CN118103767A - 显示面板与制造显示面板的方法 - Google Patents

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CN118103767A
CN118103767A CN202280003250.3A CN202280003250A CN118103767A CN 118103767 A CN118103767 A CN 118103767A CN 202280003250 A CN202280003250 A CN 202280003250A CN 118103767 A CN118103767 A CN 118103767A
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李超
张良维
张春旭
陈亮
陆文涛
张伟
李会
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract

本申请公开了一种显示面板与制造显示面板的方法。显示面板(100)包括衬底基板(105)和布置在衬底基板上的信号线(110)，其中，衬底基板包括至少一个显示区(115)，每个显示区包括多个像素区(116)以及位于多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区(117)，信号线位于间隔区内，其中，显示面板还包括有机膜层(120)，有机膜层布置在信号线背离衬底基板的一侧，并且有机膜层在衬底基板上的正投影覆盖信号线在衬底基板上的正投影。

Description

显示面板与制造显示面板的方法 技术领域
本申请涉及显示技术的领域，尤其涉及一种显示面板与制造显示面板的方法。
背景技术
在常见的液晶显示面板，尤其是大尺寸面板中，阵列基板中布置有诸如栅线和数据线的多种金属导线。这些金属导线可能形成边缘电场，影响液晶的偏转，从而引发漏光的问题。为了解决该问题，可以在与阵列基板对置的彩膜基板中在与这些金属导线对应的位置设置黑矩阵(Black Mask)，以遮挡漏光。但是，为了实现较高程度的阻挡漏光，需要黑矩阵具有一定的宽度，而在相关技术中，这样的宽度又会影响显示面板的透过率。
发明内容
根据本申请的一方面，提供了一种显示面板，包括衬底基板和布置在所述衬底基板上的信号线，其中，所述衬底基板包括至少一个显示区，每个显示区包括多个像素区以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区，所述信号线位于所述间隔区内。所述显示面板还包括有机膜层，所述有机膜层布置在所述信号线背离所述衬底基板的一侧，并且所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中，所述有机膜层包括顶部区域和侧表面，所述顶部区域位于所述有机膜层背离所述信号线的一侧，所述侧表面位于所述顶部区域和所述信号线之间，其中，所述侧表面相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度大于或等于15°。在一些更具体的实施例中，所述侧表面相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度大于或等于20°。
在一些实施例中，所述有机膜层从所述间隔区延伸到所述像素区，其中，所述有机膜层包括第一有机膜部分和第二有机膜部分，所述第一有机膜部分位于所述间隔区，所述第二有机膜部分位于所述像素区， 其中所述第一有机膜部分的平均厚度大于所述第二有机膜部分的平均厚度。
在一些实施例中，所述第一有机膜部分的平均厚度大于或等于15000埃米。
在一些实施例中，所述第二有机膜部分的平均厚度小于或等于8000埃米。
在一些实施例中，显示面板还包括公共电极层，所述公共电极层包括彼此平行并间隔布置的多个条状公共电极，其中所述多个条状公共电极的一部分布置在所述间隔区，并且所述有机膜层位于布置在所述间隔区的条状公共电极和所述信号线之间。
在一些实施例中，所述至少一个显示区包括多个显示区，所述衬底基板还包括多个非显示区，所述多个非显示区中的每个非显示区包围所述多个显示区中的对应的显示区，所述衬底基板还包括位于所述多个非显示区中的任意两个相邻的非显示区之间的切割区，其中，所述有机膜层从所述显示区延伸到所述非显示区和所述切割区。
在一些实施例中，所述有机膜层包括第一有机膜部分、第二有机膜部分、第三有机膜部分和第四有机膜部分，所述第一有机膜部分位于所述间隔区，所述第二有机膜部分位于所述像素区，所述第三有机膜部分位于所述切割区，所述第四有机膜部分位于所述非显示区，其中所述第三有机膜部分的平均厚度大于或等于所述第一有机膜部分的平均厚度，并且所述第三有机膜部分的平均厚度大于所述第二有机膜部分和所述第四有机膜部分中的至少一个的平均厚度。
在一些实施例中，所述第四有机膜部分包括凹槽部和位于所述凹槽部两侧的边缘部，所述凹槽部的平均厚度小于所述边缘部的平均厚度，其中，所述显示面板还包括封框胶，所述封框胶位于所述凹槽部内。
在一些实施例中，显示面板还包括隔垫物，其中所述隔垫物位于所述有机膜层背离所述衬底基板的一侧。
在一些实施例中，所述有机膜层包括过孔，所述过孔包括第一开口、第二开口、和位于所述第一开口和所述第二开口之间的内壁，所述内壁包括第一内壁坡度渐变区、第二内壁坡度渐变区、和介于所述第一内壁坡度渐变区和所述第二内壁坡度渐变区之间的内壁坡度稳定 区，其中所述内壁坡度稳定区相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度小于或等于20°。在一些更具体的实施例中，所述内壁坡度稳定区相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度小于或等于15°。
根据本申请的另一方面，提供了一种制造显示面板的方法。该方法包括：提供衬底基板，其中，所述衬底基板包括至少一个显示区，每个显示区包括多个像素区以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区；在所述衬底基板上形成信号线，其中所述信号线位于所述间隔区内；在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层，其中所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层包括：在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层；利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层，其中所述有机材料图案层包括有机材料完全保留区和有机材料部分保留区，所述有机材料完全保留区位于所述间隔区，所述有机材料部分保留区位于所述像素区，其中所述有机材料完全保留区的厚度大于所述有机材料部分保留区的厚度；固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。
在一些实施例中，固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层包括：以第一温度加热、并以具有第一辐射照度的紫外光照射所述有机材料图案层以得到预固化层，其中所述第一温度在120℃到140℃的范围之内，所述第一光强辐射照度在700mw/cm 2-1000mw/cm 2的范围之内；以及，以第二温度加热所述预固化层以得到所述有机膜层，其中所述第二温度在230℃到250℃的范围之内。
在一些实施例中，所述至少一个显示区包括多个显示区，所述衬底基板还包括多个非显示区，所述多个非显示区中的每个非显示区包围所述多个显示区中的对应的显示区，所述衬底基板还包括位于所述多个非显示区中的任意两个相邻的非显示区之间的切割区，其中，在利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层的步骤中，所述有机材料部分保留区包括第一有机材料部分保留区和第二有机材料部分保留区，其中所述有机材料完全保留区位于所述间隔区和所述切割区，所述第一有机材 料部分保留区位于所述非显示区，所述第二有机材料部分保留区位于所述像素区。
在一些实施例中，所述第一有机材料部分保留区包括凹槽部和位于所述凹槽部两侧的边缘部，所述凹槽部的平均厚度小于所述边缘部的平均厚度，其中，所述方法还包括：在所述凹槽部提供封框胶。
在一些实施例中，所述有机膜层包括过孔，并且，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层包括：在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层；利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层，其中所述有机材料图案层包括过孔图案，所述过孔图案包括第一开口、第二开口、和位于所述第一开口和所述第二开口之间的内壁图案，所述第一开口位于所述有机材料图案层远离所述衬底基板的表面，所述第二开口位于所述有机材料图案层靠近所述衬底基板的表面，所述内壁图案包括第一爬升区、第二爬升区、以及位于第一爬升区和第二爬升区之间的台阶部，所述台阶部与所述第一开口和所述第二开口平行；固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。
在一些实施例中，所述台阶部到所述第一开口的距离与所述台阶部到所述第二开口的距离的比例在90％-110％的范围内。
附图说明
为了更清楚地描述本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中，相同或相似的元件可以由相同或相似的图案或符号来表示。应理解，除非有明确的描述，否则附图中的图案或符号仅用于对元件进行区分，但并不用于限定元件的形状。在本申请的附图中：
图1示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部俯视图；
图2A示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图2B示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图3示意性地示出了根据本申请实施例的有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度；
图4示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图5示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图6示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的俯视图；
图7示意性地示出了相关的显示面板的应力变化曲线；
图8示意性地示出了相关的显示面板的边缘漏光现象；
图9A和9B示意性地示出了相关的具有段差改善层的显示面板的应力变化曲线；
图10示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图11示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图12A示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部俯视图；
图12B示意性地示出了相关的显示面板的局部截面图；
图12C示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图；
图13示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的有机膜层中的过孔的截面图；
图14示意性地示出了根据本申请实施例的制造显示面板的方法的流程图；
图15示意性地示出了经过不同剂量的紫外光照射后的有机膜层对可见光的透过率；
图16A示意性地示出了在相关的形成有机膜层的过程中的有机膜层的各阶段的形态；
图16B示意性地示出了在根据本申请实施例的制造显示面板的方法中的形成有机膜层的过程中的有机膜层的各阶段的形态；
图17A示意性地示出了采用相关方法得到的有机膜层的段差影像；
图17B示意性地示出了采用根据本申请实施例的制造显示面板的方法得到的有机膜层的段差影像；
图18示意性地示出了在根据本申请实施例的制造显示面板的方法中用于形成过孔的半色调掩模板的俯视图；
图19示意性地示出了利用半色调掩模板曝光有机材料层时得到的过孔图案的截面图；
图20示意性地示出了过孔图案的截面影像。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例都属于本申请的保护范围。
根据本申请的一方面，提供了一种显示面板。图1示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部俯视图。图2A示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图。具体的，图2A是根据本申请实施例的显示面板沿图1的A-A′线的截面图。图2B示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的另一局部截面图。具体的，图2B是根据本申请实施例的显示面板沿图1的B-B′线的截面图。如图1至图2B所示，显示面板100包括衬底基板105和布置在所述衬底基板上的信号线110。衬底基板105包括至少一个显示区115。显示区是指显示面板中用于显示图像的区域。每个显示区115包括多个像素区116以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区116之间的间隔区117。应理解，显示面板所显示的图像是由一个个像素发光来形成的，每个像素所在的区域即为一个像素区，像素区允许光线透过(即，透光)。各像素区116可以按照行列排布成阵列。相邻的两个像素区之间存在间隔区117。间隔区117一般是不透光的。所述信号线110位于所述间隔区117内。每个像素区116配有对应的信号线，以用于控制所述像素区116的透光程度。
在图2A所示的实施例中，信号线110具体可以是数据线。数据线用于为像素提供显示信号。数据线通过像素电极的驱动晶体管的有源层109传递到像素电极。如图2A所示，在衬底基板105上布置有像素电极106。栅极绝缘层107覆盖像素电极106。在栅极绝缘层107上形 成有所述有源层109和所述信号线110。钝化层111覆盖所述信号线110。钝化层111的材料可以是无机绝缘材料，例如硅的氮化物(SiNx)。公共电极108形成在钝化层111上。
在图2B所示的实施例中，信号线110具体可以是栅线。栅线用于为像素提供驱动信号，以打开/关闭控制像素电极的驱动晶体管。如图2B所示，在衬底基板105上布置有像素电极106，而且一部分像素电极106存在于间隔区117。栅线设置在位于间隔区117的像素电极之上。栅极绝缘层107覆盖像素电极106和栅线。钝化层111覆盖所述栅极绝缘层107。公共电极108形成在钝化层111上。
前述各个层结构都位于显示面板100的阵列基板101中。显示面板100还包括对置基板124。阵列基板101和对置基板124之间具有液晶层102。对置基板124也包括衬底基板126，并且在对应于间隔区117的位置布置了黑矩阵125。
本申请的发明人指出，当显示面板是液晶面板时，信号线可能在其周围引起边缘电场，从而影响液晶分子的偏转，使得出现暗态漏光等一系列的问题。虽然可以通过在对置基板124设置黑矩阵125的形式来阻挡漏光，但为实现有效地阻挡，需要黑矩阵125具有较大的宽度，这会影响显示面板的透过率。为了至少解决该问题，如图1至图2B所示，在根据本申请实施例的显示面板中，显示面板100还包括有机膜层120。所述有机膜层120布置在所述信号线110背离所述衬底基板105的一侧。并且。所述有机膜层120在所述衬底基板105上的正投影覆盖所述信号线110在所述衬底基板上的正投影。术语“正投影”应理解为被投影的目标物沿垂直于目标平面的方向在该目标平面上的投影。在一些实施例中，有机膜层的材料可以具有以下特性。首先，形成有机膜层的有机材料可以是电绝缘的，以便有效地屏蔽信号线的干扰。并且，有机材料可以是光敏的，使得受到曝光的有机材料能够溶于显影液，这样可以不用刻蚀工艺，而是直接采用曝光(利用具有特定图案的掩模板曝光有机膜层的材料)和显影(清洗有机材料以去掉被曝光的区域)工艺来形成需要的有机膜层图案。此外，有机材料还应具有热固性，以便在曝光显影后固定其形状。在更具体的实施例中，有机膜层的材料可以是树脂材料、丙烯酸、聚酰亚胺、萘醌二叠氮化合物等有机材料。为了有效地屏蔽电场，有机膜层的厚度可以设 置为至少1.5μm，例如1.5μm到3.0μm之间，此时有机膜层的厚度能够有效地屏蔽信号线的电场，但又不至于过厚从而导致面板段差过大，影响阵列基板101表面平整度。通过在该位置设置有机膜层，有机膜层可以屏蔽信号线对液晶电场的干扰，减少漏光的宽度，这能够带来多种影响透过率的改变。例如，从像素设计的角度来说，漏光宽度的减小允许条状电极的宽度W和间距S之比提高，狭缝倾角降低。并且，信号线对应的黑矩阵是宽度能够减小，使得面板的开口率因此得到增加。表1示出了根据本领域相关技术的显示面板和根据本申请实施例的显示面板的参数比较。
表1：显示面板参数比较。
如表1所示，在这两种显示面板中，在像素设计方面，条状电极的宽度W和间距S之比提高，狭缝倾角降低。通过这种设计，将透过率提高了3.2％。并且，栅线和数据线对应的黑矩阵的宽度都得到减小，导致开口率提升，进而使得透过率提升。仅通过这几项改变就将面板透过率提升了16.43％(3.2％+13.23％)。
另外，还可以采用其他手段提高面板透过率。例如，相比于常规的ADS型(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)面板，本申请实施例可以适用于i-ADS型(inverse Advanced Super Dimension Switch，倒转ADS技术)面板。在ADS型面板中，包括具有狭缝的块状像素电极和一整层板状公共电极，像素电极和公共电极位于液晶层同侧，且像素电极相比于公共电极更靠近液晶层。ADS面板是一种先进的、具有宽视角的面板。在ADS型面板中，通过同一平 面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内的所有液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，提高了画面品质，相对于传统的TN型面板具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。不过，ADS型面板在某些方面也有缺点。例如，在以TN型面板为例的垂直电场型液晶显示面板中，液晶分子垂直取向。在此情况下，即使阵列基板和对置基板受力而产生光学延迟，垂直电场型的液晶显示面板在暗态下也不容易漏光。但在以ADS型面板为例的水平电场型液晶显示面板中，液晶分子水平取向。在此情况下，在阵列基板和对置基板受力而产生光学延迟时，水平电场型的液晶显示面板在暗态下容易漏光。而且常见的ADS面板的开口率仍然较小，无法满足高品质显示的需求。而在i-ADS型面板中，包括一整层平行且间隔布置的多个条状公共电极和块状的像素电极，且像素电极相比于公共电极更远离液晶层。在i-ADS型面板中，一部分的条状的公共电极108可以设置在相邻像素区116之间的间隔区117中，并位于信号线110(数据线)和液晶层102之间，也就是公共电极108覆盖信号线110，以便屏蔽信号线110电场，避免信号线110附近由于电场存在而产生的漏光问题。不过，在常规的i-ADS型面板中，公共电极与信号线距离较近，导致耦合电容较大。在像素充放电过程中，容易受到此耦合电容的拉动，导致充电率下降，出现残像、串扰等画质不良现象。这个问题在大尺寸产品中尤为严重。而在本申请实施例的显示面板中，如图2A和图2B所示，可以将有机膜层120设置在公共电极108与信号线110之间，也就是在信号线110上方进行垫高，增加了公共电极108与信号线110间的距离，减小了耦合电容，有利于改善残像、串扰等问题。如表1所示，本申请的显示面板结合了i-ADS技术和有机膜层，提升了面板透过率。不过本申请的显示面板并不限于ADS型显示面板，其也可以应用于除ADS之外的其它平面电场型面板(IPS，In-PlaneSwitching，平面转换型)以及垂直电场型面板(如VA，Vertical Alignment，垂直取向型)。
除此之外，通过选择合适的液晶材料和偏振层表面处理工艺，也可以提升透过率。总体来看，根据本申请实施例的显示面板相对于本领域内常规的显示面板提升了27.5％的透过率。
应理解，表1所示出的各参数仅仅意图用于表明本申请实施例的显示面板具有较高的透过率，以及造成透过率提升的具体原因。这些参数并不应该被解读为对本申请实施例的显示面板的参数的限制。
下面以示例的方式描述本申请实施例的显示面板中的一些层的材料和尺寸。在一些实施例中，公共电极108可以采用ITO(氧化铟锡)作为材料，其厚度可以在 至 之间，例如 像素电极108也可以采用ITO作为材料，其厚度可以在 至 之间，例如 栅线可以采用铜作为材料，其厚度可以是 至 之间，例如 栅极绝缘层107可以采用硅的氮化物作为材料，其厚度可以在 到 之间，例如 有源层109的材料可以是单晶硅(A-Si)，其厚度可以在 到 之间，例如 数据线可以由钼、铜、钼的叠层构成，三个层的厚度可以分别为 例如 钝化层111可以采用硅的氮化物作为材料，其厚度可以在 到 之间，例如 等。
由于阵列基板的不同区域布置了不同的层结构，阵列基板各处的高度是不一致的。例如，在形成了有机膜层120的位置，阵列基板的厚度会增加。这样，在为阵列基板提供配向层时，配向层并非平坦的涂覆在阵列基板的表面，而是存在段差。在利用摩擦滚轮摩擦配向层时，滚轮会经历上坡和下坡过程。例如，滚轮到达厚度较大处时会经历上坡，而离开厚度较大处时会经历下坡。在下坡时，滚轮与配向层的膜面的接触较弱，导致配向力度弱，形成了配向弱区。配向弱区内的液晶分子的平均锚定能较弱，更易受到电场扰动和出现配向紊乱现象，因此配向弱区的漏光会更严重，不能作为显示区，这实际上影响了开口率。为了获得较高的开口率，需要减小配向弱区的范围，例如减小坡度区域的宽度。
在一些实施例中，如图2A和图2B所示，所述有机膜层120包括顶部区域121和侧表面122。所述顶部区域121位于所述有机膜层120背离所述信号线110的一侧。术语“顶部区域”可以理解为，有机膜层120的膜面上远离信号线的一部分区域，此部分区域可以是平面，也可以是稍有弧度的曲面，其相对于衬底基板所在平面是基本平行的，或仅具有较小的倾斜程度，其倾斜程度远小于侧表面122相对于衬底 基板105所在平面的倾斜角度。例如，顶部区域121相对于衬底基板105所在平面的倾斜角度小于或等于5°。所述侧表面122位于所述顶部区域121和所述信号线110之间。所述侧表面122相对于所述衬底基板105所在平面的倾斜角度α大于或等于15°。“侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度”可以理解为，在有机膜层的截面图中，沿侧表面的底部做一切线，该切线相对于衬底所在平面的角度即为有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度。在一些更具体的实施例中，所述侧表面122相对于所述衬底基板105所在平面的倾斜角度α甚至可以达到20°或更高。例如，图3示意性地示出了根据本申请实施例的有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度，该图及其测量数据来自于发明人对实际生产中得到的显示面板的拍摄。具体的，在图3中，有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度α约为22°。相对的，在常规的显示面板中，有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度非常小，无法达到15°，一般仅为12°或更低。因此，根据本申请实施例的显示面板中的有机膜层120的侧面的倾斜程度较高，在段差不变的情况下减小了沿衬底基板所在平面的方向上的宽度，从而减小了配向弱区的范围，有助于提高面板的开口率。
在本申请实施例的显示面板中，有机膜层可以仅布置在间隔区117，也可以从间隔区117延伸到像素区116。图4和图5分别示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图。在图4和图5的实施例中，所述有机膜层120从所述间隔区117延伸到所述像素区116。在这种情况下，所述有机膜层120包括第一有机膜部分221和第二有机膜部分222。所述第一有机膜部分221位于所述间隔区117，所述第二有机膜部分222位于所述像素区116。不过，所述第一有机膜部分221的平均厚度与所述第二有机膜部分222的平均厚度并不相同。在一些实施例中，所述第一有机膜部分221的平均厚度大于所述第二有机膜部分222的平均厚度。这是因为，第二有机膜部分222位于像素区116，会增加像素区的厚度，从而减小用于驱动液晶的有效电场，导致液晶的偏转电压降低。通过减薄第二有机膜部分222的平均厚度，能够降低像素区的厚度，增加电场，从而确保液晶偏转电压维持在较高水平。此外，减薄第二有机膜部分222的平均厚度还有助于提高像 素的散热能力。在更具体的实施例中，所述第一有机膜部分221的平均厚度大于或等于 所述第二有机膜部分222的平均厚度小于或等于 形成第一有机膜部分221和第二有机膜部分222的具体方法将在后文中描述。
本申请的显示面板可以是大尺寸面板，例如对角线尺寸至少65英寸的面板。在制造时，可以采用一张玻璃基板切出多张液晶显示面板，以提高玻璃利用效率和生产效率。例如，作为衬底基板的玻璃基板的尺寸可达到以2940mm×3370mm，其可以生产6张75寸液晶显示面板。图6示意性地示出了衬底基板的俯视图。如图6所示，衬底基板105上包括多个显示区115，还包括多个非显示区118和位于所述多个非显示区中的任意两个相邻的非显示区之间的切割区119。所述多个显示区中的每个显示区115被所述多个非显示区中的对应的非显示区118包围。也就是说，每个显示区115外都围绕着一圈非显示区118，且非显示区118之间留有切割区119。显示区115的信号线会延伸到非显示区118。阵列基板上的栅极驱动电路(也称为GOA电路，Gate Driver on Array)也布置在非显示区118。此外，用于粘结阵列基板101和对置基板124的封框胶也会布置在非显示区118。在将多个显示区115分隔成单独的显示面板时，切割操作一般在切割区119内进行。
为了追求更高的产能，衬底基板的自动化运送不断提速。在显示面板的制备过程中，较大尺寸的玻璃基板在机械手臂的快速运送过程中相较小尺寸的玻璃基板会产生的更大的抖动和变形。切割区119和非显示区118的厚度通常较薄，因此显示区115、非显示区118、切割区119的厚度存在段差，导致不同位置的应力存在差异。图7示意性地示出了面板各处的应力差异。从图7可以看出，显示区115的边界处的应力明显大于其内部应力，非显示区118的应力沿着从显示区115到切割区119的方向明显下降，而切割区119内的应力从外向内减小。这是因为，在切割区119及非显示区118会产生较大形变，以致产生较大应力。面板边缘位置的受力不均会造成面板弯曲，在应力集中的地方就会产生漏光。图8示意性地示出了显示面板的漏光情况，其中虚线椭圆圈出了漏光的位置
在一些实施例中，为了解决各处应力不同的问题，可以在非显示区118增加段差改善层235，以便尽量减少显示区115与非显示区118 之间的应力，如图9A所示。在另一些实施例中，可以在切割区119增加段差改善层235，以减少非显示区118与切割区119的应力，如图9B所示。不过，这些方案需要额外地形成段差改善层235，这些层的涂覆增加了生产时间，降低了生产效率。在另一些实施例中，所述有机膜层120从所述显示区115延伸到所述非显示区118和所述切割区119。这样，无需额外地提供段差改善层就能弥补显示区115、非显示区118、和切割区119之间的段差，以便减少大尺寸基板在快速运送过程中因为抖动变形带来的边缘应力不均的问题，提高阵列基板的平坦度，进而改善显示面板的周边漏光情况。
在更具体的实施例中，从所述显示区115延伸到所述非显示区118和所述切割区119的所述有机膜层120包括第一有机膜部分221、第二有机膜部分222、第三有机膜部分241、第四有机膜部分242。所述第三有机膜部分241位于所述切割区119，所述第四有机膜部分242位于所述非显示区118。所述第三有机膜部分241的平均厚度大于或等于第一有机膜部分221的平均厚度，并且所述第三有机膜部分241的平均厚度大于所述第四有机膜部分242和所述第二有机膜部分222中的至少一个的平均厚度。图10示意性地示出了根据本申请的显示面板的局部截面图。如图10所示，切割区119内一般仅布置一层电极材料层(如本申请实施例中的像素电极106的材料层)以及其它绝缘材料层(如栅极绝缘层107的材料层和钝化层111的材料层)，因此切割区119对应的阵列基板的厚度一般是最薄的。非显示区118还布置有形成信号线110的导电材料层，因此非显示区118对应的阵列基板的厚度一般高于切割区119对应的阵列基板的厚度。显示区(包括间隔区和像素区)内的层结构最多，一般是厚度最厚的。因此，通过使所述第三有机膜部分241的平均厚度大于或等于所述第一有机膜部分221的平均厚度，且大于所述第四有机膜部分242和所述第二有机膜部分222中的至少一个的平均厚度，阵列基板中厚度最薄的位置被补充了最大厚度的有机膜层，因此改善了各个区之间的段差，减小了各个位置的应力之间的差异，有效地改善了上述边缘漏光问题。
在液晶显示面板中，封框胶253被用于连接阵列基板和对置基板。封框胶253的厚度约为 至 例如 现有的涂布封框胶的方式是靠控制涂胶头的速度以及高度来控制各个位置的涂胶 量，然后再通过对盒固化实现边角的圆角。因此，封框胶的圆角的涂布控制精度非常难，监控也比较困难。对于大尺寸显示面板来说，由于封框胶的宽度和长度较大，在涂布时更容易出现宽幅偏差及位置精度偏差。尤其是在转角处等位置，由于不好监控，常存在涂布偏差较大的问题。
为了解决上述问题，如图11所示，在一些实施例中，位于非显示区118的有机膜层的部分，也就是所述第四有机膜部分242，包括凹槽部251和位于所述凹槽部251两侧的边缘部252。所述凹槽部251的平均厚度小于所述边缘部252的平均厚度。可见，所述第四有机膜部分242是中间低，两边高的形状。所述显示面板还包括封框胶253。在一些实施例中，封框胶253的厚度约为 所述封框胶253位于所述凹槽部251内。这样，封框胶253在涂布时能够被第四有机膜部分242限制在预定位置，从而减少涂布位置及宽度的偏差，这对于拐角处的封框胶涂布尤其重要。通过位于非显示区118的所述第四有机膜部分242对封框胶进行限位，可以实现对封框胶涂布精度的控制。
上述实施例通过减薄有机膜层的局部厚度，实现了对封框胶的限位。除了限位的作用，有机膜层的减薄还有助于提高散热性能。例如，显示面板的每个像素内可能布置了多个晶体管，在工作时会散发大量热量。在一些实施例中，可以减薄对应于晶体管的位置处的有机膜层的厚度，以便提高散热性能。例如，在高刷新率(120Hz以上)或高分辨率(8k)面板中，移位寄存器单元中的连接在时钟信号端和输出端之间的晶体管发热较多，因此可以在该晶体管对应的位置减薄有机膜层的厚度，从而有助于晶体管的散热。
在液晶显示面板中，隔垫物(photo space，PS)通常设置在阵列基板和对置基板之间，用于支撑两个基板，以便维持两个基板之间的距离。在对置基板的对应位置，可以设置与隔垫物匹配的隔垫物支撑台。常规的液晶显示面板中可以包含两种隔垫物，即主隔垫物和辅助隔垫物。主隔垫物主要起支撑盒厚的作用，因此，主隔垫物的轴向长度(也就是高度)设置的较长，大于辅助隔垫物的轴向长度。辅助隔垫物主要起到增加面板的抗压能力的作用，因此，辅助隔垫物的分布密度可以设置成大于主隔垫物的分布密度。随着隔垫物的高度增加，容易增加“隔垫物——黑矩阵”偏移距离，降低了显示面板的开口率。在根 据本申请实施例的显示面板中，如图2B所示，所述隔垫物150位于所述有机膜层120背离所述衬底基板的一侧。这样，阵列基板和对置基板之间的距离将由有机膜层120和隔垫物150共同维持，缩减了隔垫物的高度，降低了“隔垫物——黑矩阵”偏移距离，极大提高了整体开口率及透过率。在更具体的实施例中，隔垫物可设置在栅线对应的有机膜层120上。图12A示意性地示出了根据本申请实施例所述的显示面板的俯视图。如图12A所示，隔垫物150可以设置在阵列基板的间隔区117中。图12B示意性地示出了相关显示面板的局部截面图。图12C示意性地示出了根据本申请实施例的显示面板的局部截面图。图12B的左侧示意性地示出了像素区的截面图，而图12B的右侧示意性地示出了间隔区的截面图。在本领域相关的显示面板中，阵列基板的像素区中包含了像素电极106和公共电极108等结构，对置基板的像素区包括色阻层128和保护层127等结构。阵列基板的间隔区包括像素电极106的材料和信号线110等结构，对置基板的间隔区包括黑矩阵125和保护层127等结构。隔垫物150布置在间隔区，高度为3μm到4μm之间。例如，在图12B的面板中，隔垫物高度达到了3.16μm。本申请的显示面板同样包括上述结构，此外，还在间隔区包括有机膜层120。图12C的左侧示意性地示出了像素区的截面图，而图12C的右侧示意性地示出了间隔区的截面图。在根据本申请实施例的显示面板中，隔垫物高度为1.4μm到2μm，例如在图12C的实施例中，隔垫物高度可以为1.49μm。在相关技术的显示面板中，主隔垫物和辅助隔垫物的隔垫物——黑矩阵偏移距离分别可以达到51.5μm和43μm，而根据本申请实施例的显示面板的隔垫物——黑矩阵偏移距离为30μm。因此，本申请实施例的显示面板通过缩减隔垫物高度来减小了隔垫物——黑矩阵偏移距离，进一步提升了显示面板的开口率。
在显示面板中，过孔是为中间存在间隔的层叠结构建立电连接的一种手段。在本申请实施例中，为了使有机膜层120上下的层结构之间电连接，有机膜层120中也需要设置过孔260。图13示意性地示出了根据本申请实施例的过孔的截面图。如图13所示，过孔260包括第一开口261、第二开口262、和位于所述第一开口261和所述第二开口262之间的内壁263。可以理解，第一开口261是过孔260在有机膜层120的一个表面上的截面，第二开口262是过孔260在有机膜层120的 另一个表面上的截面。发明人认为，过孔的内壁的倾斜程度不应过大，否则在向过孔内沉积ITO电极材料时，可能导致ITO材料较薄地覆盖在过孔内壁，增加了过孔的接触电阻，造成过孔搭接不良等问题。另外，如果过孔内壁斜率较大，在形成配向膜时，配向膜材料会出现扩散异常、涂布不均等现象，造成屏幕显示细横线、麻点等不良(即，M24不良)。因此，需要降低过孔内壁的倾斜程度。具体来说，过孔230的内壁263包括第一内壁坡度渐变区2631、第二内壁坡度渐变区2632、和介于所述第一内壁坡度渐变区2631和所述第二内壁坡度渐变区2632之间的内壁坡度稳定区2633，所述内壁坡度稳定区2633相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度小于或等于20°。在一些更具体的实施例中，所得到的过孔的内壁相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度可以低至15°，甚至更低，例如可低至13°。
这有助于避免上述过孔接触不良的问题，也有助于配向膜的正常扩散。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板在信号线背离衬底基板的一侧设置了有机膜层，能够屏蔽信号线产生的边缘电场，减小了所需黑矩阵的宽度，增加了面板开口率。而且，有机膜层还增加了公共电极线与信号线之间距离，减少了两者之间的电容，改善了串扰及残像等问题。布置在像素区的有机膜层的厚度小于布置在间隔区的有机膜层的厚度，维持了像素区的电场，保持了液晶偏转电源。此外，有机膜层还可以布置在非显示区和切割区，以便减小段差，改善应力，减小了因应力差异而导致的漏光问题。此外，通过对非显示区的有机膜层进行厚度调整，可以实现对封框胶的限位。
根据本申请的另一方面，提供了一种制造显示面板的方法。图14示意性地示出根据本申请实施例的制造显示面板的方法的流程图。如图14所示，该方法包括：
在步骤S305，提供衬底基板，其中，所述衬底基板包括至少一个显示区，每个显示区包括多个像素区以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区；
在步骤S310，在所述衬底基板上形成信号线，其中所述信号线位于所述间隔区内；
在步骤S315，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层，其中所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。
下面对这些步骤进行描述。首先，提供衬底基板。该衬底基板105上包括至少一个显示区115，每个显示区115上又被划分出像素区116和间隔区117，各区内在后续步骤中会形成不同的结构。衬底基板105上可能已经形成了一些层结构。例如，在衬底基板105上，可能已经通过诸如溅射的方法形成了ITO材料层。ITO材料的厚度可以是 至 例如 然后，对ITO材料层进行刻蚀，以得到像素电极106。
然后，在所述衬底基板105上形成信号线110，其中所述信号线110位于所述间隔区117内。信号线110可以包括栅线和数据线中的至少一个，所以形成信号线110的步骤包括了形成栅线的步骤和形成数据线的步骤中的至少一个。在一个实施例中，首先，在衬底基板上形成铜层，铜层的厚度可以是 到 例如 然后，对铜层进行刻蚀，以得到栅线，栅线应该当位于衬底基板的间隔区117。然后，可以在栅线上形成栅极绝缘层107，栅极绝缘层107的材料可以是硅的氮化物，其厚度可以是 到 例如 然后，继续在栅极绝缘层107上通过诸如溅射的方式形成有源材料层并进行刻蚀，以得到有源层109。有源层109的材料可以是单晶硅，厚度可以是 至 例如 然后，在有源层109上提供金属材料层，并进行刻蚀，以得到数据线。数据线也应该当位于衬底基板的间隔区117。数据线可以采用钼、铜、钼的层叠结构，三个层的厚度可以分别为 例如 然后，在数据线上形成钝化层111。钝化层的材料可以是硅的氮化物，其厚度可以是 到 例如 等。在需要的位置，钝化层111中可以通过刻蚀的方式形成过孔。
然后，在所述信号线110背离所述衬底基板105的一侧形成有机膜层120，其中所述有机膜层120在所述衬底基板105上的正投影覆盖所述信号线110在所述衬底基板105上的正投影。具体的，在钝化层111上涂覆有机材料层，有机材料层的厚度可以大于 然后对有机材料层进行曝光和显影，以使所述有机膜层至少存在于间隔区 117，以便所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。有机材料需要有这样的性质：经过曝光和显影的有机材料部分会从有机材料层中去除。通过上述步骤，可以在信号线上提供有机膜层，以便减小信号线造成的边缘电场。
下面更详细地描述在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层的步骤。
首先，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层。有机材料可以是树脂材料、丙烯酸、聚酰亚胺、萘醌二叠氮化合物等。有机材料可以通过旋涂的方式涂布在衬底基板上。在一些实施例中，涂布的有机膜的厚度至少为
为了使像素区的有机膜层的厚度小于间隔区的有机膜层的厚度，在一些实施例中，利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光。半色调掩模板按照所需要形成的图案而设置有不同透过率的区。这样，照到有机材料层各处的光的剂量不同，在经过显影后，有机膜层在不同的区域会具有不同的厚度。例如，半色调掩模板可以包括完全遮光区和部分透光区。经过曝光显影后，有机材料层中对应于完全遮光区的有机材料不会被移除，这部分的有机材料成为所述有机材料图案层中的有机材料完全保留区。经过曝光显影后，对应于部分透光区的有机材料会被部分地移除，剩余的部分成为了所述有机材料图案层中的有机材料部分保留区。也就是说，有机材料完全保留区的有机材料没有被移除而且完全得到保留，有机材料部分保留区的一部分有机材料被去除，剩下的一部分有机材料被保留，因此可以理解，所述有机材料完全保留区的厚度大于所述有机材料部分保留区的厚度。在得到有机材料图案层之后，可以固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。
在半色调掩模板上，完全遮光区对应于间隔区117的位置，部分透光区对应于像素区116的位置，因此在有机材料层经过曝光显影后，所述有机材料完全保留区位于所述间隔区117，所述有机材料部分保留区位于所述像素区116，而且像素区的有机材料的厚度小于间隔区的有机材料的厚度。这样，仅通过一次曝光，就能形成在不同位置具有不同厚度的有机膜层，其中位于间隔区117的有机膜层足够厚，以屏蔽信号线的边缘电场，减小公共电极与信号线之间的电容，并且能够支 持隔垫物150，而位于像素区的有机材料的厚度得到一定的减薄，以维持像素内的液晶偏转电压。由于这种厚度的区别，有机材料完全保留区和有机材料部分保留区之间存在一定的段差。
从上面的实施例可以领会，对于显示面板来说，有机材料完全保留区和有机材料部分保留区之间段差是十分重要的。然而，在常规的技术中，难以实现较大段差，主要是因为有机材料在进行固化时，在受热条件下会出现有明显流动，导致有机材料完全保留区的有机材料会流向有机材料部分保留区，导致段差明显减小。在一示例中，原本大于1.5μm的段差可能缩减至约为1.1μm。这样，间隔区的有机膜层难以屏蔽信号线的边缘电场，无法降低信号线与公共电极之间的电容，而且无法有效支撑隔垫物，而相应的，像素的液晶偏转电压也会增大，影响产品良率。
在得到有机材料图案层之后，可以固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。为了减少热流动导致的段差降低问题，本申请对固化有机材料图案层的过程进行了改进。具体的，在一些实施例中，在固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层的过程中，首先以第一温度加热、并以具有第一辐射照度的紫外光照射所述有机材料图案层以得到预固化层，其中所述第一温度在120℃到140℃的范围之内，所述第一光强辐射照度在700mw/cm 2至1000mw/cm 2的范围之内。此步骤通过低温加紫外线光照组合的方式，对有机材料图案层进行了预固化。此步骤有效地降低了有机材料的高温流动性，防止了因为有机材料的高温流动性而导致的有机材料完全保留区和有机材料部分保留区之间的段差较小的问题。而且，700mw/cm 2至1000mw/cm 2的紫外光能够提升有机膜层的透过率，使得成品的透过率进一步提高。图15示意性地示出了经过不同剂量的紫外光的照射之后，所得到的有机膜层对各种波长的可见光的透过率。如图15所示，当紫外光照射剂量达到500mJ后，有机膜层对于各个波长的可见光的透过率都能达到90％，而当紫外光照射剂量达到700mJ后，有机膜层对于各个波长的可见光的透过率都能达到92％。之后，以第二温度加热所述预固化层以得到所述有机膜层，其中所述第二温度在230℃到250℃的范围之内。通过上述两个过程，所得到的有机膜层位于间隔区中的部分和位于像素区中的部分的段差较大。位于间隔区中的有机膜层能够有效地屏蔽信号 线的电场，而且位于像素区中的有机膜层不会显著影响液晶驱动电压。而且，由于阻止了有机材料的热流动，位于间隔区中的有机膜层部分的侧壁的倾斜程度较陡，减少了配向弱区的宽度，增加了面板的开口率。还应指出，如果仅通过低温烘烤，达到相同段差所需时间较长(大于10min)，难以满足实际生产中的速度需求。如果仅进行紫外光照，无法得到较大的段差(至少1.5μm)。本申请将低温烘烤与紫外光照进行结合，实现了更优的效果。
图16A示意性地示出了常规的仅采用单次高温加热固化的方法中有机膜层的形态变化，图16B示意性地示出了根据本申请实施例的制造显示面板的方法中有机膜层的形态变化。如图16A所示，在仅采用单次高温加热固化的方法中，由于有机材料的热流动，有机膜层的段差出现了比较严重的缩小。如图16B所示，虽然在低温加热紫外辐照和高温加热这两个过程中，每个过程中的段差缩小的程度都很小，最终的段差缩小程度也小于仅采用高温加热的方法。
图17A示意性地示出了常规的仅采用单次高温加热固化的方法所得到的有机膜层的结构图像。图17B示意性地示出了根据本申请实施例的制造显示面板的方法得到的有机膜层的结构图像。通过图17A与图17B的比较可以看出，在没有经过预固化处理时，有机材料的热流动比较严重，位于信号线上方的有机膜层的厚度降低，为1.6515μm，显示区的有机膜层的厚度增加，为1.0988μm，段差为1.0563μm。在常规方法中，由于严重的热流动，有机膜层的侧表面将比较平坦，该侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度一般只能达到12°，无法达到15°。而在本申请的方法中，经过了预固化之后，有机材料的热流动显著减小，位于信号线上方的有机膜层的厚度维持在较高的水平，达到了1.7411μm，显示区的有机膜层的厚度维持在较低的水平，仅为0.7366μm，段差达到了1.9172μm。而且，有机膜层的侧表面相对于衬底基板所在平面的倾斜角度可以达到15°以上，甚至达到20°以上，例如，如图3中所示的22°。这说明，本申请实施例的方法能够有效地抑制有机材料的热流动。应注意，图17A与图17B是制作完成有机膜层后直接进行拍摄所得到的图像，在显示面板的制作过程中，后续还有其它步骤，无论是常规的显示面板的制作过程，还是根据本申请实施例的显示面板的制作过程，最终的成品显示面板的侧表面的倾斜 角度会有一定减小。不过，这并不影响根据本申请实施例的制作显示面板的方法所得到的显示面板的有机膜层的侧表面的倾斜角度远大于常规的显示面板的有机膜层的侧表面的倾斜角度这一事实。
在一些实施例中，所述有机膜层120从所述显示区115延伸到所述非显示区118和所述切割区119，以弥补显示区115、非显示区118、和切割区119之间的段差，从而减少应力不均，改善显示面板的周边漏光情况。为了得到这样的显示面板，在一些实施例中，在对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层的步骤中，所述有机材料部分保留区包括第一有机材料部分保留区和第二有机材料部分保留区，其中所述有机材料完全保留区位于所述间隔区和所述切割区，所述第一有机材料部分保留区位于所述非显示区，所述第二有机材料部分保留区位于所述像素区。这样，在显示区(包括像素区和间隔区)、非显示区和切割区，都提供了有机材料，而且，由于所述有机材料完全保留区位于所述间隔区和所述切割区，也就是这两个区的有机膜层的厚度最厚，因此，在间隔区有机膜层能够有效地屏蔽信号线的电场和减小信号线与公共电极之间的电容，并且在切割区，由于切割区的厚度最低，更厚的有机膜层可以更有效地弥补段差，减小应力，改善面板周边区域的漏光。
在一些实施例中，位于非显示区118的有机膜层的部分包括凹槽部251和位于所述凹槽部251两侧的边缘部252。所述凹槽部251的平均厚度小于所述边缘部252的平均厚度。显示面板的封框胶253位于所述凹槽部251内。这样，封框胶253在涂布时能够很好的卡在预定位置。为了形成这样的结构，在一些实施例中，通过设置半色调掩模板的图案，可以使得在经过曝光显影后，所述第一有机材料部分保留区包括凹槽部和位于所述凹槽部两侧的边缘部，所述凹槽部的平均厚度小于所述边缘部的平均厚度，其中，所述方法还包括：在所述凹槽部提供封框胶。这样，通过非显示区的具有凹槽部的第一有机材料部分保留区，能够对封框胶进行限位。
在一些实施例中，有机膜层120中也需要设置过孔260，过孔的内壁263的倾斜程度不应过大，否则在向过孔内沉积ITO电极材料时，可能导致ITO材料较薄地覆盖在过孔内壁，增加了过孔的接触电阻，造成过孔搭接不良等问题。为了降低过孔内壁的倾斜程度，本申请实 施例采用了半色调掩模板对有机材料层进行曝光，使得所得到的过孔内具有台阶部。台阶部的存在使得过孔内壁实现阶段性的下降，这样，在经过高温固化后，利用有机材料的高温流动性，最终形成的过孔的内壁具有较低的倾斜程度。
在形成过孔的具体方法中，首先，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层。然后，利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层。图18示意性地示出了半色调掩模板的局部俯视图案。半色调掩模板包括完全遮光区161、部分透光区162、以及完全透光区163。完全透光区163对应于过孔的第二开口。部分透光区162是一个包围完全透光区163的环形区域，部分透光区162的内环对应于过孔的第二开口、外环对应于过孔的第一开口。完全遮光区161包围了部分透光区162。
图19示例性地示出了曝光过程。在利用这样的半色调掩模板对所述有机材料层进行曝光并显影后，所得到的有机材料图案层将包括过孔图案。因此，术语“过孔图案”可以理解为有机材料经过曝光和显影后得到的结构。应注意，该结构尚未经过退火，在退火中有机材料还可能出现热流动，所以过孔图案并不是最终的过孔。图20示意性地示出了过孔图案的截面图。所述过孔图案包括第一开口261、第二开口262、和位于所述第一开口和所述第二开口之间的内壁图案264。所述第一开口位于所述有机材料图案层远离所述衬底基板的表面，所述第二开口位于所述有机材料图案层靠近所述衬底基板的表面，所述内壁图案264包括第一爬升区2641、第二爬升区2642、以及位于第一爬升区2641和第二爬升区2642之间的台阶部2643，所述台阶部2643与所述第一开口261和所述第二开口262基本平行。在一些实施例中，所述台阶部到所述第一开口的距离与所述台阶部到所述第二开口的距离的比例在90％-110％的范围内。这样，台阶部的竖直位置在过孔内比较居中，有利于降低过孔内壁的整体倾斜程度。
在得到这样的有机材料图案层后，对所述有机材料图案层进行固化，以得到所述有机膜层。固化可以采用高温加热的方式，例如在230℃到250℃的环境内进行加热，从而利用有机材料的高温流动性，使得第一爬升区2641、第二爬升区2642和台阶部2643相互融合，让最终形成的过孔的内壁更加平缓，进一步形成具有较低倾斜程度的内壁的 过孔。经过本申请上述方法的制作，所得到的过孔的内壁非常平缓，其倾斜程度非常小，可以小于20°，甚至可以低至15°或更低，例如低至13°。而在常规的制作过孔的方法中，过孔内壁的坡度一般为40°，最低也为30°，无法达到本申请实施例的20°及更低的程度。
综上所述，根据本申请实施例的制造显示面板的方法可以用于获得根据本申请实施例的显示面板，该显示面板具有前文提到的所有特点。而且，本申请的方法采用预固化的方式，降低有机材料的高温流动性，防止因为高温流动性而导致不同厚度的有机膜层的段差减小的问题。而且，利用半色调掩模板制作过孔，所得到的过孔的内壁具有较小的倾斜程度。
如本领域技术人员将理解的，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开实施例中方法的各个步骤，但是这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，除非上下文另有明确说明。附加的或可替换的，可以将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行。此外，在步骤之间可以插入其他方法步骤。插入的步骤可以表示诸如本文所描述的方法的改进，或者可以与该方法无关。此外，在下一步骤开始之前，给定步骤可能尚未完全完成。
在本公开实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例而不是要求本公开实施例必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

  1. 一种显示面板，包括衬底基板和布置在所述衬底基板上的信号线，其中，所述衬底基板包括至少一个显示区，每个显示区包括多个像素区以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区，所述信号线位于所述间隔区内，
    其中，所述显示面板还包括有机膜层，所述有机膜层布置在所述信号线背离所述衬底基板的一侧，并且所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。
  2. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机膜层包括顶部区域和侧表面，所述顶部区域位于所述有机膜层背离所述信号线的一侧，所述侧表面位于所述顶部区域和所述信号线之间，
    其中，所述侧表面相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度大于或等于15°。
  3. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机膜层从所述间隔区延伸到所述像素区，其中，所述有机膜层包括第一有机膜部分和第二有机膜部分，所述第一有机膜部分位于所述间隔区，所述第二有机膜部分位于所述像素区，其中所述第一有机膜部分的平均厚度大于所述第二有机膜部分的平均厚度。
  4. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一有机膜部分的平均厚度大于或等于15000埃米。
  5. 如权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二有机膜部分的平均厚度小于或等于8000埃米。
  6. 如权利要求1所述的显示面板，还包括公共电极层，所述公共电极层包括彼此平行并间隔布置的多个条状公共电极，其中，所述多个条状公共电极的一部分布置在所述间隔区，并且所述有机膜层位于布置在所述间隔区的条状公共电极和所述信号线之间。
  7. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述至少一个显示区包括多个显示区，所述衬底基板还包括多个非显示区，所述多个非显示区中的每个非显示区包围所述多个显示区中的对应的显示区，所述衬底基板还包括位于所述多个非显示区中的任意两个相邻的非显示区之间的切割区，
    其中，所述有机膜层从所述显示区延伸到所述非显示区和所述切割区。
  8. 如权利要求7所述的显示面板，其中，所述有机膜层包括第一有机膜部分、第二有机膜部分、第三有机膜部分和第四有机膜部分，所述第一有机膜部分位于所述间隔区，所述第二有机膜部分位于所述像素区，所述第三有机膜部分位于所述切割区，所述第四有机膜部分位于所述非显示区，其中所述第三有机膜部分的平均厚度大于或等于所述第一有机膜部分的平均厚度，并且所述第三有机膜部分的平均厚度大于所述第二有机膜部分和所述第四有机膜部分中的至少一个的平均厚度。
  9. 如权利要求8所述的显示面板，其中，所述第四有机膜部分包括凹槽部和位于所述凹槽部两侧的边缘部，所述凹槽部的平均厚度小于所述边缘部的平均厚度，
    其中，所述显示面板还包括封框胶，所述封框胶位于所述凹槽部内。
  10. 如权利要求1所述的显示面板，还包括隔垫物，其中，所述隔垫物位于所述有机膜层背离所述衬底基板的一侧。
  11. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机膜层包括过孔，所述过孔包括第一开口、第二开口、和位于所述第一开口和所述第二开口之间的内壁，所述内壁包括第一内壁坡度渐变区、第二内壁坡度渐变区、和介于所述第一内壁坡度渐变区和所述第二内壁坡度渐变区之间的内壁坡度稳定区，其中所述内壁坡度稳定区相对于所述衬底基板所在平面的倾斜角度小于或等于20°。
  12. 一种制造显示面板的方法，包括：
    提供衬底基板，其中所述衬底基板包括至少一个显示区，每个显示区包括多个像素区以及位于所述多个像素区中的任意两个相邻的像素区之间的间隔区；
    在所述衬底基板上形成信号线，其中所述信号线位于所述间隔区内；
    在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层，其中所述有机膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底基板上的正投影。
  13. 如权利要求12所述的方法，其中，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层包括：
    在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层；
    利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层，其中所述有机材料图案层包括有机材料完全保留区和有机材料部分保留区，所述有机材料完全保留区位于所述间隔区，所述有机材料部分保留区位于所述像素区，其中所述有机材料完全保留区的厚度大于所述有机材料部分保留区的厚度；
    固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。
  14. 如权利要求13所述的方法，其中，固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层包括：
    以第一温度加热、并以具有第一辐射照度的紫外光照射所述有机材料图案层以得到预固化层，其中所述第一温度在120℃到140℃的范围之内，所述第一光强辐射照度在700mw/cm 2-1000mw/cm 2的范围之内；以及，
    以第二温度加热所述预固化层以得到所述有机膜层，其中所述第二温度在230℃到250℃的范围之内。
  15. 如权利要求13所述的方法，其中，所述至少一个显示区包括多个显示区，所述衬底基板还包括多个非显示区，所述多个非显示区中的每个非显示区包围所述多个显示区中的对应的显示区，所述衬底基板还包括位于所述多个非显示区中的任意两个相邻的非显示区之间的切割区，
    其中，在利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层的步骤中，所述有机材料部分保留区包括第一有机材料部分保留区和第二有机材料部分保留区，其中所述有机材料完全保留区位于所述间隔区和所述切割区，所述第一有机材料部分保留区位于所述非显示区，所述第二有机材料部分保留区位于所述像素区。
  16. 如权利要求15所述的方法，其中，所述第一有机材料部分保留区包括凹槽部和位于所述凹槽部两侧的边缘部，所述凹槽部的平均厚度小于所述边缘部的平均厚度，其中，所述方法还包括：
    在所述凹槽部提供封框胶。
  17. 如权利要求12所述的方法，其中，所述有机膜层包括过孔，并且，在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机膜层包括：
    在所述信号线背离所述衬底基板的一侧形成有机材料层；
    利用半色调掩模板，对所述有机材料层进行曝光并显影，以将所述有机材料层形成为有机材料图案层，其中所述有机材料图案层包括过孔图案，所述过孔图案包括第一开口、第二开口、和位于所述第一开口和所述第二开口之间的内壁图案，所述第一开口位于所述有机材料图案层远离所述衬底基板的表面，所述第二开口位于所述有机材料图案层靠近所述衬底基板的表面，所述内壁图案包括第一爬升区、第二爬升区、以及位于第一爬升区和第二爬升区之间的台阶部，所述台阶部与所述第一开口和所述第二开口平行；
    固化所述有机材料图案层以得到所述有机膜层。
  18. 如权利要求17所述的方法，其中，所述台阶部到所述第一开口的距离与所述台阶部到所述第二开口的距离的比例在90％-110％的范围内。
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