CN118159116A - 一种基于软模板法的大尺寸pzt单晶压电复合材料及其制备方法和应用 - Google Patents
一种基于软模板法的大尺寸pzt单晶压电复合材料及其制备方法和应用 Download PDFInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 54
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 54
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 39
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 29
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 26
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 3
- 102000020897 Formins Human genes 0.000 claims description 2
- 108091022623 Formins Proteins 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 claims 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 claims 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229920000334 poly[3-(3'-N,N,N-triethylamino-1-propyloxy)-4-methylthiophene-2,5-diyl hydrochloride] polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N lead(II,IV) oxide Inorganic materials O1[Pb]O[Pb]11O[Pb]O1 XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020231 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020226 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−xPbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001566 impedance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001453 impedance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1制备软模板；S2制备PZT粉末；S3制备PZT浆料；S4固相晶体生长；S5固化成型。与现有技术相比，本发明基于固态晶体生长法的原理，在软模板中的粉体内直接长出PZT单晶微柱列，解决了PZT单晶难以大面积生长的难题。
Description
技术领域
本发明属于电子材料技术领域，尤其是涉及一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料及其制备方法和应用。
背景技术
压电复合材料是在压电陶瓷或压电单晶材料基础上，通过切割填充、刻蚀等加工手段获得的，综合性能更加优异的一类压电材料。特别是1-3型压电复合材料是高性能超声换能器最重要的选择材料之一，广泛应用于医用超声成像和治疗、工业无损检测、声通讯等领域。它具有(1)横向振动很弱，串扰声压小；(2)机械品质因数低；(3)带宽大；(4)机电耦合系数大；(5)声阻抗低，易于进行声学匹配等优点。目前，商业化应用的高性能压电复合材料体系是PZT陶瓷基复合材料(Pb(Zr1-xTix)O3，简称PZT)和PMN-PT单晶基复合材料(Pb(Mg1/ 3Nb2/3)O3-xPbTiO3，简称PMN-PT)，其主要原因是PZT陶瓷和PMN-PT单晶比较容易获得。
而其中占主导地位的仍然是PZT陶瓷，不仅仅因为PZT陶瓷制备成本低、技术成熟，更主要的原因是PZT陶瓷相比PMN-PT单晶在温度稳定性、性能一致性方面都更优。
从单晶的结构本质来看，PZT单晶将具有比PZT陶瓷(压电常数d33≈600pC/N，机电耦合系数kt≈51％)高得多的压电常数和机电耦合系数，以及同样的温度稳定性，是极具应用价值的一种高性能压电材料。但PZT单晶的制备非常困难，目前国际上只能获得毫米尺寸的、缺陷较多的PZT单晶。这种制备方法上的困难极大地限制了PZT单晶的应用，当然也直接导致在其基础上制备PZT单晶复合材料的不可能，这成为各种高性能压电器件性能进一步提升的瓶颈。
相比于传统的液相晶体生长方法，固相晶体生长法(solid state crystalgrowth,SSCG)基于高温下固相反应原理，借助于作为籽晶的单晶基底，直接将各向随机分布的多晶粉料转变为各向异性的单晶材料。这种方法的特点是生长温度低、不需要坩埚、生长设备简单。生长出的单晶是围绕在籽晶表面的一薄层单晶。最重要的是生长在固态环境中进行，固相反应的普适制备能力使得结晶变得容易，各种液相中难以生长或长大的晶体基本都能够被制备出来。此外，由于固相反应相比液相环境限制了离子的长程迁移，使得组分分凝效应被抑制，能够获得更加均匀和性能抑制的单晶。
在固相晶体生长基础上的复合材料制备刚好将生长方法优势和复合材料特征进行有效结合。首先，都是通过固相反应获得，温度范围一致；其次，复合材料的压电微柱较小(10～200微米)，刚好适合固相晶体生长方法的制备尺寸范围；然后，利用了复合材料阵列可以极大地增加复合材料的尺寸，又解决了PZT单晶无法达到大尺寸问题。
如CN115069524A公开了一种高频超声换能器用1-3复合压电材料及其制备方法，包括如下步骤：S1：通过刻蚀技术制备含有微孔的软模板；S2：利用压电陶瓷粉体填充步骤S1得到的软模板中的微孔；S3：对步骤S2得到的产物进行高温烧结以除去软模板，得到压电陶瓷柱阵列；S4：利用高分子聚合物对步骤S3得到的压电陶瓷柱阵列进行填充固化，得到半成品；S5：对步骤S4得到的半成品进行研磨减薄、镀电极并极化，得到1-3复合压电材料。但是该申请仅仅更换了传统的硅模板，仍然无法制备或有效切割出高长径比和极小直径的PZT单晶微柱。
发明内容
本发明的目的就是为了克服传统晶体生长技术无法生长出大尺寸PZT单晶、以及传统切割填充法无法有效切割出高长径比和极小直径的PZT单晶微柱的缺陷而提供一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料及其制备方法和应用。本发明将软模板1-3复合材料制备方法和PZT固相单晶生长方法相结合，从粉料出发直接制备出PZT单晶微柱及其大尺寸阵列，进而获得大尺寸、高性能的1-3型PZT单晶压电复合材料。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
本发明第一方面提供了一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备软模板：按1:0.6-1:0.2的质量比混合环氧树脂和固化剂并注入模具中，风干固化后打孔、切割、超声后得到软模板；
S2：制备PZT粉末：按Pb(Zr1-xTix)O3(0.43≤x≤0.48)的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨后干燥、过筛、预烧，再进行二次球磨、干燥、过筛后得到PZT粉末；
S3：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入2-8wt％PbO或2-8wt％Pb3O4粉末，混合均匀后加入胶水，得到PZT浆料；
S4：固相晶体生长：将S3中的PZT浆料注入至S1中软模板中，顶部贴合籽晶，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，加压后煅烧并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列；
S5：固化成型：将高分子聚合物填充至S4中的PZT单晶微柱阵列，接着固化得到1-3PZT型压电单晶复合材料。
进一步的，在步骤S1中，所述环氧树脂为M01-A型环氧树脂，所述固化剂为W93型固化剂；或所述环氧树脂为E-51-618型环氧树脂，所述固化剂为593型固化剂；或所述环氧树脂为E-44型环氧树脂，所述固化剂为650型固化剂；或所述环氧树脂为K-960型环氧树脂，所述固化剂为960型环氧固化剂；或所述环氧树脂为M-C05A型环氧树脂，所述固化剂为M-C05B环氧固化剂。
进一步的，在步骤S2中，一次球磨的条件为：球磨时间8-12h；预烧的条件为：在温度600-1000℃下煅烧1-3h；二次球磨的条件为：球磨时间10-20h。
进一步的，在步骤S3中，所述胶水选自环氧树脂、硅胶、聚乙烯醇中的一种或多种。
进一步的，在步骤S4中，所述籽晶选自钙钛矿型单晶、铌镁钛酸铅单晶、铌铟镁钛酸铅、单晶钛酸钡单晶中的一种或多种。
进一步的，在步骤S4中，加压的条件为：压力10-50MPa，时间2-5min。
进一步的，在步骤S4中，煅烧的条件为：温度1000-1300℃，煅烧时间为20-72h，升温速率为2-8℃min-1。
进一步的，在步骤S5中，所述高分子聚合物选自Epo-Tek 301-2型环氧树脂聚合物、双酚A型环氧树脂、DY-E501环氧树脂、E-44环氧树脂胶、DF-6101环氧树脂、E-51-618环氧树脂、S-K138环氧树脂中的一种或多种。
优选的，所述环氧树脂优选为M01-A型环氧树脂，所述固化剂优选为W93型固化剂。
优选的，在步骤S2中，一次球磨的条件优选为：球磨时间10h；预烧的条件优选为：在温度800℃下煅烧2h；二次球磨的条件优选为：球磨时间15h。
优选的，在步骤S3中，所述胶水优选为环氧树脂。
优选的，在步骤S4中，所述籽晶优选为铌镁钛酸铅单晶。
优选的，在步骤S4中，加压的条件优选为：压力10MPa，时间5min。
优选的，在步骤S4中，煅烧的条件优选为：温度1200℃，煅烧时间为30h，升温速率为3℃min-1。
优选的，在步骤S5中，所述高分子聚合物优选为Epo-Tek 301-2型环氧树脂聚合物。
本发明第二方面提供了一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料，采用上述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法得到。
本发明第三方面提供了一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的应用，所述PZT单晶压电复合材料用于医用超声成像和治疗、工业无损检测、声通讯。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明基于固态晶体生长法的原理，在软模板中的粉体内直接长出PZT单晶微柱列，解决了PZT单晶难以大面积生长的难题。
(2)本发明降低了PZT单晶的消耗，避免了在对单晶切割时，无法避免地会引起损耗。
附图说明
图1为本发明实施例1中制备PZT压电单晶复合材料的步骤示意图。
图2为软模板法制备大尺寸PZT单晶压电复合材料流程示意图和本发明实施例1中制备大尺寸PZT单晶压电复合材料流程示意图。
图3为本发明实施例1中步骤S4固相晶体生长的机理示意图。
图4为本发明实施例1制备的PZT压电单晶复合材料的X射线衍射谱。
图5为本发明实施例1制备的PZT压电单晶复合材料的光学显微图。
图6为本光明实施例1制备的PZT压电单晶复合材料的阻抗频谱。
图中标号：
1-提拉法长单晶，2-单晶薄片，3-切割单晶填充，4-PZT压电单晶复合材料，5-微柱排列有序的软模板，6-PZE浆料，7-PZT浆料填充至软模板，8-单晶籽晶，9-贴合，10-烧结，11-晶粒，12-晶界，13-恒温过程，14-降温过程。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。如无特别说明，本申请的实施例中的原料均通过商业途径购买。
其中，M01-A型环氧树脂和W93固化剂购买自久力美电子材料；Epo-Tek301-2型环氧树脂胶为EPOXY TECHNOLOGY。
实施例1
本实施例制备一种微柱直径为50μm的1-3型PZT压电单晶复合材料，参见图1和图2所示，包括如下步骤：
S1：制备软模板：按1:0.4的质量比M01-A型环氧树脂和W93型固化剂并注入模具中，风干固化后打孔、切割、超声后得到软模板；
S2：制备PZT粉末：按Pb(Zr0.54Ti0.46)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨，本步骤中采用湿磨12h，接着干燥并过100目筛网，接着进行在800℃下煅烧2h，再进行二次球磨，本步骤采用湿磨15h，接着干燥并过100目筛网后得到PZT粉末。
S3：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入4wt％PbO粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％PbO浆料；
S4：固相晶体生长：将S3中的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％PbO浆料注入至S1中软模板中，选取尺寸为5×5×0.5mm3的PMNT单晶(铌镁钛酸铅单晶)贴合，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，在10MPa压力下加压3min，接着将其放入马弗炉中进行煅烧，以每分钟3℃的升温速率升至1200℃，保温30h，并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列；
S5：固化成型：将Epo-Tek 301-2/1LB/A环氧树脂和Epo-Tek 301-2/1LB/B固化剂填充至S4中的PZT单晶微柱阵列后固化得到1-3PZT型压电单晶复合材料；
S6：后处理：对固化好后的1-3型PZT压电单晶复合材料进行切割、研磨减薄、镀电极和极化等操作。镀电极时，采用镍、铬进行打底，两面镀上金电极或者银电极，时间为15min，电流为6mA。极化的电压范围为3～10kV，极化时间为15min，极化温度为50℃。
图2中的5-10为具体的流程，其中，5为微柱排列有序的软模板，6为PZE浆料，7为将PZT浆料填充至软模板中，8为单晶籽晶，贴合在软模板上9，烧结得到PZT单晶微柱10，填充聚合物进行固化得到1-3型PZT压电单晶复合材料4。
对步骤S4固相晶体生长进行验证分析，如图3所示，前三张图为籽晶，后两张图为籽晶基础上长出的新的PZT单晶，晶粒11随着温度慢慢升高，晶界12最先开始由固相变为液相，温度逐渐升高，液相越来越多。恒温过程13，靠近籽晶一侧的液相按照单晶的结构慢慢生长。降温过程14中，靠近籽晶一侧长出PZT单晶，其余部分为PZT陶瓷。
表征分析：
对实施例1采取表征分析
1)XRD分析
仪器型号：Bruker diffractometer(AXSD8 ADVANCE)型X射线衍射仪(CuKα辐射源，λ＝1.5406nm)，衍射角范围为20°～60°。
对实施例1进行研磨成粉，过300目筛网，采用X射线粉末衍射仪测定PZT压电单晶复合材料粉末在室温下的单晶性质和结构。
分析如下：
图4展示了实施例1制备的PZT单晶复合材料的XRD图谱。观察到了{110}XRD峰这证实了在籽晶上的外延生长和单晶性质。
2)阻抗谱测试
仪器型号：JP-010T型超声波清洗机；国产JS-1600小型真空离子溅射仪(真空度≤1×10-1Mpa，工作电流5-10mA)；国产CC2672A型耐电压测试仪。
对实施例1进行减薄、研磨处理，使用1000目的金刚石磨盘进行粗磨，接着使用氧化铝磨板进行细磨，获得厚度为0.5mm的薄片。
利用超声清洗仪对获得的样品清洗20分钟，50℃烘干后，用磁控溅射仪对样品的两个表面进行镀金电极处理，每个表面的电极溅射时间为10分钟。
对镀好电极的复合材料样品进行极化处理，极化在硅油和室温中进行，极化电压为10kV/mm，极化时间为10分钟。
利用精密LCR分析仪HP4284A测量样品的阻抗-频率谱，测量温度为室温，测量频率为1-10MHz。
根据阻抗-频率谱得到样品的谐振频率(fr)与反谐振频率(fa)，由公式：
计算得到机电耦合系数kt的值。其中，fr为谐振频率，fa为反谐振频率。
结果如图6所示，明显看出，黑色曲线中左边低峰为谐振频率，右边高峰为反谐振频率
3)微观视图
测试仪器：国产GP-300C型显微镜，放大倍数为1000倍。
结果如图5所示，图中中间大面积矩形形状为籽晶，外围一小圈为生长出的PZT单晶。
实施例2
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S1改为：制备软模板：按1:0.6的质量比M01-A型环氧树脂和W93型固化剂并注入模具中，风干固化后打孔、切割、超声后得到软模板。
实施例3
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S1改为：制备软模板：按1:0.2的质量比M01-A型环氧树脂和W93型固化剂并注入模具中，风干固化后打孔、切割、超声后得到软模板。
实施例4
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S2改为：制备PZT粉末：按Pb(Zr0.57Ti0.43)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨，本步骤中采用湿磨12h，接着干燥并过100目筛网，接着进行在800℃下煅烧2h，再进行二次球磨，本步骤采用湿磨15h，接着干燥并过100目筛网后得到PZT粉末。
实施例5
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S2改为：制备PZT粉末：按Pb(Zr0.52Ti0.48)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨，本步骤中采用湿磨12h，接着干燥并过100目筛网，接着进行在800℃下煅烧2h，再进行二次球磨，本步骤采用湿磨15h，接着干燥并过100目筛网后得到PZT粉末。
实施例6
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S2改为：制备PZT粉末：按Pb(Zr0.54Ti0.46)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨，本步骤中采用湿磨8h，接着干燥并过100目筛网，接着进行在600℃下煅烧3h，再进行二次球磨，本步骤采用湿磨20h，接着干燥并过100目筛网后得到PZT粉末。
实施例7
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S2改为：制备PZT粉末：按Pb(Zr0.54Ti0.46)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨，本步骤中采用湿磨10h，接着干燥并过100目筛网，接着进行在1200℃下煅烧1h，再进行二次球磨，本步骤采用湿磨10h，接着干燥并过100目筛网后得到PZT粉末。
实施例8
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S3改为：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入2wt％PbO粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+2wt％PbO浆料。
实施例9
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S3改为：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入8wt％PbO粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+8wt％PbO浆料。
实施例10
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S3改为：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入8wt％Pb3O4粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+8wt％Pb3O4浆料。
实施例11
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S3改为：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入2wt％Pb3O4粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+2wt％Pb3O4浆料。
实施例12
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S3改为：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入4wt％Pb3O4粉末充作助燃剂，混合均匀后加入Epo-Tek 301-2型环氧树脂胶，得到Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％Pb3O4浆料。
实施例12
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S4改为：固相晶体生长：将S3中的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％PbO浆料注入至S1中软模板中，选取尺寸为5×5×0.5mm3的PMNT单晶贴合，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，在50MPa压力下加压2min，接着将其放入马弗炉中进行煅烧，以每分钟3℃的升温速率升至1200℃，保温30h，并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列。
实施例13
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S4改为：固相晶体生长：将S3中的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％PbO浆料注入至S1中软模板中，选取尺寸为5×5×0.5mm3的PMNT单晶贴合，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，在10MPa压力下加压5min，接着将其放入马弗炉中进行煅烧，以每分钟2℃的升温速率升至1000℃，保温72h，并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列。
实施例14
与实施例1相比，绝大部分相同，除了步骤S4改为：固相晶体生长：将S3中的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3+4wt％PbO浆料注入至S1中软模板中，选取尺寸为5×5×0.5mm3的PMNT单晶贴合，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，在10MPa压力下加压3min，接着将其放入马弗炉中进行煅烧，以每分钟8℃的升温速率升至1300℃，保温20h，并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于上述实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制备软模板：按1:0.6-1:0.2的质量比混合环氧树脂和固化剂并注入模具中，风干固化后打孔、切割、超声后得到软模板；
S2：制备PZT粉末：按Pb(Zr1-xTix)O3的化学计量比称取Pb3O4、ZrO2、TiO2，进行一次球磨后干燥、过筛、预烧，再进行二次球磨、干燥、过筛后得到PZT粉末，x的取值范围为0.43-0.48；
S3：制备PZT浆料：在S2中的PZT粉末加入2-8wt％PbO或2-8wt％Pb3O4粉末，混合均匀后加入胶水，得到PZT浆料；
S4：固相晶体生长：将S3中的PZT浆料注入至S1的软模板中，顶部贴合籽晶，中间缝隙处贴合覆盖S2中的PZT粉末，加压后煅烧并去除软模板后得到PZT单晶微柱，并在单晶衬底上形成PZT单晶微柱阵列；
S5：固化成型：将高分子聚合物填充至S4中的PZT单晶微柱阵列，接着固化得到1-3PZT型压电单晶复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述环氧树脂为M01-A型环氧树脂，所述固化剂为W93型固化剂；或所述环氧树脂为E-51-618型环氧树脂，所述固化剂为593型固化剂；或所述环氧树脂为E-44型环氧树脂，所述固化剂为650型固化剂；或所述环氧树脂为K-960型环氧树脂，所述固化剂为960型环氧固化剂；或所述环氧树脂为M-C05A型环氧树脂，所述固化剂为M-C05 B环氧固化剂。
3.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，一次球磨的条件为：球磨时间8-12h；预烧的条件为：在温度600-1000℃下煅烧1-3h；二次球磨的条件为：球磨时间10-20h。
4.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述胶水选自环氧树脂、硅胶、聚乙烯醇中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述籽晶选自钙钛矿型单晶、铌镁钛酸铅单晶、铌铟镁钛酸铅、单晶钛酸钡单晶中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，加压的条件为：压力10-50MPa，时间2-5min。
7.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，煅烧的条件为：温度1000-1300℃，煅烧时间为20-72h，升温速率为2-8℃min-1。
8.根据权利要求1所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S5中，所述高分子聚合物选自Epo-Tek 301-2型环氧树脂聚合物、双酚A型环氧树脂、DY-E501环氧树脂、E-44环氧树脂胶、DF-6101环氧树脂、E-51-618环氧树脂、S-K138环氧树脂中的一种或多种。
9.一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料，其特征在于，采用如权利要求1-8任一所述的一种基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的制备方法得到。
10.一种如权利要求9所述的基于软模板法的大尺寸PZT单晶压电复合材料的应用，其特征在于，所述PZT单晶压电复合材料用于医用超声成像和治疗、工业无损检测、声通讯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410225285.2A CN118159116A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 一种基于软模板法的大尺寸pzt单晶压电复合材料及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410225285.2A CN118159116A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 一种基于软模板法的大尺寸pzt单晶压电复合材料及其制备方法和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118159116A true CN118159116A (zh) | 2024-06-07 |
Family
ID=91289479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410225285.2A Pending CN118159116A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 一种基于软模板法的大尺寸pzt单晶压电复合材料及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118159116A (zh) |
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