本发明的磨削加工装置制作的、表面具有放射状曲线40之磨削轨迹的磁盘基片半成品，可防止在切削面上产生凹坑，凹凸部分高低之差较浅而为约5μm以下，因此，可将下道工序的抛光加工的磨削量抑制在两面10μm的程度。

因此，可减少抛光加工工序的磨削量，从而，能够保持磁盘基片半成品平面度不改变地、不会导致产生碾压和划痕而廉价地进行抛光加工。这样，磨削加工后的例如由玻璃或晶化玻璃构成的磁盘基片半成品便可适宜作为硬盘用的直径3英寸以上的磁盘基片前驱体而使用。

下面，结合实施例对本发明作进一步详细的说明，当然，这些实施例并不对本发明构成限定。

作为被磨削工件的磁盘基片坯料，将环形玻璃基片(直径65mm、片厚0.83mm)在750℃下热处理2小时，使用经该热处理而结晶的晶化玻璃基片坯料，以图2所示形式的本发明之磁盘基片半成品制造方法(以下称“自转式旋转平磨”)(实施例1、2)、使用固结磨料的研磨加工方法(别名粉粒体磨削)(比较例1)、使用游离磨料的研磨加工方法(别名GC研磨)(比较例2)，在表1所示磨削加工条件下进行了磨削加工。

表1

		实施例1	实施例2	比较例1	比较例2
						设备		自转式旋转平磨		粉粒体磨削	研磨
加工条件	磨料粒度	#400	#600	#1500	#1200
						磨具或平台转速	3000r.p.m	3000r.p.m	25r.p.m	13r.p.m
	工作平台转速	2000r.p.m	2000r.p.m	60r.p.m	40r.p.m
						第一磨削速度	150μm/min	150μm/min	30μm/min	8μm/min
	第二磨削速度	30μm/min	30μm/min	/	/
						防止产生凹坑的效果		○	○	×	×
防翘曲效果		○	○	○	○

    (注)○：防止效果良好      ×：防止效果不良

然后，对以各种方法进行磨削加工后所得到的玻璃基片半成品，使用氧化铈磨料进行了抛光(镜面磨削)加工。为完全除去此时的玻璃基片半成品的表面缺陷所需要的磨削量如表2所示。

表2

	平面度(μm/65mmφ)[正/反]			抛光时的磨削量
					磨削加工前	磨削加工后	抛光加工后
	实施例1	4.0/2.6	3.7/2.7					3.3./2.4	10～15μm
实施例2				2.3/2.8	2.1/2.6	2.4./2.7	8～10μm
	比较例1	3.4/3.1	3.6/3.3					3.1/2.8	30～35μm
比较例2				2.6/2.8	2.5/2.6	2.4/2.3	40～50μm

磨削加工前后所获得的玻璃基片半成品的平面度及磨削面的状态(凹坑及翘曲之产生的有无)一并列于表1。由表1的结果可知，现有的使用金刚石粉粒平台的磨削加工方法(比较例1)及使用游离磨料的研磨加工方法(比较例2)，尽管能够防止产生翘曲，但不能够防止凹坑的产生；与之相比，采用作为本发明磁盘基片制造方法的自转式旋转平磨(实施例1、2)时，能够同时防止进行磨削加工时所生成的凹坑及翘曲的产生。

另外，由表2可知，实施例1、2及比较例1、2的所有方法其磨削加工后的平面度均被抑制在4μm以下。对硬盘用磁盘基片提出的质量要求有例如平面度(翘曲)为5μm以下这样一项，因此，这些磨削加工方法从平面度的角度来说，可以说获得了良好的结果。

因此，可望获得顺应了磁盘基片大型化与降低成本的要求而极力减小了抛光加工中的加工量的磁盘基片半成品，但从表2可知，与实施例1、2因不产生凹坑而可将抛光加工需要磨削的磨削量抑制在8～15μm相比，比较例1、2因要除去所产生的凹坑而需要磨削30～50μm的磨削量。所以，可以说，按照本发明的自转式旋转平磨是使加在抛光加工工序的负荷为最小的优秀的磨削方法。

其次，作为图2所示形式的本发明的磁盘基片制造方法，改变加工用杯形磨具和工作平台的转速比而对与上述实施例1等中所使用者相同的晶化玻璃基片坯料进行磨削加工。其结果示于表3。

表3

工作台转速百分比	～20	20～40	40～60	60～80	80～
						脆性破坏加工	×	○	△	○	○
塑性变形加工	○	○	△	○	×

(注)工作台转速百分比＝工作台转速/杯形磨具转速×100

    ○：可良好地进行加工的领域

    △：因磨具种类不同，使得某一方的条件虽可设定但不能使二者均满足的领域

    ×：加工困难的领域

由表3所示可知，在工作台转速百分比(＝工作台转速/加工用杯形磨具转速×100)为20～40％或60～80％的条件下，可使脆性破坏加工与塑性变形加工连续地反复进行，是达到最佳加工精度的条件。

如以上所说明的，根据本发明的磁盘基片半成品，因下道工序的磨削量小而能够大幅度缩短磨削处理所需要的时间，故对实现磁盘基片低成本化具有很好的效果。另外，能够廉价地提供以往未能提供的2.5英寸超大型基片。再有，根据本发明的磁盘基片半成品的制造方法与磨削加工装置，可使相对于作为被磨削工件的磁盘基片坯料的表面的磨削阻力和固结磨料的轨迹保持一定，从而能够防止磨削加工时产生凹坑及不规则翘曲，故可获得保持良好平面度的磁盘基片半成品，并具有可提高加工精度、加工效率及降低加工成本的很好的效果。另外，因可由此而减少磁盘基片半成品在抛光工序中的磨削量，故减轻了抛光工序的负荷，可使成本降低，其结果，可谋求磁盘基片低价格化。

Claims (12)

1.一种磁盘基片半成品，其特征是：两表面以磨具进行磨削加工，各平面的平面度为10μm以下，并且，经该磨削加工而产生的凹凸部分的高低之差为5μm以下。

2.如权利要求1的磁盘基片半成品，其特征是：所说磁盘基片半成品的各平面上所形成的所说磨削加工的轨迹为自所说各平面的中心指向外周方向的放射状曲线。

3.一种磁盘基片半成品的制造方法，其特征在于：对作为被加工件的磁盘基片坯料的两个平面一个平面一个平面地按顺序分别进行单面磨削加工，使残留在各磨削面上的加工变形大致为等量，从而使得所说磨削加工之后的磁盘基片半成品的平面度维持在10μm以下。

4.如权利要求3的磁盘基片半成品制造方法，其特征在于：对所说磁盘基片坯料的各平面以旋转的磨具进行磨削时，在其磨削量占既定磨削量之大部的第一磨削阶段，将加工条件设定为可使形成所说磨具的磨料破碎或自该磨具脱落。

5.如权利要求3或4的磁盘基片半成品制造方法，其特征在于：在将所说磁盘基片坯料固定在工作台上、使所说工作台与所说磨具二者一同旋转而对所说磁盘基片坯料的各平面进行磨削加工的所说第一磨削阶段中，所说工作台的转速在所说磨具转速的60～80％或20～40％的范围内。

6.如权利要求3～5之一的磁盘基片半成品制造方法，其特征在于：在所说第一磨削阶段的磨削加工之后进行的第二磨削阶段的磨削加工中，将加工条件设定为可使形成磨具的磨料不产生实质上的破碎或实质上的脱落。

7.如权利要求3～6之一的磁盘基片半成品的制造方法，其特征在于：所说磁盘基片坯料的各平面的平面度为10μm以下。

8.如权利要求3～7之一的磁盘基片半成品制造方法，其特征在于：所说磁盘基片坯料为无机材质基片。

9.如权利要求8的磁盘基片半成品制造方法，其特征在于：所说无机材质基片为玻璃基片或晶化玻璃基片。

10.一种磁盘基片坯料的磨削加工装置，将作为被加工件的磁盘基片坯料放置并固定在工作平台上，使由磨料固结而形成的加工用杯形磨具与所说工作平台二者相对滑动以对所说磁盘基片坯料的各平面进行磨削加工；其特征在于：

所说工作平台的旋转中心配置在所说加工用杯形磨具的圆周上；

具有使所说杯形磨具与所说工作平台二者相对滑动的滑动驱动控制机构，该相对滑动使得所说工作平台上的所说磁盘基片坯料的与所说加工用杯形磨具的接触部分之轨迹一定。

11.如权利要求10的磁盘基片坯料磨削加工装置，其特征在于：所说磁盘基片坯料为玻璃或晶化玻璃。

12.如权利要求10或11的磁盘基片坯料磨削加工装置，其特征在于：所说磨料是金刚石、CBN、陶瓷中的某一种。

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