CN118335689A - 一种晶圆切割方法及晶圆产品 - Google Patents
一种晶圆切割方法及晶圆产品 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118335689A CN118335689A CN202410354324.9A CN202410354324A CN118335689A CN 118335689 A CN118335689 A CN 118335689A CN 202410354324 A CN202410354324 A CN 202410354324A CN 118335689 A CN118335689 A CN 118335689A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- protective film
- thickness
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 title claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明涉及集成电路制造领域，具体提供了一种晶圆切割方法，包括以下步骤：在晶圆的正面贴附保护膜；在所述晶圆的背面沿切割通道切割浅槽；在所述晶圆背面贴附保护膜；从所述晶圆正面对准所述浅槽进行晶圆切割。本发明提出晶圆切割方法利用背面切割浅槽，浅槽底部R角和侧壁共通起到支撑和防止崩裂扩大的作用；进而正面进行晶圆切割时，既保证表面切崩合格，又能对切割产生的晶圆背面基材崩角、崩裂有较好的抑制改善作用，提高产品切割质量。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种晶圆切割方法及晶圆产品。
背景技术
晶体晶圆具有优良的电光、压、电、热释电性能，电子工业中广泛用于制作滤波器和谐振器器件，但材质较硬且脆，晶圆切割时，底部与胶膜接触处易发生较大切崩及隐裂现象。现有主流晶圆切割技术有两种，现有技术1的方案为：如图2所示，晶圆的背面贴附UV膜后，使用单一刀片从晶圆正面将其切透，分割成单个晶粒。此方案晶圆的背面基材崩角、崩裂较大。现有技术2的方案为：如图3所示，晶圆的背面贴附UV膜后，使用两把刀片，从晶圆的正面切割，第1把刀开槽，第2把刀再从开槽底部切透，分割成单个晶粒。此方案对产生的晶圆背面基材崩角、崩裂的改善有限。
基于这一技术背景，本发明研究了一种晶圆切割方法及晶圆产品。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提出一种晶圆切割方法及晶圆产品，该方法利用背面切割浅槽，浅槽底部R角和侧壁共通起到支撑和防止崩裂扩大的作用；进而正面进行晶圆切割时，既保证表面切崩合格，又能对切割产生的晶圆背面基材崩角、崩裂有较好的抑制改善作用，提高产品切割质量。
为了实现上述目的，本发明提供一种晶圆切割方法，包括以下步骤：
在晶圆的正面贴附保护膜；
在所述晶圆的背面沿切割通道切割形成浅槽；
在所述晶圆背面贴附保护膜；
从所述晶圆正面对准所述浅槽进行晶圆切割。
本发明第二方面提供一种上述方法制造的晶圆产品。
本发明的效果是：
(1)本发明提出的晶圆切割方法，利用背面切割浅槽，浅槽底部R角和侧壁共通起到支撑和防止崩裂扩大的作用，进而正面进行晶圆切割时，既保证表面切崩合格，又能对切割产生的晶圆背面基材崩角、崩裂有较好的抑制改善作用，提高产品切割质量。
(2)本发明提出的晶圆切割方法，设置了背面切割所用的切割刀刃厚大于正面切割所用的切割刀刃厚，由于正面切割所用的切割刀刃厚较薄，形成开口较小，用力于R角边缘，此时R角和侧壁共通起到支撑作用，达到减少崩裂目的。
(3)本发明提出的晶圆切割方法，通过设置正面切割所用的切割刀的设置高度，使得正面切割过程中切割刀不接触背面贴附保护膜，避免了切割时因切割刀转速过高使保护膜融化，进而产生切割残胶拉丝现象。
(4)本发明提出的晶圆切割方法，利用所述晶圆透明性，精确定位浅槽所在位置，保证了从晶圆正面对准浅槽进行晶圆切割。
本发明的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施方式进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1为本发明提出的晶圆切割方法的流程示意图。
图2为现有技术1的晶圆切割方法的切割流程和效果示意图。
图3为现有技术2的晶圆切割方法的切割流程和效果示意图。
图4为本发明提出的晶圆切割方法的切割流程和效果示意图。
附图标记说明：
1-正面，2-背面，3-保护膜，4-单一刀片，5-第1把刀，6-第2把刀，7-背面切割所用的切割刀，8-正面切割所用的切割刀；
A-R角。
具体实施方式
下面将更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然以下描述了本发明的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。
在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是指装置在正常使用状态下的上和下，“内、外”是指相对于装置轮廓而言的。此外，术语“第一、第二、第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一、第二、第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明提供一种晶圆切割方法，如图1、图4所示，包括以下步骤：
在晶圆的正面1贴附保护膜3；
在晶圆的背面2沿切割通道切割形成浅槽；
在晶圆背面2贴附保护膜3；
从晶圆正面1对准浅槽进行晶圆切割。
本发明中，利用背面2切割浅槽，浅槽底部R角A和侧壁共通起到支撑和防止崩裂扩大的作用，进而正面1进行晶圆切割时，既保证表面切崩合格，又能对切割产生的晶圆背面2基材崩角、崩裂有较好的抑制改善作用，提高产品切割质量。
根据本发明，背面切割所用的切割刀7刃厚大于正面切割所用的切割刀8刃厚。
本发明中，设置了背面切割所用的切割刀7刃厚大于正面切割所用的切割刀8刃厚，由于正面切割所用的切割刀8刃厚较薄，形成开口较小，用力于R角A边缘，此时R角A和侧壁共通起到支撑作用，达到减少崩裂目的。
优选地，正面切割过程中切割刀不接触背面贴附保护膜3；
去除正面1贴附的保护膜3，在背面2贴膜之前或之后。
根据本发明，在正面1贴附保护膜3之前还将晶圆进行减薄处理；
正面贴附的保护膜3、背面贴附保护膜3均为UV膜；
在除正面1贴附的保护膜3之前还将正面1贴附的保护膜3进行UV照射。
根据本发明，背面切割所用的切割刀7刃厚与正面切割所用的切割刀8刃厚的差值为2～13μm。
优选地，背面切割所用的切割刀7刃厚与正面切割所用的切割刀8刃厚的差值为5～10μm。
根据本发明，浅槽的槽深为晶圆厚度的1/4至1/2；
正面切割所用的切割刀8的设置高度为h；
h大于背面贴附的保护膜3的厚度，且小于背面贴附的保护膜3的厚度与槽深之和。
本发明中，通过设置正面切割所用的切割刀8的设置高度，使得正面切割过程中切割刀不接触背面2贴附保护膜3，避免了切割时因切割刀转速过高使保护膜3融化，进而产生切割残胶拉丝现象。
根据本发明，利用晶圆透明性，定位浅槽处，从晶圆正面1对准浅槽进行晶圆切割。
优选地，利用晶圆透明性，定位浅槽的中心线处，从晶圆正面1对准浅槽的中心线进行晶圆切割。
本发明中，利用晶圆透明性，精确定位浅槽所在位置，保证了从晶圆正面1对准浅槽进行晶圆切割。
本发明还提供一种上述方法制造的晶圆产品。
下面通过实施例对本发明进行更详细的说明。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种晶圆切割方法，包括以下步骤：
在晶圆的正面1贴附保护膜3；
在晶圆的背面2沿切割通道切割形成浅槽；
在晶圆背面2贴附保护膜3；
从晶圆正面1对准浅槽进行晶圆切割；
背面切割所用的切割刀7刃厚大于正面切割所用的切割刀8刃厚；
正面切割过程中切割刀不接触背面2贴附保护膜3；
在背面2贴膜之前去除正面1贴附的保护膜3；
在正面1贴附保护膜3之前还将晶圆进行减薄处理；
正面贴附的保护膜3、背面贴附保护膜3均为UV膜；
在除正面1贴附的保护膜3之前还将正面1贴附的保护膜3进行UV照射；
背面切割所用的切割刀7刃厚与正面切割所用的切割刀8刃厚的差值为8μm；
浅槽的槽深为晶圆厚度的1/3；
正面切割所用的切割刀8的设置高度为h；
h大于背面贴附的保护膜3的厚度，且小于背面贴附的保护膜3的厚度与槽深之和；
利用晶圆透明性，定位浅槽的中心线处，从晶圆正面1对准浅槽的中心线进行晶圆切割。
本实施例的晶圆切割方法的切割流程和效果示意图如图4所示。
本实施例的晶圆切割方法的切割流程利用背面2切割浅槽，浅槽底部R角A和侧壁共通起到支撑和防止崩裂扩大的作用；进而正面1进行晶圆切割时，既保证表面切崩合格，又能对切割产生的晶圆背面2基材崩角、崩裂有较好的抑制改善作用，提高产品切割质量。
以上已经描述了本发明的实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。
Claims (10)
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
在晶圆的正面贴附保护膜；
在所述晶圆的背面沿切割通道切割形成浅槽；
在所述晶圆背面贴附保护膜；
从所述晶圆正面对准所述浅槽进行晶圆切割。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，背面切割所用的切割刀刃厚大于正面切割所用的切割刀刃厚。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，正面切割过程中切割刀不接触背面贴附保护膜；
在背面贴膜之前或之后，去除所述正面贴附的保护膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在正面贴附保护膜之前还将所述晶圆进行减薄处理；
所述正面贴附的保护膜、所述背面贴附保护膜均为UV膜；
在去除所述正面贴附的保护膜之前还将所述正面贴附的保护膜进行UV照射。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，背面切割所用的切割刀刃厚与正面切割所用的切割刀刃厚的差值为2～13μm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，背面切割所用的切割刀刃厚与正面切割所用的切割刀刃厚的差值为5～10μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅槽的槽深为所述晶圆厚度的1/4至1/2；
所述正面切割所用的切割刀的设置高度为h；
所述h大于所述背面贴附的保护膜的厚度，且小于所述背面贴附的保护膜的厚度与所述槽深之和。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述晶圆透明性，定位所述浅槽处，从所述晶圆正面对准所述浅槽进行晶圆切割。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，利用所述晶圆透明性，定位所述浅槽的中心线处，从所述晶圆正面对准所述浅槽的中心线进行晶圆切割。
10.一种利用权利要求1-9中任意一项所述的方法切割的晶圆产品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410354324.9A CN118335689A (zh) | 2024-03-26 | 2024-03-26 | 一种晶圆切割方法及晶圆产品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410354324.9A CN118335689A (zh) | 2024-03-26 | 2024-03-26 | 一种晶圆切割方法及晶圆产品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118335689A true CN118335689A (zh) | 2024-07-12 |
Family
ID=91776610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410354324.9A Pending CN118335689A (zh) | 2024-03-26 | 2024-03-26 | 一种晶圆切割方法及晶圆产品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118335689A (zh) |
-
2024
- 2024-03-26 CN CN202410354324.9A patent/CN118335689A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9601437B2 (en) | Plasma etching and stealth dicing laser process | |
| JP6506606B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP3620683B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| US20160148842A1 (en) | Dicing of low-k wafers | |
| JP2005109155A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
| CN110739216B (zh) | 一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法 | |
| TW202003150A (zh) | 全邊切削之晶圓加工方法 | |
| JP6509614B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP2002075919A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| CN118335689A (zh) | 一种晶圆切割方法及晶圆产品 | |
| JPH04297056A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000040677A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| CN115274424B (zh) | 半导体晶片切割工艺 | |
| JP2002043254A (ja) | ダイシング装置及びダイシング方法 | |
| JP2007251098A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2013161944A (ja) | ダイシング方法 | |
| JP2637852B2 (ja) | 半導体ウェハーのダイシング方法 | |
| KR0185427B1 (ko) | 반도체 다이싱방법 | |
| US20060214266A1 (en) | Bevel dicing semiconductor components | |
| CN113172781A (zh) | 一种超薄晶圆的划切方法 | |
| CN113539956A (zh) | 一种晶片的加工方法 | |
| EP2015356A1 (en) | Method for singulation of wafers | |
| JP2000340527A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JPH1070094A (ja) | 半導体センサウェハの切断方法 | |
| CN105789128B (zh) | 一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |