CN118510163A - 一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明适用于厚铜板制作技术领域，提供了一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，包括以下步骤：步骤1、前处理；步骤2、第一次图形转移：一次贴膜、一次图形转移、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；步骤3、第二次图形转移：二次贴膜、二次图形转移、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；步骤4、后工序。本发明通过酸蚀小间距开窗，碱蚀时用电锡对小间距位置保护，并同时蚀刻出其他位置线路的办法，可以把最小间距能力缩小到10mil，能够大大提高厚铜精细线路的蚀刻能力。

Description

一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法

技术领域

本发明属于厚铜板制作技术领域，尤其涉及一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法。

背景技术

厚铜板广泛用于功放、充电、逆变器、车灯等大电流、高电压产品上；其看似一个图形简单，但制作难度极大的产品，保证良好的蚀刻加工性，压合填充和可靠性，钻孔的机械磨损以及阻焊加工的油墨量控制等超难点与传统PCB制程有较大差异；在蚀刻方面，传统工艺都是在铜面上贴干膜，通过曝光显影实现图形转移，进一步通过药水与裸露出的铜反应掉。而考虑干膜与余下铜面结合力，蚀刻喷淋压力一般小于3.5kgf，传统产线的长度不足一般通过蚀刻2次或更多次蚀刻来减少水池效应，即便如此，蚀刻对间距大小有严格要求，其中，6oz铜厚电镀板（是一种具有特定厚度铜层的电路板，适用于高功率电子设备，如大功率放大器、变频器和电源模块等，能够满足这些设备对电流承载能力和散热性能的高要求）的图形线路IC PAD位置的间距要≥20mil，才能保证成品的IC顶部位置满足规格。

目前6oz厚铜电镀板采用传统酸蚀或者碱蚀工艺，在蚀刻制作时，在纵向蚀刻的同时，侧面也会同步咬蚀，铜厚度越大，制作图形蚀刻，其侧边蚀刻量也越大，其制作精细图形的难度越大。传统蚀刻能力来看，6oz厚铜线路板上贴件IC PAD最小间距能力只能做到20mil。

而IC位置的焊盘尺寸取决于芯片引脚；厚铜板的开发主要考虑载流能力，芯片的集成化需要更小的间距，自然催生了小间距IC厚铜技术，一种10mil小间距IC厚铜制作技术需求出现了。因此，针对以上现状，迫切需要开发一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，以克服当前实际应用中的不足。

发明内容

本发明的目的在于提供一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，旨在解决上述背景技术中提到的问题。

本发明是这样实现的，一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、前处理；

步骤2、第一次图形转移

一次贴膜、一次图形转移、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；

步骤3、第二次图形转移

二次贴膜、二次图形转移、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；

步骤4、后工序。

进一步的技术方案，在步骤1中，前处理包括有钻孔。

进一步的技术方案，在步骤2中，第一次图形转移采用负片流程酸性蚀刻，资料把最小间距位置开窗设为2mil，其他位置全部干膜保护。

进一步的技术方案，酸性蚀刻采用蚀刻线速2m/min的参数蚀刻，正反面放置蚀刻两次，保证开窗顶部间距在11±1mil内，底部间距≥6mil。

进一步的技术方案，在步骤3中，第二次图形转移采用正片碱性蚀刻制作，工程资料最小间距位置开干膜通窗，其他位置按照正常的正片资料制作图形。

进一步的技术方案，图形电镀为镀0.5oz铜厚。

进一步的技术方案，碱性蚀刻采用蚀刻线速6m/min的参数蚀刻。

本发明提供的一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，具有以下有益效果：

本发明主要通过负片预蚀刻出10mil小间距+正片图形电镀电锡保护好小间距位置+碱性蚀刻出普通图形线路的方法，制作出6oz铜厚10mil小间距产品，即通过酸蚀小间距开窗，碱蚀时用电锡对小间距位置保护，并同时蚀刻出其他位置线路的办法，可以把最小间距能力缩小到10mil，能够大大提高厚铜精细线路的蚀刻能力。

附图说明

图1为本发明实施例提供的6oz厚铜板小间距图形的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。

如图1所示，为本发明一个实施例提供的一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、前处理（含钻孔）；

步骤2、第一次图形转移

一次贴膜、一次图形转移（曝光1）、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；

步骤3、第二次图形转移

二次贴膜、二次图形转移（曝光2）、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；

步骤4、后工序。

其中，第一次图形转移采用负片流程酸性蚀刻，资料把最小间距位置开窗设为2mil，其他位置全部干膜保护。

在铜厚为5.5oz的PCB板边上贴干膜，通过图形转移把上第一次图形转移资料通过曝光、显影，使得该间距2mil宽位置的干膜被显影冲掉，然后进行第一次酸性蚀刻，采用蚀刻线速2m/min的参数蚀刻，正反面放置蚀刻两次，保证开窗顶部间距在11±1mil内，底部间距≥6mil，然后退膜。

第二次图形转移采用正片碱性蚀刻制作，工程资料最小间距位置开干膜通窗，其他位置按照正常的正片资料制作图形。

图形转移先贴好碱蚀干膜，小间距位置干膜开通窗，露出铜面。再进行图形电镀，镀0.5oz铜厚，然后镀锡对露出铜面部分进行保护，包括一次蚀刻中小间距的位置，下一步退干膜，对没有锡保护的部分进行碱性蚀刻，蚀刻参数采用6m/min线速参数，最后进行退锡制作，小间距PAD位置和其他图形位置保护的锡退掉。然后便得到厚铜小间距的图形线路板，再正常进行后工序制作。

现有的技术，用传统一次蚀刻如方案一所示，通过干膜、曝光显影，保留最小的解析度2mil的显影空间，即干膜尺寸较IC焊盘10mil单边加大4mil，把铜蚀刻干净露出完整的图案，蚀刻后IC顶部大小仅4mil左右。远超出要求的10mil标规±20%的公差范围。

为了解决6oz小间距IC引脚的厚铜PCB制作技术，其中IC针对外层6oz需要走两次图形转移制作。第一次走负片流程，把最小间距位置蚀刻开来：通过在6oz的基铜表面，先贴一次干膜，仅在最小间距的IC位置曝光显影出2mil的干膜间隙，再通过正常的3.5oz铜厚蚀刻参数蚀刻两次，保证蚀刻完成后IC位置顶部间距在11±1mil以内。第二次图形转移走正片碱蚀流程，最小间距位置开干膜通窗，电锡过程中上锡对IC小间距进行保护，其他位置按照正常的正片资料制作，然后退掉干膜，通过碱性蚀刻出其他位置的图形线路，再一起退锡。即可得到小间距IC的线路板产品。

本发明上述实施例中提供了一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，主要通过负片预蚀刻出10mil小间距+正片图形电镀电锡保护好小间距位置+碱性蚀刻出普通图形线路的方法，制作出6oz铜厚10mil小间距产品，即通过酸蚀小间距开窗，碱蚀时用电锡对小间距位置保护，并同时蚀刻出其他位置线路的办法，可以把最小间距能力缩小到10mil，能够大大提高厚铜精细线路的蚀刻能力。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、前处理；

步骤2、第一次图形转移

一次贴膜、一次图形转移、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；

步骤3、第二次图形转移

二次贴膜、二次图形转移、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；

步骤4、后工序。

2.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤1中，前处理包括有钻孔。

3.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤2中，第一次图形转移采用负片流程酸性蚀刻，资料把最小间距位置开窗设为2mil，其他位置全部干膜保护。

4.根据权利要求3所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，酸性蚀刻采用蚀刻线速2m/min的参数蚀刻，正反面放置蚀刻两次，保证开窗顶部间距在11±1mil内，底部间距≥6mil。

5.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤3中，第二次图形转移采用正片碱性蚀刻制作，工程资料最小间距位置开干膜通窗，其他位置按照正常的正片资料制作图形。

6.根据权利要求5所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，图形电镀为镀0.5oz铜厚。

7.根据权利要求5所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，碱性蚀刻采用蚀刻线速6m/min的参数蚀刻。