CN118284110A - 光电器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

光电器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

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CN118284110A CN202211728554.4A CN202211728554A CN118284110A CN 118284110 A CN118284110 A CN 118284110A CN 202211728554 A CN202211728554 A CN 202211728554A CN 118284110 A CN118284110 A CN 118284110A
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袁密
芦子哲
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Abstract

本发明提供了一种光电器件及其制备方法、显示装置，涉及光电技术领域。光电器件包括：第一叠层单元；第二叠层单元；以及连接层，设置于第一叠层单元与第二叠层单元之间；连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，保护层的材料包括聚合物和填充金属，聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种。本发明提供的光电器件的性能佳。

Description

光电器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及光电技术领域，具体涉及光电器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
采用连接层(ICL)将包括发光层的叠层单元串联起来的串接结构具有高电流效率(CE)和长运行寿命的优点，因此被广泛应用于光电领域。然而，在制备过程中，连接层和/或其下叠层单元常常因为其上叠层单元的沉积而被破坏。此外，现有的连接层与其下叠层单元之间通常存在较高的势垒，导致连接层电压非常高，器件运行过程中常常产生额外的能耗。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光电器件，该光电器件的性能佳。
本发明的另一目的在于提供光电器件的制备方法。
本发明的再一目的在于提供一种显示装置。
本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：
光电器件，包括：
第一叠层单元；
第二叠层单元；以及
连接层，设置于第一叠层单元与第二叠层单元之间；连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，保护层的材料包括聚合物和填充金属，聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种。
可选的，在本发明的一些实施例中，聚合物与填充金属的质量比为5～10:5；和/或
填充金属选自银、金、铜中的一种或多种；和/或
填充金属的平均粒径为4.3～5nm；和/或
保护层的厚度为3～12nm。
可选的，在本发明的一些实施例中，连接层还包括电子媒介层，电子媒介层设置于保护层的远离电荷产生层的一侧，电子媒介层的材料包括结合有配体的黑磷量子点。
可选的，在本发明的一些实施例中，配体选自四氯对苯醌、四氰代二甲基苯醌、二氯二氰代苯醌中的一种或多种；和/或
黑磷量子点与配体的质量比为5～10:1；和/或
电子媒介层的厚度为1～10nm。
可选的，在本发明的一些实施例中，电荷产生层包括层叠设置的电子产生层和空穴产生层，电子产生层与保护层相邻设置。
可选的，在本发明的一些实施例中，电子产生层的材料选自PMA、PEDOT、PEDOT:PSS、NiO、Cu2O、铜酞菁、星状的多胺、聚苯胺、氧化钼、氧化钨、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种；和/或
空穴产生层的材料选自CBP、α-NPD、TPD、螺-TPD、DNTPD、TCTA、m-MTDATA、TAPC、TFB、聚-TPD、聚苯胺、聚吡咯、PPV、MEH-PPV、MOMO-PPV、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、PVK及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、NPB、螺NPB中的一种或多种。
可选的，在本发明的一些实施例中，第一叠层单元包括层叠设置的第一电极、第一电荷功能层、第一发光层和第二电荷功能层，第二电荷功能层与电子媒介层相邻设置；第二叠层单元包括层叠设置的第二发光层、第三电荷功能层和第二电极，第二发光层与电荷产生层相邻设置；其中，第二电荷功能层与第三电荷功能层的电荷电性相同。
可选的，在本发明的一些实施例中，第一电荷功能层、第二电荷功能层、第三电荷功能层分别独立的包括电荷注入层和/或电荷传输层；
第一电极的材料、第二电极的材料分别独立的选自掺杂或非掺杂的金属、碳硅材料、掺杂或非掺杂的金属氧化物、复合电极材料中的一种或多种；其中，掺杂或非掺杂的金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg、Ni、Pt、Ir、Ca:Al、LiF:Ca、LiF:Al、BaF2:Al、CsF:Al、CaCO3:Al、BaF2:Ca:Al、Au:Mg、Ag:Mg中的一种或多种；碳硅材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、Ga:SnO2中的一种或多种；复合电极材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS中的一种或多种；和/或
电荷注入层的材料选自Ca、Ba、CsF、CsCO3、PEIE、PEI、LiF、NaF、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚[9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺]、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、四氟-四氰基-醌二甲烷掺杂的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺、六氮杂苯并菲-己腈、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种；和/或
电荷传输层的材料选自掺杂或非掺杂的氧化物、掺杂或非掺杂的半导体颗粒、氮化物、Alq3、Almq3、DVPBi、TAZ、OXD、PBD、BND、PV、CBP、α-NPD、TPD、螺-TPD、DNTPD、TCTA、m-MTDATA、TAPC、TFB、聚-TPD、聚苯胺、聚吡咯、PPV、MEH-PPV、MOMO-PPV、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、PVK及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、NPB、螺NPB中的一种或多种；其中，氧化物选自TiO2、ZnO、ZrO2、SnO2、WO3、NiO、Ta2O3、HfO2、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、SrTiO3、MgTiO3、TiLiO、ZnAlO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种，半导体颗粒选自CdS、ZnSe、ZnS中的一种或多种，氮化物选自Si3N4，氧化物和半导体颗粒的掺杂元素选自Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的一种或多种；和/或
第一发光层的材料、第二发光层的材料分别独立的选自单一结构量子点、核壳结构量子点、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型量子点、有机-无机杂化钙钛矿型量子点中的一种或多种；其中，单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的一种或多种，II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaN、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP、InAlNP中的一种或多种，IV-VI族化合物选自PbS、PbSe中的一种或多种；I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2、AgInS2中的一种或多种；IV族单质选自硅、锗中的一种或多种；核壳结构量子点的核选自单一结构量子点中的任意一种，核壳结构量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnS中的一种或多种；无机钙钛矿型量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；有机-无机杂化钙钛矿型量子点的结构通式为BMX3，其中B选自CH3(CH2)n-2NH3+、NH3(CH2)nNH3 2+中的一种或多种，其中n≥2，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种。
另外，光电器件的制备方法，包括：
提供第一叠层单元；
在第一叠层单元上形成连接层；其中，连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，保护层的材料包括聚合物和填充金属，聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种；以及
在连接层上形成第二叠层单元。
另外，显示装置，包括上述的光电器件，或者包括上述的制备方法制备得到的光电器件。
相对于现有技术，本发明具有以下优点：本发明在连接层中引入了利用填充金属修饰的聚合物，形成的保护层能够阻挡有机酸等的腐蚀，保护自身结构及下部叠层单元免遭破坏，此外，包括了填充金属修饰的聚合物的保护层还能够增强界面导电性，增强电荷的注入、传输性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的电致发光器件的结构示意图。
其中，附图标记汇总如下：
阳极101；第一空穴注入层102；第一空穴传输层103；第一发光层104；第二电子传输层105；
电子媒介层201；保护层202；电子产生层203；空穴产生层204；
第二发光层301；第三电子传输层302；阴极303。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供的技术方案将在以下内容进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本发明的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。
本发明提供了一种光电器件，包括：
第一叠层单元；
第二叠层单元；以及
连接层，设置于第一叠层单元与第二叠层单元之间；连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，保护层的材料包括聚合物和填充金属，聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种。
第一叠层单元、连接层、第二叠层单元之间可以为层叠设置。填充金属填充聚合物的网络结构，使得保护层的材料能够起到保护结构层、增强导电性及降低势垒的作用。填充金属的平均粒径可以为纳米级。
在一些实施例中，聚合物与填充金属的质量比为5～10:5，还可以为5.5～6.5:5、7～9:5。
在一些实施例中，填充金属选自银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)中的一种或多种。这些填充金属具有较强的导电性。优选的，利用银修饰聚乙烯亚胺。
在一些实施例中，填充金属的平均粒径为4.3～5nm，还可以为4.5～4.8nm。
在一些实施例中，保护层的厚度为3～12nm，还可以为5～7nm、8～11nm。
在一些实施例中，连接层还包括电子媒介层，电子媒介层设置于保护层的远离电荷产生层的一侧，电子媒介层的材料包括结合有配体的黑磷量子点。连接层中配体修饰的黑磷量子点电子媒介层的引入，在电荷产生层产生电荷的过程中有助于促进电子的快速抽提、并传递给电荷传输层，如此，优化空间电荷分离的效果，从而达到降低电荷产生层压降、提升器件性能的效果。
在一些实施例中，配体可以选择苯醌类化合物，进一步的，配体可以选自四氯对苯醌、四氰代二甲基苯醌、二氯二氰代苯醌中的一种或多种。优选利用四氯对苯醌修饰黑磷量子点。
在一些实施例中，黑磷量子点与配体的质量比为5～10:1，还可以为6～7:1、8～9:1。
在一些实施例中，电子媒介层的厚度为1～10nm，还可以为1～3nm、4～7nm、8～9nm。适当的厚度能够避免增加电荷产生层的压降，同时也能够保证对其下结构层的充分覆盖。
在一些实施例中，电荷产生层包括层叠设置的电子产生层(N donor)和空穴产生层(P donor)，电子产生层与保护层相邻设置。进一步的，电子产生层的材料可以为酸性空穴注入材料，进一步的，电子产生层的材料可以选自PMA、PEDOT、PEDOT:PSS、NiO、Cu2O、铜酞菁(CuPc)、星状的多胺、聚苯胺、氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种。MoOx、WOx中x的取值可以分别根据化合物中原子的化合价确定，在此不再赘述。
空穴产生层的材料选自空穴传输材料，进一步的，空穴产生层的材料可以选自芳基胺，例如4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、TAPC、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)和聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-TPD)；聚苯胺；聚吡咯；聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物，例如聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MOMO-PPV)；铜酞菁；芳香族叔胺或多核芳香叔胺；4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物；N,N,N',N'-四芳基联苯胺；PEDOT:PSS及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物；聚甲基丙烯酸酯及其衍生物；聚(9,9-辛基芴)及其衍生物；聚(螺芴)及其衍生物；N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)；螺NPB；或前述化合物的组合。空穴产生层的材料优选TFB、CBP、PVK、TCTA、TPD、TAPC中的一种或多种。
基于电子产生层和空穴产生层材料的选择，电子产生层和空穴产生层之间能够形成异质结，实现二者的层叠设置。
本发明提供的光电器件可以为电致发光器件、太阳能电池、光电探测器、激光器中的一种。器件类型不限于双层器件、三层器件、多层器件、顶发射极器件、底发射极器件、双面发射器件、刚性器件、柔性器件、正置结构器件、倒置结构器件等。在光电器件为电致发光器件的情况下，电致发光器件可以为量子点发光二极管(QLED)、有机发光二极管(OLED)、次毫米发光二极管(Mini LED)、微米发光二极管(Micro LED)中的一种。
在一些实施例中，第一叠层单元包括层叠设置的第一电极、第一电荷功能层、第一发光层和第二电荷功能层，第二电荷功能层与电子媒介层相邻设置；第二叠层单元包括层叠设置的第二发光层、第三电荷功能层和第二电极，第二发光层与电荷产生层相邻设置；其中，第二电荷功能层与第三电荷功能层的电荷电性相同。第二电荷功能层与第三电荷功能层可以均为P型半导体层，也可以均为N型半导体层。
在光电器件不包括电子媒介层的情况下，则第二电荷功能层与保护层相邻设置。
在一些实施例中，第一电极为阳极，则第一电荷功能层为空穴功能层，第二电荷功能层、第三电荷功能层均为电子功能层，第二电极为阴极。在其他实施例中，第一电极也可以为阴极，则第一电荷功能层为电子功能层，第二电荷功能层、第三电荷功能层均为空穴功能层，第二电极为阳极。
进一步的，第一电荷功能层、第二电荷功能层、第三电荷功能层分别独立的包括电荷注入层和/或电荷传输层。举例而言，若第一电荷功能层为空穴功能层，则第一电荷功能层可以包括空穴注入层和/或空穴传输层；若第二电荷功能层、第三电荷功能层均为电子功能层，则第二电荷功能层、第三电荷功能层可以分别包括电子注入层和/或电子传输层。
优选的，光电器件为电致发光器件，电致发光器件包括层叠设置的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第二电子传输层、电子媒介层、保护层、电子产生层、空穴产生层、第二发光层、第三电子传输层和阴极。
该电致发光器件具有如下优势：
1.保护层的存在能够减少酸性有机层对下层电子传输层的破坏，同时增强电子注入、传输性能；
2.电子媒介层的引入，有助于快速抽提电荷产生层产生的电荷，实现电子、空穴快速分离，达到降低电荷产生层压降的效果，还能够增强叠层器件效率叠加效果；
3.器件性能(EQE)提升，器件开启电压降低。
在一些实施例中，第一电极的材料、第二电极的材料分别独立的选自掺杂或非掺杂的金属、碳硅材料、掺杂或非掺杂的金属氧化物、复合电极材料中的一种或多种；其中，掺杂或非掺杂的金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg、Ni、Pt、Ir、Ca:Al、LiF:Ca、LiF:Al、BaF2:Al、CsF:Al、CaCO3:Al、BaF2:Ca:Al、Au:Mg、Ag:Mg中的一种或多种；碳硅材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、Ga:SnO2中的一种或多种；复合电极材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS中的一种或多种。
进一步的，在第一电极或第二电极为阳极的情况下，阳极的材料可以选自掺杂或非掺杂的金属氧化物、碳硅材料、金属、复合电极材料中的一种或多种；其中，掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、Ga:SnO2、AZO、GZO、MZO、AMO中的一种或多种；碳硅材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种；复合电极材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS中的一种或多种，即，阳极可以为掺杂或非掺杂的金属氧化物之间夹着金属的复合电极。
在第一电极或第二电极为阴极的情况下，阴极的材料可以选自掺杂或非掺杂的金属、碳硅材料、掺杂或非掺杂的金属氧化物、复合电极材料中的一种或多种；其中，掺杂或非掺杂的金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg、Pt、Ca:Al、LiF:Ca、LiF:Al、BaF2:Al、CsF:Al、CaCO3:Al、BaF2:Ca:Al、Au:Mg、Ag:Mg中的一种或多种，掺杂的金属电极即为合金电极；碳硅材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；复合电极材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS中的一种或多种，即，阴极可以为例如AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO的复合电极。阴极的厚度可以为60～100nm，适当的厚度有利于电极蒸镀的均匀性。
电荷注入层的材料选自Ca、Ba、CsF、CsCO3、PEIE、PEI、LiF、NaF、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚[9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺]、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、四氟-四氰基-醌二甲烷掺杂的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺、六氮杂苯并菲-己腈、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种。
进一步的，在电荷注入层为空穴注入层的情况下，空穴注入层的材料可以选自聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、聚[9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺](TFB)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚苯胺(Pan)、聚吡咯(PPY)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷(TAPC)、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、p-掺杂酞菁(例如，F4-TCNQ-掺杂的锌酞菁
(ZnPc))、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺(α-NPD)、六氮杂苯并菲-己腈(HAT-CN)、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种。空穴注入层的材料优选PEDOT:PSS，掺杂比为1:6，可以购买商用产品，也可以自行制备；空穴注入层的材料也可以优选三菱化学的产品型号PFA-134的空穴注入材料，该材料为商用产品，溶质含量为5.6wt％。空穴注入层的厚度可以为10～50nm。
电荷传输层的材料选自掺杂或非掺杂的氧化物、掺杂或非掺杂的半导体颗粒、氮化物、Alq3、Almq3、DVPBi、TAZ、OXD、PBD、BND、PV、CBP、α-NPD、TPD、螺-TPD、DNTPD、TCTA、m-MTDATA、TAPC、TFB、聚-TPD、聚苯胺、聚吡咯、PPV、MEH-PPV、MOMO-PPV、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、PVK及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、NPB、螺NPB中的一种或多种；其中，氧化物选自TiO2、ZnO、ZrO2、SnO2、WO3、NiO、Ta2O3、HfO2、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、SrTiO3、MgTiO3、TiLiO、ZnAlO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种，半导体颗粒选自CdS、ZnSe、ZnS中的一种或多种，氮化物选自Si3N4，氧化物和半导体颗粒的掺杂元素选自Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的一种或多种。
进一步的，在电荷传输层为电子传输层的情况下，电子传输层的材料可以选自无机材料、有机材料中的一种或多种。其中，无机材料可以选自掺杂或非掺杂的氧化物、掺杂或非掺杂的半导体颗粒、氮化物中的一种或多种。进一步地，氧化物可以选自但不限于TiO2、ZnO、ZrO2、SnO2、WO3、NiO、Ta2O3、HfO2、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、SrTiO3、MgTiO3、TiLiO、ZnAlO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO；半导体颗粒可以选自但不限于CdS、ZnSe、ZnS；氮化物可以选择Si3N4；氧化物以及半导体颗粒的掺杂元素可以分别选自但不限于Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu。电子传输层的有机材料可以选自噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物、铝络合物中的一种或多种，进一步的，可以选自但不限于Alq3、Almq3、DVPBi、TAZ、OXD、PBD、BND、PV中的一种或多种。电子传输层的厚度可以为10～50nm，适当的厚度既能够保证膜层的均匀性，又能够避免电荷传输受阻。
在电荷传输层为空穴传输层的情况下，空穴传输层的材料可以选择芳基胺，例如4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、TAPC、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)和聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-TPD)；聚苯胺；聚吡咯；聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物，例如聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MOMO-PPV)；铜酞菁；芳香族叔胺或多核芳香叔胺；4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物；N,N,N',N'-四芳基联苯胺；PEDOT:PSS及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物；聚甲基丙烯酸酯及其衍生物；聚(9,9-辛基芴)及其衍生物；聚(螺芴)及其衍生物；N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)；螺NPB；或前述化合物的组合。空穴传输层的厚度可以为10～50nm。
第一发光层的材料、第二发光层的材料分别独立的选自单一结构量子点、核壳结构量子点、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型量子点、有机-无机杂化钙钛矿型量子点中的一种或多种；其中，单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的一种或多种，II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaN、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP、InAlNP中的一种或多种，IV-VI族化合物选自PbS、PbSe中的一种或多种；I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2、AgInS2中的一种或多种；IV族单质选自硅、锗中的一种或多种；核壳结构量子点的核选自单一结构量子点中的任意一种，核壳结构量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnS中的一种或多种；无机钙钛矿型量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；有机-无机杂化钙钛矿型量子点的结构通式为BMX3，其中B选自CH3(CH2)n-2NH3+、NH3(CH2)nNH3 2+中的一种或多种，其中n≥2，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种。第一发光层的材料、第二发光层的材料分别独立的优选于ZnCdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/CdSeS/CdS、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdS/CdZnS/CdZnS/ZnS中的一种或多种，第一发光层、第二发光层可以分别独立的具有10～50nm的厚度。
另外，本发明还提供了一种上述光电器件的制备方法，包括：
提供第一叠层单元；
在第一叠层单元上形成连接层；其中，连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，保护层的材料包括聚合物和填充金属，聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种；以及
在连接层上形成第二叠层单元。
其中，叠层单元可以自行制备，也可以利用已制备完成的叠层单元进行上述操作。
需要说明的是，制备方法中提到的在某个结构层/单元“上”形成另一结构层/单元，其中“上”为广义概念，包括具有接触或相邻关系的“上”，也包括具有间隔关系的“上方”，可以表示形成的另一结构层/单元与某个结构层/单元相邻，也可以表示另一结构层/单元与某个结构层/单元之间存在间隔层/单元。
进一步的，以正置结构电致发光器件的制备为例，对上述制备方法进行说明，包括：
1)对洗净的包括阳极的基板进行预处理，并在阳极上沉积空穴注入溶液，于100～200℃加热10～30min，形成空穴注入层；
2)在空穴注入层上形成空穴传输层；
3)在空穴传输层上沉积发光层溶液，于80～120℃加热5～10min，形成发光层；沉积电子传输溶液，于80～120℃加热5～10min，形成电子传输层；
4)连接层的制备：在电子传输层上沉积电子媒介溶液，于80～120℃加热5～10min，形成电子媒介层；而后沉积保护溶液，于80～120℃加热5～30min，形成多孔薄层保护层；
5)在保护层上形成电荷产生层(CGL)，CGL包括依次制备的电子产生层和空穴产生层；
6)在空穴产生层上依次形成发光层、电子传输层；
7)蒸镀阴极并封装。
步骤1)中：预处理可以为利用紫外臭氧清洗机(UVO)进行处理，处理时长为10～30min，优选15min。空穴注入溶液的溶质含量可以为1～2wt％，优选1.5wt％。加热目的是为了蒸发溶剂及对薄膜进行退火，加热温度优选为150℃，加热时长优选为15min。
步骤3)中：发光层适当的加热温度既能够避免量子点表面的配体失活、量子点荧光效率的降低，又能够有效去除溶剂，从而避免后续薄膜制备时导致发光层被冲刷。而电子传输溶液的浓度为10～50mg/ml，适当的浓度能够减少团聚现象的发生。电子传输层适当的加热温度既能够避免电子传输材料表面的配体失活、电子传输效率降低，又能够有效去除溶剂，从而避免后续薄膜制备时导致电子传输层被冲刷。
步骤4)中：电子媒介溶液的溶质为结合有配体的黑磷量子点，溶剂可以选自乙醚、氯仿、四氯化碳、二硫化碳中的一种或多种。电子媒介层适当的加热温度既能够避免对其下结构层造成破坏，又能够有效去除溶剂。电子媒介层的加热处理温度优选为120℃。保护层的溶剂可以选择极性有机溶剂，例如甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇、丙酮、乙腈、二甲基亚砜(DMSO)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中的一种或多种。
当然，对于存在其他要求、或者具有其他具体结构层的电致发光器件，制备过程可适当调整，电致发光器件也可以为倒置结构，倒置结构的制备方法在此不再赘述，光电器件的例如太阳能电池的其他结构的制备方法在此也不再赘述。
光电器件各结构层的沉积/制备可采用本领域熟知的技术手段实现，包括利用化学法或物理法实现。其中，化学法例如为化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。物理法可以选择物理镀膜法或溶液加工法。具体的，物理镀膜法例如为热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法；溶液加工法例如为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法。具体的处理方式与处理条件可参考本领域中的常见方式，在此不再赘述。
另外，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的光电器件，或者包括上述的制备方法制备得到的光电器件。
实施例1
本实施例提供了一种电致发光器件及其制备方法，包括：
步骤S1.将洗净的ITO阳极101经UVO处理15min，旋涂溶质含量为1.5wt％的PEDOT:PSS溶液，150℃加热15min，形成第一空穴注入层102，厚度为30nm；
步骤S2.旋涂TFB的空穴传输溶液，形成第一空穴传输层103，厚度为15nm；
步骤S3.旋涂量子点溶液，形成第一发光层104，厚度为30nm；形成材料为ZnO的第二电子传输层105，厚度为35nm；
步骤S4.旋涂电子媒介溶液，溶质为四氯对苯醌修饰的黑磷量子点，黑磷量子点的浓度为5mg/ml，120℃加热8min，形成电子媒介层201，厚度为5nm；利用保护溶液形成保护层202，厚度为5nm，其中，保护溶液的溶质为纳米银填充的聚乙烯亚胺，聚乙烯亚胺的浓度为5mg/ml；
步骤S5.利用浓度为10mg/ml的PMA溶液，形成电子产生层203，厚度为10nm；利用浓度为8mg/ml的TFB溶液，形成空穴产生层204，厚度为15nm；
步骤S6.旋涂量子点溶液，形成第二发光层301，厚度为30nm；形成材料为ZnO的第三电子传输层302，厚度为35nm；
步骤S7.蒸镀厚度100nm的Ag阴极303，并封装器件。
实施例2
本实施例提供的电致发光器件及其制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：本实施例的步骤S4中，黑磷量子点的浓度为8mg/ml，电子媒介层厚度为8nm；聚乙烯亚胺的浓度为8mg/ml，保护层厚度为7nm。
实施例3
本实施例提供的电致发光器件及其制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：本实施例的步骤S4中，黑磷量子点的浓度为10mg/ml，电子媒介层厚度为10nm；聚乙烯亚胺的浓度为10mg/ml，保护层厚度为10nm。
实施例4
本实施例提供的电致发光器件及其制备方法与实施例2基本相同，不同之处在于：本实施例不包括步骤S4中电子媒介层的制备。
即，本实施例中步骤S4：利用保护溶液形成保护层，厚度为7nm，其中，保护溶液的溶质为纳米银填充的聚乙烯亚胺，聚乙烯亚胺的浓度为8mg/ml。
对比例1
本对比例提供的电致发光器件及其制备方法与实施例2基本相同，不同之处在于：本对比例不包括步骤S4中保护层的制备。
即，本对比例中步骤S4：旋涂电子媒介溶液，溶质为四氯对苯醌修饰的黑磷量子点，黑磷量子点的浓度为8mg/ml，120℃加热8min，形成电子媒介层，厚度为8nm。
对比例2
本对比例提供的电致发光器件及其制备方法与实施例2基本相同，不同之处在于：本对比例不包括步骤S4。
对实施例1～4、对比例1～2提供的红色器件进行性能测试，测试结果参见表1：
表1
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 对比例1 对比例2
EQE(％) 17.56 19.71 18.23 13.43 7.56 5.33
Voltage(V) 11.45 12.24 13.31 15.77 17.85 21.32
由表1可以看出，由于本发明提供的器件设置了能够阻挡有机酸等的腐蚀、且能够增强界面导电性的保护层，因此，获得的器件的外量子效率高、开启电压低，相较于未设置保护层的现有技术，本发明提供的器件的综合性能佳。进一步的，通过实施例1～4提供的器件的比对数据还可以看出，器件优选还包括电子媒介层，电子媒介层的引入，有助于促进电子的快速抽提、并传递给电荷传输层，从而达到降低电荷产生层压降、提升器件性能的效果。通过表1可以获知，实施例1～3提供的设置了保护层和电子媒介层的器件具有更高的外量子效率和更低的开启电压，通过对比例1、2之间的数据比较也可以看出，电子媒介层的设置有助于提升器件性能。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.光电器件，其特征在于，包括：
第一叠层单元；
第二叠层单元；以及
连接层，设置于所述第一叠层单元与所述第二叠层单元之间；所述连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，所述保护层的材料包括聚合物和填充金属，所述聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述聚合物与所述填充金属的质量比为5～10:5；和/或
所述填充金属选自银、金、铜中的一种或多种；和/或
所述填充金属的平均粒径为4.3～5nm；和/或
所述保护层的厚度为3～12nm。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述连接层还包括电子媒介层，所述电子媒介层设置于所述保护层的远离所述电荷产生层的一侧，所述电子媒介层的材料包括结合有配体的黑磷量子点。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述配体选自四氯对苯醌、四氰代二甲基苯醌、二氯二氰代苯醌中的一种或多种；和/或
所述黑磷量子点与所述配体的质量比为5～10:1；和/或
所述电子媒介层的厚度为1～10nm。
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电荷产生层包括层叠设置的电子产生层和空穴产生层，所述电子产生层与所述保护层相邻设置。
6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述电子产生层的材料选自PMA、PEDOT、PEDOT:PSS、NiO、Cu2O、铜酞菁、星状的多胺、聚苯胺、氧化钼、氧化钨、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种；和/或
所述空穴产生层的材料选自CBP、α-NPD、TPD、螺-TPD、DNTPD、TCTA、m-MTDATA、TAPC、TFB、聚-TPD、聚苯胺、聚吡咯、PPV、MEH-PPV、MOMO-PPV、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、PVK及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、NPB、螺NPB中的一种或多种。
7.根据权利要求3～6任一项所述的光电器件，其特征在于，所述第一叠层单元包括层叠设置的第一电极、第一电荷功能层、第一发光层和第二电荷功能层，所述第二电荷功能层与所述电子媒介层相邻设置；所述第二叠层单元包括层叠设置的第二发光层、第三电荷功能层和第二电极，所述第二发光层与所述电荷产生层相邻设置；其中，所述第二电荷功能层与所述第三电荷功能层的电荷电性相同。
8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述第一电荷功能层、所述第二电荷功能层、所述第三电荷功能层分别独立的包括电荷注入层和/或电荷传输层；
所述第一电极的材料、所述第二电极的材料分别独立的选自掺杂或非掺杂的金属、碳硅材料、掺杂或非掺杂的金属氧化物、复合电极材料中的一种或多种；其中，所述掺杂或非掺杂的金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg、Ni、Pt、Ir、Ca:Al、LiF:Ca、LiF:Al、BaF2:Al、CsF:Al、CaCO3:Al、BaF2:Ca:Al、Au:Mg、Ag:Mg中的一种或多种；所述碳硅材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；所述掺杂或非掺杂的金属氧化物选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、Ga:SnO2中的一种或多种；所述复合电极材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS中的一种或多种；和/或
所述电荷注入层的材料选自Ca、Ba、CsF、CsCO3、PEIE、PEI、LiF、NaF、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚[9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺]、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、四氟-四氰基-醌二甲烷掺杂的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺、六氮杂苯并菲-己腈、三菱化学的产品型号PFA-134的材料中的一种或多种；和/或
所述电荷传输层的材料选自掺杂或非掺杂的氧化物、掺杂或非掺杂的半导体颗粒、氮化物、Alq3、Almq3、DVPBi、TAZ、OXD、PBD、BND、PV、CBP、α-NPD、TPD、螺-TPD、DNTPD、TCTA、m-MTDATA、TAPC、TFB、聚-TPD、聚苯胺、聚吡咯、PPV、MEH-PPV、MOMO-PPV、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、PVK及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、NPB、螺NPB中的一种或多种；其中，所述氧化物选自TiO2、ZnO、ZrO2、SnO2、WO3、NiO、Ta2O3、HfO2、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、SrTiO3、MgTiO3、TiLiO、ZnAlO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种，所述半导体颗粒选自CdS、ZnSe、ZnS中的一种或多种，所述氮化物选自Si3N4，所述氧化物和所述半导体颗粒的掺杂元素选自Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的一种或多种；和/或
所述第一发光层的材料、所述第二发光层的材料分别独立的选自单一结构量子点、核壳结构量子点、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型量子点、有机-无机杂化钙钛矿型量子点中的一种或多种；其中，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的一种或多种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaN、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP、InAlNP中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自PbS、PbSe中的一种或多种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2、AgInS2中的一种或多种；所述IV族单质选自硅、锗中的一种或多种；所述核壳结构量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnS中的一种或多种；所述无机钙钛矿型量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种；所述有机-无机杂化钙钛矿型量子点的结构通式为BMX3，其中B选自CH3(CH2)n-2NH3+、NH3(CH2)nNH3 2+中的一种或多种，其中n≥2，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的一种或多种，X选自Cl-、Br-、I-中的一种或多种。
9.光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一叠层单元；
在所述第一叠层单元上形成连接层；其中，所述连接层包括层叠设置的保护层和电荷产生层，所述保护层的材料包括聚合物和填充金属，所述聚合物选自聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺中的一种或多种；以及
在所述连接层上形成第二叠层单元。
10.显示装置，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的光电器件，或者包括权利要求9所述的制备方法制备得到的光电器件。
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